显示基板及显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。


背景技术：

2.目前，随着手机行业竞争日益激烈，各手机品牌不断追求高发光效率、低功耗、长寿命、高分辨率的oled显示屏来满足其高端旗舰机的市场竞争力，同时满足不同环境下拍摄性能和消费者使用体验，不可避免的对显示屏增加了更严苛的规格。比如：手机显示屏在低灰阶画面下瞬态光电响应过慢，从而影响到产品光电感应器的信号精度，使其无法根据环境亮度来进行补偿和调节。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本公开的目的在于提出一种显示基板及显示装置。
4.基于上述目的，本公开提供了一种显示基板，包括衬底基板以及依次层叠设置于所述衬底基板上的第一电极层、像素界定层、第一发光功能层、第一发光层、第二发光功能层以及第二电极层；所述像素界定层包括第一开口区及用于形成所述第一开口区的像素界定单元，所述第一发光层至少位于所述第一开口区内，所述第一发光功能层、所述第二发光功能层覆盖所述像素界定层和所述第一开口区；所述显示基板还包括：
5.第一阻隔层，设置于所述第一发光功能层及所述第二电极层之间，且所述第一阻隔层在所述衬底基板上的正投影与所述像素界定单元在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠，用于隔离所述第一发光功能层及所述第二电极层以阻隔电子和空穴在所述第一发光层结合。
6.可选的，所述第一发光层的边缘设置于所述像素界定单元上，所述第一阻隔层远离所述第一开口区的一端设置于所述第一发光功能层上，所述第一阻隔层靠近所述第一开口区的一端设置于所述第一发光层与所述第二发光功能层之间。
7.可选的，所述第一发光层的边缘设置于所述像素界定单元上，所述第一阻隔层远离所述第一开口区的一端设置于所述第一发光功能层上，所述第一阻隔层靠近所述第一开口区的一端设置于所述第一发光层与所述第一发光功能层之间。
8.可选的，还包括：
9.第三发光功能层，设置于所述第一发光功能层与所述第一发光层之间且位于所述第一开口区内，所述第三发光功能层的边缘设置于所述像素界定单元上；
10.所述第一阻隔层靠近所述第一开口区的一端设置于所述第一发光功能层与所述第三发光功能层之间；或者，所述第一阻隔层靠近所述第一开口区的一端设置于所述第三发光功能层与所述第一发光层之间。
11.可选的，还包括：
12.第二开口区，设置于所述像素界定层上且与所述第一开口区相邻，与所述第一开口区共用所述第一发光功能层及所述第二发光功能层，且所述像素界定单元设置于所述第
二开口区与所述第一开口区之间；
13.第四发光功能层，设置于所述第一发光功能层与所述第二发光功能层之间且位于所述第二开口区内，所述第四发光功能层的边缘设置于所述像素界定单元上；
14.第二发光层，设置于所述第四发光功能层与所述第二发光功能层之间且位于所述第二开口区内，所述第二发光层的边缘设置于所述像素界定单元上；
15.其中，所述第一阻隔层远离所述第一开口区的一端设置于所述第一发光功能层与所述第四发光功能层之间。
16.可选的，还包括第二阻隔层，其中，
17.所述第二阻隔层设置于所述第四发光功能层与所述第二发光层之间，且所述第二阻隔层在所述衬底基板上的正投影与所述像素界定单元在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠；
18.或者，
19.所述第二阻隔层设置于所述第二发光层与所述第二发光功能层之间，且所述第二阻隔层在所述衬底基板上的正投影与所述像素界定单元在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
20.可选的，所述第二阻隔层设置于所述第一阻隔层与所述第二发光功能层之间，且所述第二阻隔层在所述衬底基板上的正投影与所述第一阻隔层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
21.可选的，所述第一发光功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述第二发光功能层包括电子传输层和/或电子注入层，所述第二阻隔层设置于所述第四发光功能层与所述第二发光层之间，所述第二阻隔层的材料包括用于阻挡空穴的材料或者无机非金属材料；
22.或者，
23.所述第一发光功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述第二发光功能层包括电子传输层和/或电子注入层，所述第二阻隔层设置于所述第二发光层与所述第二发光功能层之间，所述第二阻隔层的材料包括用于阻挡电子的材料或者无机非金属材料。
24.可选的，所述第一阻隔层设置于所述第二发光功能层与所述第二电极层之间。
25.可选的，所述第一发光功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述第二发光功能层包括电子传输层和/或电子注入层，所述第一阻隔层的材料包括用于阻挡电子的材料或者无机非金属材料。
