技术特征：
1.一种无芯基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括如下步骤：s1、在基材铜(1)顶面添加第一光刻胶层(21)，进行曝光、显影，形成第一光刻胶图形；s2、在第一光刻胶图形中电镀上第一层间导体(31)；s3、剥离第一光刻胶层(21)，留下第一层间导体(31)；s4、在第一层间导体(31)及基材铜(1)顶面上堆叠第一绝缘层(41)；s5、将基材铜(1)底面减薄、平整，并在减薄后的基材铜(1)底面添加第二光刻胶层(22)，进行曝光、显影，形成第二光刻胶图形；s6、根据第二光刻胶图形，刻蚀掉非导体区域的基材铜(1)，形成导体图形；s7、剥离第二光刻胶层(22)，在第一绝缘层(41)底面沉积添加第一种子层(51)；s8、在第一种子层(51)和基材铜上添加第三光刻胶层(23)，进行曝光、显影，形成第三光刻胶图形；s9、在第三光刻胶图形中电镀上第二层间导体(32)；s10、剥离第三光刻胶层(23)，留下第二层间导体(32)；s11、除去第一种子层(51)，在第二层间导体(32)及基材铜(1)底面上堆叠第二绝缘层(42)；s12、打磨第一绝缘层(41)和第二绝缘层(42)，露出顶面的第一层间导体(31)和底面的第二层间导体(32)；s13、在第一绝缘层(41)和第一层间导体(31)的顶面沉积添加第二种子层(52)，在第二绝缘层(42)和第二层间导体(32)的底面沉积添加第三种子层(53)；s14、在第二种子层(52)的顶面添加第四光刻胶层(24)，在第三种子层(53)的底面添加第五光刻胶层(25)，进行曝光、显影，分别形成第四和第五光刻胶图形；s15、在第四光刻胶图形和第五光刻胶图形中分别电镀上第三层间导体(33)和第四层间导体(34)；s16、在第四光刻胶层(24)和第三层间导体(33)的顶面继续添加第六光刻胶层(26)，在第五光刻胶层(25)和第四层间导体(34)的底面继续添加第七光刻胶层(27)，进行曝光、显影，分别形成第六和第七光刻胶图形；s17、对第六光刻胶图形和第七光刻胶图形中电镀上加厚第三层间导体(33)和第四层间导体(34)；s18、剥离第四光刻胶层(24)、第五光刻胶层(25)、第六光刻胶层(26)和第七光刻胶层(27)，留下第三层间导体(33)和第四层间导体(34)；s19、除去第二种子层(52)和第三种子层(53)，在第三层间导体(33)的顶面堆叠第三绝缘层(43)，在第四层间导体(34)的底面堆叠第四绝缘层(44)；s20、打磨第三绝缘层(43)和第四绝缘层(44)，露出顶面和底面的加厚之后的第三层间导体(33)和第四层间导体(34)；s21、减薄露出的加厚之后的第三层间导体(33)和第四层间导体(34)；s22、对表面进行处理。2.根据权利要求1所述的无芯基板的制作方法，其特征在于：在步骤s1中，所述基材铜(1)的厚度为0.05
‑
1.0mm。3.根据权利要求1所述的无芯基板的制作方法，其特征在于：在步骤s1中，所述第一光
刻胶层(21)的厚度为30
‑
100微米。4.根据权利要求1所述的无芯基板的制作方法，其特征在于：在步骤s2中，所述第一层间导体(31)高度低于第一光刻胶层(21)。5.根据权利要求1所述的无芯基板的制作方法，其特征在于：在步骤s4中，所述第一绝缘层(41)的高度高于所述第一层间导体(31)。6.根据权利要求1所述的无芯基板的制作方法，其特征在于：在步骤s4中，所述第一绝缘层(41)采用压合或涂布的方式堆叠在第一层间导体(31)及基材铜(1)上。7.根据权利要求1所述的无芯基板的制作方法，其特征在于：在步骤s5中，将基材铜(1)减薄至15
‑
35微米，所述工艺采用化学腐蚀或者物理打磨。8.根据权利要求1所述的无芯基板的制作方法，其特征在于：所述第一绝缘层(41)和第二绝缘层(42)采用有玻纤布支撑和增加填料的绝缘层结构；所述第三绝缘层(43)和第四绝缘层(44)采用无玻纤布支撑的绝缘层结构、无填料的填充性绝缘材料。9.根据权利要求1所述的无芯基板的制作方法，其特征在于：在步骤s16中，在第六光刻胶层(26)和第七光刻胶层(27)的开口处加厚第三层间导体(33)和第四层间导体(34)，使步骤s17中加厚的电镀导体与步骤s15中的层间导体的形状、位置完全一致。10.根据权利要求1所述的无芯基板的制作方法，其特征在于：在步骤s21中，所述第三层间导体(33)和第四层间导体(34)减薄的厚度与表面处理的厚度相对应。11.根据权利要求1所述的无芯基板的制作方法，其特征在于：在步骤s22中，进行表面处理前，在非外露的层间导体表面涂布感光绝缘层。
技术总结
本发明公开了一种无芯基板的制作方法，该制作方法包括如下步骤：I
技术研发人员：张成立 徐光龙 王强 马梦亚
受保护的技术使用者：宁波华远电子科技有限公司
技术研发日：2021.08.06
技术公布日：2021/12/30