1.本技术涉及显示技术领域,尤其涉及一种色转换基板、微型发光二极管显示面板及显示装置。
背景技术:2.作为新一代的显示技术,微型二极管(micro light-emitting diode,micro-led)显示面板具有亮度更高、发光效率更好、功耗更低的显著优势。已成为显示面板行业研究的重点。当前微型二极管显示面板的彩色化主要有两种方案,第一种方案为采用红色、绿色、蓝色的微型发光二极管的三色方案,第二种为采用单色或者双色微型发光二极管搭配色转换层的方案。
3.在第一种方案中,由于红色微型发光二极管一般是由ingaalp外延层在gaas衬底上制成,而绿色、蓝色微型发光二极管是由基于蓝宝石或硅衬底的ingan制成,这两种制造场景下的微型发光二极管的性能及电气特性存在差异性老化。此外,红色微型发光二极管的发光效率较低的问题,一直无法解决。
4.在第二种方案中,可以摒弃红色微型发光二极管,而采用其他颜色的微型发光二极管搭配色转换层获得红光,具备发光效率高、巨量转移工艺简化、驱动和补偿电路设计简化的优势。但是,现有第二种方案中存在膜层结构不完整的问题。
技术实现要素:5.本技术提供了一种色转换基板、微型发光二极管显示面板及显示装置,以解决以上问题。
6.第一方面,本技术提供一种色转换基板,包括第一衬底基板、多个色转换单元、牺牲层及缓冲保护层;色转换单元设置在第一衬底基板上并包括滤光层及色转换层,滤光层位于色转换层靠近第一衬底基板的一侧;牺牲层设置在第一衬底基板与色转换单元之间;缓冲保护层位于滤光层朝向色转换层的一侧,和/或,缓冲保护层位于滤光层远离色转换层的一侧。
7.第一方面的一种实现方式中,缓冲保护层设置在滤光层与牺牲层之间。
8.第一方面的一种实现方式中,缓冲保护层设置在滤光层与色转换层之间,且缓冲保护层为有机膜层。
9.第一方面的一种实现方式中,缓冲保护层设置在滤光层与色转换层之间,且缓冲保护层包括层叠设置的有机膜层和无机膜层。
10.第一方面的一种实现方式中,有机膜层位于无机膜层朝向滤光层的一侧。
11.第一方面的一种实现方式中,有机膜层覆盖滤光层朝向色转换层的一端。
12.第一方面的一种实现方式中,有机膜层朝向色转换层的一端与滤光层朝向所述色转换层的一端平齐。
13.第二方面,本技术提供一种微型发光二极管显示面板,包括由第一方面提供的色
转换基板所获得的色转换复合膜层,色转换复合膜层中保留色转换基板中的色转换单元。
14.第二方面的一种实现方式中,微型发光二极管显示面板还包括发光基板,色转换复合膜层设置在发光基板朝向微型发光二极管显示面板出光面的一侧;其中,色转换复合膜层的滤光层设置在色转换层朝向微型发光二极管显示面板出光面的一侧。
15.第三方面,本技术提供一种显示装置,包括第二方面提供的微型发光二极管显示面板。
16.在本技术实施例中,在滤光层的至少一侧设置缓冲保护层,可以减小滤光层被后续工艺步骤损伤的风险,例如,保护滤光层可以在第一衬底基板剥离时免受激光损伤,或者保护滤光层在色转换层修复时免受损伤。
附图说明
17.图1为本技术一个实施例提供的一种色转换基板的示意图;
18.图2为本技术另一个实施例提供的一种色转换基板的示意图;
19.图3为本技术又一个实施例提供的一种色转换基板的示意图;
20.图4为本技术再一个实施例提供的一种色转换基板的示意图;
21.图5为本技术实施例所提供的一种色转换基板相关的制程工艺流程图;
22.图6为本技术实施例所提供的另一种色转换基板相关的制程工艺流程图;
23.图7为本技术实施例所提供的又一种色转换基板相关的制程工艺流程图;
24.图8为本技术实施例所提供的一种色转换基板中在牺牲层上制备隔断结构、色转换单元及缓冲保护层的制程工艺流程图;
25.图9为本技术另一个实施例提供的另一种色转换基板的示意图;
26.图10为本技术另一个实施例提供的又一种色转换基板的示意图;
27.图11为本技术又一个实施例提供的另一种色转换基板的示意图;
