显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年7月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0096067号的优先权和权益，通过引用将该申请的公开内容整体合并于此。
技术领域
3.本公开涉及一种显示装置。


背景技术：

4.显示装置可以包括诸如感测器或相机的光学器件。光学器件可以被布置在显示装置的边框区域(围绕显示屏的区域)中，以避免干扰显示在显示屏上的图像。
5.通过减小显示装置的边框，可以增大显示装置的屏占比，显示装置的屏占比由显示屏占据的区域相对于显示装置的整个前表面区域的比限定。显示装置的屏占比可以被认为是反映显示装置的制造商的技术进步的重要因素，并且在消费者的产品感知和产品选择中也起着重要作用。
6.显示装置的边框的减小使得难以将光学器件布置在边框区域中，并且因此，已经开发并采用了用于将光学器件布置在显示屏中的技术。然而，当光学器件布置在显示屏中时，光学器件的可视性可能由于流入到光学器件周围的光而受到影响。
7.本背景技术部分中公开的上述信息仅仅用于加深对本公开的背景的理解，并且其可包含不形成对于本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

8.根据本公开的实施例，光学器件被布置在显示装置的显示屏中，并且显示装置的阻挡层可以防止可能流入到光学器件周围的光的影响。
9.显然，本公开的目的不限于上述目的，而是可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下进行各种扩展。
10.根据实施例的显示装置包括：包括显示区域和透射区域的基板；布置在基板的显示区域中并且包括第一阻挡层和第二阻挡层的阻挡层，第二阻挡层被布置在第一阻挡层上；布置在阻挡层上的绝缘层；布置在绝缘层上的晶体管；以及连接到晶体管的发光元件，其中第一阻挡层的第一反射率小于第二阻挡层的第二反射率，并且第一阻挡层的第一吸收系数可以小于第二阻挡层的第二吸收系数。
11.第一阻挡层可以包括金属氧化物、有机材料或非晶硅，并且第二阻挡层可以包括金属。
12.第一阻挡层可以包括钼氧化物，并且第二阻挡层可以包括钼。
13.除了钼氧化物之外，第一阻挡层还可以包括钽，并且第一阻挡层可以包括8wt％或更多的钽。
14.除了钼氧化物之外，第一阻挡层还可以包括钛，并且第一阻挡层可以包括大约
50wt％的钛。
15.显示装置可以进一步包括布置在基板与第一阻挡层之间的第一绝缘层，并且第一绝缘层可以包括硅。
16.第一绝缘层可以包括氧氮化硅、非晶硅、氮化硅和氧化硅中的至少一种。
17.绝缘层可以包括布置在第二阻挡层与晶体管之间的第二绝缘层，并且第二绝缘层可以包括氮化硅、氧化硅和氧氮化硅中的至少一种。
18.第二绝缘层包括第一层和布置在第一层上的第二层，并且第一层可以包括氮化硅，并且第二层包括氧化硅。
19.根据另一实施例的显示装置包括：包括第一像素区域的第一显示区域；包括彼此邻近布置的第二像素区域和透射区域的第二显示区域，其中没有像素被布置在透射区域中；与第二显示区域重叠的光学器件；以及布置在第二像素区域中并且包括第一阻挡层和第二阻挡层的阻挡层，第二阻挡层被布置在第一阻挡层上，其中第一阻挡层的第一反射率可以小于第二阻挡层的第二反射率，并且第一阻挡层的第一吸收系数可以小于第二阻挡层的第二吸收系数。
20.阻挡层可以具有与透射区域重叠的开口，并且开口可以具有十字形的平面形状。
21.开口的边缘可以具有凹陷部分和凸出部分。
22.阻挡层可以具有与透射区域重叠的开口，并且开口可以具有圆形的平面形状。
23.根据另一实施例的显示装置包括：包括显示区域和透射区域的基板；布置在基板的显示区域中并且包括第一阻挡层和第二阻挡层的阻挡层，第二阻挡层被布置在第一阻挡层上；布置在阻挡层上的绝缘层；布置在绝缘层上的晶体管；以及连接到晶体管的发光元件，其中第一阻挡层可以包括金属氧化物，并且第二阻挡层可以包括金属。
24.根据另一实施例的显示装置包括：包括显示区域和透射区域的基板；布置在基板的显示区域中并且包括第一阻挡层和第二阻挡层的阻挡层，第二阻挡层被布置在第一阻挡层上；布置在阻挡层上的绝缘层；布置在绝缘层上的晶体管；以及连接到晶体管的发光元件，其中第一阻挡层可以包括有机材料，并且第二阻挡层可以包括金属。
25.根据另一实施例的显示装置包括：包括显示区域和透射区域的基板；布置在基板的显示区域中并且包括第一阻挡层和第二阻挡层的阻挡层，第二阻挡层被布置在第一阻挡层上；布置在阻挡层上的绝缘层；布置在绝缘层上的晶体管；以及连接到晶体管的发光元件，其中第一阻挡层可以包括非晶硅，并且第二阻挡层可以包括金属。
26.根据实施例，可以通过将光学器件布置在显示区域中来扩大显示装置的显示区域，并且可以防止可能流入到光学器件周围的光的影响。
27.本公开不限于本文中公开的实施例，并且应理解，可以在不背离本公开的精神和范围的情况下进行各种扩展。
附图说明
28.图1是根据实施例的显示装置的示意性俯视平面图。
29.图2是根据实施例的显示装置的示意性截面图。
30.图3是根据实施例的显示装置的第一显示区域和第二显示区域的一部分的示意性布局图。
31.图4是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的示意性布局图。
32.图5是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的示意性布局图。
33.图6是根据实施例的显示装置的第一显示区域和第二显示区域的示意性布局图。
34.图7是根据实施例的、图6中的区域a的示意性放大图。
35.图8是根据另一实施例的、图6中的区域a的示意性放大图。
36.图9是根据又一实施例的、图6中的区域a的示意性放大图。
37.图10是根据另一实施例的显示装置的第一显示区域和第二显示区域的示意性布局图。
38.图11是根据实施例的、图10中的区域bb的示意性放大图。
39.图12是根据另一实施例的、图10中的区域bb的示意性放大图。
40.图13是根据又一实施例的、图10中的区域bb的示意性放大图。
41.图14是根据实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
42.图15是说明根据实施例的显示装置的光的路径的示意图。
43.图16是说明根据实施例的显示装置的制造工艺的一部分的示意图。
44.图17是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
45.图18是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
46.图19是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
47.图20是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
48.图21是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
49.图22是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
50.图23是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
51.图24是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
52.图25是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
53.图26是根据另一实施例的显示装置的第二显示区域的一部分的截面图。
54.图27是示出根据实验示例的结果的电子显微照片。
55.图28a、图28b和图28c是示出根据实验示例的结果的曲线图。
56.图29a和图29b是示出根据实验示例的结果的曲线图。
57.图30是示出根据实验示例的结果的曲线图。
58.图31是示出根据实验示例的结果的曲线图。
59.图32是示出根据实验示例的结果的电子显微照片。
60.图33是示出根据实验示例的结果的电子显微照片。
具体实施方式
61.下文中将参考其中示出了本公开的实施例的附图更充分地描述本公开。如本领域技术人员将认识到的，可以在不背离本公开的精神或范围的情况下以各种不同的方式来修改所描述的实施例。
62.附图和描述在本质上应被视为示例性的而非限制性的，并且在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。
63.在附图中，为了便于描述，任意地图示了元件的尺寸和厚度，并且本公开不一定局
限于附图中的图示。在图中，为了清楚起见和为了便于描述，层、膜、面板、区域等的厚度可能被夸大。
64.将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者在它们之间也可以存在一个或多个中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，它们之间可以不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“上”或“上方”可意味着被放置在对象部分上或下方，而不一定意味着基于重力方向被放置在对象部分的上面。
