一种芯片贴片方法及设备与流程

1.本技术涉及半导体领域，具体涉及一种芯片贴片方法及设备。


背景技术：

2.相关技术中，芯片载体(chip on carrier，coc)和基板上的芯片(chip on substrate，cos)形成了半导体激光器和探测器封装的主体。芯片载体为表面积等于或小于一平方毫米的基板，将表面积更小的芯片贴到基板上，是半导体激光器和探测器的制程中不可缺少的一个重要工序。
3.但是由于基板和芯片的体积小、多样化且缺乏统一规格，基板和芯片之间采用的连接材料的材质也各不相同。因此，为保障产品制程的良率，提供一种适合不同芯片和基板的芯片贴片方法成为当前亟待解决的问题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术实施例一种芯片贴片方法及设备。
5.第一方面，本技术实施例提供一种芯片贴片方法，包括：
6.通过加热平台对基板进行加热，使所述基板上的焊料融化，将所述焊料上的芯片与所述基板连接在一起；
7.通过具有第一预设速度的第一气体对所述焊料进行降温凝固处理，以完成所述芯片的贴片。
8.在一些实施例中，在所述芯片贴片完成后，所述方法还包括：
9.在所述基板远离所述加热平台的同时，通过所述具有第二预设速度的第一气体对所述基板进行降温处理。
10.在一些实施例中，所述方法还包括：
11.所述基板被第二气体围绕，以使得所述焊料不被氧化。
12.第二方面，本技术实施例提供一种芯片贴片设备，所述芯片贴片设备至少包括：加热装置；所述加热装置至少包括：
13.加热平台，用于对基板进行加热，使所述基板上的焊料融化，将所述焊料上的芯片与所述基板连接在一起；
14.第一喷嘴，用于提供具有第一预设速度的第一气体对所述焊料进行降温凝固处理，以完成所述芯片的贴片。
15.在一些实施例中，所述芯片贴片设备还包括：
16.测温单元，位于所述加热平台上，用于检测所述基板的温度；
17.加热块，与所述加热平台连接，用于通过加热平台对基板进行加热。
18.在一些实施例中，在所述加热装置中，设置有贯穿所述加热块和所述加热平台的通孔；所述芯片贴片设备还包括：
19.真空管，位于所述通孔内，用于在处于真空状态时，将基板固定于所述加热平台
上；
20.真空设备，与所述真空管连接，用于使得所述真空管处于所述真空状态。
21.在一些实施例中，所述芯片贴片设备还包括：
22.取放单元，与所述加热装置连接，用于将所述基板放置于所述加热平台上、将所述芯片放置于所述焊料上，或抓取所述基板，使得所述基板远离所述加热平台。
23.在一些实施例中，所述芯片贴片设备还包括：
24.加热腔，位于所述加热装置中；
25.第二喷嘴，位于所述加热腔内，用于所述基板在所述加热腔内被第二气体围绕，以使得所述焊料不被氧化。
26.在一些实施例中，所述芯片贴片设备还包括：
27.固定单元，分别与所述加热平台和所述加热装置的内底板连接，用于固定所述加热平台。
28.在一些实施例中，所述芯片贴片设备还包括：
29.驱动单元，与所述取放单元连接，用于驱动所述取放单元将所述基板放置于所述加热平台上、将所述芯片放置于所述焊料上或控制所述基板远离所述加热平台；
30.控制器，分别与所述驱动单元和所述加热装置连接，用于控制所述驱动单元通过所述取放单元将所述基板放置于所述加热平台上、将所述芯片放置于所述焊料上或将所述基板远离所述加热平台，并控制所述加热装置对所述基板进行加热或降温。
31.本技术实施例提供的芯片贴片方法及设备，通过加热平台对基板进行加热，使得基板上的焊料融化后，通过融化的焊料将焊料上的芯片与基板连接，通过具有第一预设速度的第一气体对焊料进行降温凝固处理，以完成芯片的贴片过程。本技术实施例提供的芯片贴片方法，通过第一气体加快了芯片连接后焊料的降温速度，无需等待加热平台自身缓慢降温，缩短了焊料降温时间，大大缩短了制程时间，提高了贴片效率。
附图说明
32.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要的说明。应当理解，下面描述的附图仅仅是本技术实施例的一部分附图，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
33.图1和图2是本技术实施例提供的芯片贴片方法的流程示意图；
34.图3至图9是本技术实施例提供的芯片贴片设备的结构示意图；
35.图10是本技术实施例提供的芯片贴片方法的流程示意图。
具体实施方式
36.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。
