一种微元件的转移结构以及显示面板的制作方法

1.本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种微元件的转移结构以及显示面板。


背景技术：

2.随着传统平板显示和微型投影显示技术的发展，未来可期的主流核心微型发光二极管(micro-led)显示技术，因具有无机led的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等优点，并且具有自发光无需背光源的特性，更具有节能、体积小、长寿命、机构简易等优势越来越引起人们的广泛关注。
3.微元件尺寸小(例如微型发光二极管芯片)，需要通过可以转移微元件的转移结构将微元件转移到驱动背板的表面。发明人经过长期研究发现，采用目前的微元件的转移结构将微元件从衬底基板转移至驱动背板表面的过程中，微元件和衬底基板分离时，微元件容易碎裂。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明的目的是提出一种微元件的转移结构以及显示面板，以改善在巨量转移过程中，微元件和衬底基板分离时，发生碎裂的问题。
5.本发明实施例提供了一种微元件的转移结构，包括：
6.衬底基板，其中，所述衬底基板包括至少一个放置区域，所述放置区域用于放置待转移微元件，所述放置区域包括中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；
7.光敏胶层，所述光敏胶层位于所述衬底基板的一侧；
8.其中，所述光敏胶层覆盖所述中间区域和所述边缘区域，至少部分位于所述中间区域的所述光敏胶层的厚度小于位于所述边缘区域的所述光敏胶层的厚度；和/或，所述光敏胶层在所述中间区域的占比小于100％。
9.该技术方案中，通过减少位于中间区域的光敏胶层的厚度和/或位于中间区域的光敏胶层的面积，降低了位于中间区域和位于边缘区域的光敏胶层的性能发生变化的差异，进而降低了位于中间区域和位于边缘区域的待转移微元件例如是微型发光二极管芯片的受力不均的程度，解决了在待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，待转移微元件例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了待转移微元件例如是微型发光二极管芯片转移的成功率。
10.可选的，所述光敏胶层在激光照射下呈气态。
11.该技术方案，减少了位于中间区域的光敏胶层的厚度和/或面积，进而减少了光敏胶层在光照射下呈气态时的体积，降低了位于中间区域的待转移微元件承受冲击力的数值，对于待转移微元件例如是微型发光二极管芯片来说，降低了位于中间区域和边缘区域的待转移微元件例如是微型发光二极管芯片受到冲击力的不均匀的程度，解决了在待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，待转移微元件例如是微型发光二极
管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
12.可选的，在垂直于所述衬底基板厚度的方向上，位于所述中间区域的所述光敏胶层的截面面积小于位于所述边缘区域的所述光敏胶层的截面面积。
13.该技术方案中，位于中间区域的光敏胶层的截面面积小于位于边缘区域的光敏胶层的截面面积，使得待转移微元件例如是微型发光二极管芯片承受较大冲击力的受力面积减小，对于待转移微元件例如是微型发光二极管芯片来说，进一步降低了位于中间区域和边缘区域的待转移微元件例如是微型发光二极管芯片受到冲击力的不均匀的程度，解决了在待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，待转移微元件例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
14.可选的，所述光敏胶层在所述衬底基板上的正投影和所述中间区域在所述衬底基板上的正投影无交叠。
15.该技术方案中，光敏胶层没有覆盖中间区域，将待转移微元件例如是微型发光二极管芯片承受较大冲击力的受力面积减至为零，对于待转移微元件例如是微型发光二极管芯片来说，提高了待转移微元件例如是微型发光二极管芯片的受力区域受到的冲击力的均匀的程度，解决了在待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，待转移微元件例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，进一步提高了转移的成功率。
16.可选的，位于所述中间区域的所述光敏胶层的厚度小于位于所述边缘区域的所述光敏胶层的厚度。
17.该技术方案中，光敏胶层位于中间区域和边缘区域时，位于中间区域的光敏胶层的厚度小于位于边缘区域的光敏胶层的厚度，减少了位于中间区域的光敏胶层的用量，进而减少了光敏胶层在光照射下呈气态时的体积，降低了位于中间区域的待转移微元件例如是微型发光二极管芯片的承受冲击力的数值，对于待转移微元件例如是微型发光二极管芯片来说，降低了位于中间区域和边缘区域的待转移微元件例如是微型发光二极管芯片受到冲击力的不均匀的程度，解决了在待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，待转移微元件例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