65.另外，除非具有明确的相反描述，否则词语“包括”和诸如“包含”的变体将被理解为意味着包括所述的元件，但不排除任何其他元件。
66.此外，在整个说明书中，短语“在平面图中”意味着从顶部观察目标部分，并且短语“在截面图中”意味着从侧面观察通过垂直切割目标部分而形成的截面。
67.此外，在本说明书中，表述“连接到”不仅意味着两个或更多个组成元件彼此直接连接，而且意味着两个或更多个组成元件通过另一元件彼此电连接，以及彼此间接连接和物理连接，或者它们可以根据它们的位置和/或功能被称为不同的名称，但可以一体地形成。
68.在附图中，用于指示方向的符号x指代第一方向，y指代与第一方向垂直的第二方向，并且z指代与第一方向和第二方向两者都垂直的第三方向。
69.参考附图，根据一个或多个实施例，包括发光元件的发射显示装置被描述为显示装置的示例。
70.图1是根据实施例的显示装置1的示意性俯视平面图，并且图2是根据实施例的显示装置1的示意性截面图。
71.参考图1和图2，显示装置1可以包括显示面板10、连接到显示面板10的柔性印刷电路膜20、包括集成电路芯片30的驱动器以及光学器件40。
72.显示面板10可以包括在其上显示图像的显示区域da以及被布置成围绕显示区域da并且不显示图像的非显示区域na。显示区域da可以与显示面板10的显示屏相对应。显示面板10显示图像并检测触摸输入。
73.多个像素px被布置在显示区域da中。这里，像素px是用于显示图像的最小单位，并且每个像素px可以根据输入图像信号显示特定颜色，例如具有各种亮度的红色、绿色和蓝色中的一种颜色。
74.在非显示区域na中，布置用于产生和/或发送施加到显示区域da的各种信号的电路和/或信号线。诸如栅线、数据线、驱动电压线等的信号线可以连接到每个像素px，并且像素px可以从这些信号线接收栅信号、数据电压和驱动电压。
75.显示区域da包括第一显示区域da1和第二显示区域da2。第二显示区域da2可以具有比第一显示区域da1高的透射率，并且其除了执行其自身的显示图像的功能之外，还可以执行其他功能。这里，透射率指在第三方向z上穿过显示面板10的光的透射率。光可以是可见光和/或具有在可见光的波长光谱之外的波长的光(例如，红外光)。第二显示区域da2可以具有比第一显示区域da1小的像素px的密度。这里，像素px的密度可以指每单位面积的像素px的数量。
76.在显示区域da中，第二显示区域da2可以被不同地布置。在所示的实施例中，第二
显示区域da2被布置在第一显示区域da1内并且被第一显示区域da1围绕。
77.第二显示区域da2可以被布置成与非显示区域na接触。第二显示区域da2可以被布置在显示区域da的上部的左侧、右侧和/或中央。第二显示区域da2可以被布置成被划分成两个或更多个区域。第二显示区域da2可以沿第一方向x跨显示区域da的顶部被布置。第二显示区域da2可以沿第二方向y跨显示区域da的左端和/或右端被布置。第二显示区域da2可以具有各种形状，诸如多边形(诸如四边形和三角形)、圆形和椭圆形。
78.产生和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号的驱动器可以被布置在显示面板10的非显示区域na中。驱动器可以包括将数据电压施加到数据线的数据驱动器、将栅信号施加到栅线的栅驱动器以及控制数据驱动器和栅驱动器的信号控制器(也被称为时序控制器)。
79.驱动器可以与显示面板10集成，并且可以被布置在显示区域da的左右两侧、或者一侧。集成电路芯片30(也被称为驱动ic芯片)可以包括数据驱动器和信号控制器，并且集成电路芯片30可以安装在柔性印刷电路膜20上以电连接到显示面板10。集成电路芯片30可以安装在显示面板10的非显示区域na上，或者部分地安装在显示面板10的显示区域da上，并且部分地安装在显示面板10的非显示区域na上。
80.能够检测触摸输入的触摸感测区域可以近似匹配显示区域da。多个触摸电极te(参见图6)被设置在触摸感测区域中。在一个实施例中，一个触摸电极te可以遍及多个像素px布置。触摸电极te可以检测用户的接触和/或非接触触摸输入。每个触摸电极te可以通过自电容器感测方法感测触摸输入，或者邻近的触摸电极te可以通过互电容器感测方法感测触摸输入。显示面板10可以被称为触摸屏面板。显示装置1可以包括产生用于驱动触摸电极te的信号并处理从触摸电极te接收的信号的触摸驱动器。触摸驱动器可以被提供在集成电路芯片30中或被提供为集成电路芯片30。
81.显示面板10可以包括基板sb，并且多个像素px可以形成在基板sb上。基板sb可以跨第一显示区域da1和第二显示区域da2连续地布置。
82.显示面板10可以包括可以完全覆盖像素px的封装层en。封装层en可以封装第一显示区域da1和第二显示区域da2，以防止水分或氧渗透到显示面板10中。
83.触摸电极te被设置在其中的触摸感测器层ts可以被布置在封装层en上。触摸电极te可以包括金属网格。触摸电极te可以由诸如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)的透明导电材料形成。触摸电极te可以被形成为单层或多层。
84.用于减少外部光的反射的抗反射层ar可以被布置在触摸感测器层ts上。抗反射层ar可以包括偏振层和/或相位延迟层。抗反射层ar可以包括遮光构件和滤色器。
85.光学器件40可以被布置成在显示面板10的背面上与显示面板10重叠。光学器件40可以包括相机、感测器或闪光灯等。在光学器件40包括感测器的情况下，光学器件40可以包括距离感测器或照度感测器。光学器件40使用的波长的光可以穿过可以具有比第一显示区域da1高的透射率的第二显示区域da2。除光学器件40之外，各种电子器件可以被布置在显示面板10的后面上。
86.光学器件40可以朝向布置在显示面板10前面的物体ob发射预定波长范围的光l和/或接收从物体ob反射的光l。预定波长范围的光l可以由光学器件40处理，并且可以包括可见光和/或红外光。预定波长范围的光l可以主要穿过与第二显示区域da2相对应的透射
区域。在光学器件40使用红外光的情况下，预定波长范围的光l可以在大约900nm至1000nm的波长范围内。光学器件40可以接收可以照射在显示面板10的前表面上的预定波长范围的光l。光学器件40可以被布置成与整个第二显示区域da2相对应，或者可以被布置成仅与第二显示区域da2的一部分相对应。多个光学器件40可以被布置在第二显示区域da2中。
87.图3是根据实施例的显示装置1的第一显示区域da1和第二显示区域da2的一部分的示意性布局图。
88.参考图3，第一显示区域da1包括多个第一像素区域pa1，并且第二显示区域da2包括多个第二像素区域pa2和多个透射区域ta以及布置在多个第二像素区域pa2与多个透射区域ta之间的多个布线区域wa。多个布线区域wa中的每个可以被放置成围绕多个透射区域ta。
89.一个第一像素区域pa1的尺寸和一个第二像素区域pa2的尺寸可以彼此相同或不同。
90.在第一显示区域da1中，第一像素区域pa1可以在第一方向x和第二方向y上被设置成矩阵。在第二显示区域da2中，第二像素区域pa2和透射区域ta可以被设置成矩阵。第二像素区域pa2和透射区域ta可以被设置成棋盘图案，并且第二像素区域pa2和透射区域ta可以均匀地混合。即，透射区域ta可以被设置成在第一方向x上和在第二方向y上与一个第二像素区域pa2邻近，并且第二像素区域pa2可以被设置成在第一方向x和第二方向y上与一个透射区域ta邻近。至少一个第二像素区域pa2和至少一个透射区域ta可以在第一方向x和/或第二方向y上被交替地设置。
91.根据图3中所示的实施例，八个第二像素区域pa2可以被布置在与一个透射区域ta相对应的区域中，并且在第二显示区域da2中，透射区域ta与第二像素区域pa2的面积比可以是大约8:1。此外，在第二显示区域da2中，第二像素区域pa2的面积之和与透射区域ta的面积之和的比可以是大约1:1。然而，应理解，在其他实施例中，布置在与一个透射区域ta相对应的区域中的第二像素区域pa2的数量可以进行各种改变，而不背离本公开的范围。
92.每个透射区域ta可以具有相同的尺寸或不同的尺寸。可以改变第二像素区域pa2和透射区域ta的设置和尺寸，而不背离本公开的范围。
93.每个像素区域pa1和pa2可以包括至少一个像素px。像素px可以包括像素电路和发光单元。像素电路是指用于驱动诸如发光二极管(led)的发光元件的电路，并且可以包括晶体管、电容器等。发光单元与从发光元件发射的光被射出的区域相对应。此外，在第二显示区域da2中，像素电路可以被布置在非显示区域na中，并且像素电路和布置在第二像素区域pa2中的像素px可以通过可以由透明材料制成的连接布线连接，以提高光学器件40的效率。
94.图4是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的示意性布局图。
