检查装置和检查装置的控制方法与流程

1.本发明涉及检查装置和检查装置的控制方法。


背景技术：

2.已知有如下检查装置：将形成有电子器件的晶片或配置有电子器件的载体载置于载置台，从测试器经由探针等对电子器件供给电流，由此检查电子器件的电特性。利用载置台内的冷却机构和加热机构控制电子器件的温度。
3.在专利文献1中公开了一种使接触端子与设置于被检查体的电子器件电接触来检查该电子器件的检查装置，其特征在于，包括：载置台，其在内部具有供能够使光透过的制冷剂流通的制冷剂流路，用于载置所述被检查体，且由光透射部件形成与所述被检查体的载置侧相反的一侧；光照射机构，其以与所述载置台的所述被检查体的载置侧的相反的一侧相对的方式配置，具有指向所述被检查体的多个led；和控制部，其控制利用所述制冷剂进行的吸热和利用来自所述led的光进行的加热，控制作为检查对象的所述电子器件温度，所述控制部至少基于测量出的所述检查对象的所述电子器件的温度，控制来自所述led的光输出，基于所述led的光输出来控制所述制冷剂的吸热。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2019-153717号公报


技术实现要素：

7.发明要解决的课题
8.然而，在检查电子器件时，因对电子器件供给电流而电子器件发热。电子器件的发热通过向电子器件的外周方向的热释放而产生中心侧成为高温、外周侧成为低温的热分布。
9.在一个方面中，本发明提供一种提高被检查体的温度均匀性的检查装置和检查装置的控制方法。
10.用于解决课题的方法
11.为了解决上述课题，根据一个方面，提供一种检查装置，其包括：用于载置具有被检查体的基板的载置台；具有对所述被检查体供给电流的探针的探针卡；照射光来加热所述基板的光照射机构；和所述控制部执行如下步骤：利用来自所述光照射机构的光均匀地加热所述被检查体的步骤；和利用来自所述光照射机构的光加热所述被检查体的外周部的步骤。
12.发明的效果
13.根据该一个方面，能够提供提高被检查体的温度均匀性的检查装置和检查装置的控制方法。
附图说明
14.图1是说明本实施方式的检查装置的结构的截面示意图。
15.图2是说明本实施方式的检查装置中的晶片的温度调节机构的截面示意图的一例。
16.图3是说明在本实施方式的检查装置中，载置于载置台的晶片的温度控制的流程图的一例。
17.图4是说明第1照射工序中的温度调节机构的动作的截面示意图的一例。
18.图5是说明第1照射工序中的照射光的led分区的一例的俯视图的一例。
19.图6是说明第2照射工序中的温度调节机构的动作的截面示意图的一例。
20.图7是说明第2照射工序中的照射光的led分区的一例的俯视图的一例。
21.附图标记说明
22.w 晶片
23.10 检查装置
24.11 载置台
25.14 测试器
26.15 探针卡
27.16 探针
28.19 控制部
29.20 配线
30.21 制冷剂供给装置
31.22 去往配管
32.23 返回配管
33.30 载置部
34.31 制冷剂流路
35.40 光照射机构
36.41 led(光源)
37.400 led阵列
38.401 区域
39.402 区域
40.500 电子器件(被检查体)
41.510 热蓄积部
具体实施方式
42.以下，参照附图对用于实施本公开的方式进行说明。在各附图中，有时对相同的结构部分标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
43.＜检查装置＞
44.使用图1对本实施方式的包括载置台(stage)11的检查装置10进行说明。图1是说明本实施方式的检查装置10的结构的截面示意图的一例。
45.检查装置10是进行形成于晶片(基板)w的多个电子器件(被检查体)各自的电特性
的检查的装置。另外，具有被检查体的基板不限于晶片w，包括配置电子器件的载体、玻璃基板、芯片单体等。检查装置(10)包括：收纳室(12)，其收纳用于载置晶片(w)的载置台(11)；加载器(13)，其与收纳室(12)相邻地配置；和测试器(14)，其以覆盖收纳室(12)的方式配置。
