有机电致发光器件、显示面板及显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机电致发光器件、显示面板 及显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，简写oled)是一种利用 多层有机薄膜结构产生电致发光的器件。oled显示屏比液晶显示器(liquidcrystal display，简写lcd)更轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、 柔性好、发光效率高，近年来受到科技界和产业界高度重视，是当期研究的 热点之一。
3.目前，有机电致发光器件存在发光效率低下的问题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本公开的目的在于提出一种有机电致发光器件、显示面板及 显示装置。
5.基于上述目的，本公开实施例提供一种有机电致发光器件，包括：
6.阳极层；
7.阴极层，与所述阳极层相对设置；
8.发光层，设于所述阳极层和阴极层之间，包括主体材料、热活化延迟荧 光材料和客体材料；其中，
9.所述客体材料的第二三线态能级与第一三线态能级的差值小于0.3ev； 所述客体材料的第一三线态能级与单线态能级的差值小于0.2ev；且所述客 体材料的第一三线态的局域激发态和电荷转移态杂化。
10.在一些实施例中，所述客体材料的第一三线态的局域激发态能级和电荷 转移态能级的差值小于或等于0.3ev；和/或
11.所述客体材料的第一三线态能级与单线态能级的自旋轨道耦合的值大于 或等于0.2cm
‑1；所述客体材料的第二三线态能级与单线态能级的自旋轨道耦 合的值大于或等于0.8cm
‑1。
12.在一些实施例中，所述热活化延迟荧光材料的第一三线态的电荷转移态 能级和局域激发态能级的差值小于或等于0.3ev。
13.在一些实施例中，还包括电子传输层，所述电子传输层设置在所述发光 层与所述阴极之间；
14.所述主体材料包括空穴型主体材料，所述空穴型主体材料与所述电子传 输层的电子传输材料形成激基复合物。
15.在一些实施例中，所述激基复合物的第一三线态能级和第一单线态能级 的差值大于或等于0.3ev；
16.所述激基复合物的第一三线态能级低于客体材料的第二三线态能级且高 于所述
客体材料的第一三线态能级；和/或
17.所述激基复合物的第一三线态能级低于热活化延迟荧光材料的第一三线 态能级；且所述激基复合物的单线态能级高于所述热活化延迟荧光材料的单 线态能级。
18.在一些实施例中，还包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层设置在所述电子 传输层与所述发光层之间；所述空穴阻挡层的空穴阻挡材料的第一三线态能 级高于所述热活化延迟荧光材料的第一三线态能级。
19.在一些实施例中，所述客体材料和所述热活化延迟荧光材料均具有(d)
x
‑ꢀ
l
n
‑
(a)
y
结构，且所述客体材料和所述热活化延迟荧光材料存在至少一个不同 的基团；
20.其中，d为供电子基团，选自咔唑基、吲哚咔唑基、芳基氨基、烷基氨 基、甲硅烷基、烷氧基、芳氧基、硫基、烷基硫基、芳基硫基、吖啶基、吩 噁嗪和噻吩嗪衍生物中的至少一者；
21.l为连接基团，选自单键、
‑
o
‑
、苯基、联苯基、亚环烷基、亚芳基、杂 芳基、亚杂环烷基和亚杂环烯基中的至少一者；
22.a为吸电子基团，选自氟、氰基、三嗪及其衍生物、氰基苯及其衍生物、 吡啶及其衍生物、膦氧基及其衍生物、酮羰基及其衍生物、砜基及其衍生物、 吡咯基及其衍生物、噻吩基及其衍生物、吡唑基及其衍生物、噻唑基及其衍 生物、吡啶基及其衍生物、吡嗪基及其衍生物、嘧啶基及其衍生物、哒嗪基 及其衍生物和亚非那烯基及其衍生物中的至少一者；
23.x、y和n各自独立地选自1～4的正整数。