95.根据图4中所示的实施例，八个第二像素区域pa2可以被布置在与一个透射区域ta相对应的区域中，并且在第二显示区域da2中，透射区域ta与第二像素区域pa2的面积比可以是大约8:1。此外，在第二显示区域da2中，第二像素区域pa2的面积之和与透射区域ta的面积之和的比可以是大约1:3。在第二显示区域da2中，多个透射区域ta可以沿第一方向x和第二方向y被布置，以围绕八个第二像素区域pa2的外围。
96.与先前在图3中所示的实施例相比，在第二显示区域da2中，透射区域ta的面积与
第二像素区域pa2相比相对较大。因此，可以提高布置在第二显示区域da2中的光学器件40的效率。
97.图5是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的示意性布局图。
98.根据图5中所示的实施例，八个第二像素区域pa2可以被布置在与一个透射区域ta相对应的区域中，并且在第二显示区域da2中，透射区域ta与第二像素区域pa2的面积比可以是大约8:1。此外，在第二显示区域da2中，第二像素区域pa2的面积之和与透射区域ta的面积之和的比可以是大约3:1。在第二显示区域da2中，分组在一起的八个第二像素区域pa2可以沿第一方向x和第二方向y被布置，以围绕一个透射区域ta的外围。
99.与上面图3中所示的实施例相比，第二像素区域pa2的面积相对大于透射区域ta的面积。因此，可以提高布置在第二显示区域da2中的多个像素px的效率，并且可以显示更精确的图像。
100.参考图3至图5描述的显示装置1的第二显示区域da2的第二像素区域pa2和透射区域ta的设置仅仅是示例，并且在其他实施例中，可以改变像素区域和透射区域的面积和设置。
101.一个第二像素区域pa2的尺寸和一个透射区域ta的尺寸可以基本相同或可以彼此不同。透射区域ta中的每个可以具有基本相同的尺寸或不同的尺寸。第二像素区域pa2和透射区域ta的设置和尺寸可以改变。第二显示区域da2中的透射区域ta的面积之和与第二像素区域pa2的面积之和的比可以是大约1:2n-1(其中n为自然数)，例如但不限于1:3或大约1:7和1:15。第二显示区域da2的像素密度和透射率可以根据透射区域ta的面积之和与第二像素区域pa2的面积之和的比而变化。像素密度和透射率可以处于折衷关系。
102.图6是根据实施例的显示装置1的第一显示区域da1和第二显示区域da2的示意性布局图，并且图7是根据实施例的、图6中的区域a的示意性放大图。
103.第一像素区域pa1和第二像素区域pa2可以分别包括至少一个像素px。图6中所示的像素px可以与发光单元相对应。发光单元可以是菱形类型、矩形或圆形。像素px可以基本在第三方向z上发射光。触摸电极部分tes可以被布置在第一像素区域pa1和第二像素区域pa2中。触摸电极部分tes可以由其中金属布线像网一样缠绕的金属网格形成，并且金属网格可以在不覆盖发光单元的情况下被布置。多个触摸电极部分tes可以彼此连接以形成一个触摸电极te。
104.透射区域ta可以不包括像素电路和发光单元。在透射区域ta中，可能干扰光的透射的像素电路、发光单元和触摸电极te可以根本不被放置，或者可以几乎不被放置，以提供高于第一像素区域pa1和第二像素区域pa2的透光率的透光率。
105.布线区域wa可以被布置在第二像素区域pa2周围，并且诸如栅线gl和数据线dl的多条信号线可以被布置在第一像素区域pa1和第二像素区域pa2中以及布线区域wa中。
106.根据图6中所示的实施例，第一像素区域pa1和第二像素区域pa2中的每个可以包括一个红色像素r、两个绿色像素g和一个蓝色像素b。可替代地，第一像素区域pa1和第二像素区域pa2的像素设置可以彼此不同。包含在每个像素区域pa1和pa2中的一组红色像素r、绿色像素g和蓝色像素b被称为单位像素。在另一实施例中，单位像素可以包括一个红色像素r、一个绿色像素g和一个蓝色像素b。单位像素可以包括红色像素r、绿色像素g和蓝色像
素b当中的至少一个，并且还可以包括白色像素。
107.包含在第一显示区域da1和第二显示区域da2中的像素r、g和b可以在第一方向x上形成像素行。
108.在第一显示区域da1和第二显示区域da2中的每个像素行中，像素r、g和b可以在第一方向x上被设置。例如，像素r、g和b可以在第一方向x上以红色像素r、绿色像素g、蓝色像素b和绿色像素g的次序被重复地设置。包含在一个像素行中的像素r、g和b的设置可以进行各种改变。例如，像素r、g和b在第一方向x上以蓝色像素b、绿色像素g、红色像素r和绿色像素g的次序或者以红色像素r、蓝色像素b、绿色像素g和蓝色像素b的次序被重复地设置。
109.第一像素区域pa1和第二像素区域pa2的像素r、g和b也可以在第二方向y上形成像素列。在每个像素列中，像素r、g和b可以在第二方向y上被设置。在每个像素列中，相同颜色的像素px可以被布置，或者两种或更多种颜色的像素px可以在第二方向y上被交替地布置。包含在一个像素列中的像素r、g和b的设置可以进行各种改变。
110.第二像素区域pa2中的像素r、g和b可以是截面发射型像素，例如，在第三方向z上发射光的顶发射型像素。在其他实施例中，第二像素区域pa2的像素r、g和b可以是底发射型或双面发射型。
111.参考图7，在第二显示区域da2中，第二像素区域pa2和透射区域ta可以被布置成彼此邻近，并且第二像素区域pa2包括红色像素r、绿色像素g和蓝色像素b。将栅信号传输到像素r、g和b的栅线gl可以在第一方向x上延伸，并且传输数据信号的数据线dl可以在第二方向y上延伸。一条数据线dl可以被布置在每个像素列中。每条数据线dl可以遍及第一显示区域da1和第二显示区域da2延伸。不同时序的栅导通电压可以被传输到每个像素行，并且两条或更多条栅线gl可以被布置在每个像素行中。与图7中所示的实施例不同，多条数据线dl可以被提供到每个像素列，或一条数据线dl可以被提供到多个像素列。
112.栅线gl和数据线dl可以被布置在布线区域wa中，以防止透射区域ta的透射率的劣化，布线区域wa被布置在邻近的透射区域ta的边界处。
113.阻挡层bl可以被布置在第二像素区域pa2中，并且阻挡层bl可以具有布置在透射区域ta中的开口opn。阻挡层bl也可以被布置在被布置成围绕透射区域ta的外围的布线区域wa中，以防止穿过透射区域ta的光在透射区域ta周围衍射，从而防止光学器件40由环境光而引起的性能劣化。
114.根据图7的实施例，阻挡层bl的开口opn可以具有近似十字形的平面形状，并且十字形开口opn的上突出部分、下突出部分、左突出部分和右突出部分的尺寸可以基本相同。
115.阻挡层bl可以包括金属，并且可以防止来自外部的光流入第二像素区域pa2，并防止穿过透射区域ta的光在透射区域ta周围衍射。
116.阻挡层bl的具有近似十字形状的开口opn可以减少可能在阻挡层bl的开口opn周围发生的光的衍射。
117.阻挡层bl可以被布置成与其中布置有将信号传输到第二像素区域pa2的信号线的布线区域wa重叠，以防止光流到布置在布线区域wa中的信号线，并且防止光从信号线的表面被反射并在透射区域ta的一侧被识别出。
118.图8是根据另一实施例的、图6中的区域a的示意性放大图。根据图8的实施例，阻挡层bl的开口opn具有近似十字形状的平面形状，并且开口opn的上突出部分、下突出部分、左
突出部分和右突出部分的尺寸可以基本相同。另外，阻挡层bl的开口opn的边缘可以不是直线，而可以具有其中凹陷部分和凸出部分重复的浮雕形状。
119.阻挡层bl的由近似十字形状形成并且具有由浮雕形状形成的边缘的开口opn可以减少可能在阻挡层bl的开口opn周围发生的光的衍射。
120.图9是根据又一实施例的、图6中的区域a的示意性放大图。根据图9的实施例，阻挡层bl的开口opn具有近似圆形平面形状。
121.阻挡层bl的由近似圆形平面形状形成的开口opn可以减少可能在阻挡层bl的开口opn周围发生的光的衍射。
122.图10是根据另一实施例的显示装置1的第一显示区域da1和第二显示区域da2的示意性布局图，并且图11是根据实施例的、图10中的区域bb的示意性放大图。
123.与上面在图6和图7中所示的显示装置1类似，第一像素区域pa1和第二像素区域pa2中的每个可以包括至少一个像素px。
124.参考图10和图11，第一像素区域pa1和第二像素区域pa2可以包括一个蓝色像素b、一个红色像素r和一个绿色像素g，但它们可以具有不同的单位像素配置，而不背离本公开的范围。像素px可以具有矩形平面形状。
125.蓝色像素b的平面尺寸可以大于红色像素r的平面尺寸和绿色像素g的平面尺寸。例如，蓝色像素b的平面尺寸可以是红色像素r的平面尺寸和绿色像素g的平面尺寸的大约两倍。
126.包含在第一显示区域da1和第二显示区域da2中的像素r、g和b可以分别在第一方向x上形成像素行。
127.在第一显示区域da1和第二显示区域da2中的每个像素行中，像素r、g和b可以约在第一方向x上被设置成一排。在每个像素行中，一个蓝色像素b以及在第二方向y上邻近的红色像素r和绿色像素g可以在第一方向x上重复地被设置。包含在一个像素行中的像素r、g和b的设置可以进行各种改变。
128.第一像素区域pa1和第二像素区域pa2的像素r、g和b也可以在第二方向y上形成像素列。在每个像素列中，像素r、g和b可以在第二方向y上被设置。在每个像素列中，相同颜色的像素px可以被布置，或者两种或更多种颜色的像素px可以在第二方向y上被交替地布置。包含在一个像素列中的像素r、g和b的设置可以进行各种改变。