28.图12为本技术又一个实施例提供的又一种色转换基板的示意图;
29.图13为本技术再一个实施例提供的另一种色转换基板的示意图;
30.图14为本技术再一个实施例提供的又一种色转换基板的示意图;
31.图15为本技术实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的示意图;
32.图16为本技术实施例提供的另一种微型发光二极管显示面板的示意图;
33.图17为本技术实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
34.本技术的实施方式部分使用的术语仅用于对本技术的具体实施例进行解释,而非旨在限定本技术。
35.本技术实施例提供一种色转换层基板、微型二极管显示面板及显示装置。
36.本技术实施例提供的色转换基板可以应用于微型发光二极管显示面板,微型发光二极管显示面板具体可以包含一种发光颜色的微型发光二极管或者两种不同发光颜色的微型发光二极管。
37.例如,本技术实施例所提供的色转换基板可以应用于,仅包含绿色微型发光二极管的显示面板,或者仅包含蓝色微型发光二极管的显示面板,或者仅包含紫外光微型发光
二极管的显示面板。
38.例如,本技术实施例所提供的色转换基板也可以应用于,仅同时包含绿色微型发光二极管和蓝色微型发光二极管的显示面板。
39.其中,色转换基板在制备完成后,可以通过粘结层贴合在包含微型发光二极管的发光基板上,并且色转换基板中的衬底基板被剥离后,形成微型二极管显示面板。
40.本技术实施例提供的色转换基板应用于微型二极管显示面板时,其可以将作为光源的微型发光二极管发出的光进行转色,实现彩色显示。具体地,色转换基板可以将一种发光颜色的微型发光二极管发射的一种颜色的光转换为其他颜色,也可以将两种不同发光颜色的微型发光二极管中的至少一者发射的光转换为其他颜色。
41.例如,微型发光二极管显示面板仅包含一种发光颜色的微型发光二极管时,则微型发光二极管显示面板中各个子像素的光源均为该微型发光二极管,子像素中的光源发射的光经过色转换基板后会变为该子像素所对应的颜色的光。
42.例如,微型发光二极管显示面板包含分别发射两种发光颜色的微型发光二极管时,则微型发光二极管显示面板中一个子像素的光源为双色微型发光二极管中的一种,子像素中的光源发射的光经过色转换基板后会变为该子像素所对应的颜色的光。
43.图1为本技术一个实施例提供的一种色转换基板的示意图,图2为本技术另一个实施例提供的一种色转换基板的示意图,图3为本技术又一个实施例提供的一种色转换基板的示意图。
44.如图1-图3所示,本技术实施例提供的色转换基板包括第一衬底基板11以及设置在第一衬底基板11上的多个色转换单元15,其中,色转换单元15包括滤光层151和色转换层152,滤光层151位于色转换层152靠近第一衬底基板11的一侧。第一衬底基板11具体可以为玻璃基板。
45.其中,色转换层152可以将接收到的光转换为与对应的子像素对应颜色的光,并且其制备材料具体可以为量子点、荧光粉等中的一种。例如,色转换层152可以将接收到的蓝光转换为绿光或者红光,也可以将接收到的绿光转换为蓝光或者红光,也可以将接收到的紫外光转换为蓝光、红光及绿光。此外,色转换层152可以通过光刻工艺制备而成或者喷墨打印工艺制备而成。
46.此外,色转换层152的材料选择需要根据所接收的光的波长及所要转换成的光的波长进行确定。
47.假设采用本技术实施例提供的色转换基板的微型发光二极管显示面板包含红色子像素、蓝色子像素及绿色子像素,则对应的色转换单元15包括红色转换单元15a、绿色转换单元15b及蓝色转换单元15c,并且红色转换单元15a中的色转换层152具体为红色转换层152a、绿色转换单元15b中的色转换层152具体为绿色转换层152b、蓝色转换单元15c中的色转换层152具体为蓝色转换层152c。