37.在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本技术可以无需一个或多个这些细节而得以
实施。在其他的例子中，为了避免与本技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
38.在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
39.应当明白，当元件或层被称为“在
……
上”、“与
……
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
……
上”、“与
……
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本技术必然存在第一元件、部件、区、层或部分。
40.空间关系术语例如“在
……
下”、“在
……
下面”、“下面的”、“在
……
之下”、“在
……
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
……
下面”和“在
……
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
41.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
42.随着信息时代的到来，数据传输所需要的带宽越来越大，因此骨干网均使用光纤传输，但光纤进入终端后，仍然需要将光信号转换为电信号。光模块(optical module)是一类能够完成光电信号相互转换功能的模块组件，光模块主要由电路部分和光路部分两大部分组成，其中，电路部分主要用于电信号的处理传输，光路部分主要负责光信号传输。由于在容积及其有限的光模块中需要集成光路部分和电路部分，因此导致光模块中元件密度高。
43.随着芯片带宽逐渐接触到瓶颈，多(芯片)通道成为了部分产品的主流方案，通过多(芯片)通道提高了元件密度。芯片载体和基板上的芯片构筑了半导体激光器和探测器封装的主体，在这类结构中，表面积小于或等于一平方毫米的基板作为主要载体，将表面积更小的芯片通过焊料作为连接媒介将芯片连接到基板上，是产品制程中不可缺少的一个重要工序。由于基板和芯片设计体积小、多样化且缺乏统一规格，所采用的焊料材质也多样化，为保障制程需定制各种不同的温度曲线来进行芯片贴片。
44.相关技术中，在芯片贴片制程中采用的加热方式按照升温方式可分为脉冲加热和
恒温加热。但是无论制程设备采用的是哪种加热方式，芯片贴片过程都是一个先升温再降温的过程。如果采用脉冲加热进行贴片制程，温度曲线可设置得非常复杂，可设置为多段加热，但制程时间长，且脉冲加热需增加额外的设备成本来对温度曲线进行多段温度控制，成本远高于恒温加热。如果采用恒温加热进行制程，温度曲线会非常简单，仅需设置为一个恒定的加热温度即可，无需复杂的多段升温设置，加热组装成本远低于脉冲加热，但需要等待加热平台自身缓慢降温使得芯片贴片结构降温，使得恒温加热的制程时间相对较长，成本较高。
45.基于相关技术中存在的问题，本技术实施例提供一种芯片贴片方法，通过加热平台对基板进行加热，使得基板上的焊料融化后，通过融化的焊料将焊料上的芯片与基板连接，通过具有第一预设速度的第一气体对焊料进行降温凝固处理，以完成芯片的贴片过程。本技术实施例提供的芯片贴片方法，通过第一气体加快了芯片连接后焊料的降温速度，无需等待加热平台自身缓慢降温，缩短了焊料降温时间，大大缩短了制程时间，提高了贴片效率。
46.图1是本技术实施例提供的芯片贴片方法的流程示意图，如图1所示，该方法包括：
47.步骤s101、通过加热平台对基板进行加热，使所述基板上的焊料融化，将所述焊料上的芯片与所述基板连接在一起。
48.这里，基板上的焊料可以是基板上预先设置好的，焊料在基板上的位置可以根据芯片的将要放置的位置进行设置，在基板表面确定的位置放置好焊料后，将芯片放置于焊料上。
49.在一些实施例中，可以先将基板放置在加热平台后，再将焊料和芯片放置在基板对应的位置上，也可以先将焊料和芯片放置在基板对应的位置之后，再将具有焊料和芯片的基板放置于加热平台上，本技术实施例对此不做限制。
50.在本技术实施例中，通过加热平台对基板进行加热时，可以采取恒温加热的方式，即升温至一个固定的温度后维持该温度，完成一次芯片贴片后对加热平台进行降温，或者不对加热平台进行降温，直接进行下一次芯片贴片。这里，可以是通过加热平台对基板进行加热，将温度提升至高于焊料的熔点后，维持该温度使得焊料融化，通过融化的焊料将芯片与基板连接在一起。
