显示设备和制造该显示设备的方法与流程

显示设备和制造该显示设备的方法
1.本技术要求于2020年8月14日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0102705号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种显示设备和制造该显示设备的方法，例如，涉及一种具有改善的显示质量的显示设备和制造该显示设备的方法。


背景技术：

3.随着各种电子设备(诸如移动电话、个人数字助理(pda)、计算机和/或大型电视(tv))已经被开发，可适用于其的各种类型(或种类)的显示设备也已经被开发。例如，包括背光单元的液晶显示设备和在每个颜色区域中发射不同颜色的光的有机发光显示设备已经在市场中被广泛使用。近来，已经开发了包括量子点颜色转换层(qd-ccl)的显示设备。量子点被入射光激发以发射具有比入射光的波长长的波长的光，并且入射光可以通常具有相对低的波长。


技术实现要素：

4.本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种显示设备以及制造该显示设备的方法，该显示设备通过在防止或减少像素之间的混色的同时改善亮度和光转换效率而具有改善的显示质量。然而，这样的方面或技术问题是示例，并且公开不限于此。
5.附加方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过公开的呈现的实施例的实践而获知。
6.本公开的一个或更多个实施例提供了一种显示设备，所述显示设备包括：第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，均包括在第一方向上发射第一颜色的光的发射层；封装层，覆盖第一发光元件至第三发光元件；第一遮光层，布置在封装层上，第一遮光层包括分别对应于第一发光元件至第三发光元件的第一组开口部分；金属层，布置在第一遮光层的限定第一组开口部分的内表面上，其中，金属层在垂直于第一方向(或与第一方向垂直)的第二方向上的宽度沿第一方向逐渐减小；第一颜色转换层，布置在第一组开口部分中的第一开口部分中，对应于第一发光元件；第二颜色转换层，布置在第一组开口部分中的第二开口部分中，对应于第二发光元件；以及透光层，布置在第一组开口部分中的第三开口部分中，对应于第三发光元件。
7.显示设备还可以包括在第一遮光层上的防液层，防液层在平面上位于第一组开口部分中的第一开口部分、第二开口部分和第三开口部分之间。
8.金属层的厚度可以小于约2μm。
9.金属层可以包括氧化钛(tio2)和/或银(ag)纳米颗粒。
10.金属层可以包括聚合物。
11.金属层的聚合物可以包括双官能单体的缩聚物。
12.双官能单体可以包括己二醇二丙烯酸酯(1,6-己二醇二丙烯酸酯，hdda)。
13.显示设备还可以包括布置在第一遮光层上的第二遮光层，第二遮光层包括与第一组开口部分叠置的第二组开口部分。
14.显示设备还可以包括第一滤色器层、第二滤色器层和第三滤色器层，第一滤色器层、第二滤色器层和第三滤色器层均布置在第二组开口部分中并且分别与第一颜色转换层、第二颜色转换层和透光层叠置。
15.第一遮光层的限定第一组开口部分的内表面可以包括锥形倾斜表面。
16.金属层可以包括与第一遮光层接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中，第一角度可以大于第二角度，第一角度由第一遮光层的面对封装层的下表面和金属层的第一表面形成，并且第二角度由第一遮光层的下表面和金属层的第二表面形成。
17.本公开的一个或更多个实施例提供了一种制造显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：准备其上布置有第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件的基底，第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件均包括第一颜色的发射层；在基底上形成第一遮光层，第一遮光层包括分别对应于第一发光元件至第三发光元件的第一组开口部分；在第一遮光层上形成防液层；将第一墨喷射到第一组开口部分中，第一墨包括至少两种溶剂；以及使第一墨干燥以在第一组开口部分中形成金属层。
18.第一墨的至少两种溶剂可以包括具有彼此不同的蒸气压的第一溶剂和第二溶剂。
19.第一墨可以包括50wt％或更多的第一溶剂。
20.第一溶剂可以具有比第二溶剂大的蒸气压。
21.使第一墨干燥的步骤可以包括：使第一溶剂干燥(蒸发)的第一干燥任务以及使第二溶剂干燥(蒸发)的第二干燥任务。
22.第一墨可以包括氧化钛(tio2)和/或银(ag)纳米颗粒以及双官能单体的混合物。
23.第一墨的混合物可以小于30wt％。
24.第一墨的双官能单体可以包括己二醇二丙烯酸酯(1,6-己二醇二丙烯酸酯，hdda)。
25.该方法还可以包括在使第一墨干燥之后执行光固化工艺和/或热固化工艺。
26.该方法还可以包括将第二墨喷射到第一组开口部分中，第二墨包括散射颗粒和量子点。
27.通过附图、权利要求和具体实施方式，本公开的其他特征和优点将变得更加明显。
28.这些总体的和具体的实施例可以通过利用系统、方法、计算机程序或其组合来实现。
附图说明
29.通过以下结合附图进行的描述，公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
30.图1是示意性地示出根据实施例的显示设备的平面图；
31.图2是根据实施例的连接到包括在显示设备中的发光元件的像素电路的等效电路图；
32.图3是示意性地示出图1的显示设备的一部分的剖视图；
33.图4是示出根据实施例的显示设备中的第一颜色转换层、第二颜色转换层和透光层的放大剖视图；
34.图5a-图5g是示出根据实施例的制造显示设备的方法的一些操作的剖视图；
35.图6是示出根据另一实施例的显示设备的一部分的剖视图；以及
36.图7a-图7c是示出根据另一实施例的制造显示设备的方法的一些操作的剖视图。
具体实施方式
37.现在将详细参照实施例，实施例的示例示出在附图中，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件，并且可以不提供其重复描述。在这方面，呈现的实施例可以具有不同的形式，而不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本描述的方面。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”可以表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
38.由于本描述允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并且在书面描述中描述某些实施例。通过下面结合附图进行的一个或更多个实施例的详细描述，一个或更多个实施例以及实现它们的方法的效果和特征将变得明显。然而，呈现的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此阐述的描述。