18.可选的，位于所述中间区域的所述光敏胶层与位于所述边缘区域的所述光敏胶层相连。
19.该技术方案中，将位于中间区域的光敏胶层与位于边缘区域的光敏胶层相连，相比中间区域的光敏胶层与位于边缘区域的光敏胶层独立设置的技术方案，将位于中间区域的光敏胶层尽可能靠近边缘区域，进而降低了位于中间区域的待转移微元件承受冲击力的数值，对于待转移微元件例如是微型发光二极管芯片来说，降低了位于中间区域和边缘区域的待转移微元件例如是微型发光二极管芯片受到冲击力的不均匀的程度，解决了在待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，待转移微元件例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
20.可选的，每个所述待转移微元件对应的所述光敏胶层在所述衬底基板上的正投影图形关于所述待转移微元件的中心呈中心对称图形。
21.该技术方案中，每个待转移微元件对应的光敏胶层在衬底基板上的正投影图形关于待转移微元件的中心呈中心对称图形，在垂直于衬底基板的厚度方向上，保证了光敏胶层在光照射下呈气态时，光敏胶层对待转移微元件例如是微型发光二极管芯片的冲击力关
于待转移微元件例如是微型发光二极管芯片的中心呈中心对称分布的，对于待转移微元件例如是微型发光二极管芯片来说，提高了不同区域受到的冲击力的对称程度，解决了在待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，待转移微元件例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
22.可选的，所述光敏胶层对应每个所述放置区域包括至少一个光敏胶区域。
23.该技术方案中，随着光敏胶区域的增加，光敏胶层在光照射下呈气态时，会对待转移微元件例如是微型发光二极管芯片产生冲击力，推动其转移至目标基板的基础上，可以通过合理设置光敏胶区域的数量来减少光敏胶层的使用量，进而实现降低待转移微元件例如是微型发光二极管芯片转移结构的成本的技术效果。
24.优选的，在垂直于所述衬底基板厚度的方向上，所述光敏胶区域的截面图形包括圆形、椭圆形、圆环以及多边形中的至少一种。
25.该技术方案丰富了光敏胶区域的截面图形的种类，可以根据光斑形状以及待转移微元件例如是微型发光二极管芯片的形状具体来选定使用量较少的光敏胶区域的截面图形，进而实现降低待转移微元件例如是微型发光二极管芯片转移结构的成本的技术效果。
26.可选的，还包括粘结层，所述粘结层位于所述待转移微元件邻近所述光敏胶层一侧的表面。
27.该技术方案中，光敏胶层在光照射下呈气态时，对粘结层产生冲击力，使得粘结层朝向待转移微元件例如是微型发光二极管芯片一侧凸起，减少了粘结层和待转移微元件例如是微型发光二极管芯片的接触面积，进而使得待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离，转移至目标基板。且粘结层进一步降低了光敏胶层在光照射下呈气态时，对待转移微元件例如是微型发光二极管芯片的冲击力，解决了在待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，待转移微元件例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
28.本发明实施例还提供了一种显示面板，包括驱动背板和微型发光二极管芯片阵列，所述微型发光二极管芯片阵列位于所述驱动背板的表面；
29.所述微型发光二极管芯片通过上述技术方案任意所述的微元件的转移结构转移至所述驱动背板的表面。
30.该技术方案中，显示面板的微型发光二极管芯片通过上述技术方案中任意所述的微型元件的转移结构转移至驱动背板的表面，对于微型发光二极管芯片来说，降低了位于中间区域和边缘区域的微型发光二极管芯片受到冲击力的不均匀的程度，解决了在微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，微型发光二极管芯片容易被碎裂的问题，提高了微型发光二极管芯片巨量转移的成功率。
31.本发明实施例提供的技术方案，当光源发出的光线的能量呈高斯分布时，即照射在中间区域的光线的能量大于照射在边缘区域的光线的能量，当光敏胶层覆盖中间区域和边缘区域，至少部分位于中间区域的光敏胶层的厚度小于位于边缘区域的光敏胶层的厚度时，本发明实施例提供的技术方案减少了位于中间区域的光敏胶层的用量，降低了位于中间区域和位于边缘区域的光敏胶层的性能发生变化的差异，进而降低了位于中间区域和位于边缘区域的待转移微元件例如是微型发光二极管芯片的受力不均的程度，解决了在待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，待转移微元件例如是微型发光二