129.第二像素区域pa2中的像素r、g和b可以是截面发射型像素，例如，在第三方向z上发射光的顶发射型像素。在其他实施例中，第二像素区域pa2的像素r、g和b可以是底发射型或双面发射型。
130.根据图11的实施例，阻挡层bl的开口opn可以具有近似十字形的平面形状，并且十字形状的开口opn的上突出部分、下突出部分、左突出部分和右突出部分的尺寸可以基本相同。
131.阻挡层bl的具有近似十字形状的开口opn可以减少可能在阻挡层bl的开口opn周围发生的光的衍射的影响。
132.图12是根据另一实施例的、图10的区域bb的示意性放大图。根据图12的实施例，阻挡层bl的开口opn具有近似十字形状的平面形状，并且开口opn的上突出部分、下突出部分、左突出部分和右突出部分的尺寸可以基本相同。另外，阻挡层bl的开口opn的边缘可以不是
直线，而可以具有其中凹陷部分和凸出部分重复的浮雕形状。
133.阻挡层bl的由近似十字形状形成并且具有由浮雕形状形成的边缘的开口opn可以减少可能在阻挡层bl的开口opn周围发生的光的衍射。
134.图13是根据又一实施例的、图10中的区域bb的示意性放大图。根据图13的实施例，阻挡层bl的开口opn可以具有近似圆形平面形状。
135.阻挡层bl的由近似圆形平面形状形成的开口opn可以减少可能在阻挡层bl的开口opn周围发生的光的衍射。
136.图14是根据实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。根据图14中所示的实施例，显示装置1包括第一晶体管tr1、第二晶体管tr2和发光二极管led，并且进一步包括可以显示图像的第二像素区域pa2和透射区域ta以及布置在第二像素区域pa2周围的布线区域wa。为了便于理解和易于描述，主要描述了第一晶体管tr1、第二晶体管tr2以及连接到第二晶体管tr2的发光二极管led，然而应理解，本公开并不限于此，并且可以进一步包括附加晶体管。第一晶体管tr1可以被称为开关晶体管，并且第二晶体管tr2可以被称为驱动晶体管。
137.基板sb可以包括诸如聚酰亚胺或聚酰胺的聚合物或诸如玻璃的绝缘材料，并且可以是光学透明的。在图14中所示的实施例中，基板sb可以包括彼此重叠的第一透明层110a和第二透明层110b以及布置在第一透明层110a与第二透明层110b之间的第一屏障层1100。
138.第一透明层110a和第二透明层110b可以包括诸如聚酰亚胺和聚酰胺的聚合物，例如，聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和丙酸乙酸纤维素当中的至少一种。
139.第一屏障层1100可以防止水分等的渗透，并且可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氧氮化硅(sio
x
ny)的无机绝缘材料。第一屏障层1100可以包括非晶硅(si)。
140.第二屏障层1101可以被布置在基板sb上。第二屏障层1101可以在防止诸如杂质或水分的不必要成分的渗透的同时，使表面平坦。第二屏障层1101可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅中的至少一种。
141.阻挡层bl可以被布置在第二屏障层1101上。阻挡层bl可以防止光从基板sb的下部流入并被识别出。具体地，阻挡层bl被布置在除透射区域ta之外的第二像素区域pa2和布线区域wa中，以防止透射区域ta周围的光泄漏，从而防止可布置在透射区域ta下方的电子器件由于外部光而引起的性能劣化。
142.阻挡层bl可以包括第一阻挡层bl1以及布置在第一阻挡层bl1上的第二阻挡层bl2。
143.第二阻挡层bl2的吸收系数k可以大于第一阻挡层bl1的吸收系数k。第二阻挡层bl2的反射率n可以大于第一阻挡层bl1的反射率n。可以基于可见光区域(例如，在大约380nm至大约780nm的波长范围内的光)来测量第一阻挡层bl1和第二阻挡层bl2的吸收系数k和反射率n。
144.阻挡层bl的第一阻挡层bl1可以包括具有低光反射率的材料。因此，可以防止光从阻挡层bl被反射并入射在光学器件40上，从而防止光学器件40的识别。
145.阻挡层bl的第一阻挡层bl1可以包括金属氧化物、有机材料或非晶硅。在第一阻挡
层bl1包括有机材料的情况下，相同的有机材料可以用作像素限定层(例如，图14中所示的像素限定层350)，并且可以包括具有黑色的材料。
146.包含在第一阻挡层bl1中的金属氧化物可以是钼氧化物。第一阻挡层bl1可以在钼氧化物中包括金属杂质。例如，第一阻挡层bl1可以在钼氧化物中包括钽或钛。
147.第一阻挡层bl1可以包括诸如钼钽氧化物(motao
x
)或钼钛氧化物(motio
x
)的钼氧化物。包含在钼氧化物中的钽或钛可以提高第一阻挡层bl1的耐热特性，从而即使在高温工艺之后也保持第一阻挡层bl1的光学特性。
148.例如，第一阻挡层bl1可以包括具有大约8wt％或更多的钽含量的钼钽氧化物(motao
x
)。在此情况下，即使在大约450℃的高温工艺之后，也可以保持第一阻挡层bl1的光学特性。
149.在另一示例中，第一阻挡层bl1可以包括具有大约50wt％(例如，45-55wt％)的钛含量的钼钛氧化物(motio
x
)。在此情况下，即使在大约450℃的高温工艺之后，也可以保持第一阻挡层bl1的光学特性。
150.第一阻挡层bl1的厚度可以是或更小，具体地，或更大且或更小。
151.阻挡层bl的第二阻挡层bl2可以包括金属。例如，第二阻挡层bl2可以包括钼(mo)、铝(al)、钛(ti)或铜(cu)等。
152.由于阻挡层bl包括具有相对小的吸收系数k的第一阻挡层bl1和具有相对大的吸收系数k的第二阻挡层bl2，因此可以防止从显示装置1的下部流入的光从阻挡层bl被反射并流到可布置在基板sb下方的光学器件40的一侧。
153.缓冲层111可以被布置在第二屏障层1101和阻挡层bl上。缓冲层111可以具有单层或多层结构。缓冲层111可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)或氧氮化硅(sio
x
ny)。
154.第二半导体层130可以被布置在缓冲层111上。第二半导体层130可以包括多晶硅材料，例如，多晶半导体。第二半导体层130可以包括沟道区132以及位于沟道区132的各侧的源区131和漏区133。
155.第二半导体层130的源区131可以连接到第二源电极se2，并且第二半导体层130的漏区133可以连接到第二漏电极de2。
156.第一栅绝缘层141可以被布置在第二半导体层130上。第一栅绝缘层141可以具有包括氮化硅、氧化硅或氧氮化硅等的单层或多层结构。
157.第二栅下电极ge2-l可以被布置在第一栅绝缘层141上。第二栅下电极ge2-l可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可以具有包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的单层或多层结构。
158.第二栅绝缘层142可以被布置在第二栅下电极ge2-l上。第二栅绝缘层142可以包括氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等。第二栅绝缘层142可以具有包括氮化硅、氧化硅和/或氧氮化硅的单层或多层结构。
159.第二栅上电极ge2-u和栅线gl可以被布置在第二栅绝缘层142上。第二栅下电极ge2-l和第二栅上电极ge2-u可以彼此重叠，其中第二栅绝缘层142置于其间。第二栅上电极ge2-u和第二栅下电极ge2-l可以形成第二栅电极ge2。第二栅电极ge2可以在与基板sb垂直的方向(即，第三方向z)上与第二半导体层130的沟道区132重叠。第二栅上电极ge2-u和栅
线gl可以包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等，并且可以是包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)、钛(ti)等的单层或多层结构。
160.与第二栅上电极ge2-u和栅线gl位于同一层上的金属阻挡层bml可以被布置在第二栅绝缘层142上。金属阻挡层bml可以与第一晶体管tr1重叠。
161.第二半导体层130、第二栅电极ge2、第二源电极se2和第二漏电极de2可以形成第二晶体管tr2。第二晶体管tr2可以是连接到发光二极管led的驱动晶体管，并且可以包括多晶半导体。
162.第一层间绝缘层161可以被布置在第二栅电极ge2上。第一层间绝缘层161可以包括氮化硅、氧化硅或氧氮化硅等。第一层间绝缘层161可以具有其中包括氮化硅的层和包括氧化硅的层堆叠的多层结构。在此情况下，包含氮化硅的层可以被放置得比包含氧化硅的层更靠近基板sb。
163.第一半导体层135可以被布置在第一层间绝缘层161上。第一半导体层135可以与金属阻挡层bml重叠。