26.可选的，所述第一发光功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述第二发光功能层包括电子传输层和/或电子注入层，所述第一阻隔层的材料包括用于阻挡空穴的材料或者无机非金属材料。
27.可选的，所述第一阻隔层包括环绕所述第一开口区的环形结构。
28.可选的，所述环形结构设置有多个缺口，以将所述第一阻隔层分割为多个独立的阻隔单元。
29.可选的，所述第一发光层的材料包括绿色有机发光材料。
30.本公开还提供了一种一种显示装置，包括如上述任一项所述的显示基板。
31.从上面所述可以看出，本公开提供的显示基板及显示装置，通过在第一发光功能
层与第二电极层之间设置第一阻隔层，且将该第一阻隔层设置于像素界定单元上，通过第一阻隔层阻隔电子和空穴在第一发光层结合，从而降低像素界定层上的发光强度；当阳极层上的驱动电压撤掉时瞬态光电响应时间可以减少至很小，从而保证显示基板正常工作状态的高发光效率和低功耗下，提高了光电感应器件对显示基板的补偿精度。
附图说明
32.为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1为相关技术中显示基板结构示意图；
34.图2为相关技术中显示基板像素界定层上发光的显微镜图；
35.图3为相关技术中像素界定层与像素区域的俯视图；
36.图4为本公开实施例所述显示基板的第一实施例的结构示意图；
37.图5为本公开实施例显示基板像素界定层上发光的显微镜图；
38.图6为本公开实施例像素界定层上发光与瞬态响应时间关系示意图；
39.图7为本公开实施例所述显示基板的第二实施例的结构示意图；
40.图8为本公开实施例所述显示基板的第三实施例的结构示意图；
41.图9为本公开实施例所述显示基板的第四实施例的结构示意图；
42.图10为本公开实施例所述显示基板的第五实施例的结构示意图；
43.图11为本公开实施例所述显示基板的第六实施例的结构示意图；
44.图12为本公开实施例所述显示基板的第七实施例的结构示意图；
45.图13为本公开实施例所述显示基板的第八实施例的结构示意图；
46.图14为本公开实施例所述显示基板的第九实施例的结构示意图；
47.图15为本公开实施例像素界定层与像素区域的俯视图。
具体实施方式
48.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
49.需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
50.如图1所示，oled显示基板包括衬底基板100以及依次层叠设置于衬底基板100上的阳极层(anode)1’、像素界定层(pdl)2、空穴传输层(htl)3、有机发光层(eml)51’、电子传
输层(etl)6以及阴极层(ctd)7’，其中阳极层1’包括多个阳极单元，像素界定层2上设置有多个开口区。
51.由于工艺制作等原因，采用蒸镀工艺等方法形成有机发光层51’时，有机发光层51’不会完全形成于开口区内，有机发光层51’的边缘会形成于像素界定层2上，如图1所示。
52.以一个子像素单元为例，当点亮显示基板时，该子像素单元对应的阳极层1’上被施加一定电压，阳极层1’上的空穴和阴极层7’上的电子在电场作用下运动到有机发光层51’，相互结合产生激子从而发光。在这个过程中，部分空穴会沿着有机层之间的界面迁移到像素界定层2的上方，与阴极层7’迁移的电子发生结合，在像素界定层2上发光。
53.当撤掉阳极层1’上的电压时，阳极层1’的电压与阴极层7’的电压相同，此时阳极层1’上方的空穴和电子迅速消耗，不再发光。但像素界定层2上方的电荷不会被控制，使得像素界定层2上方的空穴和电子并不会快速的消耗掉，只能缓慢的继续结合并通过发光和发热的形式释放，因此像素界定层2上方会继续发出光，如图2所示，即导致瞬态光电响应过慢。图3示出了像素界定层2以及像素区域的俯视图，图2中发光位置与形状与图3中像素界定层2的位置、形状对应。
54.为了实现对oled显示基板的电流和亮度的外部补偿，一般会在显示基板的背光面设置光电感应器件，通过光电感应器件感应外界自然光从而计算外部补偿信息，从而可以根据不同环境亮度调节显示装置的亮度、色彩等。由于光电感应器件通常贴附于显示基板的背光面，而阳极层1’所在区域会将外界环境光反射出去，因此外界环境光主要通过两个阳极单元之间的像素界定层2处透过后被光电感应器件吸收。而由于撤掉阳极层1’上的电压后像素界定层2上方仍会发光，此时光电感应器件不仅能够感应到外界环境光，还能够感应到像素界定层2上方的发光，而像素界定层2上的发光会影响光电感应器件的信号精度，使得光电感应器件无法准确的感应到外界环境光，也就无法根据环境亮度实现ic补偿。
55.这个过程会很大程度的制约显示装置对于电流和亮度的外部补偿，降低了对显示装置的补偿精度，从而导致不同环境亮度下的屏幕色彩无法补偿和调节。
