配备升降器部的基板处理装置的制作方法

1.本发明涉及一种用于在基板上沉积薄膜或者用于对基板进行洗涤或蚀刻的基板处理装置。


背景技术：

2.利用配置有多个基板的板，可以在腔室内对多个基板同时执行基板的薄膜沉积、蚀刻等工程。
3.但是，因为存在于腔室内部的原料的扩散范围或温度分布以及基板的温度不均匀，因此很容易导致配置在板上的各个基板的处理状态不均匀的问题。
4.因为如上所述的薄膜厚度的不均匀，可能会导致在单一基板上制造出的元件的电气特性偏差较大以及收率下降的问题。


技术实现要素：

5.技术课题
6.本发明作为可以同时均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置，可以配备用于对基板进行支撑且可升降的升降器部。
7.因为在基板处理工程中基板会与升降器部直接接触，因此基板的温度梯度可能会根据升降器部的形状而发生变化，而且沉积在基板上的薄膜的均匀度也有可能受到影响。
8.发明内容
9.本发明可以包括：盘部，为了对基板进行处理而配置在腔室内部；袋部，在盘部中配备多个，用于对各个基板进行安置，相对于盘部的中心等角度排列；以及，升降器部，用于对基板进行升降。
10.中央部的中心与袋部的中心一致，支撑片的一端可以与中央部连接，而支撑片可以以中央部的中心为基准等角度排列并以放射状延长。
11.袋部可以包括安置面以及安置坎。在安置面上可以对基板进行安置，可以采用与基板相同的形状。安置坎可以沿着安置面的周围相向形成，安置坎可以相对于安置面向垂直方向凸出。
12.升降器部包括与支撑部连接且长度沿着与支撑部垂直的方向延长的轴部。
13.在轴部的一侧，可以配备通过在袋部旋转时对支撑部的动作进行限制而将升降器部固定到袋部的d形切割部。
14.d形切割部是通过沿着轴方向对轴部的一部分进行切开而形成，可以沿着轴部的长度方向延长。
15.可以配备在盘部旋转时与盘部相距一定间隔的升降器驱动部。升降器驱动部可以通过在盘部停止的状态下进入袋部的通孔并推动轴部的端部而将轴部从袋部抬升。
16.发明效果
17.与升降器部接触的基板的温度梯度可能会对需要进行沉积的薄膜的均匀度造成
影响，而通过减少如上所述的温度梯度，可以对薄膜的均匀度进行改善。
18.在通过空间分割等离子体增强型原子层沉积(peald)方式沉积薄膜时，在腔室的结构上，升降器部可能位于插入基板的袋部的正中央。此时，基板中央的温度可能低于周边部分的温度。为了改善如上所述的问题，与基板接触的升降器部的支撑部可以采用具有最小面积的形状。
19.所安置的基板可以与支撑部以及袋部的安置面接触。在盘部与腔室面之间可以配备加热部件，而来自于加热部件的热气可以通过盘部、袋部传递到基板上。
20.基板在工程过程中可能会与其他类型的物质发生接触并因此形成温度梯度。因此，基板可以通过将所接触的两种类型的物质中的一种物质的接触面积最小化而降低基板的温度梯度。
21.即，可以将升降器部的支撑部的面积最小化，只保留为了稳定地对基板进行支撑而需要的最小限度的结构。配备有从中央以放射状延长的三个支撑片的支撑部的形状，可以是用于实现如上所述的结构的一实施例。
22.在通过空间分割等离子体增强型原子层沉积(peald)方式对基板进行处理的情况下，基板可以以袋部的中央为中心进行第1旋转，并以盘部的中央为中心进行第2旋转。通过第1旋转以及第2旋转，基板可以实现均匀的温度梯度。
23.总而言之，基板可以通过第1旋转、第2旋转以及支撑部的最小面积形状中的至少一个对温度梯度进行改善，并借此均匀地执行膜处理工程。
附图说明
24.图1是适用本发明的基板处理装置的侧向截面图。
25.图2是适用本发明的基板被安置到袋部中的状态下的盘部的平面图。