164.第一半导体层135可以包括氧化物半导体，氧化物半导体包括例如以下当中的至少一种：诸如铟(in)氧化物、锡(sn)氧化物或锌(zn)氧化物的一元金属氧化物；诸如in-zn类氧化物、sn-zn类氧化物、al-zn类氧化物、zn-mg类氧化物、sn-mg类氧化物、in-mg类氧化物或in-ga类氧化物的二元金属氧化物；诸如in-ga-zn类氧化物、in-al-zn类氧化物、in-sn-zn类氧化物、sn-ga-zn类氧化物、al-ga-zn类氧化物、sn-al-zn类氧化物、in-hf-zn类氧化物、in-la-zn类氧化物、in-ce-zn类氧化物、in-pr-zn类氧化物、in-nd-zn类氧化物、in-sm-zn类氧化物、in-eu-zn类氧化物、in-gd-zn类氧化物、in-tb-zn类氧化物、in-dy-zn类氧化物、in-ho-zn类氧化物、in-er-zn类氧化物、in-tm-zn类氧化物、in-yb-zn类氧化物或in-lu-zn类氧化物的三元金属氧化物；以及诸如in-sn-ga-zn类氧化物、in-hf-ga-zn类氧化物、in-al-ga-zn类氧化物、in-sn-al-zn类氧化物、in-sn-hf-zn类氧化物或in-hf-al-zn类氧化物的四元金属氧化物。例如，第一半导体层135可以包括作为in-ga-zn类氧化物的铟镓锌氧化物(igzo)。
165.第一半导体层135可以包括沟道区137以及布置在沟道区137的各侧的源区136和漏区138。第一半导体层135的源区136可以连接到第一源电极se1，并且第一半导体层135的漏区138可以连接到第一漏电极de1。
166.第三栅绝缘层143可以被布置在第一半导体层135上。第三栅绝缘层143可以包括氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等。在图14的实施例中，第三栅绝缘层143可以被布置在第一半导体层135和第一层间绝缘层161上。因此，第三栅绝缘层143可以覆盖第一半导体层135的源区136、沟道区137和漏区138的上表面和侧表面。
167.在实现高分辨率显示装置的工艺中，像素的尺寸可以减小，并且因此半导体沟道的长度可以减小。如果第三栅绝缘层143不覆盖源区136和漏区138的上表面，则第一半导体层135的一些材料可以移动到第三栅绝缘层143的侧面。在本实施例中，被布置成覆盖第一半导体层135和第一层间绝缘层161的整个表面的第三栅绝缘层143可以防止由于金属颗粒的扩散而可能发生的第一半导体层135与第一栅电极ge1之间的短路。
168.然而，本公开并不限于此，并且第三栅绝缘层143可以不覆盖第一半导体层135和第一层间绝缘层161的整个表面。例如，第三栅绝缘层143可以仅被布置在第一栅电极ge1与
第一半导体层135之间。即，第三栅绝缘层143可以与第一半导体层135的沟道区137重叠，但可以与源区136和漏区138不重叠。
169.第一栅电极ge1可以被布置在第三栅绝缘层143上。第一栅电极ge1可以在与基板sb垂直的方向(即，第三方向z)上与第一半导体层135的沟道区137重叠。第一栅电极ge1可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)，并且可以具有包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的单层或多层结构。例如，第一栅电极ge1可以包括包含钛的下层和包含钼的上层，并且包含钛的下层可以防止在干刻上层时用作刻蚀气体的氟(f)的扩散。
170.第一半导体层135、第一栅电极ge1、第一源电极se1和第一漏电极de1可以形成第一晶体管tr1。第一晶体管tr1可以是用于开关第二晶体管tr2的开关晶体管，并且可以包括氧化物半导体。
171.第二层间绝缘层162可以被布置在第一栅电极ge1上。第二层间绝缘层162可以包括氮化硅、氧化硅或氧氮化硅。第二层间绝缘层162可以具有其中包括氮化硅的层和包括氧化硅的层堆叠的多层。
172.第一源电极se1和第一漏电极de1以及第二源电极se2和第二漏电极de2可以被布置在第二层间绝缘层162上。第一源电极se1、第一漏电极de1、第二源电极se2和第二漏电极de2中的每个可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)等，并且可以具有包括它们的单层或多层结构。例如，第一源电极se1、第一漏电极de1、第二源电极se2和第二漏电极de2中的每个可以具有三层结构，该三层结构包括：包含诸如钼、铬、钽和钛的难熔金属或它们的合金的下层；包含诸如铝类金属、银类金属和铜类金属的具有低电阻率的金属的中间层；以及包含诸如钼、铬、钽和钛的难熔金属的上层。
173.第二层间绝缘层162和第三栅绝缘层143可以具有第一开口op1和第二开口op2，并且第二层间绝缘层162、第三栅绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅绝缘层142和第一栅绝缘层141可以具有第三开口op3和第四开口op4。第一开口op1可以与第一源电极se1重叠，第二开口op2可以与第一漏电极de1重叠，第三开口op3可以与第二源电极se2重叠，并且第四开口op4可以与第二漏电极de2重叠。
174.第一源电极se1可以通过第一开口op1连接到第一半导体层135的源区136。第一漏电极de1可以通过第二开口op2连接到第一半导体层135的漏区138。第二源电极se2可以通过第三开口op3连接到第二半导体层130的源区131。第二漏电极de2可以通过第四开口op4连接到第二半导体层130的漏区133。
175.第一平坦化层170可以被布置在第一源电极se1、第一漏电极de1、第二源电极se2和第二漏电极de2上。第一平坦化层170可以包括有机层。例如，第一平坦化层170可以包括诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺或硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
176.连接电极ce和数据线dl可以被布置在第一平坦化层170上。连接电极ce和数据线dl可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)等，并且可以具有包括它们的单层或多层结构。
177.第一平坦化层170具有第一接触孔165，并且连接电极ce通过第一接触孔165连接到第二漏电极de2。
178.第二平坦化层180可以被布置在第一平坦化层170、连接电极ce和数据线dl上。第二平坦化层180可以移除台阶并使表面平坦化，以提高要形成在其上的发光元件的发光效率。第二平坦化层180可以包括诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺或硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
179.第二平坦化层180具有第二接触孔185。第二平坦化层180的第二接触孔185可以与第二漏电极de2重叠。
180.阳极191可以被布置在第二平坦化层180上。阳极191可以通过第二平坦化层180的第二接触孔185连接到第二漏电极de2。
181.阳极191可以针对每个像素px被提供。阳极191可以包括诸如银(ag)、锂(li)、钙(ca)、铝(al)、镁(mg)和金(au)的金属，并且还可以包括诸如铟锡氧化物(ito)和铟锌氧化物(izo)的透明导电氧化物(tco)。
182.像素限定层350可以被布置在阳极191上。像素限定层350可以包括诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺或硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
183.与阳极191重叠的开口可以形成在像素限定层350中。发光元件层370可以被布置在像素限定层350的开口中。
184.发光元件层370可以包括唯一地发射诸如红色、绿色或蓝色的原色的光的材料层。发光元件层370(也被称为发射层)可以具有其中发射不同颜色的光的多个材料层堆叠的结构。
185.阴极270可以被布置在发光元件层370和像素限定层350上。阴极270可以被公共地提供到所有像素px，并且可以接收公共电压。阴极270可以包括包含钡(ba)、镁(mg)、铝(al)、银(ag)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)和钙(ca)的反射金属或诸如铟锡氧化物(ito)和铟锌氧化物(izo)的透明导电氧化物(tco)。可以在透射区域ta中移除阴极270，以提高透射区域ta的透射率。
186.阳极191、发光元件层370和阴极270可以形成发光二极管led。
187.第一晶体管tr1或开关晶体管可以包括氧化物半导体，并且第二晶体管tr2或驱动晶体管可以包括多晶半导体。对于高速驱动，可以通过将驱动频率从大约60hz增大到大约120hz来更自然地表示运动图片或视频的运动，但可能增大驱动电压。可以降低驱动静态图像的频率，以补偿增大的驱动电压。例如，当驱动静态图像时，显示装置1可以以大约1hz被驱动。当以这种方式降低驱动频率时，可能发生漏电流。在根据实施例的显示装置1中，第一晶体管tr1包括氧化物半导体，使得漏电流可以减小或被最小化。另外，由于第二晶体管tr2包括多晶半导体，因此可以实现高电子迁移率。换句话说，通过使开关晶体管和驱动晶体管包括不同的半导体材料，可以在提供高可靠性的同时更稳定地驱动显示装置1。