46.收纳室12具有内部为空洞的壳体形状。在收纳室12的内部收纳有载载置晶片w的载置台11和以相对的方式配置的探针卡15。探针卡15具有与晶片w的各电子器件的电极对应地设置的电极焊盘、与焊锡凸点对应配置的多个针状的探针(接触端子)16。
47.载置台11具有将晶片w固定到载置台11的固定机构(未图示)。
48.由此，防止晶片w相对于载置台11的相对位置的位置偏移。另外，在收纳室12中设置有使载置台11在水平方向和上下方向移动的移动机构(未图示)，由此，调整探针卡15与晶片w的相对位置，使与各电子器件的电极对应地设置的电极焊盘、焊锡凸点与探针卡15的各探针16接触。
49.加载器13从作为输送容器的foup(晶圆传送盒/前开式晶圆传送盒)(未图示)取出配置了电子器件的晶片w并载置到收纳室12的内部的载置台11，另外，将进行了检查的晶片w从载置台11去除而收纳于foup。
50.探针卡15经由接口17与测试器14连接，在各探针16与对应于晶片w的各电子器件的电极设置的电极焊盘、焊锡凸点接触时，各探针16从测试器14经由接口17向电子器件供给电力，或者将来自电子器件的信号经由接口17向测试器14传递。
51.测试器14具有对装载电子器件的母板的电路结构的一部分进行再现的测试板(未图示)，测试板与基于来自电子器件的信号对电子器件的好坏进行判断的测试计算机18连接。测试器14中，通过更换测试板，能够再现多种母板的电路结构。
52.控制部19控制载置台11的动作。控制部19控制载置台11的移动机构(未图示)，使载置台11在水平方向和上下方向上移动。另外，控制部19通过配线20与载置台11连接。控制部19经由配线20控制后述的光照射机构40的动作。另外，控制部19与测试器14可通信地连接，测试器14的信息被输入到控制部19。
53.制冷剂供给装置21经由去往配管22和返回配管23与载置台11的制冷剂流路31连接，能够使制冷剂在制冷剂供给装置21与载置台11的制冷剂流路31之间循环。控制部19控制制冷剂供给装置21，控制从制冷剂供给装置21向制冷剂流路31供给的制冷剂的温度、流量等。
54.另外，虽然图示了控制部19和制冷剂供给装置21设置在加载器13内的结构，但不限于此，也可以设置在其他位置。
55.检查装置10中，在进行电子器件的电特性检查时，测试计算机18向经由各探针16与电子器件连接的测试板发送数据，进而，基于来自测试板的电信号判定所发送的数据是否被该测试板正确处理。
56.接着，用图2对本实施方式的检查装置10中的晶片w的温度调节机构进行说明。图2是说明本实施方式的检查装置10中的晶片w的温度调节机构的截面示意图的一例。另外，在图2中，用空心箭头表示制冷剂的流动。另外，在图2(和后述的图4、图6)中，用实线箭头表示从光照射机构40照射的光。
57.载置台11具有载置部30和光照射机构40。
58.载置部30载置形成电子器件的晶片w。载置部30由使从光照射机构40照射的光透过的透光性部件形成。由此，从光照射机构40照射的光透过载置部30照射到晶片w的背面。另外，在载置台11形成有制冷剂流路(冷却部)31。制冷剂经由去往配管22(参照图1)从制冷剂供给装置21(参照图1)向制冷剂流路31供给制冷剂。在制冷剂流路31中流动的制冷剂经由返回配管23(参照图1)返回制冷剂供给装置21。作为制冷剂，例如使用作为无色且光能够透过的液体的水、galden(注册商标)。
59.光照射机构40包括照射光的多个led41。led41在俯视时按规定的区域划分(参照后述的图5、图7)。控制部19能够按划分出的每个led41控制点亮及其光量。此外，虽然说明了光照射机构40使用led41作为光源的情况，但光源的种类并不限定于此。