24.在一些实施例中，所述d具有式(1)所示结构：
[0025][0026]
其中，r1为供电子基团或吸电子基团；
[0027]
d1、d2、d3和d4均为供电子基团；且d1、d2、d3和d4分别独立地选 自咔唑及其衍生物、吲哚咔唑及其衍生物、噻吩嗪及其衍生物、吩噁嗪及其 衍生物、二氢吖啶及其衍生物、二苯基吖啶及其衍生物、二咔唑并呋喃及其 同分异构体和二咔唑并噻吩及其同分异构体中的一者。
[0028]
在一些实施例中，d1、d2、d3和d4为相同的基团；所述r1为供电子基 团；所述热活化延迟荧光材料的r1和所述客体材料的r1不同。
[0029]
在一些实施例中，所述r1与d1、d2、d3和d4为相同的基团；所述客体 材料的r1的氧化电位大于所述热活化延迟荧光材料的r1的氧化电位。
[0030]
在一些实施例中，所述空穴阻挡材料具有式(2)所示的通式：
[0031]
[0032]
其中，m选自o、s、cr3r4、sir5r6、ge或单键；
[0033]
x1选自cr7r8、nr9、o、s或sir
10
r
11
；
[0034]
其中，r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9、r
10
和r
11
分别独立地选自氢原子 或取代基团。
[0035]
在一些实施例中，所述取代基团包括：取代或未取代的c
1～30
的烷基、取 代或未取代的c
1～30
的卤代烷基、取代或未取代的成环碳原子数为3～30的 环烷基、取代或未取代的成环碳原子数为6～30的芳基、取代或未取代的c
1～30
的烷氧基、取代或未取代的c
1～30
的卤代烷氧基、取代或未取代c
6～30
的烷 硫基、取代或未取代的成环碳原子数为6～30的芳氧基、取代或未取代的成 环碳原子数为6～30的芳硫基、取代或未取代的c
2～30
的烯基、取代或未取 代的c
7～30
的芳烷基、取代或未取代的成环原子数为5～30的杂芳基中的至 少一种。
[0036]
在一些实施例中，所述空穴阻挡材料包括如下结构式中的至少一种：
[0037][0038]
本公开实施例还提供一种显示面板，包括如前任一项所述的有机电致发 光器件。
[0039]
本公开实施例还提供一种显示装置，包括如前任一项所述的显示面板。
[0040]
从上面所述可以看出，本公开提供的有机电致发光器件，通过在发光层 中设置第二三线态能级与第一三线态能级的差值小于0.3ev；且第一三线态 能级与单线态能级的差值小于0.2ev的客体材料；且所述客体材料的第一三 线态的局域激发态和电荷转移态杂化；能够同时打开第二三线态能级与第一 三线态能级之间的能量通道以及第一三线态能
级与单线态能级之间的能量通 道，从而充分利用dexter能量转移，提高发光效率。
附图说明
[0041]
为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或 相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中 的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创 造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0042]
图1为本公开实施例提供的有机电致发光器件的能量转移方式示意图；
[0043]
图2为本公开实施例提供的一种有机电致发光器件的结构示意图；
[0044]
图3为实施例1和比较例提供的有机电致发光器件的外量子效率的测试 结果图；
[0045]
图4为实施例1和比较例提供的有机电致发光器件的寿命测试的结果示 意图。
具体实施方式
[0046]
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施 例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