188.布置在第二像素区域pa2中的阻挡层bl也可以被布置在布线区域wa中。栅线gl和数据线dl可以被布置在布线区域wa中。阴极270可以延伸到布线区域wa，并且阴极270的边缘可以与阻挡层bl的边缘垂直地重叠。
189.在透射区域ta中，布置在第二像素区域pa2中的第一层间绝缘层161、第三栅绝缘层143和第二层间绝缘层162可以被移除。布置在第二像素区域pa2中的第一平坦化层170、第二平坦化层180和像素限定层350也可以在透射区域ta中被移除。
190.布置在第二像素区域pa2中的阻挡层bl的边缘部分可以形成透射区域ta的开口opn。与根据上述实施例的阻挡层bl和透射区域ta的开口opn的形状有关的特征可适用于本公开的其他实施例。
191.这样，透射区域ta具有开口opn，从开口opn移除布置在第二像素区域pa2中的阻挡层bl，并且光可以透过基板sb传输到可布置在基板sb的后表面上的光学器件(例如，图2的光学器件40)或从光学器件传输。光学器件可以是感测器、相机或闪光灯。
192.覆盖基板sb的表面的封装层600可以被布置在包括显示区域da的发光二极管led和像素限定层350以及透射区域ta的整个区域上。封装层600可以与图2的封装层en相对应。
193.可以通过交替堆叠至少一个无机层和至少一个有机层来形成封装层600，并且无机层或有机层可以被堆叠多个。在图14中所示的实施例中，封装层600包括第一无机封装层610、有机封装层620和第二无机封装层630。有机封装层620可以被布置在第一无机封装层610与第二无机封装层630之间。
194.第一无机封装层610和第二无机封装层630可以包括氮化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝等，并且有机封装层620可以包括丙烯酸类有机层。然而，包含在封装层600中的材料并不限于此，并且可以包括其他材料。
195.封装层600可以密封并保护显示装置1。包括诸如氮化硅和氧化硅的无机绝缘材料的第一保护层710可以被布置在封装层600上。
196.触摸电极te可以被布置在第一保护层710上。触摸电极te可以包括诸如铝(al)、铜(cu)、钛(ti)、钼(mo)、银(ag)、铬(cr)、镍(ni)等的金属。触摸电极te可以具有网格的形式，该网格具有与发光单元重叠的开口。触摸电极te可以包括诸如银纳米线、碳纳米管等的导电纳米材料。触摸电极te可以包括诸如ito或izo的透明导电材料。
197.触摸电极te可以通过布线电连接到触摸驱动器，该布线可以被布置在与包括触摸电极te的层相同的层上或者布置在与包括触摸电极te的层不同的层上。在第一方向x或第二方向y上邻近的触摸电极te可以通过桥电连接，桥布置在与包括触摸电极te的层相同的层上或布置在与包括触摸电极te的层不同的层上。第二保护层720可以被布置在触摸电极te上，以保护触摸电极te。
198.同时，第一显示区域da1的第一像素区域pa1的截面结构可以与第二像素区域pa2的截面结构相对应。
199.图15是说明根据实施例的显示装置1的光的路径的示意图。参考图15的(a)，布置在基板sb上的阻挡层bl阻挡从基板sb下方(即，从基板sb的后侧)入射的光，使得布置在透射区域ta中、基板sb的后表面上的光学器件40可被用户识别出。从基板sb的后侧入射的光a的一部分a1可以被吸收到阻挡层bl，光a的另一部分a2可以从阻挡层bl的表面被反射并入射到光学器件40的一侧上。结果，入射在光学器件40的表面上的光可能引起干涉并透过基板sb被用户识别出，从而使光学器件40的质量劣化。
200.参考图15的(b)，根据实施例的显示装置1包括双层结构的阻挡层bl，该双层结构包括具有小的吸收系数k的第一阻挡层bl1和具有大的吸收系数k的第二阻挡层bl2。在此情
况下，可以防止从外部入射的光从阻挡层bl表面反射并入射到光学器件40上而引起干涉。
201.具体地，入射光a的第一光q可以从第一阻挡层bl1的表面被反射，光a的第二光c可以经由第一阻挡层bl1被吸收到第二阻挡层bl2，并且与第二光c的一部分相对应的第三光p可以从第一阻挡层bl1与第二阻挡层bl2之间的表面被反射。
202.第一阻挡层bl1可以包括具有低光反射率的材料，并且从而从第一阻挡层bl1的表面反射的第一光q的量可以很小。另外，从第二阻挡层bl2的表面反射的第三光p可以与从第一阻挡层bl1的表面反射的第一光q产生相消干涉，从而减小影响。
203.以这种方式，由具有小的吸收系数k的第一阻挡层bl1和具有大的吸收系数k的第二阻挡层bl2的双层结构形成的阻挡层bl可以防止从阻挡层bl表面反射的光进入光学器件40并被用户识别出。
204.另外，阻挡层bl的包括具有大的吸收系数k的金属的第二阻挡层bl2可以吸收从基板sb的后表面入射的光，使得可以防止光在透射区域ta周围被识别出，从而防止由于由布置在基板sb的后表面处的光学器件40接收或从光学器件40发射的外部光而反之可能发生的质量劣化。
205.图16是说明根据实施例的显示装置1的制造工艺的一部分的示意图。参考图16，阻挡层bl形成在基板sb上，并且多个绝缘层和诸如薄膜晶体管(例如，第一晶体管tr1和第二晶体管tr2)、阳极191、有机发射层(例如，发光元件层370)等的元件层ll形成在基板sb上，并且阴极270形成在基板sb的整个表面上。使用阻挡层bl作为掩模将激光照射在基板sb的后表面上，以移除阴极270的一部分，并且在透射区域ta中移除阴极270，并且然后可以防止透射区域ta的透射率劣化。包括包含钽或钛的钼氧化物的第一阻挡层bl1的阻挡层bl可以具有高耐热性，因此当阴极270的该部分被激光移除时，阻挡层bl的光学特性可以被保持。
206.图17是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。参考图17，显示装置1与根据参考图14描述的实施例的显示装置1类似。相同构成元件的详细描述被省略。
207.在根据本实施例的显示装置1中，与根据图14中所示的实施例的显示装置1不同，阻挡层bl可以被布置在基板sb下方，即，被布置在基板sb的后表面处。
208.阻挡层bl的第二阻挡层bl2可以被直接布置在基板sb下方，并且第一阻挡层bl1可以被布置在第二阻挡层bl2下方。
209.阻挡层bl的第一阻挡层bl1可以包括具有低的光反射率的材料，以防止光从阻挡层bl反射并入射在光学器件40上从而被不必要地识别出。第二阻挡层bl2的吸收系数k可以大于第一阻挡层bl1的吸收系数k。
210.阻挡层bl的第二阻挡层bl2可以包括金属，例如，钼(mo)、铝(al)、钛(ti)、铜(cu)等。
211.包括具有小的吸收系数k的第一阻挡层bl1和具有大的吸收系数k的第二阻挡层bl2的阻挡层bl可以防止从显示装置1的下部流入的光被阻挡层bl反射并流到可布置在基板sb下方的光学器件40的一侧。
212.因此，阻挡层bl可以防止从阻挡层bl表面反射的光与直接入射在光学器件40上的光发生干涉，从而防止被放置在基板sb的后表面上的光学器件40由于外部光而引起的质量劣化。另外，阻挡层bl的包括具有大的吸收系数的金属的第二阻挡层bl2可以吸收从基板sb
的后表面入射的光，使得可以防止光在透射区域ta周围被识别出。
213.图18是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。参考图18，显示装置1与根据图14中所示的实施例的显示装置1类似。相同构成元件的详细描述被省略。
214.在根据本实施例的显示装置1中，与根据图14中所示的实施例的显示装置1不同，布置在第二像素区域pa2中的第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142可以在透射区域ta中被移除，并且第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142的边缘部分与第一层间绝缘层161、第三栅绝缘层143和第二层间绝缘层162的边缘部分一起可以与透射区域ta的边缘重叠。
215.通过另外移除透射区域ta中的第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142，可以进一步增大透射区域ta中的光透射率。
216.布置在第二像素区域pa2和布线区域wa中、基板sb上的阻挡层bl可以防止光学器件40由于在除了透射区域ta之外的第二显示区域da2中外部光的流入而可能发生的光散射而引起的劣化。
217.图19是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。参考图19，显示装置1与根据参考图14描述的实施例的显示装置1类似。相同构成元件的详细描述被省略。