51.在一些实施例中，基板可以是金属或者镀金的陶瓷等材料。本技术实施例提供的芯片贴片方法可以是芯片共晶贴片方法，焊料可以是金锡(ausn)、金硅(ausi)或金锗(auge)等共晶合金材料。共晶材料能够在相对较低的温度下发生共晶材料融化，使得共晶合金可以直接从固态变到液态，不经过塑性阶段，从而提高了芯片贴片的效率。
52.步骤s102、通过具有第一预设速度的第一气体对所述焊料进行降温凝固处理，以完成所述芯片的贴片。
53.在本技术实施例中，通过融化的焊料将芯片与基板连接在一起后，通过具有第一预设速度的第一气体对焊料进行降温凝固处理，当焊料凝固后，实现芯片的贴片过程。
54.在一些实施例中，第一气体可以是氮气或氦气等惰性气体，使得第一气体在芯片贴片过程中还可以防止焊料氧化。第一气体的第一预设速度可以是技术人员根据需求设置的，具有第一预设速度的第一气体可以是指气体流速较高的气体，以保证焊料受到第一气体吹拂时，使得焊料温度下降直至焊料凝固；且第一气体本身的化学成分不会与芯片、基板
或焊料产生化学反应。
55.本技术实施例提供的芯片贴片方法，通过加热平台对基板进行加热，使得基板上的焊料融化后，通过融化的焊料将焊料上的芯片与基板连接，通过具有第一预设速度的第一气体对焊料进行降温凝固处理，以完成芯片的贴片过程。本技术实施例提供的芯片贴片方法，通过第一气体加快了芯片连接后焊料的降温速度，无需等待加热平台自身缓慢降温，缩短了焊料降温时间，大大缩短了制程时间，提高了贴片效率。
56.在一些实施例中，在芯片贴片完成后，要将完成芯片贴片的基板从加热平台上取出，以进行下一次芯片贴片制程。基于上述实施例，图2是本技术实施例提供的芯片贴片方法的流程示意图，如图2所示，该方法还包括：
57.步骤s201、在所述基板远离所述加热平台的同时，通过所述具有第二预设速度的第一气体对所述基板进行降温处理。
58.在一些实施例中，在控制基板远离加热平台时，可以控制基板以固定速度缓慢的远离加热平台，以使得基板上的芯片不会晃动，避免造成芯片失效。且在远离加热平台的同时，可以通过具有第二预设速度的第一气体对基板持续进行降温，以使得基板能够快速降温。
59.需要说明的是，第二预设速度可以与第一预设速度相同，也可以与第一预设速度不同。
60.本技术实施例在控制基板远离加热平台的同时，通过具有第二预设速度的第一气体对基板持续进行降温，解决了传统贴片通过自然降温而导致制程时间长的问题，减少了制程时间，提高了贴片效率。
61.在一些实施例中，在进行芯片贴片的过程中，基板被第二气体围绕，以使得所述焊料不被氧化。这里的第二气体可以是指气体流速相对第一气体较低的气体，以使得第二气体不影响加热平台的升温效果，且第二气体的化学成分不会在贴片过程中产生化学反应，以防止芯片贴片过程中焊料发生氧化现象。第二气体可以是氮气或氦气等惰性气体。
62.本技术实施例在进行芯片贴片时，通过第二气体防止焊料氧化，有效地形成洁净、光亮和圆润的焊料表面，使得焊料表面无悬浮氧化物颗粒堆积或粘附，不会造成封装腔体中由于存在可动颗粒物而使器件失效的问题。
63.基于上述实施例，本技术实施例提供一种芯片贴片设备，图3至图9是本技术实施例提供的芯片贴片设备的结构示意图。
64.请参照图3，所述芯片贴片设备30至少包括：加热装置310。
65.其中，所述加热装置310至少包括：
66.加热平台3101，用于对基板3102进行加热，使所述基板3102上的焊料3103融化，将所述焊料3103上的芯片3104与所述基板3102连接在一起。
67.第一喷嘴3105，用于提供具有第一预设速度的第一气体对所述焊料3103进行降温凝固处理，以完成所述芯片的贴片。
68.请继续参照图4，所述芯片贴片设备30在包含加热平台3101和第一喷嘴3105的基础上，还包括：
69.测温单元3106，位于所述加热平台3101上，用于检测所述基板3102的温度。
70.加热块3107，与所述加热平台3101连接，用于通过加热平台3101对基板3102进行
加热。
71.在一些实施例中，测温单元3106可以是温度传感器等能够进行温度检测的设备，通过温度传感器来检测基板3102的温度，以确定温度是否达到焊料的熔点，当基板3102的温度到达焊料熔点时，维持加热平台3101的温度实现加热平台的恒温。
72.在一些实施例中，加热块3107中可以均匀地分布高温电阻丝，在电阻丝的空隙部分致密地填入导热性能和绝缘性能均良好的结晶氧化镁粉，这种结构使得发热块的热效率高且发热均匀，提高了加热装置的加热效率。
73.请继续参照图5，所述芯片贴片设备30还包括：