56.基于上述原因，本公开实施例提供一种显示基板，能够降低显示基板在低灰阶画面下的瞬态光电响应时间，从而提高对显示装置的补偿精度。如图4所示，所述显示基板包括衬底基板100以及依次层叠设置于所述衬底基板100上的第一电极层1、像素界定层2、第一发光功能层3、第一发光层51、第二发光功能层6以及第二电极层7。
57.第一电极层1为阳极层，阳极层可包括多个阳极单元；第二电极层7为阴极层，阴极层为覆盖整个显示基板的完整膜层结构。阳极层的材料可以为氧化铟锡(indium tin oxide，ito)、氧化铟锌(indium zinc oxide，izo)或掺铝氧化锌(aluminum
‑
doped zinc oxide，zno:al)等金属氧化物。阴极层的材料可以为金属钼(mo)、金属铜(cu)、金属铝(al)、金属钛(ti)及其合金材料。
58.所述像素界定层2设置有多个开口区，每个开口区用于形成一个子像素单元。如图4所示，像素界定层2包括第一开口区101及用于形成所述第一开口区101的像素界定单元201，所述第一发光层51至少位于所述第一开口区101内。像素界定层2的材料可以为有机树脂等透明有机材料，或者像素界定层2的材料可以为sio
x
、sin
x
、al2o3或sio
x
n
x
等透明无机材料。
59.第一发光层(emission layer，eml)51至少位于第一开口区101中，第一发光层51
的材料可以为电致发光材料，例如可以为有机电致发光材料。
60.第一发光功能层3可以包括空穴传输层(hole injection layer，hil)和/或空穴注入层(hole transportlayer，htl)。即，第一发光功能层3可以仅包括空穴传输层，或者第一发光功能层3仅包括空穴注入层，或者第一发光功能层3同时包括空穴传输层以及空穴注入层。其中，空穴传输层的材料例如可以为pedot/pss(聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)，空穴注入层的材料例如可以为四氟四氰基醌二甲烷。
61.第二发光功能层6可以包括电子传输层(electron transport layer，etl)和/或电子注入层(electron injection layer，eil)。即第二发光功能层6可以仅包括电子传输层，或者第二发光功能层6可以仅包括电子注入层，或者第二发光功能层6同时包括电子传输层及电子注入层。其中，电子传输层的材料例如可以为8
‑
羟基喹啉
‑
锂，电子注入层的材料例如可以为香豆素545t。
62.在本实施例中，所述第一发光功能层3、所述第二发光功能层6作为显示基板的共用膜层，覆盖所述像素界定2层和所述第一开口区101。
63.如图4所述，在本实施例中，所述显示基板还包括第一阻隔层9。其中，第一阻隔层9设置于所述第一发光功能层3及所述第二电极层7之间且位于所述像素界定单元201上，同时所述第一阻隔层9在所述衬底基板100上的正投影与所述像素界定单元201在所述衬底基板100上的正投影至少部分交叠，从而可以通过第一阻隔层9将第一发光功能层3与第二电极层7在像素界定单元201上方部分隔离或完全隔离。第一阻隔层9用于隔离所述第一发光功能层3及所述第二电极层7从而可以阻隔电子和空穴在所述第一发光层51结合。第一阻隔层9采用能够阻隔电子或者空穴的材料形成，第一阻隔层9设置于第一发光功能层3与第二电极层7之间，从而能够阻挡电子或者空穴的透过，防止电子或空穴传输至第一发光层51结合，从而可以极大降低像素界定单元201上的发光强度，如图5所示。这样整个显示基板的瞬态光电响应只由阳极层上方的发光器件而决定，当阳极层上的驱动电压撤掉时瞬态光电响应时间可以减少至很小，如图6所示。从而在保证显示基板正常工作状态的高发光效率和低功耗下，提高了光电感应器件对显示基板的补偿精度。
64.本公开实施例所述显示基板，通过在第一发光功能层与第二电极层之间设置第一阻隔层，且将该第一阻隔层设置于像素界定单元上，通过第一阻隔层阻隔电子和空穴在第一发光层结合，从而降低像素界定层上的发光强度；当阳极层上的驱动电压撤掉时瞬态光电响应时间可以减少至很小，从而保证显示基板正常工作状态的高发光效率和低功耗下，提高了光电感应器件对显示基板的补偿精度。
65.可选的，在上述实施例中，第一电极层1也可以为阴极层，第二电极层7也可以为阳极层；相应的，第一发光功能层3可以包括电子传输层和/或电子注入层，第二发光功能层6可以包括空穴传输层和/或空穴注入层，本公开实施例对此不作限制。
66.在一些实施例中，如图4所示，所述第一发光层51的边缘设置于所述像素界定单元201上。即采用蒸镀工艺沉积第一发光层51时，由于工艺制作等原因，第一发光层51的边缘会延伸至像素界定单元201上。所述第一阻隔层9远离所述第一开口区101的一端设置于所述第一发光功能层3上，所述第一阻隔层9靠近所述第一开口区101的一端设置于所述第一发光层51与所述第二发光功能层6之间。
67.如图4所示，第一阻隔层9远离第一开口区101的一端且靠近衬底基板100的一侧，