48.例如,一个色转换单元15所对应的子像素中的光源为发蓝光的微型发光二极管时,若该子像素为红色子像素,则该红色子像素中的色转换层152应该为,由能够将蓝光转换为红光的色转换材料形成的红色转换层152a;若该子像素为绿色子像素,则该绿子像素中的色转换层152应该为,由能够将蓝光转换为绿光的色转换材料形成的绿色转换层152b;若该子像素为蓝色子像素,则该蓝子像素中的色转换层152为透明填充材料形成的蓝色转
换层152c。
49.例如,一个色转换单元15所对应的子像素中的光源为发绿光的微型发光二极管时,若该子像素为红色子像素,则该红色子像素中的色转换层152应该为,由能够将绿光转换为红光的色转换材料形成的红色转换层152a;若该子像素为蓝色子像素,则该蓝色子像素中的色转换层152应该为,由能够将绿光转换为蓝光的色转换材料形成的蓝色转换层152c;若该子像素为绿色子像素,则该绿子像素中的色转换层152为透明填充材料形成的绿色转换层152b。
50.例如,一个色转换单元15所对应的子像素中的光源为紫外光微型发光二极管时,若该子像素为红色子像素,则该红子像素中的色转换层152应该为,由能够将紫外光转换为红光的色转换材料形成的红色转换层152a;若该子像素为绿色子像素,则该绿子像素中的色转换层152应该为,由能够将紫外光转换为绿光的色转换材料形成的绿色转换层152b;若该子像素为蓝色子像素时,则该蓝子像素中的色转换层152应该为,由能够将紫外光转换为蓝光的色转换材料形成的蓝色转换层152c。
51.其中,滤光层151能够将接收到的光进行过滤以提高特定波长的光的纯度。滤光层151可以采用不同颜色的感光树脂材料制备形成,具体可以通过光刻工艺制备。
52.假设色转换单元15包括红色转换单元15a、绿色转换单元15b及蓝色转换单元15c,并且红色转换单元15a中的滤光层151具体为红色滤光层151a、绿色转换单元15b中的滤光层151具体为绿色滤光层151b、蓝色转换单元15c中的滤光层151具体为蓝色滤光层151c。
53.例如,一个红色转换单元15a中的红色转换层152a出射了红光至红色滤光层151a,则经过红色滤光层151a后的红光的色度更纯;一个绿色转换单元15b中的绿色转换层152b出射了绿光至绿色滤光层151b,则经过绿色滤光层151b后的绿光的色度更纯;一个蓝色转换单元15中的蓝色转换层152c出射了蓝光至蓝色滤光层151c,则经过蓝色滤光层151c后的蓝光的色度更纯。
54.此外,色转换基板还包括牺牲层13,牺牲层13设置在第一衬底基板11与色转换单元15之间。牺牲层13可以由有机材料制备形成,例如由聚酰亚胺制备形成,并且由有机材料制备形成时,可以采用旋涂法制备;也可以由无机材料制备形成,例如由氢化非晶硅、非晶氧化镓等中的至少一者制备形成,并且由无机材料制备形成时,可以采用化学气相沉积发制备。
55.牺牲层13的作用在于,剥离色转换基板中的第一衬底基板11时,牺牲层13能够吸收激光能量发生烧蚀或者分解,进而使得第一衬底基板11剥离。
56.在本技术实施例中,滤光层151朝向色转换层152的一侧和/或远离色转换层152的一侧设置有缓冲保护层100,并且缓冲保护层100覆盖滤光层151朝向色转换层152的一端,和/或,覆盖滤光层151远离色转换层152的一端。
57.其中,缓冲保护层100可以保护色转换单元15中的滤光层151的材料在色转换基板制程中免受损伤。
58.在本技术的一个实施例中,如图1-图3所示,相邻的色转换单元15之间设置有隔断结构17,并且隔断结构17包括黑色遮光结构171和挡墙结构172。
59.其中,黑色遮光结构171具体设置在相邻的滤光层151之间,用于防止相邻滤光层151之间的光串扰。黑色遮光结构171可以采用黑色感光树脂材料制备而成,具体的制备工
艺可以为光刻工艺。
