技术特征：
1.一种背部钝化接触结构制备方法，其特征在于，包括：在硅片的背面沉积隧穿氧化层；按照远离所述硅片的方向，在所述隧穿氧化层的表面依次交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成层叠膜层；所述层叠膜层的最后一层为所述掺杂多晶硅层；激活所述掺杂多晶硅层中的掺杂原子，并使所述掺杂原子向所述本征多晶硅层扩散，以使所述层叠膜层成为完整的掺杂型膜层，得到钝化接触结构。2.如权利要求1所述的背部钝化接触结构制备方法，其特征在于，在所述层叠膜层中，距离所述硅片最远的所述掺杂多晶硅层中的掺杂浓度大于其他所述掺杂多晶硅层中的掺杂浓度。3.如权利要求1所述的背部钝化接触结构制备方法，其特征在于，在所述层叠膜层中，距离所述硅片最远的所述掺杂多晶硅层的厚度大于其他所述掺杂多晶硅层的厚度。4.如权利要求1至3任一项所述的背部钝化接触结构制备方法，其特征在于，在所述层叠膜层中，距离所述硅片最近的所述本征多晶硅层的厚度小于其他所述本征多晶硅层的厚度。5.如权利要求4所述的背部钝化接触结构制备方法，其特征在于，所述掺杂原子为磷。6.一种背部钝化接触结构，其特征在于，所述背部钝化接触结构由如权利要求1至5任一项所述的背部钝化接触结构制备方法制得。7.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅片；位于所述硅片背面的如权利要求6所述的背部钝化接触结构；位于所述硅片正面的掺杂层和钝化层；背面电极和正面电极。8.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：位于所述钝化层表面的减反层。9.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅片为n型硅片。10.如权利要求7至9任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅片为具有绒面陷光结构的硅片。
技术总结
本申请公开了一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，该方法包括在硅片的背面沉积隧穿氧化层；按照远离硅片的方向，在隧穿氧化层的表面依次交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成层叠膜层；层叠膜层的最后一层为掺杂多晶硅层；激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子，并使掺杂原子向本征多晶硅层扩散，以使层叠膜层成为完整的掺杂型膜层，得到钝化接触结构。本申请中交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层形成层叠膜层，激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子，使掺杂原子向本征多晶硅层中扩散，使层叠膜层各处均掺杂有掺杂原子，由于层叠膜层中制备有本征多晶硅层，本征多晶硅层的沉积速度很快，所以在掺杂型膜层厚度相同的条件下，制备时间缩短。制备时间缩短。制备时间缩短。
技术研发人员：张树德 刘玉申 况亚伟 连维飞 倪志春
受保护的技术使用者：常熟理工学院
技术研发日：2021.07.21
技术公布日：2021/10/26