26.图3是对适用本发明的升降器部的一实施例进行图示的示意图。
27.图4是图3中的升降器部的下部斜视图。
28.图5是图4中的升降器部的底面图。
29.符号说明
30.10：第1旋转轴，12：主齿轮，14：袋齿轮，20：第2旋转轴，30：加热部件，50：基板，60：腔室，100：盘部，200：袋部，210：安置面，220：安置坎，230：通孔，300：升降器部，310：支撑部，311：支撑部的上侧面，312：支撑部的下侧面，314：中央部，316：支撑片，320：轴部，320a：d形切割部，330：升降器槽，332：吸气孔，334：空气通道，340：升降器驱动部，a：第1旋转，b：第2旋转。
具体实施方式
31.通过空间分割方式对基板50进行处理的适用本发明的基板50处理装置，可以包括盘部100、袋部200、第2旋转部以及第2旋转部中的至少一个。
32.在袋部200中可以安置一个基板50，而在盘部100中可以配备多个袋部200。借此，可以将与袋部200的数量相当的基板50安置到盘部100中。
33.在执行基板50的沉积、洗涤、蚀刻等工程时，安置有基板50的袋部200可以进行旋转，而袋部200的旋转可以包括第1旋转a以及第2旋转b。
34.第1旋转部可以包括第1旋转轴10，第1旋转轴10的旋转可以使袋部200发生第1旋转。第2旋转部可以包括第2旋转轴20，第2旋转轴20的旋转可以使袋部200发生第2旋转。
35.袋部200的第1旋转a是袋部200在平面上以袋部200的中心作为旋转中心进行的旋转，在接下来的内容中可以称之为袋部200的自转。第1旋转a可以使袋部200旋转360度以上。
36.与袋部200的自转相比，袋部200的第2旋转b是袋部200以配备于袋部200外部的假想旋转轴作为旋转中心进行的旋转。假想旋转轴可以配备于腔室60的中心或盘部100的中心。
37.袋部200的第2旋转部可以为了使袋部200发生公转而将安装有多个袋部200的盘部100以盘部100的中心作为旋转中心进行旋转。袋部200的第2旋转b可以称之为以假想旋转轴为中心进行旋转的公转。第2旋转部可以使袋部200进行第2旋转b。
38.袋部200的第1旋转a以及第2旋转b可以通过控制部以各自不同的速度以及旋转方向进行旋转。使用者可以通过控制部对第1旋转轴10以及第2旋转轴20的方向以及速度进行调节，并通过对各个基板50的处理结果进行监控而决定第1旋转轴10以及第2旋转轴20的方向以及速度。
39.基板50处理装置可以包括：腔室60；盘部100，通过安装在腔室60中而对至少一个基板50进行支撑；气体喷射部(未图示)，用于将源气体、反应气体以及净化气体喷射到盘100上的各个不同的气体喷射区域中。
40.腔室60可以提供用于执行如原子层沉积(ald)工程等基板50处理工程的反应空间。盘部100可以以可旋转的方式安装在腔室60的内部底面。
41.为了提升通过空间分割方式执行原子层沉积(ald)工程的适用本发明的基板50处理工程的生产性，在盘部100为圆形的情况下，可以沿着盘部100的圆周以一定的间隔配置中心位于盘部100的圆周上的多个基板50。
42.盘部100可以随着旋转轴的旋转向特定方向(例如顺时针方向)发生旋转并借此使基板50进行旋转，从而按照特定的顺序移动基板50，而基板50可以借此依次暴露在源气体、净化气体以及反应气体中。
43.原子层沉积(ald)的沉积膜可以是通过源气体与反应气体的化学置换反应形成的特定膜。
44.只需要依次层叠一层的源气体以及反应气体的原子膜即可，而在喷射源气体以及反应气体之后可以喷射净化气体。
45.净化气体可以分为在源气体之后喷射的净化气体即第1净化气体，以及在反应气体之后喷射的净化气体即第2净化气体。