60.其中,挡墙结构172具体设置在相邻的色转换层152之间,用于限定色转换层152的位置,也就是隔离相邻的色转换层152。挡墙结构172可以采用具有一定透光性的感光树脂材料制备而成,具体的制备工艺可以为光刻工艺。
61.进一步地,隔断结构17还可以包括光反射层173,且光反射层173设置在挡墙结构172朝向色转换层152的侧壁上。光反射层173可以采用包含金、银、铜等中的至少一种金属和/或金属化合物制备形成,且可以为一层结构,也可以为多层结构,具体的制备工艺可以为溅射、蒸镀等。光反射层173除了能够避免相邻色转换层152之间混光之外,还能够提高一个色转换单元15内的光利用率。
62.图4为本技术再一个实施例提供的一种色转换基板的示意图。
63.在本技术的另一个实施例中,如图4所示,相邻的色转换单元15之间设置有隔断结构17,并且隔断结构17具体为黑色遮光结构。其中,具体为黑色遮光结构的隔断结构17具体设置在相邻的色转换单元15之间,用于隔绝相邻的滤光层151及相邻的色转换层152,也就是,相邻的滤光层151之间均包括黑色遮光结构且相邻的色转换层152之间也均包括黑色遮光结构,防止相邻滤光层151之间及相邻的色转换层152之间的光串扰。此时,隔断结构17可以采用黑色感光树脂材料制备而成,具体的制备工艺可以为光刻工艺。
64.在本技术的一个实施例中,如图1所示,缓冲保护层100可以设置在滤光层151远离色转换层152的一侧,并且缓冲保护层100具体设置在滤光层151与牺牲层13之间。
65.此时,缓冲保护层100可以由氮化硅、氧化硅等无机透明材料制备形成,并且可以为单层,也可以为多层结构。缓冲保护层100的制备工艺具体可以为蒸镀、化学气相沉积等。在剥离色转换基板中的第一衬底基板11时,牺牲层13在激光作用下分解或变形,无机材料制备的缓冲层能够起到应力缓冲作用,对滤光层151起到防护作用,避免激光剥离损伤滤光层151。
66.图5为本技术实施例所提供的一种色转换基板相关的制程工艺流程图,图6为本技术实施例所提供的另一种色转换基板相关的制程工艺流程图,以下结合图5、图6,对本实施例所提供的色转换基板中的缓冲保护层100的作用进行详细说明。
67.如图5及图6所示,色转换基板的制程如下:
68.s11:提供第一衬底基板11。第一衬底基板11具体可以为玻璃基板,且在使用前需要进行清洗等预处理。
69.s12:在第一衬底基板11上制备牺牲层13。牺牲层13可以采用旋涂法在第一衬底基板11上旋涂有机材料,例如旋涂聚酰亚胺形成牺牲层13;也可以通过化学气相沉积法在第一衬底基板11上沉积无机材料,例如沉积氢化非晶硅、非晶氧化镓等形成牺牲层13。
70.s13:在牺牲层13上制备缓冲保护层100。缓冲保护层100可以采用蒸镀或者化学气相沉积法在牺牲层13上沉积单层或者多层的氮化硅、氧化硅等无机透明材料。
71.s14:在缓冲保护层100上制备隔断结构17及色转换单元15。其中,色转换单元15中的滤光层151制备在缓冲保护层100上,也就是,缓冲保护层100可以直接与滤光层151接触。
72.在色转换基板制作完成后,需要剥离第一衬底基板11,剥离第一衬底基板11的过程具体为,激光照射第一衬底基板11后透射至牺牲层13,牺牲层13吸收激光能量发生烧蚀或分解使得第一衬底基板11分离。在对第一衬底基板11进行剥离的过程中,希望牺牲层13
能够完全烧蚀或者分解,因此对激光剥离技术的要求很高。而如果激光剥离时激光的能量和/或时间控制的不好,会损伤与牺牲层13相邻设置的膜层,例如,滤光层151与牺牲层13直接接触,而不存在位于两者之间的缓冲保护层100,则在激光剥离第一衬底基板11时,激光会对滤光层151造成损伤。
73.需要说明的是,对第一衬底基板11的剥离过程发生在色转换基板与包含微型发光二极管的发光基板贴合时,且该剥离过程可以发生在贴合这一步骤之前,也可以发生在贴合这一步骤之后。
74.本技术实施例通过在牺牲层13与色转换单元15之间设置缓冲保护层100,可以保护色转换单元15中的滤光层151在第一衬底基板11剥离过程中免受激光损伤。
