有机电致发光器件、显示面板及显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种有机电致发光器件、包括该有机电致发光器件的显示面板及包括该显示面板的显示装置。


背景技术：

2.oled(organic light
‑
emitting diode，有机发光二极管)显示面板因其具有广色域、功耗低、可卷绕、结构轻薄等特点被广泛应用于目前的显示及照明领域，大有全面取代lcd(liquid crystal display，液晶显示器)的趋势；但oled对比lcd的一个不可回避的缺点即为显示色差及色偏问题，因为oled目前通常采用rgb(红绿蓝)三原色复合(即显示需要rgb三种器件发光)，而lcd为背光板通过液晶分子调节出光强度以实现不同亮度显示；因此lcd的亮度随电流密度曲线对比oled更加接近于线性，这也是oled显示色差及色偏较大的原因。
3.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

4.本公开的目的在于克服上述现有技术的色差及色偏较大的不足，提供一种色差及色偏较小的有机电致发光器件、包括该有机电致发光器件的显示面板及包括该显示面板的显示装置。
5.根据本公开的一个方面，提供了一种有机电致发光器件，包括：相对而置的阳极和阴极，位于所述阳极和所述阴极之间的有机发光层；在设定电场强度下，所述有机发光层的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于等于6且小于等于12。
6.在本公开的一种示例性实施例中，所述设定电场强度为0.3mv/cm。
7.在本公开的一种示例性实施例中，所述有机发光层包括第一化合物和第二化合物，所述第二化合物的三线态激子寿命为小于或等于0.96μs。
8.在本公开的一种示例性实施例中，所述第一化合物包括：p型材料和n型材料；
9.所述第二化合物为包括：重金属元素ir或者pt的磷光发光材料；
10.所述第二化合物的质量为所述第一化合物的2％。
11.在本公开的一种示例性实施例中，所述有机发光层发出的光为绿光或红光。
12.在本公开的一种示例性实施例中，所述有机发光层发出的光为红光，所述有机电致发光器件还包括：
13.第一辅助功能层，设所述有机发光层与所述阳极之间，所述第一辅助功能层的空穴迁移率在所述设定电场强度下大于或等于10
‑4cm/v/s。
14.在本公开的一种示例性实施例中，所述第一辅助功能层的空穴迁移率是所述有机发光层空穴迁移率的80
‑
100倍。
15.在本公开的一种示例性实施例中，所述第一辅助功能层为电子阻挡层。
16.在本公开的一种示例性实施例中，所述电子阻挡层包括：具有最低未占分子轨道的芳香族化合物。
17.在本公开的一种示例性实施例中，所述有机电致发光器件还包括：
18.空穴注入层，设于所述阳极的靠近所述有机发光层的一侧；
19.空穴传输层，设于所述空穴注入层的靠近所述有机发光层的一侧，所述电子阻挡层设于所述空穴传输层与所述有机发光层之间；
20.空穴阻挡层，设于所述有机发光层的靠近所述阴极的一侧；
21.电子传输层，设于所述空穴阻挡层的靠近所述阴极的一侧；
22.电子注入层，设于所述电子传输层与所述阴极之间。
23.根据本公开的另一个方面，提供了一种显示面板，包括：基底层、开关器件层以及如上述任意一项所述的有机电致发光器件，所述开关器件层用于驱动所述有机电致发光器件发光。
24.根据本公开的另一个方面，提供了一种显示装置，包括上述所述的显示面板。
25.本公开的有机电致发光器件，在设定电场强度下，有机发光层的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于等于6且小于等于12，从而减小效率滚降，使得有机电致发光器件的亮度效率曲线更为平缓，从而缓解在高亮度下色差和色偏。
26.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
27.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1为本公开有机电致发光器件一示例实施方式的结构示意图。
29.图2为本公开有机电致发光器件一示例实施方式的电场强度
‑
迁移率比值曲线示意图。
30.图3为本公开有机电致发光器件一示例实施方式的亮度
‑
效率曲线示意图。
31.图4为本公开有机电致发光器件一示例实施方式的激子分布曲线示意图。
32.图5为本公开有机电致发光器件另一示例实施方式的电场强度
‑
迁移率比值曲线示意图。
33.图6为本公开有机电致发光器件另一示例实施方式的亮度
‑
效率曲线示意图。