46.基板50可以伴随着盘部100的旋转依次暴露在源气体和净化气体以及反应气体中，借此可以在基板50上通过原子层沉积(ald，atomic layer deposition)工程沉积形成单层或多层的薄膜。
47.源气体可以被喷射到与源气体区域相向的基板50上，净化气体可以被喷射到与净化气体区域相向的基板50上，而反应气体可以被喷射到与反应气体区域相向的基板50上。
48.空间分割方式可以对多张基板50同时执行不同的气体工程。
49.在腔室60的内部，可以通过基板50的薄膜沉积工程、基板50的洗涤工程以及基板
50的蚀刻工程中的至少一个对基板50进行处理。
50.为了改善收率，在配置到腔室60内部的晶圆、印刷电路板(pcb)等基板50上的整个区域以均匀的厚度沉积形成薄膜为宜。此外，在腔室60的内部配置多个基板50的情况下，特定基板50的薄膜厚度与其他基板50的薄膜厚度同样均匀形成为宜。
51.为了实现均匀的包括薄膜沉积在内的基板50处理，可能需要确保被扩散到腔室60内部的原料的分布范围均匀。但是，实际上可能很难确保腔室60内部的原料分布的均匀。总而言之，因为在基板60内部的原料分布不均匀，因此可能很难均匀地对基板50执行如沉积、蚀刻等膜工程。
52.原料在平面上很容易被集中分布在腔室60的中央。因此，以一张基板50为基准，对与腔室60的中央相邻的区域的处理可能比与腔室60的边缘相邻的区域的处理更强。
53.因此，在沉积薄膜时可能会导致基板50的一侧与另一侧相比沉积成更厚的厚度的不均匀问题。如上所述的不均匀的工程处理问题，在基板50的洗涤工程、蚀刻工程中同样可能会出现。
54.在腔室60的内部同时配置第1基板50以及第2基板50的情况下，可能会因为原料分布的不均匀而导致第1基板50的薄膜厚度与第2基板50的薄膜厚度不同的问题。
55.本发明的目的在于可以与运料的不均匀分布与否无关地使得对单一基板50的不同区域的处理状态均匀化。与此同时，其目的在于使得同时处理的多个基板50的处理状态彼此均匀化。
56.在适用本发明的基板50处理装置中，可以配备用于对多个基板50同时进行处理的袋部200。袋部200可以在盘部100中安装多个，而基板50可以被安置到袋部200中。
57.盘部100或袋部200可以在工程过程中发生旋转，而为了稳定地将基板50安置到袋部200，在袋部200中可以配备安置面210或安置坎220。
58.作为一实施例，在基板50为圆形形状的情况下，安置面210也可以采用与基板50相同大小的圆形形状。安置坎220可以在安置面210的周围相向形成，而且可以具有特定的高度。安置坎220的高度可以等于或大于基板50的厚度。
59.借此，基板50可以借助于安置面210或安置坎220以稳定地安置在配备于盘部100的多个袋部200中的状态执行工程。
60.在袋部200的第1旋转以及第2旋转停止的情况下，可以将基板50安置在袋部200或将基板50从袋部200取出，此时可以对升降器部300进行升降。
61.在通过使升降器部300下降而将基板50安置在袋部200的情况下，基板50可以平行地与安置面210相向，此时基板50可以是与支撑部310以及安置面210接触的状态。
62.在安置基板50时，为了可以使基板50与安置面210平行相向，需要将支撑部310降低到比安置面210的水平高度更低的位置，为此可以配备用于对所下降的支撑部310进行收容的空间即升降器槽330。
63.在升降器部300升降时，可以沿着袋部200的通孔230对轴部320进行导向，从而使其沿着垂直方向移动。升降器部300最大限度地下降的状态，可以是基板50被安置在袋部200中的状态。