75.在本技术的另一个实施例中,如图2所示,缓冲保护层100可以设置在滤光层151靠近色转换层152的一侧,并且缓冲保护层100具体设置在滤光层151与色转换层152之间。
76.图7为本技术实施例所提供的又一种色转换基板相关的制程工艺流程图。
77.以下结合图7,对本实施例所提供的色转换基板中的缓冲保护层100的作用进行详细说明。
78.如图7所示,色转换基板的制程如下:
79.s21:提供第一衬底基板11。第一衬底基板11具体可以为玻璃基板,且在使用前需要进行清洗等预处理。
80.s22:在第一衬底基板11上制备牺牲层13。牺牲层13可以采用旋涂法在第一衬底基板11上旋涂有机材料,例如旋涂聚酰亚胺形成牺牲层13;也可以通过化学气相沉积法在第一衬底基板11上沉积无机材料,例如沉积氢化非晶硅、非晶氧化镓等形成牺牲层13。
81.s23:在牺牲层13上制备隔断结构17、色转换单元15及缓冲保护层100。其中,缓冲保护层100在制备色转换单元15中的滤光层151之后且制备色转换单元15中的色转换层152之前进行制备。
82.在滤光层151制备完成后,会制备色转换层152,而对不良位置的色转换层152进行去除修复的工艺难度大,容易对色转换层152下方的膜层造成损伤。例如,滤光层151与色转换层152直接接触,而不存在位于两者之间的缓冲保护层100,则在对不良位置的色转换层152去除修复时,会对滤光层151造成损伤。
83.本技术实施例通过在滤光层151与色转换层152之间设置缓冲保护层100,可以保护色转换单元15中的滤光层151在色转换层152修复的过程中免受损伤。
84.在本实施例的一种实现方式中,如图2所示,位于色转换层152与滤光层151之间的缓冲保护层100可以为有机膜层,并且缓冲保护层100覆盖滤光层151朝向色转换层152的一端。其中,缓冲保护层100具体可以由透光性较好的有机树脂材料制备形成,此时,缓冲保护层100的制备工艺具体可以为旋涂法。
85.图8为本技术实施例所提供的一种色转换基板中在牺牲层上制备隔断结构、色转换单元及缓冲保护层的制程工艺流程图。
86.以下结合图8,对本实现方式所提供的色转换基板中的缓冲保护层100的作用进行详细说明。
87.如图8所示,在牺牲层上制备隔断结构、色转换单元及缓冲保护层的制程如下:
88.s231:在牺牲层13上制备黑色遮光结构171,且牺牲层13上的所有黑色遮光结构
171构成网格状结构。黑色遮光结构171构成的网格状结构具体可以采用光刻工艺对牺牲层13上的黑色感光树脂进行刻蚀形成。
89.s232:制备滤光层151,其中,滤光层151填充在黑色遮光结构171构成网格状结构的镂空区域内。滤光层151具体可以采用光刻工艺对不同颜色的感光树脂材料进行刻蚀形成。
90.需要说明的是,不同颜色的滤光层151可以先后制备形成,相同颜色的滤光层151可以同时制备形成。例如,红色滤光层151a的制备过程是对红色感光树脂进行光刻、绿色滤光层151b的制备过程是对绿色感光树脂进行光刻、蓝色滤光层151c的制备过程是对蓝色感光树脂进行光刻,且以上制备过程先后进行。
91.s233:制备缓冲保护层100,且缓冲保护层100覆盖滤光层151。缓冲保护层100可以采用旋涂有机树脂材料制备形成。
92.s234:在缓冲保护层100上制备挡墙结构172,且在垂直于在色转换基板厚度方向的平面内,挡墙结构172基本与黑色遮光结构171重合。也就是,设置在相同的相邻色转换单元15之间的隔断结构17中的挡墙结构172与黑色遮光结构171基本沿色转换基板的厚度方向对齐。挡墙结构172的具体的制备过程为,将具有一定透光性的感光树脂材料制备成整面结构,然后采用光刻工艺将整面结构制备成网格状的挡墙结构172。
