一种芯片组件及其制作方法、芯片转移方法和电子装置与流程

1.本发明涉及芯片制造领域，尤其涉及一种芯片组件及其制作方法、芯片转移方法和电子装置。


背景技术：

2.micro-led(micro light-emitting diode，微型发光二极管)是新一代的显示技术。与传统的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度，以及更低的功耗等优势，且还能结合柔性面板实现柔性显示。但在实际的面板制备工艺上，需要将数以千万计的micro-led芯片从外延生长衬底剥离下来，之后转移到驱动背板上。外延生长衬底一般为蓝宝石材料，在制成芯片后，将外延生长衬底与芯片剥离。然而在传统技术中，对于芯片的剥离有时难以进行，影响芯片转移到其他衬底的成功率。
3.因此，如何保证芯片剥离的成功率是亟需解决的问题。


技术实现要素：

4.鉴于上述相关技术的不足，本技术的目的在于提供一种芯片组件及其制作方法、芯片转移方法和电子装置，旨在解决在传统技术中，对于芯片的剥离成功率不高的问题。
5.一种芯片组件，包括：
6.衬底，所述衬底的一侧设有凹槽，所述凹槽沿所述衬底上的芯片的边缘区域设置；
7.分解层，设于所述凹槽内，与所述衬底齐平；
8.芯片，设于所述衬底包括所述凹槽的一侧，所述芯片包括覆盖在其表面的钝化层，所述钝化层靠近所述衬底的一面与所述分解层接触；
9.所述分解层在预设条件下，能够分解出气体冲击所述钝化层以使所述钝化层断裂。
10.上述芯片组件通过在衬底上开设的凹槽中设置了对应于芯片的边缘的分解层，使得在需要剥离芯片时，可利用该分解层在满足预设条件时分解产生的气体，对其接触或邻近的钝化层形成直接的冲击，增加了钝化层的断裂率，从而在一些实施过程中能够提升芯片剥离的成功率。
11.可选地，所述芯片还包括与所述衬底接触的缓冲层，所述分解层与所述缓冲层的材料相同，所述分解层和所述缓冲层在预设条件下分解以使所述芯片自所述衬底上剥离。
12.分解层是与缓冲层相同的材料，可以在同种预设条件下进行剥离，且易于制作。
13.可选的，所述凹槽的至少一个槽壁呈以下任一种形态：
14.斜面形态：所述槽壁包括斜面，所述斜面与所述衬底的表面形成大于90度的夹角；
15.曲面形态：所述槽壁包括曲面，所述曲面的起始点和终止点的连线与所述衬底的表面形成大于90度的夹角。
16.凹槽的槽壁与衬底表面的夹角大于90度，分解层分解出的气体可对钝化层形成斜向冲击力，有利于提升钝化层的断裂率。
17.可选的，所述芯片的所述钝化层接触所述分解层的位置处于所述凹槽的第一槽壁远离所述衬底的方向上，所述第一槽壁为所述凹槽中靠近所述芯片的中心一侧的槽壁；所述第一槽壁呈所述斜面形态或所述曲面形态的任一种。
18.上述设置方式使得分解层分解出的气体对钝化层形成的斜向冲击力向外(即远离芯片的方向)，更有利于提升钝化层的断裂率，且对于芯片本身形成的冲击较小，不易损坏芯片。
19.可选的，所述芯片在所述衬底上呈阵列排布，所述芯片包括以下任一种设置方式：
20.相邻的所述芯片之间间隔有能够设置两颗芯片的距离，相邻的所述芯片沿列方向的边缘分别与处于不同列的所述分解层接触，沿行方向的边缘分别与处于不同行的所述分解层接触；
21.相邻的所述芯片之间间隔小于芯片的宽度，相邻的所述芯片相靠近的两条边缘与同一分解层接触。
22.基于同样的发明构思，本技术还提供一种芯片组件制作方法，包括：
23.提供一衬底；
24.在所述衬底的一侧形成凹槽，所述凹槽对应于将要制作的芯片的边缘区域；
25.在所述凹槽内设置分解层；
26.在所述衬底设有所述凹槽的一侧生长所述芯片，所述芯片包括覆盖在其表面的钝化层，所述钝化层靠近所述衬底的一面与所述分解层接触；
