技术特征：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在栅极形成之前，于所述半导体衬底中形成具有中空间隙的隔离介质层；在晶圆背面减薄后，通过选择性刻蚀，使所述隔离介质层在所述半导体衬底背面暴露出预定的高度，形成介质网格，所述图像传感器的彩色滤光片设置在所述介质网格中，所述介质网格实现相邻的彩色滤光片的光学隔离。2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述于所述半导体衬底中形成具有中空间隙的隔离介质层包括：根据第一光刻图形，在所述半导体衬底中形成第一沟槽；在所述第一沟槽表面通过外延形成第一外延层，以减少所述第一沟槽的线宽；在所述第一外延层表面通过热氧化和/或原子层沉积工艺形成均匀覆盖于所述第一沟槽底部和侧壁的第一介质层；通过化学气相沉积工艺在在所述第一介质层表面填充介质，控制填充的速率和方向，使所述第一沟槽的开口快速闭合，形成具有中空间隙的所述隔离介质层。3.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述第一外延层中包括与所述半导体衬底类型相反的掺杂层。4.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽表面通过外延形成第一外延层包括：在所述第一沟槽表面外延形成本征半导体层；在所述本征半导体层表面通过外延形成与所述半导体衬底类型相反的掺杂外延层，与所述本征半导体层形成所述第一外延层。5.如权利要求2所述的图像传感器形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺包括高浓度等离子体沉积、高深宽比化学气相沉积或流动性化学气相沉积中的任意一种。6.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述通过选择性刻蚀，使所述隔离介质层在所述半导体衬底背面暴露出预定的高度，形成介质网格，包括：对所述半导体衬底背面进行减薄至露出所述隔离介质层的表面；选择性地刻蚀所述半导体衬底，使所述隔离介质层在所述半导体衬底背面暴露出预定的高度，形成所述介质网格。7.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述形成介质网格之后，还包括：在所述介质网格表面形成带电介质层和/或光学增透层；在所述带电介质层和/或光学增透层填充所述彩色滤光片，相邻的所述彩色滤光片由所述介质网格实现侧向光学隔离。8.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述于所述半导体衬底中形成具有中空间隙的隔离介质层之后，还包括：在所述半导体衬底和所述隔离介质层表面通过外延形成器件层。9.如权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底和所述隔离介质层表面通过外延形成器件层，包括：在所述半导体衬底和所述隔离介质层上方外延形成第一外延层；
通过化学机械研磨对所述第一外延层表面进行平整化。10.一种图像传感器，其特征在于，通过如权利要求1~10的形成方法形成。
技术总结
本发明提供一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底；在栅极形成之前，于所述半导体衬底中形成具有中空间隙的隔离介质层；在晶圆背面减薄后，通过选择性刻蚀，使所述隔离介质层在所述半导体衬底背面暴露出预定的高度，形成介质网格，所述图像传感器的彩色滤光片设置在所述介质网格中，所述介质网格实现相邻的彩色滤光片的光学隔离。本发明还提供一种图像传感器，采用以上形成方法形成。通过上述方案，能够简化像素格栅的形成工艺，改善隔离效果。效果。效果。
技术研发人员：杨瑞坤
受保护的技术使用者：格科微电子（上海）有限公司
技术研发日：2021.08.02
技术公布日：2023/2/9