技术特征：
1.一种半导体装置，包括：凹坑，可焊接的或可粘合的重新分布层，其布置在所述凹坑中，管芯，其包括至少两个接触件，隔离材料，其用于将所述接触件彼此隔离，其中，所有的接触件扇出到所述半导体装置的顶表面。2.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述管芯是包括基极接触件、集电极接触件和发射极接触件的晶体管。3.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，所述凹坑包括大约45度的侧壁。4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，所述管芯朝下布置，使得所述基极接触件和所述发射极接触件面对所述半导体装置的底部，并且使得所述集电极接触件面对所述半导体装置的顶部，其中，所述可焊接的或可粘合的重新分布层包括第一重新分布层部和第二重新分布层部，其中，所述第一重新分布层部和所述第二重新分布层部通过所述隔离材料彼此隔离，其中，所述发射极接触件连接到所述第一重新分布层部，并且所述基极接触件连接到所述第二重新分布层部，其中，所述发射极接触件经由所述第一重新分布层部扇出到所述半导体装置的顶表面、所述基极接触件经由所述第二重新分布层部扇出到所述半导体装置的顶表面、以及所述集电极接触件扇出到所述半导体装置的顶表面。5.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，所述管芯朝上布置，使得所述基极接触件和所述发射极极接触件面对所述半导体装置的顶部，并且使得所述集电极接触件面对所述半导体装置的底部，其中，所述集电极接触件连接到所述重新分布层，其中，所述发射极接触件扇出到所述半导体装置的顶表面、所述基极接触件扇出到所述半导体装置的顶表面、以及所述集电极接触件经由所述重新分布层扇出到所述半导体装置的顶表面。6.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，所述管芯布置在一侧上，其中，所述可焊接的或可粘合的重新分布层包括第一重新分布层部和第二重新分布层部，其中，所述第一重新分布层部和所述第二重新分布层部通过隔离材料彼此隔离，其中，所述第二重新分布层部包括第三重新分布层部和第四重新分布层部，其中，所述第三重新分布层部和所述第四重新分布层部通过所述隔离材料彼此隔离，其中，所述集电极接触件连接到所述第一重新分布层部，所述发射极接触件连接到所述第三重新分布层部，并且所述基极接触件连接到所述第四重新分布层部，其中，所述集电极接触件经由所述第一重新分布层部、所述发射极接触件经由所述第三重新
分布层部以及所述基极接触件经由所述第四重新分布层部扇出到所述半导体装置的顶表面。7.一种汽车零件，包括根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置。8.一种产生根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的方法。9.一种产生半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：提供衬底，创建凹坑，其具有大约45度的第一侧壁和相对于所述第一侧壁的相对侧上的大约45度的第二侧壁，在所述第一侧壁上提供第一焊接或粘合重新分布层部以及在所述第二侧壁上提供第二焊接或粘合重新分布层部，提供管芯，其中，所述管芯包括集电极接触件、基极接触件和发射极接触件，其中，所述基极接触件和所述发射极接触件朝下取向，从而面对所述半导体装置的底部，其中，所述集电极接触件朝上取向，从而面对所述半导体装置的顶部，提供将所述第一重新分布层部与所述第二重新分布层部隔离的隔离材料，其中，所述发射极接触件连接到所述第一重新分布层部，并且所述基极接触件连接到所述第二重新分布层部，使得所述发射极接触件经由所述第一重新分布层部扇出到所述半导体装置的顶表面、所述基极接触件经由所述第二重新分布层部扇出到所述半导体装置的顶表面、以及所述集电极接触件扇出到所述半导体装置的顶表面。10.一种产生半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：提供衬底，创建凹坑，所述凹坑具有大约45度的第一侧壁和相对于所述第一侧壁的相对侧上的大约45度的第二侧壁，在所述第一侧壁上提供第一焊接或粘合重新分布层部，提供管芯，其中，所述管芯包括集电极接触件、基极接触件和发射极接触件，其中，所述基极接触件和所述发射极接触件朝上取向，从而面对所述半导体装置的顶部，其中，所述集电极接触件朝下取向，从而面对所述半导体装置的底部，在所述管芯与所述凹坑之间提供隔离材料，其中，所述集电极接触件连接到所述第一重新分布层部，使得所述发射极接触件扇出到所述半导体装置的顶表面、所述基极接触件扇出到所述半导体装置的顶表面、以及所述集电极接触件经由所述第一重新分布层部扇出到所述半导体装置的顶表面。11.一种产生半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：提供衬底，创建凹坑，所述凹坑具有大约45度的第一侧壁和相对于第一侧壁的相对侧上的大约45度的第二侧壁，在所述第一侧壁上提供第一焊接或粘合重新分布层部以及在所述第二侧壁上提供第二焊接或粘合重新分布层部，其中，所述第二重新分布层部包括第三重新分布层部和第四重新分布层部，
提供管芯，其中，所述管芯包括集电极接触件、基极接触件和发射极接触件，其中，所述管芯布置在相对于所述半导体装置的一侧，提供将所述第一重新分布层部、所述第三重新分布层部和所述第四重新分布层部彼此隔离的隔离材料，其中，所述集电极接触件连接到所述第一重新分布层部，所述发射极接触件连接到所述第三重新分布层部，并且所述基极接触件连接到所述第四重新分布层部，使得所述集电极接触件经由所述第一重新分布层部扇出到所述半导体装置的顶表面、所述发射极接触件经由所述第三重新分布层部扇出到所述半导体装置的顶表面、以及所述基极接触件穿过所述第四重新分布层部扇出到所述半导体装置的顶表面。
技术总结
本公开涉及一种半导体装置，其包括：衬底；凹坑，其位于衬底内；可焊接的/可粘合的重新分布层，其布置在凹坑中；以及管芯。管芯朝下布置，使得管芯的基极接触件和发射极接触件面对半导体装置的底部，并且使得管芯的集电极接触件面对半导体装置的顶部。可焊接的/可粘合的重新分布层包括第一重新分布层部和第二重新分布层部，其中，第一重新分布层部和第二重新分布层部通过隔离材料彼此隔离。发射极接触件连接到第一重新分布层部，基极接触件连接到第二重新分布层部。发射极接触件经由第一重新分布层部扇出到半导体装置的顶表面、基极接触件经由第二重新分布层部扇出到半导体装置的顶表面、以及集电极接触件扇出到半导体装置的顶表面。表面。表面。
技术研发人员：哈特穆特
受保护的技术使用者：安世有限公司
技术研发日：2021.07.19
技术公布日：2022/1/21