一种三层带状线结构的电路片的制作方法

1.本发明属于电子器件加工领域，涉及一种三层带状线结构的电路片，涉及三层带状线结构的微波双面耦合电桥或双面紧耦合定向耦合器的加工封装。


背景技术：

2.带状线三层结构的双面耦合电桥或双面紧耦合定向耦合器按照常规加工方式，有两个端口微带线朝上，两个朝下，这是由于其双面耦合结构决定的。
3.该结构存在的问题：第一，如果要将带状线三层结构的双面耦合电桥或双面紧耦合定向耦合器通过金丝金带级联的方式装入微波混合集成电路组件内部，装配过程不连续性明显，容易造成电路插损恶化，频带内某些点出现传输坑点；第二，级联比较困难，电路片朝上的部分金丝金带连接很方便，但是朝下的部分就很困难，装配难度大。
4.例如，如图1至图3所示，三层带状线结构的电路片包括上盖电路片100、紧耦合电路片200、下盖电路片300，其中，紧耦合电路片位于上盖电路片和下盖电路片之间。且，所述耦合电路片为双面耦合结构。如图2所示，耦合电路片顶面设有第一端口202和第二端口203，如图3所示，耦合电路片底面设有第三端口205和第四端口206。
5.装配电路片的时候需要先将耦合电路片200的四个端口压上金带204，然后装入三层结构，再将露出来的金带和其它组件的微带线进行级联。这样级联造成的问题是装配步骤复杂，需要先给耦合电路片200压金带，然后装入组件再进行压带，这样不利于快速装配，也不利于控制微波产品的一致性。