64.在升降器部300最大限度地下降时，支撑部310可以被安置在升降器槽330中，而基板50可以被安置在安置面210上。除非为了执行其他工程而使得基板50从袋部200完全脱
离，否则在升降器部300升降时基板50可以维持与支撑部310接触的状态。
65.因此，基板50可以通过安置面210以及升降器槽330稳定地安置在袋部200中，从而在袋部200进行第1旋转以及第2旋转时也可以稳定地对基板50执行膜工程。
66.在升降器槽330中可以形成吸气孔332。在袋部200或盘部300中可以形成用于向吸气孔332施加真空的空气通道334。吸气孔332可以向升降器槽330一侧吸引支撑部310。
67.支撑部310可以包括与基板50相向的支撑部的上侧面311以及安置在升降器槽330中的支撑部的下侧面312。
68.支撑部的上侧面311与支撑部的下侧面312相比可以更加凸出。
69.与支撑部的下侧面312相比更加凸出的支撑部的上侧面311可以对升降器槽330与支撑部310之间的缝隙进行覆盖。
70.借此，可以借助于升降器槽330的吸气孔332更加强力地向升降器槽330吸入基板50，进而可以借助于支撑部的上侧面311最大限度地防止沉积膜成分被渗透到支撑部310与升降器槽330之间的缝隙空间中。
71.在盘部100上形成的多个袋部200的中心可以在平面上与腔室60的中心不同。因此，袋部200以及安置在袋部200上的基板50的一侧可以配置在与腔室60的中心相邻的位置，而另一侧可以配置在与腔室60的边缘相邻的位置。
72.在盘部100被安装在腔室60中心的情况下，接近盘部100中心的基板50的一侧与接近盘部100边缘的基板50的另一侧相比其沉积成分密度可能相对较高，因此在单一基板50内也可能发生膜工程不均匀的问题。
73.为了防止基板50的不均匀处理，可以使用第1旋转部。
74.借助于袋部200的第1旋转，安置在袋部200中的基板50中朝向腔室0中心的一侧区域并非固定而是时时刻刻发生变化，因此可以均匀地对基板50的全部区域进行处理。
75.作为一实例，借助于第1旋转部，可以在基板50的一侧以及另一侧沉积形成均匀厚度的薄膜。借此，可以在基板50的所有区域无差别地以一定的厚度沉积薄膜。而在进行蚀刻时，可以在基板50的所有区域以均匀的深度进行蚀刻。
76.通过侧向界面的形状为“t”字形状的升降器部300，基板50可以维持与安置面210平行的状态。即，可以无倾斜现象地安置在袋部200或与袋部200相距一定间隔。
77.当在腔室60内部将第1基板50配置在第1位置并将第2基板50配置在第2位置的情况下，第1位置上的原料浓度与第2位置上的原料浓度可能会有所不同。因此，沉积在第1基板50上的薄膜厚度与沉积在第2基板50上的薄膜厚度也可能会有所不同。为了实现沉积在第1基板50上的薄膜厚度与沉积在第2基板50上的薄膜厚度的均匀化，适用本发明的基板50处理装置还可以包括第2旋转部。
78.袋部200的第2旋转可以是袋部200以配备于袋部200外部的第2旋转轴20为基准进行的旋转。此时，第2旋转轴20配备于腔室60的中心或盘部100的中心为宜。
79.第2旋转部可以在移动安装有袋部200的盘部100的同时变更袋部200的中心位置。作为一实例，通过使第1基板50以及第2基板50借助于第2旋转部交替经过第1位置以及第2位置，可以使第1基板50以及第2基板50的薄膜厚度均匀化。
80.在本发明中，可以通过第1旋转部改善单一基板50的处理均匀度，并通过第2旋转部改善多个基板50之间的处理均匀度，从而大幅改善其整体收率。
81.为了通过监控等实现薄膜工程的均匀化，可以独立地对第1旋转部以及第2旋转部进行驱动。因此，可以配备用于对第1旋转部以及第2旋转部进行区分控制的控制部。
