技术特征：
1.一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，包括机箱（1），其特征在于：所述机箱（1）的内腔设置有蚀刻台（2），所述蚀刻台（2）顶面的中部设置有固定盘（5），所述固定盘（5）的侧面设置有第一凸起部（9），所述固定盘（5）的侧面设置有第二凸起部（10），所述蚀刻台（2）的内部固定安装有伺服电机（3），所述伺服电机（3）的输出轴连接有转动盘（4），所述转动盘（4）的顶部设置有电动液压杆（7），所述电动液压杆（7）输出端的顶部固定连接有升降块（6），所述升降块（6）的侧面固定连接有若干组连杆（11），所述连杆（11）的一端固定连接有支撑板（8），若干所述支撑板（8）均匀布置在固定盘（5）的侧部，所述支撑板（8）的表面对称设置有倾斜的两个导向滑槽（17），所述导向滑槽（17）的内腔设置有滑杆（35），所述滑杆（35）的一端延伸至支撑板（8）的顶面且固定连接有推动块（36），所述滑杆（35）的另一端分别延伸至支撑板（8）的底部且固定连接有定位板（37），一个所述定位板（37）内侧面的中部设置有带有内腔的定位套（40），另一个所述定位板（37）内侧面的中部设置有定位杆（39），所述定位杆（39）的一端活动套接至定位套（40）的内腔，所述定位套（40）的外侧套接有第二弹簧（41），所述第二弹簧（41）的两端分别与两个定位板（37）的内侧面相连接，两个所述定位板（37）靠近固定盘（5）的一侧均设置有顶板（38），两个所述顶板（38）相互滑动贴合，所述顶板（38）的位置与第二凸起部（10）相适配，所述支撑板（8）的顶面设置有贯穿前后侧壁的定位滑槽（18），所述定位滑槽（18）的内腔设置有定位滑块（21），所述定位滑块（21）顶端的一端且位于支撑板（8）的上方固定连接有推板（34），所述推板（34）的位置与第一凸起部（9）的位置相适配，所述支撑板（8）的顶面且靠近固定盘（5）的一侧设置有挡块（19），所述挡块（19）的内侧固定连接有第一弹簧（20），所述第一弹簧（20）的一端与推板（34）的侧面相连接。2.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述蚀刻台（2）的顶部开设有刻蚀槽（13），所述蚀刻台（2）的顶部开设有碱洗槽（14），所述蚀刻台（2）的顶部开设有hf酸槽（15），所述蚀刻台（2）的顶部开设有清洗槽（16），所述清洗槽（16）的内壁设置有吸嘴（25），所述刻蚀槽（13）、碱洗槽（14）、hf酸槽（15）以及清洗槽（16）的位置与支撑板（8）相适配。3.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述蚀刻台（2）的顶面设置有支撑块（26），所述支撑块（26）的侧面设置有电动伸缩杆（30），所述电动伸缩杆（30）的输出端延伸至清洗槽（16）的上方且固定连接有喷水管（31），所述喷水管（31）的底部开设有喷水孔（32），所述支撑块（26）的上方设置有过滤箱（27），所述过滤箱（27）的内腔设置有过滤海绵（28），所述过滤箱（27）的顶部螺纹安装有密封盖（29），所述过滤箱（27）的侧面固定连接有导水软管（33），所述导水软管（33）的一端延伸至喷水管（31）的内腔，所述蚀刻台（2）的侧面且位于清洗槽（16）的外侧固定连接有安装块（22），所述安装块（22）的顶面固定安装有水泵（23），所述水泵（23）的输入端和输出端均固定连接有吸水管（24），一个所述吸水管（24）的一端与吸嘴（25）相连接，另一个所述吸水管（24）的一端延伸至过滤箱（27）的内腔。4.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述推板（34）的高度大于推动块（36）的高度。5.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述机箱（1）的外侧设置有进料传送机构（42），所述进料传送机构（42）的一端延伸至机箱（1）的内腔且与第二凸起部（10）的位置相适配，所述机箱（1）的外侧设置有出料传送机构（43），所述出
料传送机构（43）的一端延伸至机箱（1）的内腔与第一凸起部（9）的位置相适配。6.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述转动盘（4）的底部卡接有支撑滚珠（12），所述支撑滚珠（12）的表面与固定盘（5）的顶面相贴合。7.根据权利要求1所述的一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，其特征在于：所述机箱（1）的正面铰接有维修门（45），所述维修门（45）的中部设置有钢化玻璃（46），所述机箱（1）的正面固定安装有控制面板（44），所述控制面板（44）分别与伺服电机（3）、电动液压杆（7）、进料传送机构（42）、出料传送机构（43）电性连接。
技术总结
本发明公开了一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，涉及蚀刻机技术领域，包括机箱，所述机箱的内腔设置有蚀刻台，所述蚀刻台顶面的中部设置有固定盘，所述固定盘的侧面设置有第一凸起部，所述固定盘的侧面设置有第二凸起部，所述蚀刻台的内部固定安装有伺服电机。该连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，通过第二凸起部与顶板之间的挤压配合，推动两块推动块通过滑杆沿导向滑槽进行相互远离的移动，使得两块推动块之间形成大于半导体晶圆面积的区域，使得半导体晶圆移动至支撑板的顶面，并在第二弹簧的弹力作用下使得两块推动块对半导体晶圆进行挤压配合，实现了自动对半导体晶圆进行固定的功能。能。能。
技术研发人员：王珏
受保护的技术使用者：王珏
技术研发日：2021.09.17
技术公布日：2022/1/6