39.尽管可以使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种组件，但是这样的组件不必限于上述术语。上述术语用于将一个组件与另一组件区分开。
40.如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
41.将理解的是，如这里使用的术语“包含”和/或“包括”以及它们的变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除附加一个或更多个其他特征或组件。
42.还将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
43.为了便于解释，可以夸大或减小附图中的元件的尺寸。例如，由于为了便于解释而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此公开不限于此。
44.当可以不同地实施实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行某些工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
45.在本说明书中，表述“a和/或b”表示仅a、仅b或者a和b两者。在整个公开中，表述“从a和b中选择的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b或者a和b两者。
46.还将理解的是，当层、区域或组件被称为彼此连接时，所述层、区域或组件可以彼此直接连接，或者彼此间接连接且中间层、区域或组件置于其间。例如，当层、区域或组件被称为彼此电连接时，所述层、区域或组件可以彼此直接电连接，或者彼此间接电连接且中间层、区域或组件置于其间。当元件被称为“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。
47.x轴、y轴和z轴不限于直角(笛卡尔)坐标系的三个轴，并且在一些实施例中，可以以更广泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以表示彼此垂直的方向，或者可以表示彼此不垂直的方向。
48.图1是示意性地示出根据实施例的显示设备1的平面图。
49.参照图1，显示设备1可以包括显示区域da和位于显示区域da外部的外围区域pa。显示设备1可以通过在显示区域da中二维布置的多个像素px的阵列来提供图像。像素px可以包括第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3。外围区域pa是不提供图像的区域，并且可以完全地或部分地围绕显示区域da。向对应于每个像素px的像素电路提供电信号或电力的驱动器等可以位于外围区域pa中。电子元件和/或印刷电路板等可连接到的垫(“pad”，或称为焊盘)可以位于外围区域pa中。
50.显示设备1可以包括有机发光二极管(oled)作为发光元件，但是本公开的显示设备1不限于此。在另一实施例中，显示设备1可以是包括无机发光二极管的发光显示器(例如，无机发光显示器或无机电致发光(el)显示器)。无机发光二极管可以包括包含一种或更多种无机半导体材料的pn结二极管(例如，无机发光二极管可以是包含一种或更多种无机半导体材料的pn结二极管)。当在正向方向上向pn结二极管施加电压时，注入空穴和电子，并且由于空穴和电子的复合而产生的能量可以被转换成光能以发射选定颜色的光。无机发光二极管可以具有范围从几微米至几百微米的宽度，在一些实施例中，无机发光二极管可以被称为微型发光二极管(led)。
51.图2是根据实施例的连接到包括在显示设备1中的发光元件的像素电路pc的等效电路图。
52.参照图2，显示设备1(见图1)可以包括发光元件和像素电路pc。发光元件可以包括发光二极管，例如，有机发光二极管oled。有机发光二极管oled可以电连接到像素电路pc，并且可以通过像素电路pc接收驱动电压以发光。发光元件可以通过发射区域发光。
53.像素电路pc可以包括存储电容器和多个薄膜晶体管。在实施例中，像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cap。
54.作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管t2可以连接到扫描线sl和数据线dl，并且可以基于从扫描线sl输入的开关电压(或开关信号)将从数据线dl输入的数据电压(或数据信号)传输到第一薄膜晶体管t1。
55.存储电容器cap可以连接到第二薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且可以被构造为存储与从第二薄膜晶体管t2接收的电压和施加到驱动电压线pl的第一电源电压elvdd之间的差对应的电压。存储电容器cap可以至少包括第一存储板cap1和第二存储板cap2。
56.第一薄膜晶体管t1是驱动薄膜晶体管，第一薄膜晶体管t1可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cap，并且被构造为根据存储在存储电容器cap中的电压值来控制从驱动电压线pl流到有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。有机发光二极管oled的对电极(例如，阴极)可以被构造为接收第二电源电压elvss。
57.尽管图2中的像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。例如，像素电路pc可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个存储电容器。在实施例中，像素电路pc可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。可以根据像素电路pc的设计适当地改变薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量。然而，为了便于说明，下面将假设像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器来描述。
58.图3是示意性地示出沿图1中的线iii-iii'截取的图1的显示设备1的一部分的剖
视图。
59.参照图3，显示设备1可以包括多个像素px。像素px可以包括例如第一像素px1至第三像素px3。显示设备1包括多个层，在下文中，为了便于描述，将主要描述堆叠顺序。
60.显示设备1可以包括基底100。基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。例如，基底100可以包括聚合物树脂(诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素)。当基底100包括上述聚合物树脂时，基底100可以是柔性的和/或可弯曲的。例如，基底100可以具有包括两个层以及在所述两个层之间的阻挡层的多层结构，所述两个层中的每个层包括聚合物树脂，阻挡层包括无机材料。例如，阻挡层可以包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)。