27.所述分解层在预设条件下，能够分解出气体冲击所述钝化层以使所述钝化层断裂。
28.上述芯片组件制作方法制作出的芯片组件在衬底上开设的凹槽中设置了对应于芯片的边缘的分解层，使得在需要剥离芯片时，可利用该分解层在满足预设条件时分解产生的气体，对其接触或邻近的钝化层形成直接的冲击，增加了钝化层的断裂率，从而在一些实施过程中能够提升芯片剥离的成功率。
29.可选地，所述芯片还包括与所述衬底接触的缓冲层，所述分解层与所述缓冲层的材料相同，所述在所述凹槽内设置分解层，包括：
30.在所述衬底包括所述凹槽的一侧设置缓冲材料，一部分所述缓冲材料填入所述凹槽形成所述分解层，一部分所述缓冲材料设于所述衬底的表面形成缓冲层。
31.分解层是与缓冲层相同的材料，可以同时完成制作，工艺简单且成本低，且便于后续的剥离。
32.基于同样的发明构思，本技术还提供一种芯片转移方法，包括：
33.提供一芯片组件，所述芯片组件包括上述的芯片组件；
34.使所述芯片与目标基板固定；
35.使所述分解层分解出气体冲击所述钝化层以使所述钝化层断裂并使所述芯片与所述衬底接触的一面分解或断裂，以将所述芯片与所述衬底剥离。
36.上述芯片转移方法通过采用上述的芯片组件，利用分解层分解出的气体冲击钝化层使其断裂，增加了钝化层的断裂率，从而在一些实施过程中能够提升芯片剥离的成功率。
37.可选的，若所述芯片包括与所述衬底接触的缓冲层，且所述分解层和所述缓冲层包括gan，则所述使所述分解层分解出气体冲击所述钝化层以使所述钝化层断裂并使所述
芯片与所述衬底接触的一面分解包括：
38.采用目标激光对所述分解层和所述缓冲层进行照射，以使所述分解层和所述缓冲层分解出气体直至所述衬底能够与所述芯片分离。
39.基于同样的发明构思，本技术还提供一种电子装置，包括：芯片和电路板，所述芯片通过以下任一种方式转移至所述电路板：
40.所述芯片通过上述的芯片转移方法转移至所述电路板的固晶区上并完成固晶；
41.所述芯片通过上述的芯片转移方法转移至转移基板，利用所述转移基板将所述芯片转移至所述电路板上并完成固晶。
42.上述电子装置上的芯片通过上述的芯片转移方法实现转移，芯片剥离成功率高，因而转移成功率也高，使得一些实施过程中，上述电子装置的品质更好。
附图说明
43.图1为本发明实施例提供的芯片组件的结构示意图一；
44.图2为本发明实施例提供的芯片组件上的芯片的一种结构示意图；
45.图3为本发明实施例提供的芯片组件的一种俯视结构示意图；
46.图4为本发明实施例提供的芯片组件的另一种俯视结构示意图；
47.图5为本发明实施例提供的芯片组件的结构示意图二；
48.图6为本发明实施例提供的一种芯片排布设置的示意图；
49.图7为本发明实施例提供的另一种芯片排布设置的示意图；
50.图8为本发明实施例提供的芯片组件的结构示意图三；
51.图9为本发明实施例提供的芯片组件的结构示意图四；
52.图10为本发明另一可选实施例提供的芯片组件制作方法的流程示意图；
53.图11为本发明另一可选实施例提供的衬底形成凹槽的结构示意图；
54.图12为本发明另一可选实施例提供的衬底上形成分解层和缓冲层的结构示意图；
55.图13为图12衬底上生长外延层的结构示意图；
56.图14为图13的外延层被制作为芯片的一种示意图；
57.图15为图13的外延层被制作为芯片的另一种示意图；
58.图16为本发明另一可选实施例提供的芯片转移方法的流程示意图；
59.图17为本发明另一可选实施例提供的使用转移基板转移芯片的过程示意图一；
60.图18为本发明另一可选实施例提供的使用转移基板转移芯片的过程示意图二；
61.图19为本发明另一可选实施例提供的使用转移基板转移芯片的过程示意图三；
62.图20为本发明另一可选实施例提供的使用转移基板转移芯片的过程示意图四；