技术实现要素：

6.本发明的目的在于，为克服现有技术缺陷，提供了一种三层带状线结构的电路片，通过本电路片的结构设计解决了三层带状线结构双面耦合电桥或者紧耦合耦合器端口共面问题。
7.本发明目的通过下述技术方案来实现：
8.一种三层带状线结构的电路片，所述电路片为三层结构设置，包括上盖电路片、耦合电路片和下盖电路片，所述耦合电路片设置于上盖电路片和下盖电路片之间，并与所述下盖电路片紧耦合；所述耦合电路片的顶面设有第一微带线路，所述耦合电路片的底面包括第二微带线路，所述耦合电路片的侧沿设有突出于电路片的两第一凸起块，所述第一微带线路的两端口分别设置于两第一凸起块的板面之上；所述下盖电路片的侧沿设有突出于电路片的两第二凸起块，所述下盖电路片的顶面设有与第二微带线路共形的第三微带线路，所述第三微带线路的两端口分别设置于两第二凸起块的板面之上，且所述第三微带线路与第二微带线路贴合设置。
9.根据一个优选的实施方式，所述上盖电路片、耦合电路片和下盖电路片采用层压的方式相互连接。
10.根据一个优选的实施方式，所述下盖电路片在所述耦合电路片的两第一凸起块的
相应位置处设有形状相同的凸起板体。
11.根据一个优选的实施方式，所述第一微带线路的两端口分别为第一端口和第二端口，所述第一端口和第二端口分别设置于两第一凸起块的顶面之上。
12.根据一个优选的实施方式，所述第三微带线路的两端口分别为第三端口和第四端口，所述第三端口和第四端口分别设置于两第二凸起块的顶面之上。
13.根据一个优选的实施方式，两第一凸起块与两第二凸起块于电路片上采用错位设置。
14.前述本发明主方案及其各进一步选择方案可以自由组合以形成多个方案，均为本发明可采用并要求保护的方案；且本发明，各非冲突选择之间也可以自由组合。本领域技术人员在了解本发明方案后根据现有技术和公知常识可明了有多种组合，均为本发明所要保护的技术方案，在此不做穷举。
15.本发明的有益效果：本发明三层带状线结构的电路片的结构设计，解决三层带状线结构双面耦合电桥或者紧耦合耦合器端口共面问题，为高密度微波混合集成提供大功率电桥或者紧耦合耦合器。且，带状线大功率定向耦合器、采用多层电路加工和层压结合的方式，有效解决了高频段宽带大功率定向耦合器的小型化封装问题，是现有定向耦合器的封装形式的一种补充。该方式实现的微波大功率定向耦合器具有高频率和易于微波混合集成等特点。
附图说明
16.图1是传统带状线三层结构的双面耦合电桥的电路片的结构示意图；
17.图2是传统电路片中耦合电路片中顶面结构示意图；
18.图3是传统电路片中耦合电路片中底面结构示意图；
19.图4是本发明电路片的上盖电路片的结构示意图；
20.图5是本发明电路片的耦合电路片的顶面结构示意图；
21.图6是本发明电路片的耦合电路片的底面结构示意图；
22.图7是本发明电路片的下盖电路片的顶面结构示意图；
23.图8是本发明电路片的原理结构示意图；
24.其中，100
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上盖电路片，200
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耦合电路片，201
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微带线，202
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第一端口，203
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第二端口，204
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金带，205
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第三端口，206
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第四端口，300
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下盖电路片，400
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上盖电路片，500
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耦合电路片，501
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第一微带线路，502
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第一端口，503
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第二端口，504
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第一凸起块，505
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第二微带线路，600
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下盖电路片，601
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第三微带线路，602
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第三端口，603
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第四端口，604
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第二凸起块。
具体实施方式
25.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
26.在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
27.参考图4至8所示，本发明公开了一种三层带状线结构的电路片，所述电路片为三层结构设置，包括上盖电路片400、耦合电路片500和下盖电路片600。所述耦合电路片500设置于上盖电路片400和下盖电路片600之间，并与所述下盖电路片600紧耦合。
28.优选地，所述上盖电路片400、耦合电路片500和下盖电路片600采用层压的方式相互连接。
29.优选地，所述耦合电路片500的顶面设有第一微带线路501，所述耦合电路片500的底面包括第二微带线路505，所述耦合电路片500的侧沿设有突出于电路片的两第一凸起块504，所述第一微带线路501的两端口分别设置于两第一凸起块504的板面之上。
30.进一步地，所述第一微带线路501的两端口分别为第一端口502和第二端口503，所述第一端口502和第二端口503分别设置于两第一凸起块504的顶面之上。
31.优选地，所述下盖电路片600的侧沿设有突出于电路片的两第二凸起块604，所述下盖电路片600的顶面设有与第二微带线路505共形的第三微带线路601，所述第三微带线路601的两端口分别设置于两第二凸起块604的板面之上，且所述第三微带线路601与第二微带线路505贴合设置。
32.进一步地，所述第三微带线路601的两端口分别为第三端口602和第四端口603，所述第三端口602和第四端口603分别设置于两第二凸起块604的顶面之上。
33.优选地，所述下盖电路片600在所述耦合电路片500的两第一凸起块504的相应位置处设有形状相同的凸起板体。且两第一凸起块504与两第二凸起块604于电路片上采用错位设置。
34.从而，通过采用耦合电路片和下盖电路片均做微带电路的方法可以很巧妙的将原来微带线正反面出头方式进行规避，将电路端口的出头位置均实现了正面输出，即是，解决了三层带状线结构双面耦合电桥或者紧耦合耦合器端口共面问题。并有利于电路片通过层压的加工方式，采用高精度层压和压合技术以及层压粘胶进行控制，金属部分不粘胶、下盖电路片也印制同样的微带电路的方式可以实现很高的双面耦合。
35.实施例1
36.基于高频段宽带微波功率放大器组件对高可靠性、小型易集成化、高合成效率宽带电桥的需求，提出了一种解决三层带状线结构双面耦合电桥或者紧耦合耦合器端口共面问题的三层带状线结构的电路片。采用耦合电路片500正、反面印制微带电路的同时，下盖电路片600也印制微带电路，然后采用高精度定位方式将三层电路片通过层压的加工方式进行一体化加工制造，或者也可以直接采用三片式的压合方法进行装配，完成微带电路的上下紧耦合，实现三层带状线结构的双面耦合电桥或者紧耦合耦合器。
37.采用耦合电路片和下盖板均做微带电路的方法可以很巧妙的将原来微带线正反面出头方式进行规避，将电路端口的出头位置均实现了正面输出，这样有利于层压的加工方式，采用高精度层压和压合技术以及层压粘胶进行控制，金属部分不粘胶、下盖板也印制
同样的微带电路的方式可以实现很高的双面耦合。
38.耦合电路片500的底面层和下盖电路片600的顶面层刚好可以正对，采用高精度对位技术，实现高精度对准，两个微带线(第二微带线路505和第三微带线路601)加工一致性越好、相对互联的对准精度越高该电桥的使用频率就会越高。本来耦合电路片500底面层微带朝下设计，但是和下盖电路片600的顶面层的微带电路朝上的紧密互联两个微带电路实现紧密装配组合就会结合成一个整体，这样耦合电路片500的底面层和下盖电路片600的顶面层自然结成一体，下盖电路片600的顶面层朝上的微带电路也就自然实现了一个过渡。这样一个电路紧贴方式很自然的实现了四个端口的全部朝上。详细见图8，层压电路电桥实现了四个端口全部朝上，可以直接装入组件，然后采用金带直接级联，大幅提升了生产和装配效率。
39.本发明的电桥采用带状线结构，上、中、下三层软基材介质实现的带状线结构，采用带状线结构微波传输特性为tem模式，可以实现低插损；带状线结构的软基材的介电常数大于微带结构，可以实现小型化；采用本发明的方法实现了电桥的四个端口均朝上，解决了传统加工方式电桥两个端口朝上、两个端口朝下的问题，解决了该类电桥在混合集成微波组件中难以集成的问题和集成造成指标下降的问题。
40.本发明设计的新型封装形式的定向耦合器，有利于组件级集成，进行封装集成，最终实现微带线引出式的定向耦合器，该方式可以实现高频率、小型化、大功率定向耦合器，有利于电桥和微带线的混合集成。
41.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。