与第一发光功能层3远离衬底基板100的一侧在像素界定单元201上连接。即当显示基板还包括与第一开口区101相邻的第二开口区102时，第一阻隔层9远离第一开口区101的一端设置于第一发光功能层3与第二发光层52之间，其中第二发光层52形成于第二开口区102内，且第二发光层52的边缘设置于像素界定单元201上，像素界定单元201设置于第一开口区101与第二开口区102之间。
68.本实施例中，当完成第一开口区101内第一发光层51的蒸镀后，在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料，从而形成第一阻隔层9的膜层结构。这样，将像素界定单元201上方的第一发光层51与第二发光功能层6阻隔开。以第一发光功能层3为空穴传输层、第二发光功能层6为电子传输层为例，当点亮第一开口区101对应的子像素单元时，部分空穴仍然会沿着有机层之间的界面迁移到像素界定单元201上方，但是由于第一阻隔层9的设置，电子无法穿过第一阻隔层9，从而使得电子和空穴无法在第一发光层51上结合，从而可以极大的降低像素界定单元201上方的发光强度。
69.可选的，如图7所示，当第一开口区101内还可以设置有第三发光功能层41，第三发光功能层41设置于所述第一发光功能层3与所述第一发光层51之间。其中，第三发光功能层41与第一发光功能层3的作用类似，均为用于实现空穴传输层和/或空穴注入层的功能的膜层。
70.可选的，本实施例中，当第一发光功能层3为空穴传输层和/或空穴注入层，且第二发光功能层6为电子传输层和/或电子注入层，且第一阻隔层9远离第一开口区101的一端设置于第一发光功能层3上，第一阻隔层9靠近第一开口区101的一端设置于第一发光层51与第二发光功能层6之间时，第一阻隔层9用于阻隔电子的通过，因此第一阻隔层9的材料可以选择用于阻挡电子的材料，例如类似电子阻挡层的材料；或者可以选择导电性能较差甚至不导电的无机非金属材料，从而可以阻挡电子穿过第一阻隔层9与空穴在第一发光层51上结合。
71.可选的，形成第一阻隔层9之后，再形成其他子像素的发光层，例如第二开口区102内的第二发光层52；全部子像素单元的发光层形成后，再形成第二发光功能层6以及第二电极层7等结构。
72.在一些实施例中，所述第一发光层51的边缘设置于所述像素界定单元201上，所述第一阻隔层9远离所述第一开口区101的一端设置于所述第一发光功能层3上，即第一阻隔层9远离第一开口区101的一端且靠近衬底基板100的一侧，与第一发光功能层3远离衬底基板100的一侧在像素界定单元201上连接。所述第一阻隔层9靠近所述第一开口区101的一端设置于所述第一发光层51与所述第一发光功能层3之间。
73.本实施例中，当完成第一发光功能层3的蒸镀后，在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料，从而形成第一阻隔层9的膜层结构，之后再形成第一发光层51。这样，将像素界定单元201上方的第一发光功能层3与第一发光层51阻隔开。以第一发光功能层3为空穴传输层、第二发光功能层6为电子传输层为例，当点亮第一开口区101对应的子像素单元时，空穴被第一阻隔层9阻隔从而可以降低像素界定单元201上方空穴的浓度，进而减少电子空穴无法在第一发光层51上结合，从而可以极大的降低像素界定单元201上方的发光强度。
74.在一些可选实施例中，如图8所示，所述显示基板还包括第三发光功能层41。第三
发光功能层41设置于所述第一发光功能层3与所述第一发光层51之间且位于所述第一开口区101内，且所述第三发光功能层41的边缘设置于所述像素界定单元201上。其中，第三发光功能层41的作用与第一发光功能层3的作用类似，均用于实现空穴传输层和/或空穴注入层的功能。第三发光功能层41与第一发光功能层3的区别在于：第三发光功能层41为针对该子像素单元设置的用于实现空穴传输层和/或空穴注入层的功能的膜层结构，例如当第一开口区101内形成绿色子像素即第一发光层51为绿色发光层(gmel)时，第三发光功能层41也相应为用于实现绿色像素的空穴传输层和/或空穴注入层的功能膜层g’。
75.可选的，显示基板包括第三发光功能层41时，第一阻隔层9远离第一开口区101的一端仍设置于第一发光功能层3上，所述第一阻隔层9靠近所述第一开口区101的一端设置于所述第一发光功能层3与所述第三发光功能层41之间；或者，所述第一阻隔层9靠近所述第一开口区101的一端设置于所述第三发光功能层41与所述第一发光层51之间。
76.如图8所示，当第一开口区101内还设置有第三发光功能层41时，第一阻隔层9远离第一开口区101的一端仍设置于第一发光功能层3上，第一阻隔层9靠近第一开口区101的一端设置于第一发光功能层3与第三发光功能层41之间。这样，当完成第一发光功能层3的蒸镀后，在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料，从而形成第一阻隔层9的膜层结构，之后再依次形成第三发光功能层41及第一发光层51，从而通过第一阻隔层9将像素界定单元201上方的第一发光功能层3与第一发光层51阻隔开。以第一发光功能层3为空穴传输层、第二发光功能层6为电子传输层为例，当点亮第一开口区101对应的子像素单元时，空穴被第一阻隔层9阻隔从而可以降低像素界定单元201上方空穴的浓度，进而减少电子空穴在第一发光层51上结合，从而可以极大的降低像素界定单元201上方的发光强度。