218.在根据本实施例的显示装置1中，与参考图14描述的实施例不同，布置在第二像素区域pa2中的第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142可以在透射区域ta中被移除，并且第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142的边缘部分与第一层间绝缘层161、第三栅绝缘层143和第二层间绝缘层162的边缘部分一起可以与透射区域ta的边缘重叠。
219.此外，在根据本实施例的显示装置1中，与根据图14中所示的实施例的显示装置1不同，阻挡层bl可以被布置在基板sb下方，即，被布置在基板sb的后面。
220.阻挡层bl的第二阻挡层bl2可以被直接布置在基板sb下方，并且第一阻挡层bl1可以被布置在第二阻挡层bl2下方。
221.图20是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。参考图20，显示装置1与根据参考图14描述的实施例的显示装置1类似。相同构成元件的详细描述被省略。
222.在根据本实施例的显示装置1中，与根据图14中所示的实施例的显示装置1不同，布置在第二像素区域pa2中的第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142可以在透射区域ta中被移除，并且第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142与第一层间绝缘层161、第三栅绝缘层143和第二层间绝缘层162一起可以在透射区域ta中被移除。
223.此外，在根据本实施例的显示装置1中，与根据图14中所示的实施例的显示装置1不同，布置在阻挡层bl上的缓冲层111可以包括第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。
224.包括第一缓冲层111a和第二缓冲层111b的缓冲层111可以在增大形成在缓冲层111下方的层与形成在缓冲层111上的层之间的接触特性并降低其间的折射率差的同时，保持缓冲层111的整个厚度。例如，第一缓冲层111a可以包括氮化硅，并且第二缓冲层111b可以包括氧化硅。
225.包括第一缓冲层111a和第二缓冲层111b的缓冲层111可以防止水分从外部流入并增大透射区域ta中的光透射率。
226.图21是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。参考图21，显示装置1与根据参考图14描述的实施例的显示装置1类似。相同构成元件的详细描述被省略。
227.在根据本实施例的显示装置1中，与根据图14中所示的实施例的显示装置1不同，阻挡层bl由单层形成。
228.阻挡层bl的厚度t可以为大约或更大。即使阻挡层bl形成为包含钼氧化物的单层，具有大约或更大的厚度的阻挡层bl也可以在防止光的反射的同时，阻挡光。
229.图22是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。参考图22，显示装置1包括形成在基板sb上的若干层、布线和元件。这些元件可以包括晶体管tr、电容器和发光二极管led。基板sb可以包括诸如玻璃的绝缘材料，并且可以是光学透明的。第二屏障层1101可以被布置在基板sb上。阻挡层bl可以被布置在第二屏障层1101上。阻挡层bl可以包括第一阻挡层bl1以及布置在第一阻挡层bl1上的第二阻挡层bl2。缓冲层111可以被布置在第二屏障层1101和阻挡层bl上。
230.晶体管tr的半导体层al可以被布置在缓冲层111上。半导体层al可以包括沟道区以及布置在沟道区的各侧的源区和漏区。半导体层al可以包括多晶硅。此外，半导体层al可以包括诸如非晶硅、氧化物半导体等的半导体材料。
231.包括无机绝缘材料的第一栅绝缘层141可以被布置在半导体层al上。例如，第一栅绝缘层141可以具有包括氮化硅、氧化硅或氧氮化硅等的单层或多层结构。
232.在第一栅绝缘层141上，包括栅线gl和晶体管tr的第一栅电极ge1的第一导体层可以被布置。第一栅电极ge1可以与半导体层al的沟道区重叠。第一导体层是包括诸如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)和钛(ti)的金属的单层或多层结构。
233.第一层间绝缘层161可以被布置在第一导体层上。第一层间绝缘层161可以包括氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等。
234.包括与第一栅电极ge1重叠的第二栅电极ge2的第二导体层可以被布置在第一层间绝缘层161上。第二导体层可以包括诸如钼(mo)、铜(cu)、铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钽(ta)或钛(ti)等的金属。
235.第二层间绝缘层162可以被布置在第二导体层上。第二层间绝缘层162可以包括氮化硅、氧化硅或氧氮化硅等。第二层间绝缘层162可以由其中包括氮化硅的层和包括氧化硅的层堆叠的多层形成。
236.在第二层间绝缘层162上，包括数据线dl、驱动电压线或晶体管tr的源电极se和漏电极de等的第三导体层可以被布置。源电极se和漏电极de可以通过形成在第一栅绝缘层141、第一层间绝缘层161和第二层间绝缘层162中的相应接触孔分别连接到半导体层al的源区和漏区。第三导体层可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、镍(ni)、钙(ca)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、钽(ta)和/或铜(cu)等，并且可以是单层或多层结构。例如，第三导体层可以具有三层结构，该三层结构包括：包含诸如钼、铬、钽和钛的难熔金属或它们的合金的下层；诸如铝类金属、银类金属和铜类金属的具有低电阻率的中间层；以及包含诸如钼、铬、钽和钛的难熔金属的上层。
237.第一栅电极ge1、源电极se和漏电极de与半导体层al一起形成晶体管tr。第一栅电
极ge1和第二栅电极ge2可以与置于其间的第一层间绝缘层161一起形成电容器。包括晶体管tr和电容器的像素电路可以被布置在第二像素区域pa2中，但可以不被布置在透射区域ta中。
238.可以包括有机绝缘材料的第二平坦化层180可以被布置在第二层间绝缘层162和第三导体层上。第二平坦化层180可以移除台阶并使表面平坦化，以增大要形成在其上的发光元件的发光效率。例如，第二平坦化层180可以包括诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺或硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
239.像素px的发光二极管led的阳极191可以被布置在第二平坦化层180上。阳极191可以针对每个像素px被提供。阳极191可以包括诸如银(ag)、锂(li)、钙(ca)、铝(al)、镁(mg)和金(au)的金属，并且还可以包括诸如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)的透明导电氧化物(tco)。
240.像素限定层350可以被布置在阳极191上。像素限定层350可以包括诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺或硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
241.与阳极191重叠的开口可以形成在像素限定层350中。发光元件层370可以被布置在像素限定层350的开口中。
242.发光元件层370可以包括唯一地发射诸如红色、绿色或蓝色的原色的光的材料层。发光元件层370可以具有其中发射不同颜色的光的多个材料层堆叠的结构。
243.阴极270可以被布置在发光元件层370和像素限定层350上。阴极270可以被公共地提供到所有像素px，并且可以接收公共电压。阴极270可以包括包含、钡(ba)、镁(mg)、铝(al)、银(ag)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)和钙(ca)的反射金属或诸如铟锡氧化物(ito)和铟锌氧化物(izo)的透明导电氧化物(tco)。
244.可以在透射区域ta中移除阴极270以提高透射区域ta的透射率。
245.阳极191、发光元件层370和阴极270可以形成发光二极管led。
246.布置在第二像素区域pa2中的阻挡层bl也可以被布置在布线区域wa中。栅线gl和数据线dl可以被布置在布线区域wa中。
247.在透射区域ta中，布置在第二像素区域pa2中的第一栅绝缘层141、第一层间绝缘层161、第二层间绝缘层162、第二平坦化层180以及像素限定层350可以被移除。
248.布置在第二像素区域pa2中的阻挡层bl的边缘部分可以形成透射区域ta的开口opn。
249.根据上述实施例的关于阻挡层bl和透射区域ta的开口opn的形状的特征可适用于本公开的其他实施例。
250.透射区域ta可以具有开口opn，从开口opn移除布置在第二像素区域pa2中的阻挡层bl，并且光可以透过可布置在基板sb的后表面上的光学器件(例如，图2的光学器件40)。光学器件可以是感测器、相机或闪光灯。