74.固定单元3108，分别与所述加热平台3101和所述加热装置310的内底板连接，用于固定所述加热平台3101。
75.这里，固定单元3108可以是固定架等能够实现将加热平台3101固定在加热装置310中的结构，本技术实施例对固定单元的具体结构不做限制。
76.请继续参照图6，在所述加热装置310中，设置有贯穿所述加热块3107和所述加热平台3101的通孔(图中未示出)；所述芯片贴片设备30还包括：
77.真空管3109，位于所述通孔内，用于在真空管3109处于真空状态时，将基板3102固定于所述加热平台3101上。
78.真空设备3110，与所述真空管3109连接，用于使得所述真空管3109处于所述真空状态。
79.在一些实施例中，在进行芯片贴片时，将基板3102放置于加热平台3101上具有通孔的区域，通过真空设备3110使得真空管3109处于真空状态，通过处于真空状态的真空管3109将基板3102固定在加热平台3101上，使得在通过第一喷嘴对基板吹拂第一气体时，不会使得基板移动导致贴片失败。
80.通过本技术实施例提供的真空管和真空设备，使得本技术实施例提供的芯片贴片设备在通过加热平台对基板进行加热或降温时，不会出现由于基板位置改变而导致芯片受损的问题。
81.请继续参照图7，所述芯片贴片设备30还包括：加热腔3111，位于所述加热装置中。
82.第二喷嘴3112，位于所述加热腔内，用于所述基板在所述加热腔内被第二气体围绕，以使得所述焊料不被氧化。
83.在一些实施例中，加热装置310所包含的结构都位于加热腔3111中，基板在加热腔中的加热平台上受热完成芯片的贴片过程，在芯片贴片的过程中，加热腔3111中的第二喷嘴3112在加热腔内提供第二气体，使得第二气体充满整个加热腔3111，使得芯片贴片过程中的焊料3103不被氧化。
84.请继续参照图8，所述芯片贴片设备30还包括：
85.取放单元320，与所述加热装置310连接，用于将所述基板3102放置于所述加热平台3101上，并将所述芯片3104放置于所述焊料3103上，通过加热平台3101对基板3102进行加热，以完成芯片的贴片过程。在完成芯片贴片后，通过取放单元320抓取所述基板3102，使得所述基板3102远离所述加热平台3101。
86.在一些实施例中，可以通过取放单元320先将基板3102放置在加热平台3101后，再通过取放单元320将焊料3103和芯片3104放置在基板3012对应的位置上；也可以通过取放
单元320先将焊料3103和芯片3104放置在基板3012对应的位置之后，再通过取放单元320将具有焊料3103和芯片3104的基板3012放置于加热平台3101上，本技术实施例不做限制。
87.在一些实施例中，取放单元可以是通过真空吸附来完成取放的结构，取放单元也可以是机械爪等通过机械装置来完成取放的结构。
88.本技术实施例提供的取放单元可以通过连杆或其他连接结构与加热装置连接来实现取放操作，本技术实施例对连接结构不做限制。
89.在一些实施例中，在完成芯片贴片后，取放单元320将基板3012从加热装置310中取出。请继续参照图8，加热装置310还可以具有一操作门3113，用于取放单元320从加热装置310外部抓取基板3102，并穿过操作门3113将基板3102放入加热平台3101上，或穿过操作门3113将基板3102从加热平台3101取出。
90.在一些实施例中，操作门3113上还可以具有一盖板(图中未示出)，盖板的尺寸与操作门3113的尺寸相同，在加热装置310对基板3101进行加热或降温时，可以将盖板放置于操作门3113上，以使得加热装置的加热腔3111为密闭的加热腔。
91.请继续参照图9，所述芯片贴片设备30还包括：
92.驱动单元330，与所述取放单元320连接，用于驱动所述取放单元320将所述基板3102放置于所述加热平台3101上、将所述芯片3104放置于所述焊料3103上或控制所述基板3102远离所述加热平台3101。
93.控制器340，分别与所述驱动单元330和所述加热装置310连接，用于控制所述驱动单元330通过所述取放单元320将所述基板3102放置于所述加热平台3101上、将所述芯片3104放置于所述焊料3103上或将所述基板3102远离所述加热平台3101，并控制所述加热装置310对所述基板3102进行加热或降温。
94.本技术实施例提供的芯片贴片设备，通过加热平台对基板进行加热，使得基板上的焊料融化后，通过融化的焊料将焊料上的芯片与基板连接，通过具有第一预设速度的第一气体对焊料进行降温凝固处理，以完成芯片的贴片过程。本技术实施例提供的芯片贴片方法，通过第一气体加快了芯片连接后焊料的降温速度，无需等待加热平台自身缓慢降温，缩短了焊料降温时间，大大缩短了制程时间，提高了贴片效率。