34.图7为本公开有机电致发光器件又一示例实施方式的电场强度
‑
空穴迁移率曲线示意图。
35.图8为本公开有机电致发光器件又一示例实施方式的亮度
‑
效率曲线示意图。
36.图9为本公开有机电致发光器件再一示例实施方式的电场强度
‑
空穴迁移率曲线示意图。
37.图10为本公开有机电致发光器件再一示例实施方式的亮度
‑
效率曲线示意图。
38.附图标记说明：
39.10、阳极；20、空穴注入层；30、空穴传输层；40、电子阻挡层；50、有机发光层；60、空穴阻挡层；70、电子传输层；80、电子注入层；90、阴极；100、光取出层。
具体实施方式
40.现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
41.虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
42.用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
43.目前，手机厂商对显示面板的显示亮度要求的提升，rg(红绿)发光器件需要采用高效率的磷光发光材料才能达到要求的高亮度，但是，磷光发光材料中的重金属元素(pt、ir等)会引起效率滚降(rolloff)，即高电流密度下磷光发光材料效率较低电流密度下降低，原因主要在于激子淬灭，包括tta(triplet
‑
tripletannihila tion，三线态
‑
三线态淬灭)及tpa(exciton
‑
polaronannihilation，激子
‑
极化子淬灭)；从而导致显示面板的显示效果在高亮度下较差，色差及色偏比较明显。
44.本公开示例实施方式提供了一种有机电致发光器件，参照图1所示，该有机电致发光器件可以包括：相对而置的阳极10和阴极90，位于所述阳极10和所述阴极90之间的有机发光层50；在设定电场强度下，所述有机发光层50的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于等于6且小于等于12。
45.本公开的有机电致发光器件，在设定电场强度下，有机发光层50的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于等于6且小于等于12，相对于现有技术的有机发光层50的电子迁移率与空穴迁移率的比值较小，从而减小效率滚降，使得有机电致发光器件的亮度效率曲线更为平缓，从而缓解在高亮度下色差和色偏。
46.在本示例实施方式中，有机电致发光器件可以包括阳极10，在阳极10的一侧设置有空穴注入层20，即空穴注入层20设于阳极10的靠近有机发光层50的一侧；在空穴注入层20的远离阳极10的一侧设置有空穴传输层30，即空穴传输层30设于空穴注入层20的靠近有机发光层50的一侧；在空穴传输层30的远离阳极10的一侧设置有电子阻挡层40，即电子阻挡层40设于空穴传输层30与有机发光层50之间；在电子阻挡层40的远离阳极10的一侧设置有有机发光层50；在有机发光层50的远离阳极10的一侧设置有空穴阻挡层60，即空穴阻挡
层60设于有机发光层50的靠近阴极90的一侧；在空穴阻挡层60的远离阳极10的一侧设置有电子传输层70，即电子传输层70设于空穴阻挡层60的靠近阴极90的一侧；在电子传输层70的远离阳极10的一侧设置有电子注入层80，即电子注入层80设于电子传输层70与阴极90之间；在电子注入层80的远离阳极10的一侧设置有阴极90。在阴极90的远离阳极10的一侧设置有光取出层100。
47.在实际应用时，可以根据需要选取空穴注入层20、空穴传输层30和电子阻挡层40中的一种或多种；也可以根据需要选取空穴阻挡层60、电子传输层70和电子注入层80中的一种或多种；例如，在阳极10和发光层之间可以仅设置电子阻挡层40，在阴极90和发光层之间可以仅设置空穴阻挡层60；在此不作详述。
48.由于有机电致发光器件的材料叠层较多，且每层材料的性能(包括能级及迁移率)差异较大，因此会导致有机发光层50内部的电子及空穴比例不均衡，激子复合区域较窄，会加剧器件内部的tta及tpa效应，也会导致显示面板的显示效果在高亮度下较差，色差及色偏比较明显。本公开示例实施方式通过调整有机发光层50的材料体系，提供一种新的有机发光层50的材料搭配体系的选取原则，使得在设定电场强度下，有机发光层50的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于等于6且小于等于12。有机发光层50的电子迁移率与空穴迁移率的比值为6时，效率滚降大约为6％，有机发光层50的电子迁移率与空穴迁移率的比值为12时，效率滚降大约为8％。有机发光层50的电子迁移率与空穴迁移率的比值小于6会牺牲有机发光层50的效率的绝对值，从而不利于显示。
