技术特征：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有半导体器件，所述半导体器件之间形成有沟槽；在所述半导体器件表面覆盖填充物，所述填充物填充所述沟槽，所述填充物具有流动性，覆盖的所述填充物的上表面为平面；在所述半导体器件和所述填充物上覆盖光阻，对所述光阻的目标区域进行曝光，显影去除所述目标区域的光阻，使所述目标区域的填充物暴露；进行刻蚀，去除所述目标区域的目标结构；去除所述光阻和所述填充物。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充物包括herc53。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体器件表面覆盖填充物，包括：通过旋涂的方式在所述半导体器件表面覆盖所述herc53。4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述衬底从俯视角度观察包括元胞区域和边缘区域；所述元胞区域的半导体器件包括分栅型存储器件；所述边缘区域的半导体器件包括边缘器件。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述分栅型存储器件包括字线多晶硅以及形成于所述字线多晶硅两侧的控制栅多晶硅和浮栅多晶硅，所述控制栅多晶硅形成于所述浮栅多晶硅上方；所述边缘器件包括字线多晶硅以及形成于所述字线多晶硅两侧的控制栅多晶硅；在所述元胞区域，所述浮栅多晶硅和所述字线多晶硅形成于所述衬底上的栅介电层上，在所述边缘区域，所述控制栅多晶硅和所述字线多晶硅形成于所述栅介电层上；在所述元胞区域，所述控制栅多晶硅和所述浮栅多晶硅形成于所述分栅型存储器件之间，在所述边缘区域，所述控制栅多晶硅形成于所述边缘器件之间。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述元胞区域，所述目标结构为预定区域的控制栅多晶硅和浮栅多晶硅；在所述边缘区域，所述目标结构为预定区域的控制栅多晶硅。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述分栅型存储器件中，所述控制栅多晶硅和所述浮栅多晶硅之间形成有ono。
技术总结
本申请公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件，半导体器件之间形成有沟槽；在半导体器件表面覆盖填充物，填充物填充沟槽，填充物具有流动性，覆盖的填充物的上表面为平面；在半导体器件和填充物上覆盖光阻，对光阻的目标区域进行曝光，显影去除目标区域的光阻，使目标区域的填充物暴露；进行刻蚀，去除目标区域的目标结构；去除光阻和填充物。本申请通过在半导体器件的制作过程中，在对存在沟槽的图形进行光刻前，在半导体器件表面覆盖填充物，从而使得器件上方为平坦的平面，从而避免了由于沟槽存在梯度使得光刻后的光阻容易脱胶，提高了器件的良率。率。率。
技术研发人员：向磊 金佩 于涛易
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2021.08.27
技术公布日：2021/12/10