一种双分裂整流变压器的制作方法

1.本发明涉及变压器技术领域，更具体地说，涉及一种双分裂整流变压器。


背景技术：

2.整流变压器是整流设备的电源变压器。现有技术中整流变压器的线圈中，高压中部进线和分接段分接引线都要从高压和低压之间的主空道轴向引出，导致引线焊接工时增加，线圈绕制工期长；另外，由于高压和低压之间设计有接地屏蔽，但分接引线占用了较大的主空道的绝缘距离，导致分接引线与地屏蔽之间的绝缘距离不足导致试验耐压击穿，也容易因分接引线与高压线圈之间的距离不足而导致击穿。
3.综上所述，如何避免线圈绕制工期长且易导致分接引线对接地屏蔽之间耐压击穿的问题，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明的目的是提供一种双分裂整流变压器，该双分裂整流变压器绕制制作的工期短，且避免了高压分接引线与接地屏蔽绝缘距离小导致耐压击穿的风险。
5.为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
6.一种双分裂整流变压器，包括上铁轭、下铁轭、铁心主柱，所述上铁轭和所述下铁轭之间还包括高压绕组、低压绕组lvd和低压绕组lvy；
7.所述低压绕组lvd沿幅向分裂为第一低压绕组lvd和第二低压绕组lvd；
8.所述低压绕组lvy设置在所述第一低压绕组lvd和第二低压绕组lvd之间；
9.所述高压绕组设置于所述低压绕组lvd的幅向外侧，并和相邻的所述第二低压绕组lvd之间设置有接地屏蔽，所述高压绕组的端部进线，且中部沿幅向向外引出无载分接线。
10.优选地，所述无载分接线为所述高压绕组的原导线引线。
11.优选地，所述低压绕组lvy为y接法结构。
12.优选地，所述第一低压绕组lvd、所述第二低压绕组lvd和所述低压绕组lvy为同时套绕结构，或者均为单独绕制再套装结构。
13.优选地，所述第一低压绕组lvd、所述第二低压绕组lvd的线圈底部引出线在外部串联冷压连接。
14.优选地，所述第一低压绕组lvd、所述第二低压绕组lvd的线圈的绕线方向相反。
15.优选地，所述低压绕组lvy以及所述第一低压绕组lvd、所述第二低压绕组lvd的线圈进线位置均为上端或下端，且出线位置均为上端或下端。
16.优选地，低压绕组和所述低压绕组lvy的引出线通过电缆冷压接连接套管。
17.本发明提供的双分裂整流变压器的低压绕组lvd沿幅向分裂为两个部分，即第一低压绕组lvd和第二低压绕组lvd，低压绕组lvy布置在第一低压绕组lvd和第二低压绕组lvd之间，高压绕组布置在最外侧，高压绕组和低压绕组之间设置有接地屏蔽，高压绕组的
进线设置在其端部，高压分接出线设置在其中部，且为幅向向外部的方向，因此，出现不占用主空道的绝缘距离，且与接地屏蔽之间不干涉，不会产生耐压击穿，不需要进行复杂的焊接引线，沿幅向分裂的布置的低压绕组可以同时进行绕制，均可减少了焊接工时，缩短了制造工期。
附图说明
18.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
19.图1为本技术提供的一种双分裂整流变压器的结构图。
20.图1中，附图标记包括：
21.上铁轭10、下铁轭20、铁心主柱30、低压绕组lvd40、第一低压绕组lvd40.1、第二低压绕组lvd40.2、低压绕组lvy50、接地屏蔽70、高压绕组80、无载分接线90。
具体实施方式
22.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
23.本发明的核心是提供一种双分裂整流变压器，该双分裂整流变压器绕制制作的工期短，节省制造工时，且避免了因为接地屏蔽和高压分接引线之间绝缘距离小产生击穿风险。
24.请参考图1，图1为本技术提供的一种双分裂整流变压器的结构图。
25.本技术提供了一种双分裂整流变压器，主要包括上铁轭10、下铁轭20和连接于二者之间的铁心主柱30，上铁轭10和下铁轭20之间还包括低压绕组和高压绕组80。
26.其中，低压绕组包括以下几个部分：
27.低压绕组lvd40可以采用d接法，沿幅向分裂为两个部分即第一低压绕组lvd40.1、第二低压绕组lvd40.2；
28.低压绕组lvy50可以采用y接法，低压绕组lvy50布置在第一低压绕组lvd40.1、第二低压绕组lvd40.2之间，高压绕组80为d接法，布置在最外侧，高压绕组80和低压绕组40.2之间设置有接地屏蔽。