61.多个发光元件200可以布置在基底100上方。图3示出了第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230。除了发光元件200之外，分别电连接到发光元件200的像素电路pc也可以位于基底100上方。像素电路pc(例如，如图2中所示)包括薄膜晶体管tft和存储电容器cap，并且第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230可以位于像素电路pc上方。
62.每个薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、与半导体层act的沟道区叠置的栅电极ge以及分别连接到半导体层act的源区和漏区的源电极se和漏电极de。
63.半导体层act可以包括多晶硅。在一些实施例中，半导体层act可以包括非晶硅。在一些实施例中，半导体层act可以包括选自于由铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。半导体层act可以包括沟道区，且源区和漏区可以掺杂有杂质。
64.栅电极ge可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或ti的低电阻导电材料，并且可以具有包括上述材料的单一结构或多层结构。
65.源电极se或漏电极de可以包括al、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、cr、钙(ca)、mo、ti、钨(w)和/或cu，并且可以具有包括上述材料的单一结构或多层结构。在一些实施例中，源电极se或漏电极de还可以在包括前述金属的层上包括诸如氧化铟锡(ito)的材料。例如，源电极se或漏电极de可以各种改变，诸如具有ti层/al层/ti层的堆叠结构或者包括ti层/cu层/ito层的堆叠结构。
66.存储电容器cap可以包括彼此叠置的第一存储板cap1和第二存储板cap2。第一存储板cap1可以位于与其上布置有栅电极ge的层相同的层上，并且可以包括与栅电极ge的材料相同的材料。第二存储板cap2可以位于与其上布置有源电极se或漏电极de的层相同的层上，并且可以包括与源电极se或漏电极de的材料相同的材料。绝缘层可以位于存储电容器cap的第一存储板cap1与第二存储板cap2之间，并且第一存储板cap1和第二存储板cap2可以彼此叠置以形成电容器。在这种情况下，绝缘层可以用作存储电容器cap的介电层。
67.尽管图3示出了薄膜晶体管tft的栅电极ge和存储电容器cap的第一存储板cap1分开布置，但是存储电容器cap可以与薄膜晶体管tft叠置。在这种情况下，薄膜晶体管tft的栅电极ge可以用作存储电容器cap的第一存储板cap1。
68.缓冲层110可以位于基底100与半导体层act之间。缓冲层110可以减少或阻止异物、湿气和/或环境空气从基底100的底部(例如，下方)的渗透，并且可以在基底100上提供
平坦的表面(例如，使基底100平坦化)。缓冲层110可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅)，并且可以具有包括前述材料的单层结构或多层结构。
69.为了确保半导体层act与栅电极ge之间的电绝缘，栅极绝缘膜130可以位于半导体层act与栅电极ge之间。栅极绝缘膜130可以包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)。
70.在一些实施例中，层间绝缘层150可以位于栅电极ge和第一存储板cap1上方。层间绝缘层150可以包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)。源电极se、漏电极de和第二存储板cap2可以位于层间绝缘层150上方。可以通过化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)形成包括这种无机材料的层间绝缘层150。这同样将适用于以下实施例及其修改。
71.平坦化层170可以位于薄膜晶体管tft上方。例如，当有机发光二极管如图3中所示位于薄膜晶体管tft上方时，平坦化层170可以使覆盖薄膜晶体管tft的保护层大体上平坦化。平坦化层170可以包括例如有机材料(诸如，亚克力、苯并环丁烯(bcb)和/或六甲基二硅氧烷(hmdso))。尽管图3示出了平坦化层170具有单层结构，但是可以对其进行各种修改。在一些实施例中，例如，平坦化层170可以具有多层结构。
72.第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230可以位于基底100的平坦化层170上方。在实施例中，第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230可以均具有相同的结构。在下文中，为了便于说明，将描述第一发光元件210。
73.第一像素电极211、中间层203和对电极205的堆叠结构可以形成第一发光元件210。可以使用有机发光二极管作为发光元件。有机发光二极管可以在第一方向上(例如，沿z方向)发射第一颜色的光，并且有机发光二极管的发射区域可以对应于像素px。
74.例如，第一发光元件210可以包括第一像素电极211、对电极205和在它们之间的中间层203。中间层203可以包括发射层。第一像素电极211可以经由形成在平坦化层170等中的接触孔与源电极se和漏电极de中的一个接触，使得第一像素电极211电连接到薄膜晶体管tft。第一像素电极211包括包含透明导电氧化物(诸如氧化铟锡(ito)、in2o3和/或氧化铟锌(izo))的透明导电层以及包含金属(诸如al和/或ag)的金属层。例如，第一像素电极211、第二像素电极221和第三像素电极231可以均具有ito/ag/ito的三层结构。
75.上绝缘层190可以位于平坦化层170上方。上绝缘层190可以具有一个或更多个开口，第一像素电极211、第二像素电极221和第三像素电极231中的每个的中心部分通过该一个或更多个开口暴露。上绝缘层190可以通过增加(例如，位于非像素区域中的)第一像素电极211、第二像素电极221和第三像素电极231中的每个的边缘与对电极205之间的距离来防止或减少在第一像素电极211、第二像素电极221和第三像素电极231的边缘与对电极205之间发生电弧等。上绝缘层190可以包括有机材料，诸如聚酰亚胺和/或hmdso。
76.中间层203包括发射层，并且可以位于第一像素电极211上方。发射层可以发射第一颜色的光。发射层可以发射具有例如约450nm至约495nm的中心波长的第一颜色的光(例如，蓝光)。
77.中间层203可以包括低分子量材料和/或高分子量材料。当中间层203包括低分子量材料时，中间层203可以具有其中空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)堆叠为(或堆叠成)单个(例如，一体)或多个(例如，层叠)结构的结构。中间层203可以通过真空沉积来形成。当中间层203包括高分子量材料时，