93.s235:在挡墙结构172朝向色转换层152的侧壁上制备光反射层173。光反射层173的具体的制备过程为,采用溅射或蒸镀工艺制备整面的包含金、银、铜等中的至少一种金属和/或金属化合物,然后采用激光去除或者湿法刻蚀或者干法刻蚀等中的至少一种方法将挡墙结构172之间区域底部及挡墙结构172顶部的金属/金属化合物去除,仅保留挡墙结构172侧壁的金属和/或金属化合物形成光反射层173。
94.s236:在相邻的光反射层173之间填充色转换层152。其中,色转换层152填充在挡墙结构172构成网格状结构的镂空区域内。色转换层152具体可以采用光刻工艺对不同的色转换材料,例如量子点、荧光粉,进行光刻形成。
95.需要说明的是,不同颜色的色转换层152可以先后制备形成,相同颜色的色转换层152可以同时制备形成。例如,红色色转换层152a的制备过程是对红色色转换材料进行光刻、绿色色转换层152b的制备过程是对绿色色转换材料进行光刻、蓝色色转换层152c的制备过程是对蓝色色转换材料进行光刻,且以上制备过程先后进行。
96.在滤光层151制备完成后,会制备色转换层152,而对不良位置的色转换层152进行去除修复的工艺难度大,容易对色转换层152下方的膜层造成损伤。若滤光层151与色转换层152直接接触,而不存在位于两者之间的缓冲保护层100,则在步骤s234制备挡墙结构172时,需要对不良位置的挡墙结构172进行修复,该修复过程可能会对滤光层151造成损伤;在步骤s235制备光反射层173时,对挡墙结构172之间区域底部的金属进行刻蚀时,也可能会对滤光层151造成损伤。
97.采用有机膜层制备的缓冲保护层100可以保护滤光层151在光反射层173去除工艺、色转换层修复工艺免受损伤,同时有机膜层可以填平滤光层151之间的缝隙,为后续色转换层152提供平坦的表面。
98.本技术实施例通过在滤光层151与色转换层152之间设置缓冲保护层100,可以保护色转换单元15中的滤光层151在色转换层152修复的过程中免受损伤。
99.图9为本技术另一个实施例提供的另一种色转换基板的示意图,图10为本技术另一个实施例提供的又一种色转换基板的示意图。
100.在本实施例的另一种实现方式中,如图9及图10所示,位于色转换层152与滤光层151之间的缓冲保护层100包括层叠设置的有机膜层102b和无机膜层102a,有机膜层102b位于无机膜层102a朝向滤光层151的一侧。其中,有机膜层102b可以由透光性较好的有机树脂材料制备形成,无机膜层102a可以为由氮化硅、氧化硅等无机透明材料构成的单层或多层结构。无机膜层102a设置在滤光层151上方,则后续的光反射层173去除工艺、色转换层152修复工艺过程即便采用激光或者离子铣,无机膜层102b也可以有效保护滤光层151。而有机膜层102b设置在无机膜层102a上方可以为后续的其他结构提供平坦化的承载面。
101.本实施例对应的一种具体技术方案为,如图3所示,缓冲保护层100中的有机膜层102b覆盖滤光层151朝向色转换层152的一端。例如,如图3所示意的,缓冲保护层100中的有机膜层102b可以突出于滤光层151且覆盖滤光层151,并且无机膜层102a可以设置在有机膜层102b上。
102.本实施例对应的另一种具体技术方案为,如图4所示,缓冲保护层100中的有机膜层102b朝向色转换层152的一端与滤光层151朝向色转换层152的一端平齐。例如,如图3所示意的,缓冲保护层100中的有机膜层102b可以仅位于相邻的滤光层151之间,且无机膜层102a可以设置在有机膜层102b上。
103.图11为本技术又一个实施例提供的另一种色转换基板的示意图,图12为本技术又一个实施例提供的又一种色转换基板的示意图,图13为本技术再一个实施例提供的另一种色转换基板的示意图,图14为本技术再一个实施例提供的又一种色转换基板的示意图。