49.有机发光层50的材料为磷光发光材料。
50.在本示例实施方式中，有机发光层50可以包括第一化合物和第二化合物，第一化合物可以为主体材料，第二化合物可以为客体材料。
51.参照图3、图4和图5所示，在第二化合物不变的情况下，改变第一化合物，以改善电子迁移率与空穴迁移率的比值。本技术的发明人做了无数次的试验，下面选取三个较为典型的试验进行说明，分别为试验1、试验2以及试验3。
52.首先，对上述三个试验采用的有机发光层50(第一化合物和第二化合物)进行复合膜迁移率测试，具体为：将有机发光层50做成单载流子器件，对单载流子器件进行iv测试(常规的电流电压测试)。
53.然后，对上述所测试数据运用sclc(space
‑
charge
‑
limited current，空间电荷限制电流)模型分别计算不同电场下的载流子迁移率μ(包括电子迁移率及空穴迁移率)。sclc模型为：
[0054][0055]
式中，ε为相对介电常数，ε0为真空介电常数，μ为载流子迁移率，v为外电压，d为单载流子器件的厚度，j
sclc
为iv测试时所得数据(电流密度)，单位为a/cm2，即单位面积上通过的电流；d、v、j、ε、ε0均为可知值，因此可以计算出有机发光层50的载流子迁移率，即为电子迁移率及空穴迁移率。
[0056]
一般进行sclc模型测试的器件为单载流子器件，例如为，电子传输器件和空穴传输器件；空穴传输器件具体结构可以包括依次层叠设置的阳极10、空穴注入层20、有机发光层50、电子阻挡层40以及阴极90；电子传输器件具体结构可以包括依次层叠设置的阳极10、
空穴阻挡层60、有机发光层50、电子注入层80以及阴极90。
[0057]
有机电致发光器件的正常工作电压一般为4.0v，厚度一般为260nm；单载流子器件(电子传输器件和空穴传输器件)的厚度一般为200nm。单载流子器件的0.3mv/cm换算到有机电致发光器件厚度的电压对应约为4.0v。因此，设定电场强度为0.3mv/cm。当然，设定电场强度可以根据需要改变。
[0058]
目前所使用的有机发光层50基本为电子型材料，即有机发光层50的电子传输能力优于空穴传输能力，因此，电子迁移率与空穴迁移率的比值一定会大于1。但是，在相同的电场强度下，电子迁移率与空穴迁移率的比值越小，说明电子迁移率与空穴迁移率越接近，有机发光层50表现出的效率滚降现象越弱。
[0059]
参照图2所示，图中横坐标为电场强度，单位是mv/cm；纵坐标是电子迁移率与空穴迁移率的比值。从图2中可以得到在各个电场强度下，试验1的电子迁移率与空穴迁移率的比值均比试验2和试验3的电子迁移率与空穴迁移率的比值小。因此，采用试验1中的有机发光材料效率滚降现象较弱。
[0060]
而且，对应图3所示的亮度
‑
效率曲线，图中横坐标为亮度(luminance)，单位是cd/m2；纵坐标是效率(nor.effi.)，单位是cd/a。试验1的曲线表现出随着亮度的增加效率滚降较弱。从而验证了电子迁移率与空穴迁移率的比值与效率滚降是相对应的，电子迁移率与空穴迁移率的比值越小，效率滚降越弱。参照图3所示，试验1相对于试验3的效率滚降改善效果可以达到大约12％，一般显示面板的亮度为20000cd/m2，在该亮度下试验1对应的效率大约为0.75，试验1对应的效率大约为0.63，因此，效率滚降改善效果可以达到大约12％。
[0061]
激子复合区越宽，效率滚降现象越弱。参照图4所示，图中横坐标为有机发光层(eml)50的厚度值，单位是nm，0值表示有机发光层50与电子阻挡层40贴合的一面；纵坐标是激子比例。从图4中可以得到试验1的激子复合区域大约在0
‑
45mm范围内，而且激子分布比试验2和试验3更为均匀；试验2的激子复合区域大约在0
‑
35mm范围内；试验3的激子复合区域大约在0
‑
30mm范围内，因此，试验1的激子复合区域更宽。进一步验证了采用试验1中的有机发光材料效率滚降现象较弱。
[0062]
分别计算出试验1中的有机发光层50的材料在电子传输器件和空穴传输器件中，且在0.3mv/cm下的电子迁移率和空穴迁移率，然后计算电子迁移率与空穴迁移率的比值为大于等于6且小于等于12。
[0063]
因此，有机发光层50的电子迁移率与空穴迁移率的比值大于等于6且小于等于12，能够减小效率滚降，使得有机电致发光器件的亮度效率曲线更为平缓，从而缓解在高亮度下色差和色偏。
[0064]
在本公开的另一些示例实施方式中，参照图5和图6所示，在第一化合物不变的情况下，改变第二化合物，以改善电子迁移率与空穴迁移率的比值。本技术的发明人做了无数次的试验，下面选取两个较为典型的试验进行说明，分别为试验4以及试验5。
[0065]