极管芯片容易碎裂的问题，提高了待转移微元件例如是微型发光二极管芯片转移的成功率；和/或，当光敏胶层在中间区域的占比小于100％时，本发明实施例提供的技术方案相比光敏胶层完全覆盖中间区域的技术方案，减少了位于中间区域的光敏胶层的面积，降低了位于中间区域和位于边缘区域的光敏胶层的性能发生变化的差异，进而降低了位于中间区域和位于边缘区域的待转移微元件例如是微型发光二极管芯片的受力不均的程度，解决了在待转移微元件例如是微型发光二极管芯片和衬底基板分离时，待转移微元件例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了待转移微元件例如是微型发光二极管芯片转移的成功率。
附图说明
32.图1为现有技术中的微元件的转移结构的结构示意图；
33.图2为本发明实施例提供的一种微元件的转移结构的结构示意图；
34.图3为本发明实施例提供的另一种微元件的转移结构的结构示意图；
35.图4为本发明实施例提供的又一种微元件的转移结构的结构示意图；
36.图5为本发明实施例提供的又一种微元件的转移结构的结构示意图；
37.图6为本发明实施例提供的一种微元件和光敏胶层的俯视图；
38.图7为本发明实施例提供的另一种微元件和光敏胶层的俯视图；
39.图8为本发明实施例提供的又一种微元件和光敏胶层的俯视图；
40.图9为本发明实施例提供的又一种微元件和光敏胶层的俯视图；
41.图10为本发明实施例提供的又一种微元件和光敏胶层的俯视图；
42.图11为本发明实施例提供的又一种微元件的转移结构的结构示意图；
43.图12为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
44.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
45.正如上述背景技术中所述，发明人经过长期研究发现，目前的微元件的转移结构将微元件转移至目标基板表面的过程中，微元件和转移结构的衬底基板分离时，微元件容易碎裂。图1为现有技术中的微元件的转移结构的结构示意图。参见图1，目前的微元件的转移结构包括衬底基板10，衬底基板10包括至少一个放置区域10a，放置区域10a用于放置待转移微元件30，待转移微元件30在本发明实施例中例如是微型发光二极管芯片；光敏胶层20，光敏胶层20位于衬底基板10的一侧；放置区域10a包括中间区域11和包围中间区域11的边缘区域12，光敏胶层20完全覆盖中间区域11和边缘区域12。具体的，光敏胶层20在激光照射下，光敏胶层20的性能发生变化。当光源50发出的光线的能量呈高斯分布时，即照射在中间区域11和边缘区域12的光线的能量不均，位于中间区域11和位于边缘区域12的光敏胶层20的性能发生变化程度不同，造成位于中间区域11和位于边缘区域12的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的受力不均，导致待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和转移结构的衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂。
46.针对上述技术问题，本发明实施例提供了如下技术方案：
47.图2为本发明实施例提供的一种微元件的转移结构的结构示意图。图3为本发明实施例提供的另一种微元件的转移结构的结构示意图。参见图2和图3，该微元件的转移结构包括：衬底基板10，衬底基板10包括至少一个放置区域10a，放置区域10a用于放置待转移微元件30；光敏胶层20，光敏胶层20位于衬底基板10的一侧；放置区域10a包括中间区域11和包围中间区域11的边缘区域12，参见图2，光敏胶层20覆盖中间区域11和边缘区域12，至少部分位于中间区域11的光敏胶层20的厚度小于位于边缘区域12的光敏胶层20的厚度；和/或，参见图3，光敏胶层20在中间区域11的占比小于100％。
48.需要说明的是，在本实施例中，待转移微元件30以微型发光二极管芯片为例进行介绍。具体的，本发明实施例中的光敏胶层20包括在激光照射下性能发生变化，促使待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和转移结构的衬底基板10分离，转移至目标基板40。示例性的，图2中示出的微元件的转移结构中，光敏胶层20覆盖中间区域11和边缘区域12，位于中间区域11的光敏胶层20的厚度小于位于边缘区域12的光敏胶层20的厚度。本发明实施例还包括部分位于中间区域11的光敏胶层20的厚度小于位于边缘区域12的光敏胶层20的厚度的技术方案。图3中示出的微元件的转移结构中，光敏胶层20覆盖部分中间区域11和全部边缘区域12。本发明实施例还包括光敏胶层20只覆盖至少部分边缘区域12的技术方案。