[0047]
目前超荧光技术在oled领域中研究火热。其三元体系中包括主体，热 活化延迟荧光敏化剂(thermally activated delayed fluorescence，简写tadf) 和荧光客体。其通过在tadf敏化剂上三线态激子的上转换，分离激子复合 和发光中心，实现高效率。但是在该过程中能量传递主要是foster能量转 移的方式，需要尽可能的抑制敏化剂和荧光客体之间的dexter能量转移。因 为dexter能量转移主要产生在主体材料的三线态
‑
荧光材料的三线态(t1
‑
t1) 之间，而dexter能量转移会带来三线态湮灭(triple
‑
triple annihilation，简写 tta)和双光子吸收(two
‑
photo absorption，简写tpa)从而造成效率滚降。
[0048]
现在的解决方案主要是在荧光材料分子结构的外围连接大位阻基团，从 来增加荧光客体与热活化延迟荧光敏化剂之间的分子间距从而降低dexter能 量转移。存在发光效率低下的问题。
[0049]
本公开采用不抑制dexter能量转移转而充分利用dexter能量转移的策 略，通过同时充分利用foster能量转移的方式和dexter能量转移的方式来实 现高发光效率，同时降低电压。
[0050]
本公开实施例提供一种有机电致发光器件，包括：
[0051]
阳极层；
[0052]
阴极层，与所述阳极层相对设置；
[0053]
发光层，设于所述阳极层和阴极层之间，包括主体材料、热活化延迟荧 光材料和客体材料；其中，
[0054]
如图1所示，所述客体材料的第二三线态能级与第一三线态能级的差值 小于0.3ev；所述客体材料的第一三线态能级与单线态能级的差值小于0.2ev； 且所述客体材料的第一三线态的局域激发态和电荷转移态杂化。
[0055]
本公开提供的有机电致发光器件，通过在发光层中设置第二三线态能级 与第一三线态能级的差值小于0.3ev；且第一三线态能级与单线态能级的差 值小于0.2ev的客体材料；且所述客体材料的第一三线态的局域激发态和电 荷转移态杂化；能够同时打开第二
三线态能级与第一三线态能级之间的能量 通道，和第一三线态能级与单线态能级之间的能量通道，从而充分利用dexter 能量转移，提高发光效率。
[0056]
在一些实施例中，所述客体材料的第一三线态的局域激发(locally excited， 简写le)态能级和电荷转移(charge
‑
transfer transition，简写ct)态能级的差 值小于或等于0.3ev，也即|3le
‑3ct|≤0.3ev。
[0057]
在一些实施例中，所述客体材料的第一三线态能级与单线态能级的自旋 轨道耦合的值大于或等于0.2cm
‑1；所述客体材料的第二三线态能级与单线态 能级的自旋轨道耦合(spin
‑
orbit coupling，简写soc)的值大于或等于0.8cm
‑1， 更好地提高发光效率。
[0058]
在一些实施例中，所述客体材料具有(d)
x
‑
l
n
‑
(a)
y
结构。其中，d为供电 子基团，a为吸电子基团，l为连接基团。x,y和n各自独立地选自1～4的正 整数。该种结构使得客体材料的第一三线态具有局域激发和电荷转移态杂化 的特性。也即，所述客体材料的第一三线态为杂化的局域激发和电荷转移激 发态(hybridized local and charge
‑
transfer，简写hlct)，该种结构能够更好地 提高发光效率。
[0059]
在一些实施例中，d选自咔唑基、吲哚咔唑基、芳基氨基、烷基氨基、 甲硅烷基、烷氧基、芳氧基、硫基、烷基硫基、芳基硫基、吖啶基、吩噁嗪 和噻吩嗪衍生物中的至少一种。
[0060]
在一些实施例中，所述d具有(1)所示结构：
[0061][0062]
其中，d1、d2、d3和d4均为供电子基团。r1为供电子基团或吸电子 基团。
[0063]