82.使用者可以在对基板50的膜处理结果进行确认之后，后续地利用控制部对第1旋转部的第1速度v1以及第2旋转部的第2速度v2进行区分控制。
83.在用于使袋部200进行第1旋转的第1旋转部被固定到腔室60中的状态下，可以利用第1旋转部对盘部100的移动进行限制。
84.为了使盘部100可以借助于第2旋转部顺利地进行移动，第1旋转部可以在与盘部100一起移动的同时使袋部200进行第1旋转。
85.在第1旋转部中，可以配备用于驱动第1旋转轴10进行旋转的第1电机m1，以及为了使袋部200可以借助于第1旋转轴10的旋转发生第1旋转而链接到第1旋转轴10以及袋部200的齿轮、链条、磁性链条等。
86.作为一实例，在第1旋转部中，可以配备连接到袋部200的袋齿轮14、链接到袋齿轮14的主齿轮12、连接到主齿轮12的第1旋转轴10、以及用于驱动第1旋转轴10进行旋转的第1电机m1。此时，为了改善对单一基板50的处理均匀度，第1旋转轴10在袋部200的中心形成为宜。
87.在第1电机旋转时，连接到第1电机的电机轴中的第1旋转轴10将发生旋转。在第1旋转轴10旋转时主齿轮12也将发生旋转，而链接到主齿轮12上的袋齿轮14也会随之一起进行旋转。在袋齿轮14时，袋部200可以进行第1旋转。
88.在第1电机的电机轴发生旋转时，与盘部100的旋转与否无关，连接到第1电机的电机轴的第1旋转轴10也将随之旋转，从而使得袋部200相对于盘部100进行相对旋转。
89.在第2旋转部中，可以配备连接到盘部200的第2旋转轴20、以及用于驱动第2旋转轴20进行旋转的第2电机m2。
90.第1电机m1以及第2电机m2可以安装在腔室60的外部。因此，连接到第1电机m1中的第1旋转轴10以及连接到第2电机m2中的第2旋转轴20可以贯通腔室60。
91.因为贯通以相对于外部密封的结构形成的腔室60的要素越多就越是不利，因此第1旋转轴10以及第2旋转轴20配置在同轴上为宜。
92.作为一实例，第1旋转轴10可以以中空管道形状形成。此时，第2旋转轴20可以以可旋转的方式插入到第1旋转轴10的中空内部。
93.借此，从外观上来看将只有第1旋转轴10贯通腔室60。此外，也可以通过第2旋转轴20以中空管道形状形成且第1旋转轴10被插入到第2旋转轴20的中空内部的实施例实现。
94.借助于通过控制部彼此区分控制的第1电机m1以及第2电机m2，袋部200以及盘部100可以以不同的旋转速度进行旋转，而且可以向相同的方向或彼此不同的方向进行旋转。
95.可以配备用于对基板50进行升降的升降器部300。基板50可以在升降器部上升时从袋部200的安置面210相距一定间隔，而在升降器部300下降时被安置在安置面210中。
96.在安置在安置面210中的基板50上可以沉积薄膜，此时薄膜的一部分也可能会被沉积在袋部200。借此，基板50以及袋部200可能会因为薄膜而处于部分粘接的状态，而且可能会因为升降器而导致相应粘接的脱落。
97.此时，在为了使粘接脱落而施加的升降器的压力作用下很容易导致基板50的毁损。此外，在使粘接脱落的过程、升降的过程中，还可能会发生因为基板50倾斜而从升降器
脱离的现象。
98.为了防止基板50的毁损50，升降器部300可以采用特殊的结构。
99.为了使得在使粘接脱落等过程中施加到基板50上的压力得到分散，在升降器部300中可以配备以与袋部210的安置面210平行的方式延长的支撑部310。支撑部310可以以与基板50平行的方式面接触，可以均匀地对施加到基板50上的压力进行分散，而且还可以可靠地防止在升降过程中基板50发生倾斜的现象。