49.当光敏胶层20完全覆盖中间区域11时，光敏胶层20在中间区域11的占比为100％，。光敏胶层20在中间区域11的占比小于100％，即光敏胶层20覆盖部分中间区域11，或者，光敏胶层20不覆盖中间区域11，仅覆盖边缘区域12。可以理解的是，当光敏胶层20在中间区域11的占比小于100％，时，光敏胶层20在边缘区域12的占比为100％；或光敏胶层20在边缘区域12的占比也可以小于100％，但是要大于光敏胶层20在中间区域11的占比，具体可根据实际情况进行设置。
50.需要说明的是，当光源50发出的光线的能量呈高斯分布时，即照射在中间区域11的的光线的能量大于照射在边缘区域12的光线的能量，针对相同厚度相同面积的光敏胶层20，位于中间区域11和位于边缘区域12的光敏胶层20的性能发生变化程度不同，造成位于中间区域11和位于边缘区域的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的受力不均，导致待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和转移结构的衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂。
51.图2和图3示出的微元件的转移结构转移待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的转移方法如下：
52.步骤110、光线透过衬底基板照射光敏胶层。
53.参见图2和图3，光线透过衬底基板10照射光敏胶层20。
54.步骤120、光敏胶层在光照射下性能发生变化，以使待转移微元件例如是微型发光二极管芯片转移至目标基板。
55.参见图2和图3，光敏胶层20在光照射下性能发生变化，以使待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片转移至目标基板40。
56.本发明实施例提供的技术方案，当光源50发出的光线的能量呈高斯分布时，即照射在中间区域11的光线的能量大于照射在边缘区域12的光线的能量，当光敏胶层20覆盖中
间区域11和边缘区域12，至少部分位于中间区域11的光敏胶层20的厚度小于位于边缘区域12的光敏胶层20的厚度时，本发明实施例提供的技术方案减少了位于中间区域11的光敏胶层20的用量，降低了位于中间区域11和位于边缘区域12的光敏胶层20的性能发生变化的差异，进而降低了位于中间区域11和位于边缘区域12的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的受力不均的程度，解决了在待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片转移的成功率；和/或，当光敏胶层20在中间区域11的占比小于100％时，本发明实施例提供的技术方案相比光敏胶层20完全覆盖中间区域11的技术方案，减少了位于中间区域11的光敏胶层20的面积，降低了位于中间区域11和位于边缘区域12的光敏胶层20的性能发生变化的差异，进而降低了位于中间区域11和位于边缘区域12的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的受力不均的程度，解决了在待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片转移的成功率。
57.可选的，光敏胶层20在光照射下呈气态。
58.具体的，本发明实施例中的光敏胶层20包括在激光照射下快速变为气态的有机材料构成。大量的气体对于待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片会产生冲击力，进而导致待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和转移结构的衬底基板10分离，转移至目标基板40。示例性的，该有机材料可以是聚酰亚胺。可选的，本技术的光源50可以为激光源。
59.可选的，光敏胶层20为固体激光光敏胶层，对应的固体激光光敏胶层在固体激光的照射下呈气态时，会对待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片产生冲击力，推动待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片转移至目标基板40。其中，固体激光为高斯光，固体激光的准直性相比其它光源更好，可以缩短固体激光光敏胶层由固态转变为气态的时间，降低光源的功耗，进而可以降低待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的转移结构的成本。
60.需要说明的是，当光源50发出的光线的能量呈高斯分布时，即照射在中间区域11的光线的能量大于照射在边缘区域12的光线的能量，针对相同厚度相同面积的光敏胶层20，位于中间区域11的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片受到的冲击力大于对位于边缘区域12的同一待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片受到的冲击力。