同样对这两个试验的有机发光层50(第一化合物和第二化合物)进行复合膜迁移率测试，运用sclc模型分别测试不同电场下的电子迁移率及空穴迁移率。具体的方法上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。
[0066]
同理，目前所使用的有机发光层50基本为电子型材料，即有机发光层50的电子传输能力优于空穴传输能力，因此，电子迁移率与空穴迁移率的比值一定会大于1。但是，在相
同的电场强度下，电子迁移率与空穴迁移率的比值越小，说明电子迁移率与空穴迁移率越接近，有机发光层50表现出的效率滚降现象越弱。
[0067]
参照图5所示，图中横坐标为电场强度，单位是mv/cm；纵坐标是电子迁移率与空穴迁移率的比值。从图5中可以得到在各个电场强度下，试验5的电子迁移率与空穴迁移率的比值均比试验4的电子迁移率与空穴迁移率的比值小。因此，采用试验5中的有机发光材料效率滚降现象较弱。
[0068]
通过稳态瞬态荧光光谱仪对有机发光材料的三线态激子寿命进行测试，试验4中第二化合物的三线态激子寿命大约为2.5微秒，试验5中第二化合物的三线态激子寿命大约为0.96微秒，试验5中第二化合物的激子寿命明显小于试验4中第二化合物的激子寿命，激子寿命越短有机发光材料效率滚降现象较弱。因此，为了降低效率滚降，第二化合物的三线态激子寿命可以小于0.96微秒。第二化合物的三线态激子寿命越大激子无效淬灭会大量增加，因此，会加重效率滚降。这些数据都是在无数次的试验后获得的。
[0069]
参照图5所示，试验5中在电场强度为0.3mv/cm时，电子迁移率与空穴迁移率的比值大约为8。
[0070]
而且，对应图6所示的亮度
‑
效率曲线，图中横坐标为亮度(luminance)，单位是cd/m2；纵坐标是效率(nor.effi.)，单位是cd/a。一般显示面板的亮度为20000cd/m2，在该亮度下试验4的效率大约为0.75，试验5的效率大约为0.85，效率滚降改善效果可以达到10％。
[0071]
试验1和试验5中有机发光层50的材料可以包括第一化合物和第二化合物。具体地，第一化合物可以包括p型材料和n型材料，p型材料可以有效传递空穴和n型材料可以有效传递电子；p型材料和n型材料的重量比为1:1，即p型材料和n型材料的重量相同；p型材料和n型材料的主体结构一般为蒽，会在蒽分子的结构基础上增加各种吸电子及给电子基团，以达到调节材料的器件性能的目的；目前常见的主体材料结构分子为α
‑
and
‑2‑
pbd等。
[0072]
第二化合物为可以包括重金属元素ir或者pt的磷光发光材料；第二化合物的质量为所述第一化合物的2％，即有机发光层50的掺杂比例为2％。目前常见的磷光材料为ir(ppy)3等。
[0073]
在本公开的又一些示例实施方式中，也可以通过调整与有机发光层50相邻的电子阻挡层40及空穴阻挡层60对注入进有机发光层50的电子和空穴进行调节，以达到调整有机发光层50电子迁移率与空穴迁移率的比值平衡的效果。
[0074]
需要指出的是，目前所使用的有机发光层50基本为电子型材料，即有机发光层50的传电子能力优于传空穴能力，而且空穴传输层30及电子传输层70的电子迁移率基本与有机发光层50接近或者相当，激子复合区域一般在电子阻挡层40侧，因此调整电子侧材料对效率滚降影响较小，而调整电子阻挡层40材料对效率滚降影响较大，且与电子阻挡层40材料的空穴迁移率有一定的关系。
[0075]
对于电子阻挡层40的材料的选用，本技术的发明人做了无数次的试验，下面选取六个较为典型的试验进行说明，对于红光材料，分别为试验7、试验8以及试验9；对于绿光材料，分别为试验10、试验11以及试验12。
[0076]
参照图7所示，图中横坐标为电场强度，单位是mv/cm；纵坐标是空穴迁移率(mobility)。对于红光材料，在相同的电场强度下，试验7的空穴迁移率最大，试验9的空穴迁移率最小，试验8居中。
[0077]
参照图8所示的亮度
‑
效率曲线，图中横坐标为亮度(luminance)，单位是cd/m2；纵坐标是效率(nor.effi.)，单位是cd/a。试验7效率滚降最弱，仅有大约20％；试验9的效率滚降最明显，达到了40％，从而验证了电子阻挡层40的空穴迁移率越大，效率滚降越弱。
[0078]
试验7的电子阻挡层40的空穴迁移率在0.3mv/cm的电场强度下大约为1.2
×
10
‑4cm/v/s，该值大于10
‑4cm/v/s。当然，在其他示例实时方式中，电子阻挡层40的空穴迁移率大于10
‑4cm/v/s即可。
[0079]