在一些实施例中，d1、d2、d3和d4分别独立地选自咔唑及其衍生物、 吲哚咔唑及其衍生物、噻吩嗪及其衍生物、吩噁嗪及其衍生物、二氢吖啶及 其衍生物、二苯基吖啶及其衍生物、二咔唑并呋喃及其同分异构体，二咔唑 并噻吩及其同分异构体中的至少一种。应当说明的是，d1、d2、d3和d4可 以相同，也可以不相同。也即，d1、d2、d3和d4可以选自上述物质中的同 一种，也可以分别选自上述物质中的不同种。
[0064]
在一些实施例中，d1、d2、d3和d4为相同的基团。也即，d1、d2、d3和d4可以选自上述物质中的同一种。
[0065]
在一些实施例中，a为吸电子基团，选自氟、氰基、三嗪及其衍生物、 氰基苯及其衍生物、吡啶及其衍生物、膦氧基及其衍生物、酮羰基及其衍生 物、砜基及其衍生物、吡咯基及其衍生物、噻吩基及其衍生物、吡唑基及其 衍生物、噻唑基及其衍生物、吡啶基及其衍生物、吡嗪基及其衍生物、嘧啶 基及其衍生物、哒嗪基及其衍生物和亚非那烯基及其衍生物中的至少一种。
[0066]
在一些实施例中，r1为吸电子基团。所述吸电子基团可以选自a中的至 少一种。也即，r1为吸电子基团时，可以选自氟、氰基、三嗪及其衍生物、 氰基苯及其衍生物、吡啶及其衍生物、膦氧基及其衍生物、酮羰基及其衍生 物、砜基及其衍生物、吡咯基及其衍生物、噻吩基及其衍生物、吡唑基及其 衍生物、噻唑基及其衍生物、吡啶基及其衍生物、吡嗪基及其衍生物、嘧啶 基及其衍生物、哒嗪基及其衍生物和亚非那烯基及其衍生物中的至少一种。 应当说明的是，r1为吸电子基团时，与a可以相同，也可以不相同。
[0067]
在一些实施例中，r1为供电子基团，选自d中的至少一种。也即，r1为 供电子基团时，可以选自咔唑及其衍生物、吲哚咔唑及其衍生物、噻吩嗪及 其衍生物、吩噁嗪及其衍生物、二氢吖啶及其衍生物、二苯基吖啶及其衍生 物、二咔唑并呋喃及其同分异构体，二咔唑并噻吩及其同分异构体中的至少 一种。应当说明的是，r1为供电子基团时，与d1、d2、d3或d4可以相同， 也可以不相同。
[0068]
在一些实施例中，l选自单键、醚、苯基、联苯基、亚环烷基、亚芳基、 杂芳基、亚杂环烷基和亚杂环烯基中的至少一种。
[0069]
在一些实施例中，l选自单键、苯环和联苯中的至少一种。
[0070]
在一些实施例中，所述有机电致发光器件还包括电子传输层，所述电子 传输层设置在所述发光层与所述阴极之间；所述主体材料包括空穴型主体材 料，所述空穴型主体材料与所述电子传输层的电子传输材料形成激基复合物。 通过将空穴型主体材料与电子传输材料形成激基复合物，有利于更好地控制 三线态激子的分布，调控载流子的注入和电荷的平衡，避免单一性质的空穴 型主体材料存在的载流子不平衡。
[0071]
在一些实施例中，如图1所示，所述激基复合物的第一三线态能级和第 一单线态能级的差值大于或等于0.3ev；所述激基复合物的第一三线态能级 低于客体材料的第二三线态能级且高于所述客体材料的第一三线态能级。也 即，所述激基复合物的第一三线态能级介于客体材料的第二三线态能级和所 述客体材料的第一三线态能级之间。
[0072]
在一些实施例中，所述激基复合物的第一三线态能级低于热活化延迟荧 光材料的第一三线态能级；且所述激基复合物的单线态能级高于所述热活化 延迟荧光材料的单线态能级。
[0073]
在一些实施例中，所述空穴型主体材料可以为咔唑类的空穴传输性材料， 或，含有螺芴基或者三苯胺基的三线态能级较高的空穴传输性材料。
[0074]
在一些实施例中，咔唑类的空穴传输性材料可以为含双咔唑基类的空穴 传输型的主体材料，例如cbp(4,4
‑
二(9
‑
咔唑)联苯)、mcp(9,9'
‑
(1,3
‑
苯基)二
‑ꢀ
9h
‑
咔唑)、ttbcbp、cfl、mcbp(3,3
′‑
二(9h
‑
咔唑
‑9‑
基)
‑
1,1
′‑
联苯)、dcb、simcp、 tbcpf(9,9
‑
二
‑
4,4
’‑
(3,6