中间层203可以具有包括htl和eml的结构。在这种情况下，htl可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(pedot)，eml可以包括聚苯撑乙烯撑(ppv)类聚合物和/或聚芴类聚合物。中间层203可以通过丝网印刷、喷墨印刷、沉积和/或激光诱导热成像(liti)来形成。然而，中间层203不必限于此。中间层203可以具有任何合适的结构。
78.例如，中间层203可以一体地形成在第一像素电极211、第二像素电极221和第三像素电极231之上。例如，发射层和上述功能层(诸如hil、htl、eml、etl和/或eil)可以一体地形成在基底100上方。
79.对电极205可以位于中间层203上方(上)。对电极205可以对应于第一像素电极211、第二像素电极221和第三像素电极231(例如，与第一像素电极211、第二像素电极221和第三像素电极231叠置)，并且可以一体地形成在多个像素电极之上。对电极205可以包括由ito、in2o3和/或izo形成的透明导电层，并且在一些实施例中可以包括包含ag、mg、al、ni、cr、li、ca或其合金的半透明层。例如，对电极205可以是包括ag和mg的半透膜。
80.因为第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230可能容易被来自外部的湿气和/或氧损坏，所以封装层300可以覆盖第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230以保护它们。
81.封装层300可以位于对电极205上方。封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
82.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以均包括一种或更多种无机绝缘材料。一种或更多种无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过cvd形成。
83.有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的非限制性示例包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸树脂，例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等。有机封装层320可以通过固化单体或施用聚合物来形成。
84.包括从基底100到第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230的堆叠层的结构可以被称为发光单元10。从(由)发光单元10发射的光被称为光学单元20上的入射光lib。例如，由第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230发射的第一颜色的光可以穿过封装层300并行进到光学单元20。
85.光学单元20可以包括堆叠结构，该堆叠结构包括第一遮光层410、防液(liquid repellent，或称为抗液或疏液)层430、金属层440、第一颜色转换层451、第二颜色转换层452、透光层453以及第一覆盖层470、第二遮光层510、第一滤色器层531、第二滤色器层532、第三滤色器层533、填料540和第二覆盖层550。
86.第一颜色转换层451和第一滤色器层531可以布置成与第一发光元件210叠置，第二颜色转换层452和第二滤色器层532可以布置成与第二发光元件220叠置。另外，透光层453和第三滤色器层533可以布置成与第三发光元件230叠置。
87.第一遮光层410可以包括与发光元件200对应的第一组开口部分op1。第一遮光层410可以包括分别对应于第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230的第1-1(第一)开口部分op1-1、第1-2(第二)开口部分op1-2和第1-3(第三)开口部分op1-3。
88.第一遮光层410的限定第一组开口部分op1的内表面可以(均)包括锥形倾斜表面。
例如，第一遮光层410的内表面可以包括正锥形表面(例如，使得内表面朝向像素的中心轴向下倾斜)。因此，第1-1开口部分op1-1、第1-2开口部分op1-2和第1-3开口部分op1-3的宽度可以在远离基底100的方向上逐渐增大。
89.第一遮光层410的内表面可以相对于第一遮光层410的下表面410s形成第一角度a1。在实施例中，第一角度a1可以是锐角，即，小于90度，在这种情况下，第一遮光层410可以具有梯形剖面。例如，第一遮光层410的在第1-1开口部分op1-1、第1-2开口部分op1-2和第1-3开口部分op1-3之中的两个相邻开口部分之间的部分的宽度可以随着距发光单元10和/或基底100的距离的增加而沿z方向减小。
90.第一遮光层410可以具有任何合适的颜色(诸如黑色、白色、红色、紫色和/或蓝色)。第一遮光层410可以包括有色颜料或染料。第一遮光层410可以包括遮光材料。遮光材料可以包括包含金属氧化物(诸如氧化钛(tio2)、氧化铬(cr2o3)和/或氧化钼(moo3))的不透明无机绝缘材料，或者可以包括不透明有机绝缘材料(诸如黑色树脂)。在另一示例中，第一遮光层410可以包括有机绝缘材料(诸如白色树脂)。
91.如下所述，第一遮光层410可以防止或减少由彼此相邻的第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453转换或透射的波长的光之间的混色。
92.第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453可以分别位于第1-1开口部分op1-1、第1-2开口部分op1-2和第1-3开口部分op1-3中。第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453可以通过位于其间的第一遮光层410的材料部分彼此分开。
93.第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453可以将由发光单元10产生的入射光lib转换为另一颜色的光或者透射入射光lib，并且可以朝向第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533发射光。被第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453转换或透射的光可以是红光、绿光和蓝光中的一种。
94.入射光lib可以是具有约400nm或更大且小于约495nm的波长的蓝光，并且通过第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533发射(透射)的光可以包括具有约580nm或更大的波长的红光、具有约495nm或更大且小于约580nm的波长的绿光以及具有约400nm或更大且小于约495nm的波长的蓝光。