63.图21为本发明另一可选实施例提供的使用转移基板转移芯片的过程示意图五；
64.附图标记说明：
65.1-衬底；2-分解层；3-芯片；31-n型半导体层；32-有源层；33-p型半导体层；34-n极电极；35-p极电极；36-缓冲层；4-钝化层；5-转移基板；6-拾取装置；7-电路板；71-固晶区。
具体实施方式
66.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中
给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
67.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。
68.相关技术中，芯片的剥离有时难以进行，影响芯片转移到其他衬底的成功率。
69.基于此，本技术希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
70.实施例：
71.本实施例提供一种芯片组件，参见图1，该芯片组件包括衬底1、分解层2以及芯片3；衬底1的一侧设有凹槽，凹槽沿衬底上的芯片3的边缘区域设置；分解层2设于凹槽内，与衬底1齐平；芯片2设于衬底包括凹槽的一侧，芯片2包括覆盖在其表面的钝化层4，钝化层4靠近衬底1的一面与分解层2接触。其中，分解层2在预设条件下，能够分解出气体冲击钝化层4以使钝化层4断裂。
72.芯片组件上的芯片包括但不限于led(light-emitting diode，发光二极管)芯片，led芯片具体可包括但不限于micro-led芯片，mini-led(mini light-emitting diode，次毫米发光二极管)芯片等。应当说明的是，本实施例的芯片除led芯片以外，还可以是其他类型的设置钝化层的芯片，只要是设于衬底上(包括但不限于直接生长在衬底上，或后续设置于衬底上)，并需要从衬底上剥离的芯片，均可以为本实施例的芯片，本实施例的芯片组件也根据对应的芯片的不同，可为相应的其他芯片组件。
73.当芯片为led芯片时，衬底上的芯片可包括外延层和电极，本实施例并不限制芯片的其他具体结构，如图2所示，作为一种示例，芯片的外延层包括但不限于n型半导体层31、p型半导体层33以及位于n型半导体层和p型半导体层之间的有源层32，该有源层32可以包括量子阱层，还可以包括其他结构；芯片的外延层蚀刻出台阶区域以使得部分n型半导体层31暴露，n极电极34设置在暴露出的n型半导体层31上，p型电极35设置在p型半导体层33上。一种示例中，在p型半导体层远离衬底的一侧还设有包括但不限于ito(氧化铟锡)层等电流扩展层，p型电极设置在电流扩展层上。在上述蚀刻出台阶区域的芯片的结构中，台阶区域(即n型半导体层暴露的区域)较薄，相关技术中，若加大剥离时冲断钝化层的能量，芯片还有可能在台阶区域发生断裂。在另一些示例中，可选地，外延层还可包括例如反射层、电流阻挡层等其他结构，本实施例中的钝化层以及后续会示例出的缓冲层也可被认为属于外延层的一部分结构。芯片电极的材质和形状也不做限定，例如一种示例中，电极的材质可包括但不限于cr(铬)，ni(镍)，al(铝)，ti(钛)，au(金)，pt(铂)，w(钨)，pb(铅)，rh(铑)，sn(锡)，cu(铜)，ag(银)中的至少一种。
74.衬底可以是外延生长衬底，示例性的，通常在制作led芯片时，该衬底可以是能够生长led芯片外延层的半导体材料，例如，该衬底的材质可以为但不限于al2o3(蓝宝石)、sic(碳化硅)、si(硅)、gaas(砷化镓)，也可以为其他半导体材料，在此不做限制。