61.具体的，当光敏胶层20覆盖中间区域11和边缘区域12，至少部分位于中间区域11的光敏胶层20的厚度小于位于边缘区域12的光敏胶层20的厚度时，本发明实施例提供的技术方案减少了位于中间区域11的光敏胶层20的用量，进而减少了光敏胶层20在光照射下呈气态时的体积，降低了位于中间区域11的待转移微元件30承受冲击力的数值，对于待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片来说，降低了位于中间区域11和边缘区域12的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片受到冲击力的不均匀的程度，解决了在待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率；和/或，当光敏胶层20在中间区域11的占比小于100％时，本发明实施例提供的技术方案相比光敏胶层20完全覆盖中间区域11的技术方案，减少了位于中间区域11的光敏胶层20的面积，降低了位于中间区域11和边缘区域12
的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片受到冲击力的不均匀的程度，解决了在待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
62.需要说明的是，中间区域11和边缘区域12的具体形状可以根据照射的光斑形状以及待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的形状来决定。
63.可选的，参见图3，在垂直于衬底基板10厚度的方向上，位于中间区域11的光敏胶层20的截面面积小于位于边缘区域12的光敏胶层20的截面面积。
64.需要说明的是，垂直于衬底基板10厚度的方向平行于xoy平面直角坐标系中的x方向。
65.在光源50发出的光线的能量呈高斯分布时，即照射在中间区域11的光线的能量大于边缘区域12的光线的能量，相关技术中，在光源50发出的光线的能量比较大的区域大于能量比较小的区域，即中间区域11的面积大于边缘区域12的面积。而在本技术的技术方案中，位于中间区域11的光敏胶层20的截面面积小于位于边缘区域12的光敏胶层20的截面面积，使得待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片承受较大冲击力的受力面积减小，对于待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片来说，进一步降低了位于中间区域11和边缘区域12的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片受到冲击力的不均匀的程度，解决了在待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
66.图4为本发明实施例提供的又一种微元件的转移结构的结构示意图。可选的，参见图4，光敏胶层20在衬底基板10上的正投影和中间区域11在衬底基板10上的正投影无交叠。
67.具体的，光敏胶层20没有覆盖中间区域11，将待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片承受较大冲击力的受力面积减至为零，对于待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片来说，提高了待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的受力区域受到的冲击力的均匀的程度，解决了在待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，进一步提高了转移的成功率。
68.图5为本发明实施例提供的又一种微元件的转移结构的结构示意图。可选的，参见图5，位于中间区域11的光敏胶层20的厚度小于位于边缘区域12的光敏胶层20的厚度且光敏胶层20在中间区域11的占比小于100％。
69.具体的，光敏胶层20位于中间区域11和边缘区域12时，位于中间区域11的所有的光敏胶层20的厚度小于位于边缘区域12的光敏胶层20的厚度且光敏胶层20在中间区域11的占比小于100％，减少了位于中间区域11的光敏胶层20的用量和面积，进而减少了光敏胶层20在光照射下呈气态时的体积，降低了位于中间区域11的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的承受冲击力的数值，对于待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片来说，降低了位于中间区域11和边缘区域12的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片受到冲击力的不均匀的程度，解决了在待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
70.可选的，参见图3和图5，位于中间区域11的光敏胶层20与位于边缘区域12的光敏
胶层20相连。
