技术特征：
1.一种氮化物异质结材料表面原位生长sin钝化膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：s1.选取一单晶衬底，置于mocvd反应腔内的石墨基座上，在氢气和氨气氛围下依次外延生长成核层、缓冲层和氮化物异质结；s2.保持氨气流量不变，将反应腔的氢气转换为氮气，并降低反应腔温度；s3.通入硅烷，在氮化物异质结上原位生长第一sin钝化层；s4.关闭硅烷，保持压力和气氛不变，升高反应腔温度；s5.通入硅烷，在第一sin钝化层上原位生长第二sin钝化层，其中生长第二sin钝化层时的硅烷流量小于步骤s3中生长第一sin钝化层时的硅烷流量；s6.关闭硅烷，保持氨气和氮气气氛，降温至取片温度。2.根据权利要求1所述氮化物异质结材料表面原位生长sin钝化膜的方法，其特征在于：步骤s1所述氮化物异质结包含但不局限于aln/gan、algan/gan、inaln/gan或inalgan/gan。3.根据权利要求1所述氮化物异质结材料表面原位生长sin钝化膜的方法，其特征在于：步骤s2中将反应腔的氢气转换为氮气后反应腔的压强为50~100torr，且反应腔温度的调节速率为50~80℃/min。4.根据权利要求1所述氮化物异质结材料表面原位生长sin钝化膜的方法，其特征在于：生长第一sin钝化层时的温度为600~850℃，硅烷与氨气的流量比例为1：100~1000。5.根据权利要求1所述氮化物异质结材料表面原位生长sin钝化膜的方法，其特征在于：生长第二sin钝化层时的温度为900~1100℃，硅烷与氨气的流量比例为1：1500~10000。6.根据权利要求1所述氮化物异质结材料表面原位生长sin钝化膜的方法，其特征在于：所述第一sin钝化层的厚度为3~30nm。7.根据权利要求1所述氮化物异质结材料表面原位生长sin钝化膜的方法，其特征在于：所述第二sin钝化层的厚度为5~30nm。
技术总结
本发明提供一种氮化物异质结材料表面原位生长SiN钝化膜的方法，包括以下步骤：S1.选取一单晶衬底，置于MOCVD反应腔内的石墨基座上，在氢气和氨气氛围下依次外延生长成核层、缓冲层和氮化物异质结；S2.关闭金属有机源，保持氨气流量不变，将反应腔中氢气转换为氮气，并降低反应腔温度；S3.通入较高流量的硅烷，在氮化物异质结上原位生长第一SiN钝化层；S4.关闭硅烷，保持压力和气氛不变，升高反应腔的温度；S5.通入较低流量硅烷，在第一SiN钝化层上原位生长第二SiN钝化层；S6.关闭硅烷，保持氨气和氮气气氛，降温至取片温度。本发明适用范围广泛，能够在AlN/GaN、AlGaN/GaN、InAlN/GaN、InAlGaN/GaN等多种异质结表面原位生长SiN钝化膜。化膜。化膜。
技术研发人员：杨乾坤 李忠辉 彭大青 张东国 李传皓 徐轩
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
技术研发日：2021.09.17
技术公布日：2022/2/6