75.由于例如led芯片等芯片在一些情况下可能会受到外部环境的影响或产生漏电等问题，因此这些芯片设置有钝化层(又称pv层或保护层)对芯片保护，钝化层通常以成膜的
方式设于芯片的表面。钝化层在形成的过程中，也与衬底相粘连，因而实际上在芯片剥离的过程中，能否使与衬底粘连的这部分钝化层有效的断裂也是影响芯片剥离成功率的要素。可以理解的是，钝化层的结构越致密，则对于芯片的保护性更高，然而，致密的钝化层在芯片剥离的过程中，难以被冲断，若钝化层没有断裂，则无法剥离芯片进行后续的转移。
76.在需要剥离芯片时，可利用该分解层在满足预设条件时分解产生的气体，对其接触或邻近的钝化层形成直接的冲击，增加了钝化层的断裂率，从而提升了芯片剥离的成功率。并且，分解层的冲击力主要集中在钝化层，降低了芯片剥离时在台阶区域发生断裂的概率。
77.衬底上的凹槽的深度小于衬底的厚度，该凹槽与芯片的边缘相契合，在一些示例中，如图3所示，芯片3的边缘完全处于凹槽上，也即芯片3的所有边缘都接触到分解层2。还在一些示例中，例如图4所示，凹槽并没有布满芯片3的所有边缘区域，芯片3的边缘仅有部分处于该凹槽上，也即芯片3的边缘仅有部分接触到分解层2，例如仅有芯片3的四个角接触分解层2，可增加这四角的钝化层断裂的成功率；但可以理解的是，即使在这样的示例中，分解层分解出的气体也能够对一部分的钝化层形成直接的冲击，同样能够在一定程度上提高钝化层断裂的效果，以提高芯片剥离的成功率。
78.为使芯片从衬底上剥离，芯片的外延层等部分与衬底接触的部分也可以在一定的条件下分解或断裂，从而使得芯片外延层等部分能够与衬底脱离。芯片的外延层和钝化层可以分别进行分解或断裂，例如先利用分解层分解出的气体冲断钝化层，再使芯片的外延层分解或断裂从而完成芯片的剥离，或先使芯片的外延层分解或断裂，再利用分解层将钝化层冲断，在一些示例中，也可以选择同时使芯片的外延层和钝化层剥离，即外延层和钝化层都同时分解。若设置芯片与衬底接触的部分与分解层为相同的材料，则可以在同一预设条件下完成芯片的剥离。例如在一些实施方式中，芯片还包括与衬底接触的缓冲层(又称buffer layer)，分解层的材料与缓冲层的材料相同，分解层和缓冲层在同一预设条件下都能够进行分解，从而使芯片从衬底上剥离；或在另一些实施方式中，分解层和缓冲层为不同材料，但都可在同一预设条件下分解。在一些实施方式中，分解层和缓冲层包括gan(氮化镓)，gan在激光的作用下可以分解出n2(氮气)，示例性的，实际应用中可采用包括但不限于266nm的固体激光或者248nm的准分子激光对gan进行扫描，使其分解，在该示例中，衬底可采用包括但不限于蓝宝石等可以使激光透过的材料，激光透过衬底照射到缓冲层以及分解层，缓冲层和分解层同时分解产生n2。
79.气体在遇到阻碍时，流动方向可以发生变化，可以通过设计凹槽的形状，使得分解层分解出的气体较为集中的朝向某个方向冲击。在一些示例中，凹槽的至少一个槽壁呈以下至少一种形态：斜面形态：槽壁包括斜面斜面与衬底的表面形成大于90度的夹角；曲面形态：槽壁包括曲面，曲面的起始点和终止点的连线与衬底的表面形成大于90度的夹角。如图5所示，斜面与衬底1表面形成大于90度的夹角，而曲面的起始点和终止点的连线与衬底1表面形成大于90度的夹角，这里所指的夹角，为斜面或曲面连线与衬底1这一实体的表面形成的夹角，这样的倾斜方向能够使得气体的冲击朝向远离衬底1的方向(即图示的斜向上方向)。在预设条件下，有斜方向的分解层2分解产生气体，因此对于钝化层4会形成一定程度的斜方向上的冲击力，进一步增加了钝化层4的断裂率。
80.一些实施方式中，芯片的钝化层接触到分解层的位置处于所述凹槽的第一槽壁远