251.此外，在阻挡层bl被移除的透射区域ta中，可以是无机绝缘层的第一栅绝缘层141、第一层间绝缘层161和第二层间绝缘层162也可以与可以是有机绝缘体的第二平坦化层180和像素限定层350一起被移除，并且可以增大透射区域ta中的光透射率。
252.尽管未示出，但完全覆盖基板sb的薄膜封装层(例如，图2的封装层en、图14的封装层600)或封装基板可以被布置在包括显示区域da的发光二极管led、像素限定层350和透射区域ta的整个区域上。在布置封装基板的情况下，可以使用玻璃料。
253.此外，尽管未示出，但包括触摸层(例如，图2的触摸感测器层ts)或触摸布线的触摸基板可以被布置在薄膜封装层或封装基板上。
254.同时，第一显示区域da1的第一像素区域pa1的截面结构可以与第二像素区域pa2的截面结构相对应。
255.图23是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。参考图23，显示装置1与根据上面参考图22描述的实施例的显示装置1类似。相同构成元件的详细描述被省略。
256.在根据本实施例的显示装置1中，与根据图22中所示的实施例的显示装置1不同，阻挡层bl可以被布置在基板sb下方，即，被布置在基板sb的后面。
257.阻挡层bl的第二阻挡层bl2可以被直接布置在基板sb下方，并且第一阻挡层bl1可以被布置在第二阻挡层bl2下方。
258.第二阻挡层bl2的吸收系数k可以大于第一阻挡层bl1的吸收系数k。
259.第二阻挡层bl2的反射率n可以大于第一阻挡层bl1的反射率n。
260.由于阻挡层bl的第一阻挡层bl1包括具有低的光反射率的材料，因此可以防止光被阻挡层bl反射并入射在光学器件40上从而被不必要地识别出。
261.另外，阻挡层bl的包括具有大的吸收系数的金属的第二阻挡层bl2可以吸收从基板sb的后表面入射的光，以防止光在透射区域ta周围被识别出。
262.图24是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。参考图24，显示装置1与根据参考图22描述的实施例的显示装置1类似。相同构成元件的详细描述被省略。
263.在根据本实施例的显示装置1中，与根据图22中所示的实施例的显示装置1不同，布置在阻挡层bl上的缓冲层111可以包括第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。
264.包括第一缓冲层111a和第二缓冲层111b的缓冲层111可以在增大形成在缓冲层111下方的层与形成在缓冲层111上的层之间的接触特性并降低其间的折射率差的同时，保持缓冲层111的整个厚度。例如，第一缓冲层111a可以包括氮化硅，并且第二缓冲层111b可以包括氧化硅。
265.包括第一缓冲层111a和第二缓冲层111b的缓冲层111可以防止水分从外部流入并增大透射区域ta中的光透射率。
266.图25是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。参考图25，显示装置1与根据参考图22描述的实施例的显示装置1类似。相同构成元件的详细描述被省略。
267.在根据本实施例的显示装置1中，与根据图22中所示的实施例的显示装置1不同，布置在阻挡层bl上的缓冲层111可以包括第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。此外，在根据本实施例的显示装置1中，与根据图22中所示的实施例的显示装置1不同，阻挡层bl可以被布置在基板sb下方，即，被布置在基板sb的后面。
268.阻挡层bl的第二阻挡层bl2可以被直接布置在基板sb下方，并且第一阻挡层bl1可
以被布置在第二阻挡层bl2下方。
269.图26是根据另一实施例的显示装置1的第二显示区域da2的一部分的截面图。参考图26，显示装置1与根据参考图22描述的实施例的显示装置1类似。相同构成元件的详细描述被省略。
270.在根据本实施例的显示装置1中，与根据图22中所示的实施例的显示装置1不同，阻挡层bl可以由单层形成。
271.阻挡层bl的厚度t可以为大约或更大。即使阻挡层bl形成为包含钼氧化物的单层，具有大约或更大的厚度的阻挡层bl也可以在防止光的反射的同时，阻挡光。
272.图27是示出根据实验示例的结果的电子显微照片。在实验示例中，下面针对五种不同的情况测量了反射率并在表1中示出：形成包括金属的单层的阻挡层bl的第一种情况(a)，形成包括由金属氧化物制成的第一阻挡层bl1和由金属层制成的第二阻挡层bl2的阻挡层bl的第二种情况(b)，形成包括由金属氧化物制成的第一阻挡层bl1和由金属层制成的第二阻挡层bl2的阻挡层bl以及形成包括氧氮化硅的第二屏障层1101的第三种情况(c)，形成包括由黑色有机层制成的第一阻挡层bl1和由金属层制成的第二阻挡层bl2的阻挡层bl以及形成包括氧氮化硅的第二屏障层1101的第四种情况(d)，以及形成包括由非晶硅制成的第一阻挡层bl1和由金属层制成的第二阻挡层bl2的阻挡层bl以及形成包括氧氮化硅的第二屏障层1101的第五种情况(e)。五种情况中的每种情况的反射光被测量并在图27中示出为摄影图像。
273.(表1)
[0274][0275]
参考图27以及表1，与其中阻挡层bl由单层金属形成的第一种情况相比，在形成阻挡层bl以包括第一阻挡层bl1和第二阻挡层bl2的情况中，平均反射率大大降低，并且反射光不被识别出。
[0276]
图28a至图28c是示出根据实验示例的结果的曲线图。根据显示装置1的实施例，阻挡层bl包括由金属氧化物制成的第一阻挡层bl1和由金属层制成的第二阻挡层bl2。第一阻挡层bl1可以由钼钛氧化物形成，并且第二阻挡层bl2可以分别由钼(mo)、钛(ti)和铜(cu)形成。在改变第一阻挡层bl1的厚度的同时测量光的透射率，并在图28a至图28c中示出光的透射率。图28a示出了由钼形成第二阻挡层bl2的情况的结果，图28b示出了由钛形成第二阻挡层bl2的情况的结果，并且图28c示出了由铜形成第二阻挡层bl2的情况的结果。
[0277]
参考图28a至图28c，即使当第一阻挡层bl1的厚度没有形成为显著厚而仅被形成为大约或更大，反射率也不大。如上所述，阻挡层bl的反射率可以被保持在特定值以下，而不管哪种金属包含在第二阻挡层bl2中。
[0278]
图29a和图29b是示出根据实验示例的结果的曲线图。根据显示装置1的实施例，第一阻挡层bl1可以由钼钛氧化物或钼钽氧化物形成。图29a示出了由钼钛氧化物形成并且在
400℃的温度下使用氮气退火一小时的第一阻挡层bl1的反射率的测量结果。图29b示出了由钼钽氧化物形成并且在400℃的温度下使用氮气退火一小时的第一阻挡层bl1的反射率的测量结果。
[0279]
参考图29a和图29b，即使在400℃的高温下退火1小时之后，第一阻挡层bl1的反射率也是低的。尽管当第一阻挡层bl1由钼钽氧化物形成时，反射率在一些波长处增大，但反射率增大处的波长的宽度窄，并且反射率在大多数波长范围内没有增大。
[0280]
这样，即使在形成第一阻挡层bl1并在高温下进行处理(例如退火)的情况下，反射率也可以被保持为低的。
[0281]
图30是示出根据实验示例的结果的曲线图。在本实验示例中，第一阻挡层bl1可以由钼钽氧化物形成，第二阻挡层bl2可以由钼形成，并且在改变第一阻挡层bl1的厚度的同时测量反射率。针对反射率，测量平均反射率，并且在550nm波长下测量光的反射率。
[0282]
参考图30，在第一阻挡层bl1由钼钽氧化物形成并且第二阻挡层bl2由钼形成的情况下，具体地，在第一阻挡层bl1的厚度可以为大约或更大且或更大且或更小的情况下，反射率被保持在特定值以下。
[0283]
图31是示出根据实验示例的结果的曲线图。在本实验示例中，第一阻挡层bl1可以由钼钽氧化物形成，第一阻挡层bl1的厚度可以为大约在改变第二阻挡层bl2的材料的同时测量取决于光的波长的反射率。
[0284]
参考图31，在第一阻挡层bl1由钼钽氧化物形成并且第一阻挡层bl1的厚度在大约至大约的范围内(例如)的情况下，不管第二阻挡层bl2的材料如何，第一阻挡层bl1可以在大约400nm至680nm处具有低反射率。
[0285]
图32是示出根据实验示例的结果的电子显微照片。在本实验示例中，在形成钼钽氧化物的第一阻挡层bl1和钼的第二阻挡层bl2的情况下，阻挡层bl被批量刻蚀。
[0286]
参考图32，在阻挡层bl被批量刻蚀之后，阻挡层bl被良好地刻蚀而没有突出部分，并且因此，可以确认可获得精细的图案形成。
[0287]
图33是示出根据实验示例的结果的电子显微照片。在本实验示例中，针对没有形成阻挡层bl的第一种情况和形成双层的阻挡层bl的第二种情况，在布线被形成为大约2.5μm的宽度之后，测量并示出了光的反射。
[0288]
参考图33，在没有阻挡层bl的第一种情况下，可能在布线上发生反射，而在形成双层的阻挡层bl的第二种情况下，由于减少的光反射，布线可能不被很好地识别出。
[0289]
尽管已经结合各种实施例描述了本公开，但应理解，本公开并不限于所公开的实施例。相反，旨在覆盖包含在包括所附权利要求的本公开的精神和范围内的各种修改和等同设置。