100.为了对基板50进行保护，支撑部310与袋部200的安置面210平行为宜。为了使支撑部310与安置面210平行，在升降器部300中可以配备从支撑部310的中心向下延长的轴部320。
101.轴部320的延长方向可以与支撑部310的升降方向相同。轴部320可以贯通安装到形成于盘部100的通孔230中。此时，通孔230可以从盘部100的上侧面延长到下侧面。通孔230可以位于盘部100的中心。
102.可以借助于盘部100的通孔230对轴部320的上升以及下降进行导向。通过利用通孔230进行导向，可以防止轴部320向与升降方向不同的方向发生倾斜，而且连接到轴部320的支撑部310可以始终维持与袋部200的安置面210平行的状态。
103.在腔室60中可以配备用于向上推动或向下拉动轴部320的升降器驱动部340。
104.第1旋转部可以与盘部100的底面相向配置。此时，升降器驱动部340可以在盘部100或袋部200移动时维持从第1旋转部脱离的向下下降的状态。此时，升降器部300可以是因为自重而下降的状态。升降器驱动部340可以在盘部100以及袋部200停止时上升并向上推动轴部320。
105.袋部200可以以与盘部100的通孔230相向的方式安装在盘部100的上部，可以通过盘部100的通孔230连接到袋齿轮14中。此时，在袋齿轮14与通孔230之间或袋部200与通孔230之间可以介有允许袋齿轮14或袋部200发生旋转的轴承。
106.在基板50处理装置中可以配备加热部件30。加热部件30安装在腔室60内部，可以通过加热至高温状态而诱导原料在基板50上得到处理。加热部件50可以安装在第1旋转部与腔室60的底面之间从第1旋转部相距一定间隔的位置。
107.在盘部100以第2旋转轴20为基准进行旋转时，加热部件30至少从盘部100的一侧外周面延长到第2旋转轴20为宜。在本实施例中，可以借助于旋转的盘部100利用加热部件30均匀地对各个袋部200进行加热，因此可以改善对单一基板50的处理均匀度以及多个基板50之间的处理均匀度。
108.可以根据支撑部310的形状决定升降器槽330的形状。在支撑部310下降时，基板50可以与安置面210接触。在将基板50安置在袋部200中的情况下，基板50可以与安置面210以及支撑部310同时接触。
109.因此，升降器槽330的形状为可以在升降器部300下降时使得安置面210与支撑部310上侧面平行的形状即可。
110.但是，在升降器槽330的形状大于支撑部310的形状的情况下，在所安置的基板50与袋部200之间可能会形成空白空间。上述空白空间可能会因为如旋转等工程自身动作而诱发震动。
111.所安置的基板50可以与安置面210、支撑部310以及空白空间解除，这与没有空白
空间的情况相比导致了可能引发温度梯度的要素的增加。因此，升降器槽330可以以与支撑部310相同的形状形成。
112.在利用加热部件30对所安置的基板50进行处理的情况下，因为基板50与安置面210以及支撑部310的两种类型的不同物质接触，因此可能会导致基板50温度的不均匀。在结构上，支撑部310可以位于袋部200的中央。
113.在将贯通袋部200的中央的假想垂直线称之为第1位置时，在第1位置上可以配置袋的中央、支撑部310、轴部320、通孔230中的至少一个。
114.在加热部件30在盘部100的下部对袋部200进行加热的情况下，从加热部件30接收到的热量中传递到基板50的中央的热量可能较少。所测定到的基板50的中央部分的温度可能低于基板50的边缘的温度。
115.所处理的基板50的温度梯度可能会因为支撑部310而受到影响，只有降低因为如上所述的支撑部310而导致的温度梯度影响才可以均匀地对沉积到基板50上的膜进行处理。