95.入射光lib可以通过第一颜色转换层451转换为红光(例如，具有约580nm或更大且小于约750nm的中心波长的红光)，并且可以穿过第一滤色器层531并发射到外部。第一滤色器层531包括红色颜料或染料，并且可以选择性地透射红光。
96.入射光lib可以通过第二颜色转换层452转换为绿光(例如，具有约495nm或更大且小于约580nm的中心波长的绿光)，并且可以穿过第二滤色器层532并发射到外部。第二滤色器层532包括绿色颜料或染料，并且可以选择性地透射绿光。
97.入射光lib可以在没有颜色转换的情况下透射通过透光层453并朝向第三滤色器层533发射，并且穿过第三滤色器层533的光可以发射到外部。第三滤色器层533包括蓝色颜料或染料，并且可以选择性地透射蓝光。
98.因此，从发光单元10发射的入射光lib在穿过第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453的同时被转换为绿光或红光，或者透射为蓝光，从而显示彩色图像。
99.在实施例中，第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453可以均通过喷墨印刷工艺来形成。可以将分别形成第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453
的墨喷射到第一遮光层410的第一组开口部分op1中，从而形成第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453。
100.防液层430可以位于第一遮光层410上方。在平面上(例如，当垂直于厚度方向(例如，沿z方向)观看时)，防液层430不与第一遮光层410的第一组开口部分op1叠置，并且可以位于第一组开口部分op1之间。例如，防液层430可以与其中定位有第一遮光层410的遮光材料的区域叠置。
101.防液层430可以包括对形成第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453的材料具有防液性质的防液材料。防液材料可以包括具有疏水性的有机聚合物材料。例如，防液材料可以包括包含氟(f)的有机材料。
102.在形成第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453的喷墨印刷工艺期间，防液层430可以赋予防液性，使得形成第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453的墨位于第一组开口部分op1中，而不位于第一遮光层410上。墨具有亲水性，并且防液层430具有疏水性，因此，防液层430可以防止或减少墨从第一组开口部分op1溢出到第一组开口部分op1中的相邻开口部分中。因此，可以防止或减少第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453中的相邻层之间的混合，并且可以防止或减少像素之间的混色，因此改善显示设备的制造质量。
103.金属层440可以位于第一遮光层410的限定/面对第一组开口部分op1的内侧(表面)上。也就是说，金属层440可以位于第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453的每一侧(侧表面)与第一遮光层410的相应的内侧(侧表面)之间。在远离发光单元10和/或基底100的第一方向上(例如，沿z方向)，金属层440在垂直于第一方向的第二方向上的宽度或厚度t可以逐渐减小。在实施例中，第一方向可以是z方向，第二方向可以是x方向或y方向。金属层440的厚度t可以小于约2μm。
104.金属层440可以包括与第一遮光层410的内表面接触的第一表面s1和与第一表面s1相对(例如，与第一颜色转换层451、第二颜色转换层452或透光层453接触)的第二表面s2。第一遮光层410的面对封装层300的下表面410s和金属层440的第一表面s1可以实现/形成第一角度a1。第一遮光层410的下表面410s和金属层440的第二表面s2可以实现/形成第二角度a2。根据实施例，金属层440的厚度t随着金属层440接近封装层300而增加，因此，第二角度a2可以小于(少于)第一角度a1。
105.在实施例中，金属层440可以包括tio2作为散射材料。到达金属层440的光可以从金属层440的表面散射，并且可以以各种路径行进。由此，可以在第一颜色转换层451或第二颜色转换层452内增加入射光lib的颜色转换程度，因此可以改善光转换效率。
106.在另一实施例中，金属层440可以包括ag纳米颗粒。ag纳米颗粒具有优异的反射率，因此到达金属层440的光可以从金属层440的表面反射。因此，可以降低第一遮光层410的遮光材料对(入射在第一颜色转换层451、第二颜色转换层452或透光层453上的)入射光lib的光吸收程度，因此改善光提取效率和/或亮度。另外，由于表面等离子体共振，ag纳米颗粒可以与可见光强烈共振，从而使可见光散射。由此，可以使到达金属层440的光强烈地散射，因此可以改善光转换效率。在一些实施例中，金属层440可以包括氧化钛(tio2)和/或银(ag)纳米颗粒。
107.在一些实施例中，金属层440可以包括聚合物。在实施例中，金属层440的聚合物可
以包括通过包含双官能单体的多官能单体的缩合反应而形成的聚合物。多官能单体可以具有多个官能团并且可以在多个位置处结合到其他单体。例如，双官能单体可以包括己二醇二丙烯酸酯(1,6-己二醇二丙烯酸酯，hdda)。聚合物可以使金属层440能够稳定地形成，而不会在第一遮光层410的第一组开口部分op1的(多个)内表面上塌陷。作为另一示例，金属层440的聚合物可以是通过液晶单体的缩合反应而形成的聚合物。
108.第一覆盖层470可以位于第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453上方。第一覆盖层470可以覆盖第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453。第一覆盖层470可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅)。
109.第一覆盖层470和封装层300可以布置成使得第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453位于它们之间。第一颜色转换层451和第二颜色转换层452可以如下面参照图4描述的均包括量子点。因为量子点包括纳米颗粒，所以量子点可能由于与湿气、氧等的反应而劣化。因此，第一覆盖层470和封装层300可以分别位于第一颜色转换层451和第二颜色转换层452上方和下方来覆盖第一颜色转换层451和第二颜色转换层452，以防止或减少湿气和/或氧等被引入到第一颜色转换层451和第二颜色转换层452中的量子点中。