71.由于针对相同厚度相同面积的光敏胶层20，光敏胶层20越靠近中间区域11中心位置的区域，光敏胶层20对待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的冲击力越大。因此，本发明实施例中，将位于中间区域11的光敏胶层20与位于边缘区域12的光敏胶层20相连，相比中间区域11的光敏胶层20与位于边缘区域12的光敏胶层20独立设置的技术方案，将位于中间区域11的光敏胶层20尽可能靠近边缘区域12，进而降低了位于中间区域11的待转移微元件30承受冲击力的数值，对于待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片来说，降低了位于中间区域11和边缘区域12的待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片受到冲击力的不均匀的程度，解决了在待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
72.可选的，每个待转移微元件对应的光敏胶层20在衬底基板10上的正投影图形关于待转移微元件30的中心呈中心对称图形。
73.可以理解的是，与每个待转移微元件对应的光敏胶层20是指，光敏胶层20在衬底基板10上的正投影和每个待转移微元件在衬底基板10上的正投影重合的光敏胶层20。
74.具体的，光敏胶层20在衬底基板10上的正投影图形关于待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的中心呈中心对称图形，在垂直于衬底基板10的厚度方向上，保证了光敏胶层20在光照射下呈气态时，光敏胶层20对待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的冲击力关于待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的中心呈中心对称分布的，对于待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片来说，提高了不同区域受到的冲击力的对称程度，解决了在待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
75.图6为本发明实施例提供的一种微元件和光敏胶层的俯视图。图7为本发明实施例提供的另一种微元件和光敏胶层的俯视图。图8为本发明实施例提供的又一种微元件和光敏胶层的俯视图。图9为本发明实施例提供的又一种微元件和光敏胶层的俯视图。图10为本发明实施例提供的又一种微元件和光敏胶层的俯视图。
76.可选的，参见图6-图10，光敏胶层20对应每个放置区域10a包括至少一个光敏胶区域。
77.示例性的，参见图6-图8，光敏胶层20对应每个放置区域10a包括光敏胶区域21和光敏胶区域22。参见图9，光敏胶层20对应每个放置区域10a包括光敏胶区域23、光敏胶区域24、光敏胶区域25和光敏胶区域26。参加图10，光敏胶层20对应每个放置区域10a包括光敏胶区域27。
78.随着光敏胶区域的增加，光敏胶层20在光照射下呈气态时，会对待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片产生冲击力，推动其转移至目标基板40的基础上，可以通过合理设置光敏胶区域的数量来减少光敏胶层20的使用量，进而实现降低待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片转移结构的成本的技术效果。
79.可选的，参见图6-图10，在垂直于衬底基板10厚度的方向上，光敏胶区域的截面图形包括圆形、椭圆形、圆环以及多边形中的至少一种。
80.示例性的，参见图6，在垂直于衬底基板10厚度的方向上，光敏胶区域21和光敏胶区域22的截面图形为矩形。参见图7，光敏胶区域21和光敏胶区域22的截面图形为椭圆形。
参见图8，光敏胶区域21和光敏胶区域22的截面图形为部分圆环。参见图10，光敏胶区域27的截面图形为完整圆环。参见图9，光敏胶区域23、光敏胶区域24、光敏胶区域25和光敏胶区域26的截面图形为圆形。
81.具体的，在垂直于衬底基板10厚度的方向上，光敏胶区域的截面图形包括圆形、椭圆形、圆环以及多边形中的至少一种，丰富了光敏胶区域的截面图形的种类，可以根据光斑形状以及待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的形状具体来选定使用量较少的光敏胶区域的截面图形，进而实现降低待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片转移结构的成本的技术效果。
82.可以理解的是，光敏胶区域大小具体可根据实际情况进行设置，在此不作具体的限定。
83.可选的，还可以在光敏胶区域设置有镂空图案。