77.可选的，本实施例中，第一阻隔层9不仅可以阻挡来自第一开口区101的空穴，同时还可以阻挡来自第二开口区102的空穴，从而不仅可以降低第一发光层51的边缘在像素界定单元201上的发光强度，同时还可以降低第二发光层52的边缘在像素界定单元201上的发光强度。
78.如图9所示，当第一开口区101内还设置有第三发光功能层41时，第一阻隔层9远离第一开口区101的一端仍设置于第一发光功能层3上，第一阻隔层9靠近第一开口区101的一端设置于第三发光功能层41与第一发光层51之间。这样，当完成第一发光功能层3以及第三发光功能层41的蒸镀后，在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料，从而形成第一阻隔层9的膜层结构，之后再形成第一发光层51，从而通过第一阻隔层9将像素界定单元201上方的第一发光功能层3与第一发光层51阻隔开。以第一发光功能层3为空穴传输层、第二发光功能层6为电子传输层为例，当点亮第一开口区101对应的子像素单元时，部分空穴仍然会沿着有机层之间的界面迁移到像素界定单元201上方，但是由于第一阻隔层9的设置，空穴无法通过第一阻隔层9后与电子在第一发光层51上结合，从而可以极大的降低像素界定单元201上方的发光强度。
79.可选的，在上述实施例中，当第一发光功能层3为空穴传输层和/或空穴注入层，且第二发光功能层6为电子传输层和/或电子注入层，且第一阻隔层9远离第一开口区101的一端设置于第一发光功能层3上时，第一阻隔层9靠近第一开口区101的一端无论设置于第一发光功能层3与第三发光功能层41之间，还是设置于第三发光功能层41与第一发光层51之
间，第一阻隔层9均用于阻隔空穴的通过，因此第一阻隔层9的材料可以选择用于阻挡空穴的材料，例如类似空穴阻挡层的材料；或者可以选择导电性能较差甚至不导电的无机非金属材料，从而可以阻挡空穴穿过第一阻隔层9与电子在第一发光层51上结合。
80.在另一些实施例中，如图10所示，所述第一阻隔层9设置于所述第二发光功能层6与所述第二电极层7之间。本实施例中，当完成第二发光功能层6等膜层的蒸镀后，在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料，从而形成第一阻隔层9的膜层结构，之后再形成第二电极层7即阴极层，从而通过第一阻隔层9将像素界定单元201上方的第二发光功能层6与阴极层阻隔开。以第一发光功能层3为空穴传输层、第二发光功能层6为电子传输层为例，当点亮第一开口区101对应的子像素单元时，通过第一阻隔层9阻挡阴极层中的电子向第一发光层51的方向传输，从而降低像素界定单元201上方的电子的浓度，进而减少电子空穴在第一发光层51上的结合，从而可以极大的降低像素界定单元201上方的发光强度。可选的，本实施例中，第一阻隔层9用于阻隔电子的通过，因此第一阻隔层9的材料可以选择用于阻挡电子的材料，例如类似电子阻挡层的材料；或者可以选择导电性能较差甚至不导电的无机非金属材料，从而可以阻挡电子穿过第一阻隔层9与空穴在第一发光层51上结合。
81.可选的，本实施例中，第一阻隔层9不仅可以阻挡电子与来自第一开口区101的空穴在第一发光层51上结合，同时还可以阻挡电子与来自第二开口区102的空穴在第二发光层52上结合，从而不仅可以降低第一发光层51的边缘在像素界定单元201上的发光强度，同时还可以降低第二发光层52的边缘在像素界定单元201上的发光强度。
82.在本公开的一些实施例中，所述显示基板还包括第二开口区102、第四发光功能层42以及第二发光层52。如图4、图7、图8、图9、图10所示，第二开口区102设置于所述像素界定层2上且与所述第一开口区101相邻，第二开口区102与所述第一开口区101共用所述第一发光功能层3、所述第二发光功能层6以及第二电极层，且所述像素界定单元201设置于所述第二开口区102与所述第一开口区101之间。
83.第四发光功能层42设置于所述第一发光功能层3与所述第二发光功能层6之间且位于所述第二开口区102内，所述第四发光功能层6的边缘设置于所述像素界定单元201上。第二发光层52设置于所述第四发光功能层42与所述第二发光功能层6之间且位于所述第二开口区102内，所述第二发光层52的边缘设置于所述像素界定单元201上。其中，所述第一阻隔层9远离所述第一开口区101的一端设置于所述第一发光功能层3与所述第四发光功能层42之间。
84.可选的，本实施例中，第二发光层52可以与第一发光层51相同，即二者可采用相同颜色有机发光材料制作；第二发光层52也可以与第一发光层51不相同，即二者也可采用不同颜色有机发光材料制作。
85.本实施例中，在形成显示基板上不同的子像素单元时，一般会先制作完成一种子像素单元后，再进行另一种子子像素单元的制作。例如，当第一开口区101用于形成第一子像素单元，第二开口区102用于形成第二子像素单元，且第一子像素单元与第二子像素单元为不同的子像素单元时：假设先制作第一子像素单元，则在像素界定层2上形成共用的第一发光功能层3后，先依次形成第一开口区101内的第三发光功能层41、第一发光层51之后，再依次形成第二开口区102内的第四发光功能层42、第二发光层52，之后再形成共用的第二发