60.从光照射机构40放射的光，透过由透光性部件形成的载置部30和在制冷剂流路31中流动制冷剂，照射到晶片w的背面。由此，照射光的晶片w升温，电子器件升温。另外，也可以在载置部30的上表面(晶片w的载置面)具有光吸收部件。在该结构的情况下，从光照射机构40放射的光照射到光吸收部件，光吸收部件升温。然后，通过从光吸收部件向晶片w传热，形成于晶片w的电子器件升温。另外，光照射机构40通过控制使led41点亮的分区，能够控制由光照射机构40升温的晶片w的区域。
61.探针16与电子器件的电极接触。测试器14(参照图1)通过经由探针16对电子器件的电极施加电压，能够使电流向电子器件的内部的电路流动。
62.图3是说明在本实施方式的检查装置10中，载置在载置台11上的晶片w的温度控制的流程图的一个例子。
63.在步骤s101中，控制部19进行第1照射工序。第1照射工序在开始电子器件500的检查之前的状态下执行，换言之，在经由探针16向电子器件500供给电流之前的状态下执行。
64.在此，使用图4和图5，对第1照射工序进一步进行说明。图4是说明第1照射工序中温度调节机构的动作的截面示意图的一例。图5是说明第1照射工序中照射光的led分区的一例的俯视图的一例。另外，在图4(和后述的图6)中，用虚线示出检查对象的电子器件500的位置。另外，在图5(和后述的图7)中，对俯视时的检查对象的电子器件500的位置标注点的阴影来表示。另外，检查对象电子器件500可以是检查1个芯片的结构，也可以是同时检查多个芯片的结构。
65.如图5所示，光照射机构40具有按规定的区域划分的led阵列400。在各led阵列400中设置有多个led41(参照图4)。控制部19能够对每个led阵列400控制led41的点亮/光量。
66.在第1照射工序中，控制部19使包含检查对象的电子器件500的位置的区域401内的led阵列400点亮，向检查对象的电子器件500均匀地照射光。另外，在图5中，对照射光的led阵列400的区域401标注阴影线来表示。另外，在图4中，用实线箭头表示从光照射机构40照射的光。
67.由此，检查对象电子器件500被光照射机构40均匀加热。另外，制冷剂在载置部30的制冷剂流路31中流通。另外，如空心箭头所示，电子器件500的热从电子器件500向载置部30均匀吸热。由此，能够确保检查对象的电子器件500的温度的面内均匀性。此外，控制部19也可以基于设置于载置台11的多个温度传感器(未图示)的检测值，对各led阵列400的光量进行反馈控制。
68.在步骤s102中，测试器14经由探针16使电流流过电子器件500，开始电子器件500
的检查。在此，控制部19，当检测到电子器件500的发热时，将光照射机构40的控制从步骤s101所示的第1照射工序切换为步骤s103所示的第2照射工序。
69.在此，控制部19基于控制光照射机构40的内部变量，检测电子器件500的发热。例如，控制部19基于设置于载置台11的多个温度传感器(未图示)的检测值来对各led阵列400的光量进行反馈控制。控制部19基于该反馈量(内部变量)来检测电子器件500的发热。
70.另外，控制部19从测试器14取得表示开始电子器件500的检查的信号(触发信号)。换言之，控制部19从测试器14取得表示从测试器14向电子器件500开始电力供给的信号。控制部19也可以是基于所取得的信号来检测电子器件500的发热的结构。
71.另外，控制部19从测试器14取得从测试器14向电子器件500供给的电力的信息(功率信息)。控制部19也可以是基于所取得的信息来检测电子器件500的发热的结构。
72.在步骤s103中，控制部19进行第2照射工序。第2照射工序在电子设备500的检查时的状态下执行，换言之，在经由探针16向电子器件500供给电流的状态下执行。
73.在此，使用图6和图7，进一步说明第2照射工序。图6是说明第2照射工序中温度调节机构的动作的截面示意图的一例。图7是说明第2照射工序中照射光的led分区的一例的俯视图的一例。