84.具体的，光敏胶区域设置有镂空图案(图中未示出)，使得光敏胶层20在激光照射下呈气态时，会对待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片产生冲击力，推动待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片转移至目标基板40的基础上，进一步降低光敏胶层20的使用量，进而进一步降低了待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片转移结构的成本。
85.示例性的，本发明实施例中示出的微型发光二极管芯片中正极焊盘和负极焊盘位于微型发光二极管芯片的同一侧，位于微型发光二极管芯片远离衬底基板10一侧的表面，本发明实施例的技术方案还适用于正极焊盘和负极焊盘位于微型发光二极管芯片的同一侧，且位于微型发光二极管芯片邻近衬底基板10一侧的表面的技术方案。本发明实施例中示出的微型发光二极管芯片中正极焊盘和负极焊盘水平设置的技术方案，本发明实施例的技术方案还适用于正极焊盘和负极焊盘垂直设置的技术方案。
86.图11为本发明实施例提供的又一种微元件的转移结构的结构示意图。可选的，参见图11，微元件的转移结构还包括粘结层60，粘结层60位于待转移微元件30邻近光敏胶层20一侧的表面。
87.示例性的，粘结层60为芯片封装常用的有机粘结材料构成。
88.需要说明的是，图11示出的微元件的转移结构是以图4示出的微元件的转移结构为例进行图示的。
89.图11示出的微元件的转移结构转移待转移微元件的转移方法如下：
90.步骤210、光线透过衬底基板照射光敏胶层。
91.参见图11，光线透过衬底基板10照射光敏胶层20。
92.步骤220、光敏胶层在激光照射下呈气态，粘结层朝向待转移微元件一侧凸起，以使待转移微元件转移至目标基板。
93.参见图11，光敏胶层20在激光照射下呈气态，粘结层60朝向待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片一侧凸起，以使微型发光二极管芯片转移至目标基板40。
94.具体的，光敏胶层20在光照射下呈气态时，对粘结层60产生冲击力，使得粘结层60朝向微型发光二极管芯片一侧凸起，减少了粘结层60和待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的接触面积，进而使得待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离，转移至目标基板40。由于光敏胶层20和待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片之间间隔有粘结层60，相比光敏胶层20和待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片直接
接触的技术方案，进一步降低了光敏胶层20在光照射下呈气态时，对待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的冲击力，解决了在待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离时，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片容易碎裂的问题，提高了转移的成功率。
95.需要说明的是，可以通过设定粘结层60的粘性，使得光敏胶层20在光照射下呈气态时，对待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片的冲击力的作用下，在粘结层60和待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片有接触面积，或者粘结层60和待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片没有接触面积的情况下，待转移微元件30例如是微型发光二极管芯片和衬底基板10分离，转移至目标基板40。
96.本发明实施例还提供了一种显示面板。图12为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图12，该显示面板包括驱动背板70；
97.微型发光二极管芯片阵列300，微型发光二极管芯片阵列300位于驱动背板70的表面；微型发光二极管芯片阵列300包括多个微型发光二极管芯片30，微型发光二极管芯片30通过上述技术方案中任意所述的微元件的转移结构转移至驱动背板70的表面。
98.本发明实施例提供的显示面板的微型发光二极管芯片30通过上述技术方案中任意所述的微元件的转移结构转移至驱动背板70的表面，因此本发明实施例提供的显示面板也具有上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。需要说明的是，本发明实施例提供的显示面板可以应用于手机、电脑、可穿戴设备等具有显示功能的显示设备中，本发明实施例对此不做限定。
99.需要说明的是，在本发明实施例中，待转移微元件和微型发光二极管芯片采用相同的附图标记30。注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。