光功能层6以及第二电极层7。这样，在形成第一阻隔层9时，由于第四发光功能层42、第二发光层52均未形成，因此形成的第一阻隔层9靠近第二开口区102的一端，也即第一阻隔层9远离第一开口区101的一端即直接形成于第一发光功能层3上，当在第二开口区102内形成第四发光功能层42后，第一阻隔层9远离第一开口区101的一端即位于第一发光功能层3与第四发光功能层42之间。
86.可选的，若改变子像素单元的制作工艺步骤，例如若在第三发光功能层41形成后形成第四发光功能层42，则第一阻隔层9远离第一开口区101的一端也可位于第四发光功能层42与第二发光层52之间，本公开实施例对此不作限制。
87.在一些实施例中，所述显示基板还包括第二阻隔层。如图11、图12所示，第二阻隔层10设置于所述第四发光功能层42与所述第二发光层52之间且位于所述像素界定单元201上，同时，所述第二阻隔层10在所述衬底基板100上的正投影与所述像素界定单元201在所述衬底基板100上的正投影至少部分交叠，从而可以通过第二阻隔层10将第四发光功能层42与第二发光层52在像素界定单元201上方部分隔离或完全隔离。
88.或者，如图13、图14所示，第二阻隔层10设置于所述第二发光层52与所述第二发光功能层6之间且位于所述像素界定单元201上，同时，所述第二阻隔层10在所述衬底基板100上的正投影与所述像素界定单元201在所述衬底基板100上的正投影至少部分交叠，从而可以通过第二阻隔层10将第二发光层52与第二发光功能层6在像素界定单元201上方部分隔离或完全隔离。
89.本实施例中，通过第二阻隔层10的设置，可以阻隔像素界定单元201上来自第二开口区102中电子与空穴在第二发光层52结合，从而可以进一步降低像素界定单元201上方的发光强度。同时，当显示基板上各个子像素单元之间的像素界定单元201均需要设置阻隔层时，可通过第一阻隔层9与第二阻隔层10的配合设置实现阻隔层的设置。
90.可选的，所述第二阻隔层10设置于所述第一阻隔层9与所述第二发光功能层6之间，且所述第二阻隔层10在所述衬底基板100上的正投影与所述第一阻隔层9在所述衬底基板100上的正投影至少部分交叠，从而可以通过第一阻隔层9与第二阻隔层10的配合设置，更好的阻隔像素界定单元201上放电子与空穴的结合。
91.其中，当所述第一发光功能层3包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述第二发光功能层6包括电子传输层和/或电子注入层时：若所述第二阻隔层10设置于所述第四发光功能层52与所述第二发光层52之间，则所述第二阻隔层10用于阻挡空穴，因此所述第二阻隔层10的材料包括用于阻挡空穴的材料或者无机非金属材料；或者，若所述第二阻隔层10设置于所述第二发光层52与所述第二发光功能层6之间，则所述第二阻隔层10用于阻挡电子，因此所述第二阻隔层10的材料包括用于阻挡电子的材料或者无机非金属材料。
92.如图11所示，第一阻隔层9远离第一开口区101的一端设置于第一发光功能层3与第四发光功能层42之间，第一阻隔层9靠近第一开口区101的一端设置于第三发光功能层41与第一发光层51之间，第二阻隔层10设置于第四发光功能层42与第二发光层52之间。本实施例中，在第一开口区101内形成第一发光功能层3以及第三发光功能层41之后，在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料以形成第一阻隔层9，再在第一开口区101内形成第一发光层51；再在第二开口区102内形成第四发光功能层42，此时第四发光功能层42的边缘会覆盖部分第一阻隔层9，之后在像素界定单元201
上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料以形成第二阻隔层10，之后再形成第二发光层52等结构。本实施例中，当所述第一发光功能层3包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述第二发光功能层6包括电子传输层和/或电子注入层时，由于第一阻隔层9、第二阻隔层10均用于阻挡空穴的穿过，因此第一阻隔层9、第二阻隔层10材料均可以选择用于阻挡空穴的材料，例如类似空穴阻挡层的材料；或者可以选择导电性能较差甚至不导电的无机非金属材料，从而可以阻挡空穴穿过第一阻隔层9、第二阻隔层10与电子在第一发光层51、第二发光层52上结合，从而可以极大的降低像素界定单元201上方的发光强度。
93.可选的，本实施例中，通过第一阻隔层9阻挡来自第一开口区101的空穴，通过第二阻隔层10阻挡来自第二开口区102的空穴，从而不仅可以降低第一发光层51的边缘在像素界定单元201上的发光强度，同时还可以降低第二发光层52的边缘在像素界定单元201上的发光强度。