离衬底的方向上，该第一凹槽为凹槽中靠近芯片的中心一侧的槽壁，且第一槽壁呈斜面形态或曲面形态的任一种。也即凹槽靠近芯片中心一侧的槽壁为上述的斜面或曲面，且钝化层更靠近这一侧的槽壁，此种实施方式中，分解层分解出的气体可对钝化层形成向外(即向远离芯片的方向)的斜向冲击力，更有利于提升钝化层的断裂率，且对于芯片本身形成的冲击较小，不易损坏芯片。曲面包括但不限于弧面或其他曲面，凹槽的槽壁的倾斜角度以及与芯片之间的距离，可根据实际情况进行调整。
81.本实施例并不限制凹槽的槽内形状，凹槽的横截面的形状可为包括但不限于矩形、三角形、梯形、弧形或不规则图形等形状。例如在凹槽的槽壁包括非斜面时，其横截面的形状可包括矩形，当凹槽的槽壁包括斜面时，其横截面的形状可包括三角形、梯形、弧形中的至少一种。
82.在一些实施方式中，芯片在衬底上呈阵列排布，芯片包括以下任一种设置方式：
83.请参见图6，相邻的芯片3之间间隔有能够设置两颗芯片3的距离，相邻的芯片3沿列方向的边缘分别与处于不同列的分解层2接触，也即沿列方向的钝化层4与不同列的分解层2接触，沿行方向的边缘分别与处于不同行的分解层2接触，也即沿行方向的钝化层4与不同行的分解层2接触。芯片较为稀疏的设置，中间所留出的区域能够容纳下其他芯片，例如不同颜色的led芯片，在制作显示面板的过程中，可将本示例衬底上的led芯片整体转移至显示面板的电路板，从同一衬底转移的各个led芯片的间距不变，并依次将另外两种颜色的led芯片也转移到显示面板上，最终的显示面板上，每个led芯片之间设有另外两颗其他颜色的led芯片。
84.如图7所示，相邻的芯片3之间间隔小于芯片3的宽度，相邻的芯片3相靠近的两条边缘与同一分解层2接触。紧密设置的芯片，在例如制作显示面板的过程中，可通过选择性转移等技术，完成转移。
85.一种示例中，凹槽的横截面形状包括三角形，例如图5中左侧所示例的凹槽为直角三角形，直角三角形中一个直角边为凹槽的开口，另外两条边为凹槽的槽壁，凹槽内的分解层2分解出气体时，产生斜方向的冲击力，冲击芯片3的钝化层4。
86.另一种示例中，参见图8，凹槽的横截面形状可为等腰三角形，等腰三角形的两腰分别为凹槽的槽壁，两个相邻的芯片3的相对边，可同时设于同一凹槽的区域，凹槽中的分解层2分解出气体时，可同时对两个芯片3的钝化层4分别形成斜方向上的冲击。类似的，参见图9，凹槽的横截面形状为梯形，梯形的两腰分别为凹槽的槽壁，梯形的较短边为凹槽的槽底，两个相邻的芯片3的相对边，同时设于同一凹槽的区域，且芯片3的钝化层4位于与槽壁相对应的位置或靠近于槽壁相对应的位置，使钝化层4能够受到斜方向上的冲击。相比横截面为三角形的凹槽，梯形的凹槽可在保持相邻芯片一定间距的实施过程中占用更少的深度，且凹槽的槽壁倾斜角度可以设置在合适的范围内。可以理解的是，槽壁的倾斜程度在一定程度上能够影响对于钝化层的冲击力的方向，过大或过小的倾斜程度所带来的钝化层冲断成功率提升效果并不明显，示例性的，可选择槽壁的斜面与衬底的表面之间的夹角或曲面的起始点和终止点的连线与衬底的表面之间的夹角大于等于120度，小于等于150度，例如120度、130度、135度、140度、150度。
87.为了更好的对钝化层形成冲击，在一些实施方式中，凹槽的开口宽度可设置为大于钝化层的厚度，钝化层靠近衬底的一面能够完全与分解层接触。
88.本实施例的芯片组件，通过在衬底上开设的凹槽中设置了对应于芯片的边缘的分解层，使得在需要剥离芯片时，可利用该分解层在满足预设条件时分解产生的气体，对其接触或邻近的钝化层形成直接的冲击，增加了钝化层的断裂率，从而提升了芯片剥离的成功率。
89.本发明另一可选实施例：
90.本实施例提供一种芯片组件制作方法，应当说明的是，该芯片组件制作方法可制作包括但不限于上述实施例所示例的芯片组件，请参见图10，方法包括：
91.s101、提供一衬底；