104.在本技术的又一个实施例中,缓冲保护层100可以包括设置在滤光层151与牺牲层13之间的部分,还包括设置在滤光层151与色转换层152之间的部分。也就是说,如图3及图11-14所示,缓冲保护层100包括第一缓冲保护层101和第二缓冲保护层102,其中,第一缓冲保护层101设置在滤光层151与牺牲层13之间,第二缓冲保护层102设置在滤光层151与色转换层152之间。
105.在本技术实施例中,包含第一缓冲保护层101和第二缓冲保护层102的色转换基板的制备方法可以参照上述实施例中的色转换基板的制备方法,在此不再赘述。
106.在本实施例中,通过在滤光层151的上下两侧均设置缓冲保护层100,一方面可以保护色转换单元15中的滤光层151在色转换层152修复的过程中免受损伤,另一方面也可以保护色转换单元15中的滤光层151在第一衬底基板11剥离过程中免受激光损伤。
107.在本实施例的一种实现方式中,如图3所示,位于色转换层152与滤光层151之间的缓冲保护层100可以为有机膜层,并且缓冲保护层100覆盖滤光层151朝向色转换层152的一端。
108.在本实施例的另一种实现方式中,如图11-图14所示,位于色转换层152与滤光层151之间的缓冲保护层100包括层叠设置的有机膜层102b和无机膜层102a,有机膜层102b位于无机膜层102a朝向滤光层151的一侧。
109.本实施例对应的一种具体技术方案为,如图11及图13所示,缓冲保护层100中的有机膜层102b覆盖滤光层151朝向色转换层152的一端。
110.本实施例对应的另一种具体技术方案为,如图12及图14所示,缓冲保护层100中的
有机膜层102b朝向色转换层152的一端与滤光层151朝向色转换层152的一端平齐。
111.图15为本技术实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的示意图,图16为本技术实施例提供的另一种微型发光二极管显示面板的示意图。
112.如图15及图16所示,本技术实施例还提供一种微型发光二极管显示面板,包括色转换复合膜层01、发光基板02,且色转换复合膜层01设置在发光基板02朝向微型发光二极管显示面板出光面的一侧。
113.转换复合膜层01由上述任意一个实施例提供的色转换基板获得,且色转换复合膜层01中保留色转换基板中的色转换单元15及隔断结构17,并且滤光层151设置在色转换层152朝向微型发光二极管显示面板出光面的一侧。
114.其中,发光基板02包括第二衬底基板21及设置在第二衬底基板21上的包括多个微型发光二极管22,并且该多个微型发光二极管22中包括至少一种颜色的微型发光二极管22,也就是说,该些多个微型发光二极管22可以只发一种颜色的光,也可以部分发一种颜色的光且另一部分发另一种颜色的光。
115.此外,微型发光二极管显示面板包括多个子像素,且该多个子像素中包括至少两种颜色的子像素,并且微型发光二极管显示面板中的多个子像素对应的颜色数量多于发光基板中多个微型发光二极管22对应的颜色数量。则发光基板02中的较少颜色数量的多个微型发光二极管22发出的光经过转换复合膜层01后可以发出与子像素的颜色数量对应的光。
116.在本技术实施例中,转换复合膜层01中的色转换单元15与微型发光二极管显示面板中的子像素对应设置。且色转换单元15可以将接收到的光转换为对应的子像素所需的光。
117.在本技术的一个实施例中,如图15所示,发光基板02中的多个微型发光二极管22可以只发一种颜色的光,例如,蓝光、绿光或者紫外光。
118.例如,发光基板02中的多个微型发光二极管22可以只发蓝光时,红色子像素中的色转换层152为能够将蓝光转换为红光的色转换材料形成的红色转换层152a,绿色子像素中的色转换层152为能够将蓝光转换为绿光的色转换材料形成的绿色转换层152b,蓝色子像素中的色转换层152为透明填充材料形成的蓝色转换层152c。