‑
二叔丁基咔唑基)
‑
苯基芴)、cdbp(4,4
”‑
双(9
‑
咔唑 基)
‑
2,2
”‑
二甲基联苯)、4czpbp(2,2－双(4－咔唑基苯基)－1,1－联苯)和 cbpch等。
[0075]
在一些实施例中，含有螺芴基或者三苯胺基的空穴传输性材料可以例如 dfc、tftpa(三[4－(9－苯基芴－9－基)苯基]胺)、tcta(4,4’,4’－三(n－ 咔唑基)三苯基胺)、f2pa((2,6
‑
二氟苯基)膦酸)和tdapb(1,3,5
‑
三苯基苯) 等。
[0076]
在一些实施例中，所述电子传输层可以由现有的电子传输材料制备而成， 只要能够与空穴型主体材料形成激基复合物即可。例如，
[0077]
在一些实施例中，所述激基复合物的第一三线态能级低于热活化延迟荧 光材料的第一三线态能级；且所述激基复合物的单线态能级高于所述热活化 延迟荧光材料的单线态能级。所述热活化延迟荧光材料的第一三线态的ct 态能级和le态能级的差值小于或等于0.3ev，满足|1ct
‑3le|≤0.3ev。也即， 所述热活化延迟荧光材料的第一三线态的电荷
转移态能级和局域激发态能级 的差值小于或等于0.3ev。
[0078]
在一些实施例中，所述热活化延迟荧光材料的第一三线态的电荷转移态 能级和局域激发态能级的差值小于或等于0.2ev。
[0079]
对于热活化延迟荧光材料，其结构与前述的客体材料的结构相同。也即， 所述客体材料和所述热活化延迟荧光材料均具有(d)
x
‑
l
n
‑
(a)
y
结构。但是热活 化延迟荧光材料与客体材料的结构式并不相同，也即在前述的结构式中，所 述客体材料和所述热活化延迟荧光材料存在至少一个不同的基团。也可以理 解为，热活化延迟荧光材料与客体材料为不同的材料。在该类型的分子中， 最高占据分子轨道(highest occupied molecular orbit，简写homo)能级主要 位于苯环邻位和间位的供体上，而最低占据分子轨道(lowest unoccupiedmolecular orbit，简写lomo)能级主要分布在对位供体和中心结构 上。
[0080]
在一些实施例中，当d1、d2、d3和d4为相同的基团，且r1为供电子基 团时，所述热活化延迟荧光材料的r1和所述客体材料的r1不同。此时，在 该类型的分子中，r1处的供电子基团对于中心结构存在着较大的电子耦合的 影响。因此，该种情况下，r1的选择决定于材料是作为热活化延迟荧光材料 使用还是客体材料使用。
[0081]
在一些实施例中，当r1与d1、d2、d3和d4为相同的基团时，所述客体 材料的r1的氧化电位与所述热活化延迟荧光材料的r1氧化电位不同，且所 述客体材料的r1的氧化电位大于热活化延迟荧光材料的r1的氧化电位。通 过该种设置，能够有效的调节三线态le态与ct态电荷转移态之间的混合 特性，从而形成电荷共振型三线态，从而影响客体材料第一三线态(t1)与 第二三线态(t2)间的能隙，使得客体材料不仅拥有第一三线态(t1)到单 线态(s1)的能量通道，也有着第二三线态(t2)到单线态(s1)的能量通 道，从而提高发光效率。
[0082]
在一些实施例中，所述有机电致发光器件还包括空穴阻挡层，所述空穴 阻挡层设置在所述电子传输层与所述发光层之间。所述空穴阻挡层的空穴阻 挡材料的第一三线态能级高于所述热活化延迟荧光材料的第一三线态能级。 通过该种设置，能够将激子限制在发光层(emission layer，简写eml)中， 防止能量回流至电子传输层(electron transport layer，简写etl)。
[0083]
在一些实施例中，所述空穴阻挡材料具有式(2)所示的通式：
[0084][0085]
其中，m选自o、s、cr3r4、sir5r6、ge或单键；x1选自cr7r8、nr9、 o、s或sir
10
r
11
。进一步地，r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9、r