94.如图12所示，第一阻隔层9远离第一开口区101的一端设置于第一发光功能层3与第四发光功能层42之间，第一阻隔层9靠近第一开口区101的一端设置于第一发光层51与第二发光功能层6之间，第二阻隔层10设置于第四发光功能层42与第二发光层52之间。本实施例中，在第一开口区101内形成第一发光功能层3、第三发光功能层41以及第一发光层51之后，在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料以形成第一阻隔层9；再在第二开口区102内形成第四发光功能层42，此时第四发光功能层42会覆盖部分第一阻隔层9，之后像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料以形成第二阻隔层10，之后再形成第二发光层52等结构。本实施例中，当所述第一发光功能层3包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述第二发光功能层6包括电子传输层和/或电子注入层时，由于第一阻隔层9用于阻挡电子的穿过，第二阻隔层10均用于阻挡空穴的穿过，因此第一阻隔层9可以选择用于阻挡电子的材料，例如类似电子阻挡层的材料；或者可以选择导电性能较差甚至不导电的无机非金属材料，从而可以阻挡电子穿过第一阻隔层9与空穴在第一发光层51上结合。第二阻隔层10材料可以选择用于阻挡空穴的材料，例如类似空穴阻挡层的材料；或者可以选择导电性能较差甚至不导电的无机非金属材料，从而可以阻挡空穴穿过第二阻隔层10与电子在第二发光层52上结合，从而可以极大的降低像素界定单元201上方的发光强度。
95.可选的，本实施例中，通过第一阻隔层9阻挡电子，从而防止电子与来自第一开口区101的空穴在第一发光层51上结合；通过第二阻隔层10阻挡来自第二开口区102的空穴，从而防止空穴与电子在第二发光层52上结合，从而不仅可以降低第一发光层51的边缘在像素界定单元201上的发光强度，同时还可以降低第二发光层52的边缘在像素界定单元201上的发光强度。
96.如图13所示，第一阻隔层9远离第一开口区101的一端设置于第一发光功能层3与第四发光功能层42之间，第一阻隔层9靠近第一开口区101的一端设置于第三发光功能层41与第一发光层51之间，第二阻隔层10设置于第二发光层52与第二发光功能层6之间。本实施例中，在第一开口区101内形成第三发光功能层41之后，在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料以形成第一阻隔层9，再在第一开口区101内形成第一发光层51；再在第二开口区102内依次形成第四发光功能层42、第二发光层
52，此时第四发光功能层42的边缘会覆盖部分第一阻隔层9，之后在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料以形成第二阻隔层10。本实施例中，当所述第一发光功能层3包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述第二发光功能层6包括电子传输层和/或电子注入层时，由于第一阻隔层9用于阻挡空穴的穿过，第二阻隔层10用于阻挡电子的穿过，因此第一阻隔层9的材料可以选择用于阻挡空穴的材料，例如类似空穴阻挡层的材料；或者可以选择导电性能较差甚至不导电的无机非金属材料，从而可以阻挡空穴穿过第一阻隔层9与电子在第一发光层51上结合。第二阻隔层10可以选择用于阻挡电子的材料，例如类似电子阻挡层的材料；或者可以选择导电性能较差甚至不导电的无机非金属材料，从而可以阻挡电子穿过第二阻隔层10与空穴在第二发光层52上结合，从而可以极大的降低像素界定单元201上方的发光强度。
97.可选的，本实施例中，通过第一阻隔层9阻挡来自第一开口区101的空穴，从而防止空穴与电子在第一发光层51上结合；通过第二阻隔层10阻挡电子，从而防止电子与来自第二开口区102的空穴在第二发光层52上结合，从而不仅可以降低第一发光层51的边缘在像素界定单元201上的发光强度，同时还可以降低第二发光层52的边缘在像素界定单元201上的发光强度。
98.如图14所示，第一阻隔层9远离第一开口区101的一端设置于第一发光功能层3与第四发光功能层42之间，第一阻隔层9靠近第一开口区101的一端设置于第一发光层51与第二发光功能层6之间，第二阻隔层10设置于第二发光层52与第二发光功能层6之间。本实施例中，在第一开口区101内形成第一发光功能层3、第三发光功能层41以及第一发光层51之后，在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料以形成第一阻隔层9；再在第二开口区102内依次形成第四发光功能层42、第二发光层52，此时第四发光功能层42会覆盖部分第一阻隔层9，之后在像素界定单元201上方使用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料以形成第二阻隔层10。本实施例中，当所述第一发光功能层3包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述第二发光功能层6包括电子传输层和/或电子注入层时，由于第一阻隔层9及第二阻隔层10均用于阻挡电子的穿过，因此第一阻隔层9及第二阻隔层10可以选择用于阻挡电子的材料，例如类似电子阻挡层的材料；或者可以选择导电性能较差甚至不导电的无机非金属材料，从而可以阻挡电子穿过第一阻隔层9、第二阻隔层10与空穴在第一发光层51、第二发光层52上结合，从而可以极大的降低像素界定单元201上方的发光强度。