119.例如,发光基板02中的多个微型发光二极管22可以只发绿光时,红色子像素中的色转换层152为能够将绿光转换为红光的色转换材料形成的红色转换层152a,绿色子像素中的色转换层152为透明填充材料形成的绿色转换层152b,蓝色子像素中的色转换层152为能够将绿光转换为蓝光的色转换材料形成的蓝色转换层152c。
120.例如,发光基板02中的多个微型发光二极管22可以只发紫外光时,红色子像素中的色转换层152为能够将紫外光转换为红光的色转换材料形成的红色转换层152a,绿色子像素中的色转换层152为能够将紫外光转换为绿光的色转换材料形成的绿色转换层152b,蓝色子像素中的色转换层152为能够将紫外光转换为蓝光的色转换材料形成的蓝色转换层152c。
121.在本技术的一个实施例中,如图16所示,发光基板02中的多个微型发光二极管22可以发两种颜色的光,例如,部分微型发光二极管22为可以发绿光的第一微型发光二极管221且另一部分微型发光二极管22为可以发蓝光的第二微型发光二极管222。
122.例如,如图16所示,红色子像素中的微型发光二极管22为第二微型发光二极管
222,则其所对应的色转换层152为能够将蓝光转换为红光的色转换材料形成的红色转换层152a;绿色子像素中的微型发光二极管22为第一微型发光二极管221,则其所对应的色转换层152为透明填充材料形成的绿色转换层152b;蓝色子像素中的微型发光二极管22为第二微型发光二极管222,则其所对应的色转换层152为透明填充材料形成的蓝色转换层152c。
123.例如,红色子像素中的微型发光二极管22为第一微型发光二极管221,则其所对应的色转换层152为能够将绿光转换为红光的色转换材料形成的红色转换层152a;绿色子像素中的微型发光二极管22为第一微型发光二极管221,则其所对应的色转换层152为透明填充材料形成的绿色转换层152b;蓝色子像素中的微型发光二极管22为第二微型发光二极管222,则其所对应的色转换层152为透明填充材料形成的蓝色转换层152c。
124.在本技术实施例中,微型发光二极管显示面板中的多个微型发光二极管22可以不包括红色微型发光二极管,避免红色微型发光二极管发光效率低影响微型发光二极管显示面板的发光亮度及亮度均一性。
125.在本技术的一个实施例中,如图15及图16所示,本技术实施例提供的微型发光二极管线显示面板中还包括粘合层03,其中,发光基板02可以与色转换复合膜层01通过粘合层03贴合在一起。贴合过程可以采用真空高精度贴合设备完成,并且当粘合层03的初始状态为液态时可以通过旋涂法将其制作在发光基板02表面或者制作在色转换基板表面,当粘合层03的初始状态为固态时可以通过贴合方式将其制作在发光基板02表面或者制作在色转换基板表面。
126.此外,本技术实施例提供的微型发光二极管显示面板中的色转换复合膜层01中可以不包括上述实施例提供的色转换基板中的第一衬底基板11和牺牲层13。通过去除牺牲层13以剥离第一衬底基板11的过程可以发生在发光基板02与色转换基板贴合前,也可以发生在发光基板02与色转换基板贴合后。
127.本技术还提供一种显示装置,图17为本技术实施例提供的一种显示装置的示意图,在本技术的一个实施例中,如图17所示,显示装置包括本技术任意实施例提供的微型发光二极管显示面板001。其中,微型发光二极管显示面板001的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明,此处不再赘述。当然,图17所示的电子设备仅仅为示意说明,例如可以是手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书、电视机、智能手表等任何具有显示功能的电子设备。
128.以上所述,仅为本技术的具体实施方式,任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本技术的保护范围之内。本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。