技术特征：
1.一种p型氮化镓基器件的电极，其特征在于，所述电极包括依次层叠设置的镍层、铂层和金层，其中，所述铂层位于所述镍层和金层的中间，所述镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。2.根据权利要求1所述的p型氮化镓基器件的电极，其特征在于，所述电极的厚度为20～200nm；优选地，所述铂层的厚度大于或等于镍层的厚度且小于金层的厚度。3.根据权利要求1或2所述的p型氮化镓基器件的电极，其特征在于，所述镍层的厚度为5～50nm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的p型氮化镓基器件的电极，其特征在于，所述铂层的厚度为5～50nm。5.根据权利要求1
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4任一项所述的p型氮化镓基器件的电极，其特征在于，所述金层的厚度为10～100nm。6.根据权利要求1
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5任一项所述的p型氮化镓基器件的电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)在p型氮化镓外延结构上进行区域化处理，露出p型氮化镓基器件的电极区域；(2)在p型氮化镓基器件的电极区域上依次沉积镍层、铂层和金层，再进行金属剥离，得到所述的p型氮化镓基器件的电极。7.根据权利要求6所述的p型氮化镓基器件的电极的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述区域化处理包括：在p型氮化镓外延结构上旋涂光刻胶，然后进行曝光显影；优选地，对步骤(1)得到的p型氮化镓基器件的电极区域进行刻蚀处理；优选地，所述刻蚀处理包括干法刻蚀处理；优选地，对步骤(1)得到的p型氮化镓基器件的电极区域进行刻蚀处理后，继续进行去除光刻胶的操作，随后重新旋涂用于liftoff工艺的双层胶；优选地，步骤(2)所述沉积的方法为真空磁控溅射法和/或电子束蒸镀。8.根据权利要求6或7所述的p型氮化镓基器件的电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)在p型氮化镓外延结构上旋涂光刻胶，然后进行曝光显影，露出p型氮化镓基器件的电极区域；(2)对步骤(1)得到的p型氮化镓基器件的电极区域进行干法刻蚀处理，得到处理后的样品；(3)对步骤(2)得到的处理后的样品去除光刻胶，重新旋涂用于lift
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off工艺的双层胶；(4)在经过步骤(3)处理后的p型氮化镓基器件的电极区域用真空磁控溅射法依次沉积镍层、铂层和金层，再进行金属剥离，得到所述的p型氮化镓基器件的电极。9.一种p型氮化镓基器件，其特征在于，所述p型氮化镓基器件包括依次层叠设置的衬底、p型氮化镓外延结构和如权利要求1
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5任一项所述的p型氮化镓基器件的电极，其中，所述p型氮化镓外延结构位于所述衬底的表面，所述电极位于p型氮化镓外延结构上；如权利要求1
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5任一项所述的p型氮化镓基器件的电极在所述p型氮化镓基器件中用作
源极和漏极。10.根据权利要求9所述的p型氮化镓基器件，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石、硅或碳化硅中的任意一种或至少两种的组合。
技术总结
本发明提供了一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途。所述电极包括依次层叠设置的镍层、铂层和金层，其中，所述铂层位于所述镍层和金层的中间，所述镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。本发明所提供的p型氮化镓基器件的电极，解决了金属电极材料扩散带来的肖特基势垒高度增加而导致的欧姆接触电阻增大的问题，同时将半导体界面的GaO薄层，转变为NiO半导体层，提高了金属/p
技术研发人员：唐楚滢 杜方洲 于洪宇 汪青 王祥 卢宏浩 洪海敏
受保护的技术使用者：深圳智芯微电子科技有限公司
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2021/10/8