有机发光层50空穴迁移率的测试过程上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。电子阻挡层40的空穴迁移率可以将电子阻挡层40做成单载流子器件，对该单载流子器件通过iv测试得到电子阻挡层40的空穴迁移率，将电子阻挡层40的空穴迁移率与有机发光层50空穴迁移率做比值处理得到，电子阻挡层40的空穴迁移率是有机发光层50空穴迁移率的80
‑
100倍。这个数据是发明人通过无数次的试验总结得到的。
[0080]
若电子阻挡层40的空穴迁移率远远大于有机发光层50空穴迁移率时，有机发光层50内的空穴数量会过多，效率滚降程度会加剧；若电子阻挡层40的空穴迁移率远远小于有机发光层50空穴迁移率时，有机发光层50内的空穴数量会过少，效率滚降程度同样也会加剧。
[0081]
电子阻挡层40的材料包括具有最低未占分子轨道(lowest unoccupied molecular orbital，lumo)的芳香族化合物。芳香族化合物的空穴迁移率较快，例如，可以是tpd、npb等等。
[0082]
参照图9所示，图中横坐标为电场强度，单位是mv/cm；纵坐标是空穴迁移率(mobility)。对于绿光材料，在相同的电场强度下，试验10的空穴迁移率最大，试验12的空穴迁移率最小，试验11居中。
[0083]
参照图10所示的亮度
‑
效率曲线，图中横坐标为亮度(luminance)，单位是cd/m2；纵坐标是效率(nor.effi.)，单位是cd/a。试验10的效率滚降最明显，达到了13％；试验12效率滚降最弱，仅有大约10％；从而验证了，对于绿光材料来说，电子阻挡层40的空穴迁移率对效率滚降的影响较小。
[0084]
阳极10选为高功函数电极材料，如透明氧化物ito、izo，也可为ag/ito、ag/izo、cnt/ito、cnt/izo、go/ito、go/izo等形成的复合电极。
[0085]
空穴注入层20可以选为moo3，f4
‑
tcnq，hat
‑
cn等注入材料，也可以在空穴传输材料进行p型掺杂，通过共蒸形成空穴注入层20。空穴注入层20的厚度选为5nm～30nm。
[0086]
空穴传输层30具有良好的空穴传输特性，可以选为npb，m
‑
mtdata，tpd，tapc等材料，空穴传输层30的厚度选为10nm～2000nm。
[0087]
电子阻挡层40其空穴迁移率高出电子迁移率1～2个数量级，可以有效的阻挡电子的传输，可以选为tcta等材料，其厚度选为5nm～100nm。
[0088]
空穴阻挡层60其电子迁移率高出空穴迁移率1～2个数量级，可以有效的阻挡空穴的传输，可以选为cbp，bphen，tpbi等材料，其厚度选为5nm～100nm。
[0089]
电子传输层70具有良好的电子传输特性，可以选为tmpypb，b4pyppm等材料，其厚度选为20nm～100nm。
[0090]
电子注入层80可以选为lif，yb，liq等材料，其厚度选为1nm～10nm。
[0091]
阴极90200可以选为mg，ag等材料。
[0092]
本公开的示例实施方式，在材料的前期筛选过程中进行提前验证；同时通过有机电致发光器件内部的效率改善，使得显示面板在模组调试阶段及后续使用过程中，避免了因效滚降严重而引起的显示色差及色偏的问题，对于改善显示效果具有非常简便实际的应用，同时对于模组段gamma的调节也有显著的增益效果。
[0093]
基于同一发明构思，本公开示例实施方式还提供了一种显示面板，该显示面板可以包括基底层、开关器件层以及上述任意一项所述的有机电致发光器件；开关器件层设于基底层和有机电致发光器件之间，开关器件层用于驱动有机电致发光器件发光。由于该显示面板解决问题的原理与前述一种有机电致发光器件相似，因此该显示面板的实施可以参见有机电致发光器件的实施，重复之处不再赘述。
[0094]
基于同一发明构思，本公开示例实施方式还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述所述的显示面板。
[0095]
而该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如手机等移动装置、手表等可穿戴设备、vr装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
[0096]
对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。该显示装置的实施可以参见上述有机电致发光器件的实施例，重复之处不再赘述。
[0097]
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本技术旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。