110.第二遮光层510可以位于第一覆盖层470上方。第二遮光层510可以包括分别与第一组开口部分op1叠置的第二组开口部分op2。第二遮光层510可以包括遮光材料。遮光材料可以包括包含金属氧化物(诸如tio2、cr2o3和/或moo3)的不透明无机绝缘材料，或者可以包括不透明有机绝缘材料(诸如黑色树脂)。第二遮光层510可以阻挡光发射到发射区域的外部，从而防止或减少显示设备1中的漏光。
111.第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533可以分别位于第二遮光层510的第二组开口部分op2中。例如，第一滤色器层531可以位于与第一发光元件210对应的第2-1(第一)开口部分op2-1中，第二滤色器层532可以位于与第二发光元件220对应的第2-2(第二)开口部分op2-2中，第三滤色器层533可以位于与第三发光元件230对应的第2-3(第三)开口部分op2-3中。作为另一示例，第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533中的一些可以位于第二遮光层510上方。
112.第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533可以均包括包含染料和/或颜料的有机图案。如上所述，第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533可以分别包括不同颜色的颜料和/或染料，并且可以选择性地透射特定颜色的光。
113.考虑到从显示设备1发射的每种颜色光的量，第三滤色器层533的宽度和/或厚度可以大于第一滤色器层531和第二滤色器层532中的每个的宽度和/或厚度。
114.在一些实施例中，第二遮光层510可以包括与第三滤色器层533的材料相同的材料，并且可以通过相同的工艺形成。在这种情况下，第一滤色器层531可以位于与第一发光元件210对应的第2-1开口部分op2-1中，第二滤色器层532可以位于与第二发光元件220对应的第2-2开口部分op2-2中，在与第三发光元件230对应的位置处不形成第2-3开口部分op2-3，并且第二遮光层510的一部分可以用作第三滤色器层533。第二遮光层510的位于第一滤色器层531与第二滤色器层532之间的部分可以防止或减少由彼此相邻的第一颜色转换层451和第二颜色转换层452转换的波长的光之间的混色。
115.填料540可以位于第二遮光层510上方，并且可以覆盖第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533。填料540可以缓冲外部压力等，并且可以提供平坦的上表面。
填料540可以包括有机材料(诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯)。
116.第二覆盖层550可以位于填料540上方。第二覆盖层550可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅)。
117.已经描述了其中显示设备1的发光单元10和光学单元20形成在一个基底上的情况。然而，在另一实施例中，可以通过在下基底上形成发光单元10和封装层300，在上基底上形成光学单元20，并且将下基底结合到上基底来制造显示设备1。在这种情况下，金属层440的宽度t可以从上基底朝向下基底逐渐减小。
118.图4是示出根据实施例的显示设备1中的第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453的放大剖视图。
119.参照图4，根据实施例的显示设备1可以包括第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453。
120.例如，第一颜色转换层451可以将蓝色入射光lib转换为红光lr。为此，第一颜色转换层451可以包括其中分散有第一量子点451b的第一光敏聚合物451a。
121.第一光敏聚合物451a没有特别限制，只要其是具有优异的分散特性和透光性的材料即可，但是可以包括例如丙烯酸树脂、酰亚胺树脂和/或环氧树脂。
122.第一量子点451b可以被蓝色入射光lib激发以各向同性地发射具有比蓝光的波长长的波长的红光lr。在本说明书中，术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种波长的光的任何材料。
123.第一量子点451b可以通过湿化学工艺、金属有机cvd工艺、分子束外延工艺或类似工艺来合成。湿化学工艺是在将有机溶剂与前躯体材料混合之后生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并控制晶体的生长。因此，与气相沉积方法(诸如金属有机cvd(mocvd)和/或分子束外延(mbe))相比，可以通过更容易且便宜的工艺来控制量子点颗粒的生长。
124.第一量子点451b可以包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或半导体化合物或者其任何组合。
125.ii-vi族半导体化合物的非限制性示例包括二元化合物(诸如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse和/或mgs等)、三元化合物(诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、mgznte、hgznse、mgznse和/或mgzns等)、四元化合物(诸如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete和/或hgznste等)或其任何组合。
126.iii-v族半导体化合物的非限制性示例包括二元化合物(诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas和/或insb等)、三元化合物(诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas和/或inpsb等)、四元化合物(诸如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas和/或inalpsb等)或其任何组合。另外，iii-v族半导体化合物还可以包括ii族元素。还包括ii族元素的iii-v族半导体化合物的非限制性示例包括inznp、ingaznp和/或inalznp等。
127.iii-vi族半导体化合物的非限制性示例包括二元化合物(诸如in2s3、gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2se3和/或inte等)、三元化合物(诸如ingas3和/或ingase3)或其任何组合。
128.i-iii-vi族半导体化合物的非限制性示例包括三元化合物(诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2和/或其任何组合)。