99.可选的，本实施例中，通过第一阻隔层9、第二阻隔层10阻挡电子，从而防止电子与来自第一开口区101及第二开口区102的空穴在第一发光层51、第二发光层52上结合，从而不仅可以降低第一发光层51的边缘在像素界定单元201上的发光强度，同时还可以降低第二发光层52的边缘在像素界定单元201上的发光强度。
100.在一些实施例中，所述第一阻隔层9包括环绕所述第一开口区101的环形结构，从而可以保证第一阻隔层9可以更好地阻隔第一开口区101周围的像素界定层上电子与空穴的结合。可选的，第二阻隔层10也包括环绕所述第二开口区102的环形结构，从而可以保证第二阻隔层10可以更好地阻隔第二开口区102周围的像素界定层上电子与空穴的结合。
101.在一些可选的实施例中，所述环形结构设置有多个缺口，以将所述第一阻隔层9分割为多个独立的阻隔单元。如图15所示，当第一阻隔层9被分割为多个独立的阻隔单元时，
采用高精度金属掩膜板(fine metal mask，fmm)蒸镀阻隔材料时，fmm为完整的结构，因此通过在第一阻隔层9设置缺口第一阻隔层9分割为多个独立的阻隔单元时，更容易通过fmm实现第一阻隔层9的蒸镀。可选的，第二阻隔层10也包括多个缺口，以将所述第二阻隔层10分割为多个独立的阻隔单元。
102.可选的，如图15所示，第一阻隔层9被分割为四个独立的阻隔单元，且每个阻隔单元均与其他开口区的阻隔单元靠近。即在制作第一阻隔层9时，缺口尽量形成于不与其他开口区靠近的位置，从而可以保证阻隔电子与空穴的结合的效果更好。可选的，第二阻隔层10也可以具有同样的结构。
103.可选的，在上述实施例中，像素界定单元201为梯形结构，且梯形结构较长的下底靠近衬底基板100设置，较短的上底靠近第二电极层7设置。
104.在一些实施例中，第一阻隔层9在衬底基板100上的正投影与像素界定单元201的上底在衬底基板100上的正投影重合，从而既能保证显示基板正常工作亮度下的发光效率、功耗等需求，又能提高显示装置的光电感应器件接收信号的精度。可选的，在有需要的情况下，第一阻隔层9在衬底基板100上的正投影也可以略大于或者略小于像素界定单元201的上底在衬底基板100上的正投影。
105.可选的，当还设置有第二阻隔层10时，第二阻隔层10与第一阻隔层9结合后在衬底基板100上的正投影与像素界定单元201的上底在衬底基板100上的正投影重合，从而既能保证显示基板正常工作亮度下的发光效率、功耗等需求，又能提高显示装置的光电感应器件接收信号的精度。可选的，在有需要的情况下，第一阻隔层9与第二阻隔层10结合后在衬底基板100上的正投影也可以略大于或者略小于像素界定单元201的上底在衬底基板100上的正投影。
106.在另一些可选的实施例中，所述第一发光层51的材料包括绿色有机发光材料，即第一开口区101用于形成绿色子像素单元。由于绿色有机材料发光效率更高，因此本实施例中可以仅在绿色子像素单元周边的像素界定层上设置第一阻隔层9。
107.可选的，第一发光层51的材料也可以包括蓝色有机发光材料、红色有机发光材料或者白色有机发光材料中的这一种或多种。即本公开实施例中，可以仅对一种颜色的子像素单元设置第一阻隔层9，也可以对多种像素单元设置第一阻隔层9，或者也可以对全部的子像素单元设置第一阻隔层9，本公开实施例对此不作限制。
108.可选的，本实施例中，可以通过第二阻隔层10与第一阻隔层9配合使用，实现对一种或多种子像素单元设置阻隔层，本公开实施例对此不作限制。
109.基于同一发明构思，与上述任意实施例所述显示基板相应的，本公开还提供一种显示装置，该显示装置包括如上述任一项实施例所述的显示基板。该显示装置包括上述任一项实施例所述的显示基板，具有与显示基板相应的实施例的有益效果，在此不再赘述。
110.需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
111.需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为
在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
112.所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本公开实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
113.本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。