92.s102、在衬底的一侧形成凹槽，凹槽对应于将要制作的芯片的边缘区域；
93.实际上，形成的凹槽与最终所要设置的芯片的尺寸和位置是相匹配的，芯片设置到衬底时，至少部分边缘区域处于该凹槽上。在一些示例中，芯片的所有边缘区域均处于凹槽上。
94.s103、在凹槽内设置分解层；
95.分解层通过包括但不限于各种沉积的方式设置到凹槽中。在一些实施方式中，芯片包括与衬底接触的缓冲层，且分解层与缓冲层的材料相同，则分解层可以与缓冲层同时形成。
96.s104、在衬底设有凹槽的一侧生长芯片；
97.芯片包括覆盖在其表面的钝化层，钝化层靠近衬底的一面与分解层接触。分解层在预设条件下，能够分解出气体冲击钝化层以使钝化层断裂。
98.芯片的钝化层通过包括但不限于沉积等成膜工艺设置到芯片的表面。
99.在一些实施方式中，芯片还包括与衬底接触的缓冲层，分解层与缓冲层的材料相同，在凹槽内设置分解层，包括：
100.在衬底包括凹槽的一侧设置缓冲材料，一部分缓冲材料填入凹槽形成分解层，一部分缓冲材料设于衬底的表面形成缓冲层。
101.下面以一具体的示例对本实施的芯片组件制作方法的制作过程进行进一步说明：
102.s201、提供一衬底，该衬底包括但不限于上述实施例所示例的材料。
103.s202、通过光刻工艺在衬底上制作出凹槽；
104.参见图11所示，衬底1的一侧以预设的图案形成凹槽，凹槽与芯片的尺寸和位置相匹配。实际应用中，还可以通过非光刻的其他刻蚀工艺制作凹槽，本实施例对此不作限制。
105.s203、形成分解层和芯片的缓冲层；
106.本实例中，缓冲层和分解层为相同材料，可同时制作，如图12所示，于衬底1设置凹槽的一侧整体沉积一层形成分解层与缓冲层的材料，沉积的材料的总厚度应当大于凹槽的深度，处于凹槽内的材料形成分解层，高出(以图示方向为参考)凹槽的材料在衬底表面形成缓冲层。
107.s204、继续形成芯片外延层；
108.如图13所示，在分解层与缓冲层的材料远离衬底1的方向上继续依次形成包括但不限于n型半导体层31、有源层32、p型半导体层33等外延层的结构。
109.s205、将芯片外延层制作为需要的结构；
110.示例性的，参见图14，芯片外延层被蚀刻出能够形成独立的芯片的外延层结构，这
些独立的外延层结构上刻蚀有台阶，且制作有n极电极34、p极电极35以及钝化层4，可以理解的是，n极电极34和p极电极35至少端面的区域不被钝化层4所覆盖，以能够实现电连接。
111.在一种示例中，如15所示，芯片外延层被蚀刻至衬底1后，分割出的能够形成独立的芯片的外延层结构之间的间隔能够设置两颗芯片，则最终制成的芯片之间的间隔能够设置两颗芯片。
112.应当说明的是，在蚀刻芯片外延层的过程中，蚀刻至分解层与衬底齐平的位置，且需对应于凹槽区域进行蚀刻，蚀刻后的外延层结构的边缘处于凹槽对应的位置或是靠近凹槽对应的位置，保证设置的钝化层能够与分解层接触。
113.制作形成上述芯片组件后，可通过包括但不限于使芯片与临时基板固定，将芯片与衬底剥离并通过临时基板将芯片转移至后续的基板的方式对芯片进行转移。
114.本实施例还提供一种芯片转移方法，该芯片转移方法可对上述芯片组件上的芯片进行转移，请参见图16，芯片转移方法包括：
115.s301、提供一芯片组件；
116.该芯片组件即包括上述实施例示例的芯片组件。
117.s302、使芯片与目标基板固定；
118.目标基板包括但不限于用于转移芯片的转移基板，或设有固晶区的电路板。例如图17，在一种示例中，转移基板5与上述的芯片组件设有芯片3的一面接触，转移基板5上靠近芯片组件的一侧设置有粘接剂，粘接剂包括但不限于pdms(polydimethylsiloxane，聚二甲基硅氧烷)类有机硅材料等键合胶。转移基板5与芯片3的电极接触，并使得芯片3与转移基板5固定。在另一示例中，目标基板为电路板，可直接将芯片固定到电路板上并完成固晶，可以理解的是，当芯片包括led芯片等发光芯片时，电路板可包括显示背板。