129.iv-vi族半导体化合物的非限制性示例包括二元化合物(诸如sns、snse、snte、pbs、pbse和/或pbte等)、三元化合物(诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse和/或snpbte等)、四元化合物(诸如snpbsse、snpbsete和/或snpbste等)或其任何组合。
130.iv族元素或半导体化合物可以是单质(诸如si和/或ge)、二元化合物(诸如sic和/或sige)或其任何组合。
131.包括在多元素化合物(例如，二元化合物、三元化合物或四元化合物)中的每种元素可以以基本上均匀的浓度(例如，分布)或非均匀的浓度存在于颗粒中。
132.另外，第一量子点451b可以具有单一结构或者核-壳双重结构，其中包括在对应的量子点中的每种元素的浓度是均匀的。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可以彼此不同。
133.壳可以用作用于通过防止或减少核的化学改性来保持半导体性质的保护层和/或用作用于向量子点赋予电泳性质的荷电层。壳可以是单层或者可以包括多个层。核与壳之间的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。
134.壳的非限制性示例包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。金属或非金属氧化物的非限制性示例包括二元化合物(诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio等)、三元化合物(诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4)或其任何组合。半导体化合物可以包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物或其任何组合。例如，半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任何组合。
135.第一量子点451b的粒径可以具有小于或等于约45nm或更小(例如，小于或等于约40nm或更小，并且作为另一示例，小于或等于约30nm或更小)的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)，并且可以在该范围内改善色纯度或颜色再现性。因为通过第一量子点451b发射的光沿所有方向发射，所以可以改善光的视角。
136.在一些实施例中，第一量子点451b的形状可以是例如球形、金字塔形、多臂形或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片颗粒等。在一些实施例中，第一散射颗粒451c可以进一步分散在第一光敏聚合物451a中。第一散射颗粒451c可以通过散射蓝色入射光lib的最初未被第一量子点451b吸收的任何部分来使更多的第一量子点451b被激发。因此，可以改善第一颜色转换层451的颜色转换效率。另外，第一散射颗粒451c可以在基本上不转换入射光的波长的情况下沿各种方向散射光而与入射角无关。由此，可以改善侧面可视性。
137.第一散射颗粒451c可以是具有与第一光敏聚合物451a的折射率不同的折射率的颗粒，例如，光散射颗粒。第一散射颗粒451c没有特别限制，只要它们与第一光敏聚合物
451a形成光学界面以部分地散射透射的光即可，但是可以是例如金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的非限制性示例包括tio2、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、in2o3、氧化锌(zno)和/或氧化锡(sno2)等。有机材料的非限制性示例包括丙烯酸树脂和氨基甲酸乙酯树脂。第二颜色转换层452可以将蓝色入射光lib转换为绿光lg。第二颜色转换层452可以包括其中分散有第二量子点452b的第二光敏聚合物452a。在第二光敏聚合物452a中，第二散射颗粒452c与第二量子点452b一起分散。因此，可以增加第二颜色转换层452的颜色转换率。
138.第二光敏聚合物452a可以包括与第一光敏聚合物451a基本上相同的材料，第二散射颗粒452c可以包括与第一散射颗粒451c基本上相同的材料。
139.第二量子点452b可以包括(例如，具有)与第一量子点451b的材料基本相同的材料，并且可以具有与第一量子点451b的形状基本相同的形状。然而，第二量子点452b的尺寸可以小于(低于)第一量子点451b的尺寸。因此，第二量子点452b可以发射具有与第一量子点451b的波段不同的波段的光。例如，可以通过调节量子点的尺寸来调节能带隙，因此可以获得各种波段的光。第二量子点452b可以小于第一量子点451b。因此，第二量子点452b可以被蓝色入射光lib激发以各向同性地发射绿光lg，绿光lg具有比蓝光的波长长且比红光lr的波长短的波长。透光层453可以包括其中分散有第三散射颗粒453c的第三光敏聚合物453a。例如，透光层453不包括可以被蓝色入射光lib激发的单独的量子点。类似于第一光敏聚合物451a，第三光敏聚合物453a可以包括具有透光性质的有机材料，并且第三散射颗粒453c可以包括与第一散射颗粒451c的材料基本相同的材料。因为入射到透光层453上的蓝色入射光lib可以透射通过透光层453而不改变颜色，所以通过透光层453发射的光可以是蓝光lb。然而，蓝色入射光lib可以被透光层453中的第三散射颗粒453c散射并发射到外部。因为透光层453使蓝色入射光lib透射而不改变颜色，所以可以获得更高的光效率。
140.图5a-图5g(或图5a至图5g)是示出根据实施例的制造显示设备1的方法中的一些操作的剖视图。
141.参照图5a，可以准备包括基底100、位于基底100上的像素电路和位于基底100上的发光器件的发光单元10。可以在发光单元10上方形成封装层300。
142.可以在封装层300上方形成包括第一组开口部分op1的第一遮光层410。第一组开口部分op1可以分别对应于发光元件。例如，图5a中所示的第一组开口部分op1可以分别对应于上面参照图3描述的第1-1开口部分op1-1、第1-2开口部分op1-2和第1-3开口部分op1-3。为了形成第一遮光层410，可以使用光刻工艺作为示例，并且可以使用纳米压印光刻工艺作为另一示例。
143.参照图5b，可以在第一遮光层410上方形成防液层430。可以在用于形成第一遮光层410的光刻工艺期间通过曝光来形成防液层430。例如，可以通过使包括在第一遮光层410中的第一材料曝光和显影来形成第一遮光层410，并且包括在第一遮光层410中的第一材料可以包括防液材料。在这种情况下，在曝光期间与包括在第一遮光层410中的第一材料混合的防液材料聚集在第一遮光层410的上表面上以形成防液层430。防液材料对于形成第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453的材料具有防液性质，并且可以包括具有疏水性的有机聚合物材料，诸如包括氟(f)的有机材料。因此，当分析通过上述工艺完成的第一遮光层410和防液层430的组分时，具有高含量的包括氟(f)的有机物质的部分可以对应于防液层430。