10
和r
11
分别 独立地选自氢原子或取代基团。
[0086]
在一些实施例中，所述取代基团包括取代或未取代的c
1～30
的烷基、取代 或未取代的c
1～30
的卤代烷基、取代或未取代的成环碳原子数为3～30的环 烷基、取代或未取代的成环碳原子数为6～30的芳基、取代或未取代的c
1～30
的烷氧基、取代或未取代的c
1～30
的卤代烷氧基、取代或未取代c
6～30
的烷 硫基、取代或未取代的成环碳原子数为6～30的芳氧基、取代
或未取代的成 环碳原子数为6～30的芳硫基、取代或未取代的c
2～30
的烯基、取代或未取 代的c
7～30
的芳烷基、取代或未取代的成环原子数为5～30的杂芳基中的至 少一种。
[0087]
在一些实施例中，所述空穴阻挡材料具有如下结构式中的至少一种：
[0088][0089][0090]
通过选用咔唑及其衍生物，吖啶及其衍生物等官能团，使得上述的空穴 阻挡材料在具有高t1，并具有良好的空间构型，能够在一定程度上抑制材料 的结晶。同时，上述的空穴阻挡材料中还引入具有较高的迁移率的吸电子基 团，使其具有良好的电子传输的能力，能够将电子更好的传输至eml层中， 从而提高整个器件的稳定性。
[0091]
应当说明的是，本公开实施例的有机电致发光器件还可以包括空穴注入 层，空穴传输层，电子阻挡层和电子注入层。各层的材料可以为现有的材料； 且各层可以采用现有的制备方法制备得到，本公开不涉及对于此处涉及的有 机层的改进。如图2所示，为本公开实施例的有机电致发光器件的结构示意 图，自上而下或自下而上，依次包括层叠设置的阴极101、电子注入层102、 电子传输层103、空穴阻挡层104、发光层105、电子阻挡层106、空穴传输 层107、空穴注入层108和阳极109。
[0092]
本公开实施例提供的有机电致发光器件，包括发光层和电子传输层。通 过设置发光层包括空穴型主体材料、热活化延迟荧光材料和客体材料，并设 置所述空穴型主体材料和电子传输层的电子传输材料形成激基复合物。使激 基复合物的第一单线态能级和第一
三线态能级不小于0.3ev；且激基复合物 的第一三线态能级低于热活化延迟荧光材料的第一三线态能级，激基复合物 的单线态能级高于热活化延迟荧光材料的单线态能级，激基复合物的第一三 线态能级高于客体材料的第一三线态能级，激基复合物的第一三线态能级低 于客体材料的第二三线态能级；客体材料第一三线态能级与第二三线态能级 之间的能级差小于0.3ev,第一三线态能级与单线态能级的能级差小于0.2ev， 同时客体材料的第一三线态表现出le态和ct态杂化的特性。使得客体材 料的t2与t1之间的能级差小于0.3ev,t2与s1之间的能级差较小，t2与 s1之间的自旋轨道耦合数值较大，不仅可以打开t1到s1通道之外，还能够 打开从t2到s1的通道，从而有利于提高发光效率。同时，所述的激基复合 物能够调控载流子的注入和电荷的平衡，在高效率的同时降低电压。进一步 地，在空穴型主体和电子传输材料之间设置有插入层，该插入层既可以充当 空穴阻挡层的作用，同时可以调节激基复合物的光谱，可以进一步增加有机 电致发光器件的发光效率，并延长其寿命。
[0093]
以下通过具体实施例，来进一步说明本公开的有机电致发光器件。
[0094]
实施例1
[0095]
在膜厚100nm的形成有包含氧化铟锡(indium tin oxide，简写ito)的阳 极的玻璃基板上，将h1蒸镀为5nm的厚度而形成空穴注入层；在其上，将 ht
‑
1蒸镀为80nm的厚度而形成空穴传输层；将mt
‑
1，mt
‑
2，mt
‑
3从三个 不同的源进行蒸镀25nm(69％：30％：1％)，得到发光层。将hb
‑
1蒸镀为 5nm的厚度而形成插入层(也即空穴阻挡层),将ht
‑
1蒸镀为80nm的厚度 而形成电子传输层；再蒸镀et
‑