29.高压绕组80的端部进线，且中部沿幅向向外引出无载分接线90。且为幅向向外部的方向，因此，无载分接线90不占用主空道的绝缘距离，无载分接线90与接地屏蔽70之间不干涉，工作时不会产生耐压击穿，不需要进行复杂的焊接引线，沿幅向绕制成第一低压绕组可以同时进行绕制，均可以避免增加工时。
30.本技术提供的双分裂整流变压器通过上述设置能够避免无载分接线90与接地屏蔽70的干涉，避免了造成耐压击穿的风险，并能够节省工时，提升产品的生产效率。
31.在上述实施例的基础之上，无载分接线90为高压绕组80的原导线引线。由于进线
位于高压绕组80的端部，出线位于其中部，因此可以采用原导线引线，不需要在无载分接线90上焊接铜片结构以形成轴向的引出结构，利用原导线从幅向引出，即可以节省空间，并节省工时。
32.可选的，原导线引线也可以采用其他结构，或者采用连接在原导线引线上的附加结构。
33.请参考图1，其中，本技术提供的是一种dd0y1接的接线模式，因此在第一低压绕组lvd40.1、第二低压绕组lvd40.2之间设置低压绕组lvy50，需要说明的是，第一低压绕组lvd40.1、第二低压绕组lvd40.2主要用于d接，低压绕组lvy50可以为低压线圈lvy，主要用于y1接。可选的，上述接线方式可以根据实际情况进行调整，本实施例目的在说明需要设置中低压线圈的情况。
34.可选的，第一低压绕组lvd40.1、第二低压绕组lvd40.2以及低压绕组lvy50可以采用套绕结构模式；可以分开同时独立进行绕制，然后再套装在一起模式，以便节省工时，缩短工期。
35.上述实施例提供了两种不同的模式，目的是指出通过不同的制作方式均可以得到本实施例的方案，因此，本领域技术人员也可以基于现有技术中的其他可行的制作方式得到的上述结构，均属于本技术的保护范围。
36.在上述实施例的基础之上，选取合适绕组第一低压绕组lvd40.1、第二低压绕组lvd40.2的匝数分配比例，调整合适的导线尺寸和线圈之间的合适的绝缘距离，来满足客户技术要求的高压绕组80对低压绕组lvd40的阻抗值与高压绕组80对低压线圈lvy50的阻抗值相同，其偏差满足技术要求。
37.以图1提供的结构而言，例如，位于左侧的第一低压绕组lvd 40.1可以为13匝，位于右侧的第二低压绕组lvd40.2可以为6匝，即低压绕组lvd40匝数为前二者之和，即19匝，每匝电压et＝相电压690v/19匝＝36.3158v/每匝；低压绕组lvy50的相电压＝690v/√3＝398.371v，计算该线圈的匝数＝相电压398.371/每匝电压36.3158v/每匝≈11匝。高压绕组80的额定相电压6600v和匝电压et计算。设计必须满足高压绕组80对低压绕组lvd40的阻抗值与高压绕组80对低压绕组lvy50的阻抗值相同，保证值为6.8％，允许偏差
±
3％。
38.需要说明的是，高压绕组80通过端部引入线，其为独立设置的支路，可以采用线性调压方式，对于高压绕组80的分解编号可以为6、4、2、3、5、7。
39.在上述实施例的基础之上，第一低压绕组lvd40.1、第二低压绕组lvd40.2的进线位置均为上端或下端，且出线位置均为上端或下端。
40.在上述任意一个实施例的基础之上，第一低压绕组lvd40.1、第二低压绕组lvd40.2的底部串联设置，并引出压接连接线路。由于二者串联可以采用同一个方向进行接线，因此设置二者的接线均设置在底部，能够避免与低压绕组lvy50的干涉，也避免与接地屏蔽70的干涉。
41.请参考图1提供的方案，其中第一低压绕组lvd40.1和第二低压绕组lvd40.2的绕线方向相反。具体地，第一低压绕组lvd40.1为左绕向，另一个第二低压绕组lvd40.2为右绕向。可选的，高压绕组80的绕线方向可以为右绕向。
42.在上述任意一个实施例的基础之上，第一低压绕组lvd40.1、第二低压绕组lvd40.2的引出线在外部串联冷压连接，通过电缆冷压接连接套管。具体地，低压绕组lvd40
可以采用ctc导线绕制，从线圈上下端部引出，不需要焊接铜排做引线，并采用电缆冷压接与套管联结。
43.本技术提供的双分裂整流变压器结构简单，降低了生产制造的难度，节省了工时，并保证了高低压线圈的稳定，避免干扰和试验击穿的风险。
44.除了上述各个实施例中所提供的双分裂整流变压器的主要结构和连接关系，该双分裂整流变压器的其他各部分的结构请参考现有技术，本文不再赘述。
45.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
46.以上对本发明所提供的双分裂整流变压器进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。