3。第2-1墨ik2-1可以包括上面参照图4描述的第一光敏聚合物451a(见图4)、第一量子点451b(见图4)和第一散射颗粒451c(见图4)。第2-2墨ik2-2可以包括第二光敏聚合物452a(见图4)、第二量子点452b(见图4)和第二散射颗粒452c(见图4)。第2-3墨ik2-3可以包括上面参照图4描述的第三光敏聚合物453a(见图4)和第三散射颗粒453c(见图4)。
154.作为对比示例，当使用光刻工艺等形成金属层440时，会对防液层上方的金属层材料执行诸如曝光和/或蚀刻的工艺，以施用金属层材料并使其图案化。在该工艺中，防液层会被无意地去除，并且无法防止形成颜色转换层或透光层的墨的溢出。
155.然而，根据上述实施例，因为喷墨印刷工艺用于形成金属层440，所以防液层430不被去除。因此，可以防止墨的溢出，并且可以改善显示设备1的制造质量。
156.图6是示出根据另一实施例的显示设备1的一部分的剖视图。
157.图6的显示设备1包括发光单元10和转换或透射从发光单元10发射的光的光学单元20，并且发光单元10的结构与上面参照图3描述的结构相同。图6的光学单元20的形状(例如，内部结构)与参照图3描述的光学单元20的形状略有不同，并且以下描述将主要集中在差异上。
158.参照图6，第一遮光层410可以包括第一组开口部分op1，并且限定第一组开口部分op1的第一遮光层410可以包括倾斜的内表面。例如，第一遮光层410的内表面可以包括倒锥形的倾斜表面(例如，定向成使得内表面朝向像素的中心轴向上倾斜)，并且内表面相对于第一遮光层410的下表面410s形成的第一角度a1可以是钝角，即，大于90度的角度。第一遮光层410可以具有倒梯形剖面，并且第一组开口部分op1(例如，第1-1开口部分op1-1、第1-2开口部分op1-2和第1-3开口部分op1-3)的宽度可以在远离发光单元10和/或基底100的方向上逐渐减小。第一遮光层410的形状可以由于第一遮光层410的形成条件(诸如工艺温度)的变化而导致。
159.当第一角度a1是钝角时，入射到第一组开口部分op1中的波长的入射光lib从第一遮光层410的内表面朝向基底100反射回来的可能性会增加。然而，根据实施例，第一遮光层410的内表面上的金属层440的宽度t随着金属层440接近封装层300而增加，因此，第二角度a2可以小于第一角度a1。如上所述的金属层440允许部分入射光lib从金属层440的第二表面s2反射，降低了该部分入射光lib朝向基底100被反射回来的可能性。由此，可以减少光学损耗。
160.图7a-图7c是示出根据另一实施例的制造显示设备1的方法中的一些任务和制造图6的显示设备1的方法中的一些任务的剖视图。
161.参照图7a，可以形成包括第一组开口部分op1的第一遮光层410和防液层430。形成第一遮光层410和防液层430的工艺如上面参照图5a和图5b所描述的。
162.然后，为了形成金属层440，可以通过喷墨印刷工艺将第一墨ik1喷射到第一组开口部分op1中。
163.参照图7b，可以使填充在第一组开口部分op1中的第一墨ik1干燥。随着第一墨ik1的第一溶剂蒸发，第一组开口部分op1中的第一墨ik1的体积可以减小，并且第一墨ik1可以通过毛细作用形成凹部me。第一溶剂蒸发得越多，凹部me变得越凹，并且第一墨ik1中未蒸发的混合物(即，tio2或ag纳米颗粒以及双官能单体)可以被驱使到第一遮光层410的内表面。
164.参照图7c，随着第一墨ik1被进一步干燥，第一墨ik1的第二溶剂可以被蒸发，并且当第一墨ik1中的所有溶剂被蒸发时，第一墨ik1完全失去其流动性并且可以被固化。第一墨ik1的tio2和/或ag纳米颗粒可以借助于通过双官能单体的缩合和聚合形成的聚合物附着到第一组开口部分op1的内表面上，以形成金属层440。在这种情况下，金属层440的宽度t可以随着金属层440接近封装层300而增大。
165.在第一墨ik1干燥之后，可以执行光固化工艺和/或热固化工艺，并且用于此的方法可以如上面参照图5f所描述的。另外，在形成金属层440之后，可以形成第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和透光层453，并且其方法如上面参照图5g所描述的。
166.根据如上所述构造的实施例，可以在颜色转换层和透光层周围形成用于散射和反射光的金属层而不损坏用于防止或减少像素之间的混色的防液层。由此，可以防止或减少混色，并且可以改善亮度和/或光转换效率。因此，可以实现具有改善的显示质量的显示设备和制造该显示设备的方法。然而，公开不受这种效果限制。
167.如这里所使用的，术语“基本上(基本)”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
168.这里陈述的任意数值范围意图包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任意最大数值界限意图包括其中包含的所有较小数值界限，本说明书中陈述的任意最小数值界限意图包括其中包含的所有较大数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包含在这里明确陈述的范围内的任意子范围。
169.根据这里描述的本公开的实施例的电子或电气装置和/或者任何其他相关装置或组件(诸如，以时序控制器、数据驱动器和栅极驱动器为例)可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或者单独的ic芯片上。此外，这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装件(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或者形成在一个基底上。此外，这些装置的各种组件可以是进程或线程，进程或线程在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行，执行计算机程序指令并且与其他系统组件交互以执行这里所描述的各种功能。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以使用标准的存储器装置(诸如以随机存取存储器(ram)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其他非暂时性计算机可读介质中，诸如以cd-rom、闪存驱动器等为例。此外，本领域普通技术人员应当认识到，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，各种计算/电子装置的功能可以组合或集成到单个计算/电子装置中，或者特定计算/电子装置的功能可以分布在一个或更多个其他计算/电子装置上。
170.应当理解的是，这里描述的实施例应当仅以描述性含义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应通常被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物所限定的精神和范围的情况下，可以在其中
进行形式和细节上的各种改变。