116.为了改善因为支撑部310而导致的基板50的温度梯度影响，作为与基板50接触的支撑部310的形状，可以选择与基板50的接触面积最小化的形状。上述形状需要满足在借助于升降器部300执行基板50的升降动作时不会造成可能在基板50上形成缺陷的冲击的条件。
117.作为支撑部310的一实施例，支撑部310可以采用圆形形状，这可以被称之为第1类型。与支撑部310的形状相同，升降器槽330也可以采用圆形形状，而升降器槽330的半径可以大于支撑部310的半径。在升降器部300下降时，支撑部310可以准确且无空白空间的状态插入到升降器槽330中。
118.因为支撑部310的上侧面与安置面210形成一个平坦的平面，因此支撑部310的厚度可以与升降器槽330的厚度相同。
119.作为支撑部310的另一实施例，支撑部310可以采用三脚架形状，这可以被称之为第2类型。
120.第2类型的支撑部310可以包括支撑片316以及中央部314。支撑片316可以配备多个，例如，支撑片316可以配备3个。支撑部310可以水平平行地与基板50发生面接触。
121.三个支撑片316可以是稳定地对2维平面上进行支撑的最稳定且最简单的方法。即，支撑片316可以配备4个以上，但是支撑片316数量的增加意味着与基板50发生接触的支撑部310的面积的增加。因此，只要不是为了提升结构上的稳定性而必须的情况下，支撑片316的数量为3个就足够。
122.支撑片316可以在平面上以120度的角度进行排列。支撑片316可以从中央部314以放射状延长。各个支撑片316的一端可以被连接到中央部314。同样地，升降器槽330可以以与第2类型的支撑部310相同的形状形成。
123.在从中央部314的中心到支撑片316的另一端为止的长度与第1类型的支撑部310的半径相同的情况下，第2类型与第1类型相比可以大幅减小支撑部310的面积。即，第2类型是与第1类型相比其袋部200的体积减小的情况，因此与第1类型相比，第2类型所导致的基板50的温度梯度可以大幅减小。
124.中央部314的下侧面可以与轴部320相向，而在轴部320的一侧可以配备d形切割部
320a。d形切割部320a可以根据与基板50的接触面积减小的支撑部310的形状变化，防止在袋部200旋转时支撑部310发生旋转的现象。
125.轴部320可以与中央部314的下侧面垂直连接，而d形切割部320a可以沿着轴部320垂直延长。根据支撑部310的设计，可以在必要时追加配备d形切割部320a。
126.相对于使用者所设定的温度，基板的平均温度在第1类型以及第2类型中可能类似。
127.但是，关于水平方向以及垂直方向的温度差异，第2类型与第1类型相比可以减小水平方向温度差异。
128.与第1类型或第2类型中的某一种情况或袋部200只进行公转的情况相比，在袋部200同时进行自转以及公转的情况下，可以减小沉积膜的厚度偏差并改善均匀度。
129.此外，与第1类型相比，第2类型可以减小沉积膜偏差并改善均匀度。这是因为在支撑部310的形状上，第2类型与第1类型相比可以大幅减小与基板50直接接触的支撑部310的面积，因此第2类型与第1类型相比可以改善温度梯度。
130.蚀刻工程可以是对除必要的回路图案之外的剩余的部分进行去除的过程，而湿式蚀刻率可以用于表示蚀刻的程度。
131.与干式蚀刻相比，湿式蚀刻可以实现具有各向同性(isotropic)的蚀刻。即，湿式蚀刻的过度蚀刻可能会导致渗透到基板50的回路图案下侧部分的不必要的蚀刻现象，而这可以被称之为底切(undercut)。
132.因为第2类型与第1类型相比可以改善基板的温度梯度，因此第2类型的底切现象也可以与第1类型相比得到改善。