1和liq，按1：1的速率进行形成30nm的 膜，得到电子传输层；在蒸镀1nm的liq形成电子注入层，将铝(al)形成为 100nm的厚度，由此形成阴极。通过以上的步骤，制作有机电子发光器件。
[0096]
比较例
[0097]
在膜厚100nm的形成有包含ito的阳极的玻璃基板上，将h1蒸镀为 5nm的厚度而形成空穴注入层，在其上，将ht
‑
1蒸镀为80nm的厚度而形成 空穴传输层，将mt
‑
1，mt
‑
2，mt
‑
4从三个不同的源进行蒸镀25nm(69％： 30％：1％)。将hb
‑
1蒸镀为5nm的厚度而形成插入层,在蒸镀et
‑
1和liq按 1：1的速率进行形成30nm的膜，在蒸镀1nm的liq形成电子注入层，将铝 (al)形成为100nm的厚度，由此形成阴极。通过以上的步骤，制作有机电子 发光器件。
[0098]
在上述的实施例和比较例中，阳极采用镀有ito的导电玻璃，阴极采用al。h1(如下所示)为空穴注入层的材料。ht
‑
1(如下所示)为空穴传输层 的材料。发光层的材料中，mt
‑
1(如下所示)为空穴传输型的主体材料，mt
‑ꢀ
2(如下所示)为热活化延迟荧光材料，mt
‑
3(如下所示)或mt
‑
4(如下所 示)为客体材料和为客体材料。ht
‑
1(如下所示)为电子阻挡层的材料。hb
‑ꢀ
1(如下所示)为插入层的材料。et
‑
1(如下所示)和liq(如下所示)为电 子传输层的材料，liq为电子注入层的材料。其中，mt
‑
1和liq形成激基复 合物。
[0099][0100]
各物质的能级请参见表1。
[0101]
表1各物质的能级
[0102]
材料s1t1t2主体材料mt
‑
13.002.60
‑
热活化延迟荧光材料mt
‑
22.822.73
‑
客体材料mt
‑
32.392.302.54客体材料mt
‑
42.402.272.74电子传输材料et
‑
13.222.70
‑
激基复合物(mt
‑
1和liq)3.102.49
‑
[0103]
将实施例1和比较例的有机电致发光器件在电流密度j＝15ma/cm2下进 行性能测试，测试结果表2和图4所示。
[0104]
在不同电流密度下测试器件的外量子效率(external quantum efficiency， 简写eqe)，其结果图3所示。
[0105]
表2实施例1和比较例的有机电致发光器件的性能测试结果
[0106]
器件电压eqe发光峰波长(nm)实施例13.913.3％518比较例3.89.4％518
[0107]
由表2和图3可以看出，相比于比较例，本公开实施例1通过设置客体 材料的第一三线态能级和第二三线态能级的差值小于0.3ev；第一三线态能 级和单线态能级的差值小于0.2ev；能够同时打开第二三线态能级与第一三 线态能级之间的能量通道以及第一三线态能级与单线态能级之间的能量通道， 从而充分利用dexter能量转移；使得有机电致发光器件具有更好的发光效率。
[0108]
由图4可以看出，相对于比较例，本公开实施例1制备的有机电致发光 器件具有更好的发光寿命。
[0109]
基于同样的发明构思，本公开实施例还提供了一种显示面板，包括如前 任一技术方案所述的有机电致发光器件。所述显示面板具有相应的有机电致 发光器件实施例的有益效果，在此不再赘述。
[0110]
基于同样的发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如前 所述的显示面板。所述显示装置具有相应的有机电致发光器件实施例的有益 效果，在此不再赘述。
[0111]
本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的 替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任 何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。