技术特征：
1.一种系统级封装方法，其特征在于，包括：提供pcb板，所述pcb板包括相对的正面和背面，所述pcb板的正面具有多个裸露的第一焊垫，所述pcb板的正面避开所述第一焊垫的区域形成若干个第一凹槽；提供第一芯片，所述第一芯片的下表面具有裸露的第二焊垫；在所述第一芯片的下表面或所述pcb板的正面形成连接层，所述连接层避开所述第一凹槽所在的区域；通过所述连接层键合所述第一芯片和所述pcb板，且所述第一芯片遮盖所述第一凹槽，所述第一焊垫和所述第二焊垫相对围成空隙；在所述空隙中形成导电凸块，所述第一焊垫与所述第二焊垫通过所述导电凸块电连接。2.根据权利要求1所述的系统级封装方法，其特征在于，通过电镀工艺形成所述导电凸块。3.根据权利要求1所述的系统级封装方法，其特征在于，所述连接层包括可光刻键合材料、芯片粘结膜、金属、介质层、或聚合物材料之一或组合。4.根据权利要求1所述的系统级封装方法，其特征在于，形成所述连接层的方法包括：在所述第一芯片的下表面或所述pcb板的正面形成可光刻键合材料后，去除所述第一凹槽所对区域的所述可光刻键合材料。5.根据权利要求4所述的系统级封装方法，其特征在于，所述可光刻键合材料至少覆盖所述第一芯片面积的10％。6.根据权利要求4所述的系统级封装方法，其特征在于，所述可光刻键合材料覆盖所述导电凸块的外围区域。7.根据权利要求4所述的系统级封装方法，其特征在于，所述可光刻键合材料的厚度为60
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160μm。8.根据权利要求4所述的系统级封装方法，其特征在于，所述可光刻键合材料包括膜状干膜或液态干膜。9.根据权利要求1所述的系统级封装方法，其特征在于，所述pcb板包括：至少一层电路板，每层所述电路板包括基板以及贯穿所述基板的子导电互连结构，相邻的所述电路板通过所述子导电互连结构电连接。10.根据权利要求1所述的系统级封装方法，其特征在于，形成所述导电凸块之后，还包括形成塑封层，所述塑封层覆盖所述第一芯片和所述pcb板。11.一种系统级封装结构，其特征在于，包括：pcb板，所述pcb板包括相对的正面和背面，所述pcb板的正面具有多个裸露的第一焊垫，所述pcb板的正面避开所述第一焊垫的区域形成若干个第一凹槽；第一芯片，所述第一芯片的下表面具有裸露的第二焊垫，所述第一芯片通过连接层键合至所述pcb板的正面，所述第一焊垫与所述第二焊垫相对设置，且所述第一芯片遮盖所述第一凹槽；导电凸块，设置于所述第一焊垫和所述第二焊垫之间，以电连接所述第一焊垫和所述第二焊垫。12.根据权利要求11所述的系统级封装结构，其特征在于，所述pcb板包括：
至少一层电路板，每层所述电路板包括基板以及贯穿所述基板的子导电互连结构，相邻的所述电路板通过所述子导电互连结构电连接。13.根据权利要求11所述的系统级封装结构，其特征在于，还包括：塑封层，所述塑封层覆盖所述pcb板及所述第一芯片。14.根据权利要求13所述的系统级封装结构，其特征在于，所述塑封层上设有连通孔，所述连通孔贯穿所述塑封层并延伸至所述第一芯片。15.根据权利要求11所述的系统级封装结构，其特征在于，所述连接层包括可光刻键合材料。16.根据权利要求15所述的系统级封装结构，其特征在于，所述可光刻键合材料覆盖所述导电凸块的外围区域。17.根据权利要求15所述的系统级封装结构，其特征在于，所述可光刻键合材料的厚度为60
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160μm。18.根据权利要求15所述的系统级封装结构，其特征在于，所述可光刻键合材料包括膜状干膜或液态干膜。19.根据权利要求11所述的系统级封装结构，其特征在于，在所述第一芯片上键合第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片通过电镀工艺形成的焊球或连接块电连接。20.根据权利要求11至19任意一项所述的系统级封装结构，其特征在于，在所述pcb板的背面键合有第三芯片。
技术总结
本发明提供一种系统级封装方法及封装结构，封装方法包括：提供PCB板包括相对的正面和背面，PCB板的正面具有多个裸露的第一焊垫和第一凹槽；提供第一芯片，第一芯片的下表面具有裸露的第二焊垫；在第一芯片的下表面或PCB板的正面形成连接层，连接层避开第一凹槽所在的区域；通过连接层键合第一芯片和PCB板，且第一芯片遮盖第一凹槽，第一焊垫和第二焊垫相对围成空隙；通过连接层键合至PCB板正面，第一焊垫与第二焊垫相对以围成空隙；通过电镀工艺在空隙中形成导电凸块，第一焊垫与第二焊垫通过导电凸块电连接。通过在PCB板的正面和背面均键合有芯片，并省去传统的将芯片键合在晶圆上的步骤，简化工艺，降低工艺难度，提高集成度。提高集成度。提高集成度。
技术研发人员：蔺光磊
受保护的技术使用者：芯知微（上海）电子科技有限公司
技术研发日：2021.07.16
技术公布日：2021/10/26