119.s303、使分解层分解出气体冲击钝化层以使钝化层断裂并使芯片与衬底接触的一面分解或断裂；
120.应当说明的是，若分解层和芯片接触衬底的一面的材料并不在同一条件下分解，则该步骤s303可包括分别在预设条件下使分解层分解出气体以将钝化层冲断，再使得芯片与衬底接触的一面分解或断裂，应当理解的是，分解或断裂均能够断开芯片与衬底之间的结合关系；芯片与衬底接触的一面以及钝化层都成功的断开与衬底的结合关系后，芯片才可以剥离，而芯片与衬底接触的一面以及钝化层分解或断裂的顺序可以是任意的。
121.在一些实施方式中，芯片与衬底接触的一面和钝化层可在同一条件下分解或断裂，例如芯片包括与衬底接触的缓冲层，且分解层和缓冲层包括gan，则使分解层分解出气体冲击钝化层以使钝化层断裂并使芯片与衬底接触的一面分解包括：采用目标激光对分解层和缓冲层进行照射，以使分解层和缓冲层分解出气体直至芯片能够与衬底分离。可见缓冲层和分解层为相同材质时，不仅可以同时制作，也可以同时分解。
122.作为一示例，请参见图18，芯片通过缓冲层36与衬底1接触，分解层2和缓冲层36的材料同为gan，在衬底1未设有芯片3的一侧采用激光进行扫描，激光透过衬底1(可见本示例的衬底1为能够使激光透过的透光衬底，例如al2o3衬底)作用于分解层2和缓冲层36，使得gan发生分解，产生n2。本示例中衬底上的凹槽的槽壁还设置为斜面，有斜方向的gan分解，对钝化层形成斜方向的冲击力(图18以图标a示意出分解层分解时对钝化层的大致冲击方向)，增加pv层的断裂机率，提升激光剥离良率。且本示例中，芯片的钝化层与更靠近芯片中
心的凹槽侧壁更为接近，钝化层受到的冲击方向向外，有利于提升钝化层的断裂率，且对于芯片本身形成的冲击较小，不易损坏芯片。
123.当芯片与能够与衬底分离时，实际上已经完成了将芯片转移到目标基板的步骤，可以将衬底移走得到如图19所示的结构，芯片3独立的分布在转移基板5上。
124.在一些实施方式中，目标基板为转移基板，则可以利用该转移基板对芯片继续进行转移，即芯片转移方法还可以包括：
125.s304、若目标基板为转移基板，则继续转移芯片至电路板；
126.若芯片利用转移基板最终转移到电路板，则转移芯片的过程还可以包括将芯片与电路板进行固晶。利用转移基板进行转移时，可以采用任意方式进行。示例性的，如图20，在利用转移基板转移芯片时，可先通过拾取装置6从转移基板5上将芯片3拾取，使得芯片3的电极朝向远离拾取装置6的一侧；如图21，由拾取装置6将芯片3放置到电路板7的固晶区71上。拾取装置包括但不限于另一块转移基板或能够拾取芯片的转移头。在一些示例中，目标基板也为电路板，则芯片可以直接进行固晶。
127.上述芯片转移方法，采用上述实施例的芯片组件提供芯片并剥离芯片，芯片从衬底上剥离的成功率高，从而使得芯片转移的成功率高。
128.本实施例还提供一种电子装置，包括芯片和电路板，芯片通过以下任一种方式转移至所述电路板：
129.通过上述示例的芯片转移方法转移到电路板的固晶区并完成固晶；
130.或，通过上述示例的芯片转移方法转移到转移基板，利用转移基板将芯片转移到电路板上并完成固晶。
131.该电子装置包括但不限于显示背板、显示面板或其他需要设置芯片的电子装置，当电子装置为显示背板、显示面板时，芯片包括各类led芯片。
132.该电子装置通过上述芯片转移方法将芯片转移到电路板，转移成功率高，提升电子装置的良率。
133.应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。