95.下面，将说明本技术实施例在一个实际的应用场景中的示例性应用。
96.图10是本技术实施例提供的芯片贴片方法的流程示意图，如图10所示，该方法包括：
97.步骤s111、将平面基板放置于充满低速氛围气的加热台内腔中，使基板上的焊料熔化，完成基板与芯片的连接。
98.在一些实施例中，将平面基板(即基板)装入充满低速氛围气(即第二气体)的加热台(即加热装置)内腔，加热台保持加热状态。
99.吸嘴(即取放单元)将芯片对准基板上需要摆放芯片的位置并将芯片放置到基板表面的焊料区域，加热台持续对基板进行加热使基板上的焊料熔化，完成芯片与基板之间的连接。
100.需要说明的是，加热台保持加热状态以及加热台持续加热，指的是加热温度均为同一恒定加热温度，且该加热温度高于焊料熔点。
101.在一些实施例中，加热台还具有真空管路，真空管路对基板底面通过真空吸附来
将基板固定在加热台中。
102.在一些实施例中，低速氛围气是指满足下面2个条件的气体：1、气体流速较低以保证不影响加热台中真空管路对基板底面的真空吸附效果，且不影响加热台的升温效果；2、低速氛围气本身的化学成分不影响共晶贴片的化学反应，甚至可防止共晶过程中焊料的氧化，例如，低速氛围气可以是氮气或其他满足以上2个条件的气体。
103.这里，焊料是指对应于需要完成贴片过程的基板和芯片之间的连接媒介，根据不同的基板和芯片材质，会有不同的焊料成分，因此，焊料不是特定指某一种成分的焊料。
104.步骤s112、以高速氛围气吹基板上表面，使焊料温度降至低于焊料熔点，完成芯片贴片。
105.在一些实施例中，将设置在加热台内腔平台上方的高速氛围气喷嘴(即第一喷嘴)喷出的高速氛围气(即第一气体)对准基板上表面，通过高速氛围气使基板表面的焊料降温。焊料的温度在高速氛围气的吹拂下降低至焊料的熔点之下，使焊料凝固以完成芯片与基板的连接。
106.这里的高速氛围气是指满足下面2个条件的气体：1、气体流速较高以保证焊料在受到高速气体吹拂时使得焊料温度下降；2、气体本身化学成分不影响共晶贴片的化学反应，甚至可防止贴片过程中焊料氧化。例如，高速氛围气可以是氮气或其他满足以上2个条件的气体。
107.步骤s113、吸嘴将基板以受控的速度向上取出，作芯片保温情况下的缓慢降温。
108.在一些实施例中，吸嘴(即取放单元)将已完成贴片的基板以受控的速度向上取出，实现基板与加热台内腔平台的分离。在基板离开加热台内腔平台的过程中，保持加热台中的高速氛围气和低速氛围气持续吹气，使芯片与基板间连接的焊料在芯片保温状态下缓慢降温。
109.在一些实施例中，吸嘴将基板从加热台内腔取出后，关闭高速氛围气喷嘴，以实现制程设备(即芯片贴片设备)的空载待生产。
110.这里，受控的速度指制程设备设置的吸嘴上升速度，该上升速度是由设备指定并可控的，该速度不可过快，要使吸嘴以较缓慢的速度上升，且在上升过程中，焊料温度持续缓慢下降，使芯片在保温状态下逐渐远离加热台。
111.在一些实施例中，将通过焊料连接在一起的基板和芯片从加热台取出，使制程设备空载后，进入下个循环，重复步骤s111至步骤s113，以使得芯片贴片设备可以完成下一次芯片贴片过程。
112.本技术实施例提供的贴片方法，采用恒温加热的方式对基板进行加热，相比于脉冲加热的方式，无需复杂的多段升温，大大缩短了焊料的升温时间，并且通过高速氛围气吹气的方式加快了芯片连接后焊料的降温速度，无需等待加热台本身缓慢降温，缩短了焊料降温时间，大大缩短了制程时间，提高了工作效率。本技术实施例提供的恒温加热方式，相比于需要增加额外部件控制加热台多段升温的脉冲加热方式，制程设备成本更低，仅需引入低成本的高速氛围气喷嘴即可，相较于脉冲加热方式，共晶贴片的加热组装成本大大降低。
113.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过非目标的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅
为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合。
114.本技术所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或设备实施例。
115.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以权利要求的保护范围为准。