74.如图6和图7所示，在第2照射工序中，控制部19以向检查对象的电子器件500的外周侧照射光的方式使区域402内的led阵列400点亮，向检查对象的电子器件500的外周部照射光。另外，在图7中，对照射光的led阵列400的区域402标注阴影线来表示。另外，在图6中，用实线箭头表示从光照射机构40照射的光。
75.在此，检查对象电子器件500，通过从测试器14经由探针16供给电流，电子器件500发热。电子器件500的热量在电子器件500的外周部，向周围传热(散热)。另一方面，在电子器件500的中央部形成热蓄积部510(参照图6)。
76.在第2照射工序中，向检查对象电子器件500的外周部照射光。另外，可以向电子器件500的外周部照射光照射机构40的光来使电子器件500的外周部升温，也可以通过向电子器件500的外侧照射光照射机构40的光来使电子器件500的外周部传热(参照图6的虚线箭头)来使电子器件500的外周部升温。
77.由此，电子器件500通过电子器件500的发热(电子器件500的中央部的热蓄积)和光照射机构40的光照射加热(电子器件500的外周部的加热)被均匀加热。另外，如空心箭头所示，电子器件500的热从电子器件500向载置部30均匀吸热。由此，能够确保检查对象的电子器件500的温度的面内均匀性。
78.另外，在图3所示的流程图中，说明了将光照射机构40的控制从第1照射工序切换为第2照射工序的时刻，在开始向检查对象的电子器件500的电力供给之后(检测到检查对象的电子器件500的发热之后)进行的例子，但不限于此。也可以在开始向检查对象的电子器件500的电力供给之前，事先将光照射机构40的控制从第1照射工序切换为第2照射工序，之后开始向检查对象的电子器件500的电力供给。即，也可以调换图3的步骤s102和步骤s103的顺序。
79.以上，根据本实施方式的检查装置10，能够提高检查对象的电子器件的温度的面内均匀性。即，在电子器件500的发热前，使包含检查对象的电子器件500的位置在内的区域401内的led阵列400点亮，向检查对象的电子器件500均匀地照射光，由此能够面内均匀地
控制电子器件500的温度。另外，在电子器件500的发热期间，以对检查对象的电子器件500的外周侧照射光的方式使区域402内的led阵列400点亮，向检查对象的电子器件500的外周侧照射光。由此，通过电子器件500的发热和光照射机构40的光照射加热，来加热检查对象的电子器件500。由此，能够面内均匀地控制电子器件500的温度。
80.另外，在第2照射工序中，能够使向检查对象的电子器件500的外周侧照射光的区域402内的led41点亮，使向检查对象的电子器件500的中央部照射光的led41熄灭，所以能够削减光照射机构40的消耗电力。
81.以上，对检查装置10进行了说明，但本公开并不限定于上述实施方式等，在权利要求书所记载的本公开的主旨的范围内，能够进行各种变形、改良。
82.在第2照射工序中，说明了控制部19使比框状的区域402靠内侧的led阵列400熄灭，换言之，使向电子器件500的中央部照射光的led阵列400熄灭的例子，但不限于此。控制部19可以控制光照射机构40的光量分布，以使得向检查对象电子器件500的中央部照射光的led阵列400的光量比向检查对象的电子器件500的外周侧照射光的led阵列400的光量少。
83.另外，说明了检查装置10根据电子器件有无发热来切换第1照射工序(均匀照射)和第2照射工序(外周照射)的例子，但光照射机构40的控制不限于此。也可以是根据电子器件的发热量来切换第1照射工序(均匀照射)和第2照射工序(外周照射)的结构。例如，也可以构成为，在电子器件的发热量小于规定的阈值的情况下进行第1照射工序(均匀照射)，在电子器件的发热量为规定的阈值以上的情况下进行第2照射工序(外周照射)。
84.另外，在电子器件的检查中，也可以是反复进行多次第1照射工序(均匀照射)和第2照射工序(外周照射)的结构。另外，也可以根据检查内容来切换区域402。
85.另外，说明了光照射机构40从晶片w的背面侧照射光的例子，但不限于此。光照射机构40也可以是从晶片w的正面侧照射光的结构。