显示装置的制作方法

1.本公开总体上涉及显示装置。更具体地，本公开涉及包括封盖层的显示装置。


背景技术：

2.显示装置包括发光二极管，并且发光二极管中的每个包括像素电极、公共电极和设置在像素电极和公共电极之间的有机发光层。为了改善发光二极管的电流效率，可以在有机发光层的上方和下方进一步设置功能层(例如，空穴转移层、电子转移层、辅助层等)。然而，考虑到制造成本、工艺经济性和成品率，功能层仅设置在一些发光二极管中。


技术实现要素：

3.实施方式提供了具有改善的显示质量的显示装置。
4.显示装置的实施方式包括：衬底，包括正常像素区域和在第一方向上与正常像素区域相邻的串联像素区域；第一像素电极，在衬底上并且与正常像素区域重叠；串联像素电极，与第一像素电极在相同层中并且与串联像素区域重叠；第一有机发光层，在第一像素电极上，与正常像素区域重叠并发射具有第一颜色的光；第一串联有机发光层，在串联像素电极上，与串联像素区域重叠并发射具有不同于第一颜色的第二颜色的光；第二串联有机发光层，在第一串联有机发光层上，与串联像素区域重叠并发射具有第二颜色的光；公共电极，在第二串联有机发光层上并且与正常像素区域和串联像素区域重叠；第一封盖层，在公共电极上并且与正常像素区域重叠；以及串联封盖层，在公共电极上且与串联像素区域重叠。串联封盖层的在与第一方向交叉的第二方向上的厚度可以小于第一封盖层的在第二方向上的厚度。
5.根据实施方式，第一封盖层和串联封盖层可以包括相同的材料。
6.根据实施方式，第一封盖层和串联封盖层可以包括有机材料。
7.根据实施方式，显示装置还可以包括在串联像素电极上且与正常像素区域和串联像素区域重叠的第一空穴转移层、以及在第一串联有机发光层与第二串联有机发光层之间且与串联像素区域重叠的第二空穴转移层。
8.根据实施方式，显示装置还可以包括在第一串联有机发光层和第二空穴转移层之间且与串联像素区域重叠的第一电子转移层、以及在第二串联有机发光层上且与正常像素区域和串联像素区域重叠的第二电子转移层。
9.根据实施方式，显示装置还可以包括在第一电子转移层和第二空穴转移层之间且与串联像素区域重叠的电荷生成层。
10.根据实施方式，第二空穴转移层、第一电子转移层和电荷生成层可以不与正常像素区域重叠。
11.根据实施方式，显示装置还可以包括在串联封盖层上且与正常像素区域和串联像素区域重叠的第一无机层、在第一无机层上的有机层和在有机层上的第二无机层。
12.根据实施方式，第一无机层和第二无机层可以包括硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧
化物中的至少一种。
13.根据实施方式，显示装置还可以包括：第二像素电极，与第一像素电极在相同的层中并与正常像素区域重叠；第二有机发光层，在第二像素电极上，与正常像素区域重叠，并发射具有与第一颜色和第二颜色不同的第三颜色的光；以及第二封盖层，在公共电极上并与第二有机发光层重叠。
14.根据实施方式，第一封盖层的在第二方向上的厚度可以与第二封盖层的在第二方向上的厚度相同。
15.根据实施方式，第一封盖层的在第二方向上的厚度、第二封盖层的在第二方向上的厚度和串联封盖层的在第二方向上的厚度可以彼此不同。
16.根据实施方式，第一封盖层和第二封盖层的在第二方向上的厚度中的每个可以大于串联封盖层的在第二方向上的厚度。
17.根据实施方式，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是蓝色，并且第三颜色可以是绿色。
18.显示装置的实施方式包括多个第一发射二极管、与第一发射二极管相邻的多个串联发射二极管、以及在第一发射二极管和串联发射二极管上的封盖层。第一发射二极管中的每个可以包括第一像素电极、第一空穴转移层的在第一像素电极上的第一部分和在第一空穴转移层的第一部分上的第一有机发光层。多个串联发射二极管中的每个可以包括串联像素电极、第一空穴转移层的在串联像素电极上的第二部分、在第一空穴转移层的第二部分上的第一串联有机发光层、在第一串联有机发光层上的第一电子转移层、在第一电子转移层上的第二空穴转移层和在第二空穴转移层上的第二串联有机发光层。封盖层的与串联发射二极管重叠的部分的厚度可以小于封盖层的与第一发射二极管重叠的部分的厚度。
19.根据实施方式，显示装置还可以包括多个第二发射二极管，所述多个第二发射二极管与第一发射二极管相邻，且包括第二像素电极、第一空穴转移层的第三部分和第二有机发光层。第一发射二极管的数量、第二发射二极管的数量和串联发射二极管的数量可以相同。
20.根据实施方式，封盖层的与串联发射二极管重叠的部分的厚度可以小于封盖层的与第一发射二极管重叠的部分的厚度，并且可以小于封盖层的与第二发射二极管重叠的部分的厚度。
21.根据实施方式，封盖层的与第一发射二极管重叠的部分的厚度可以与封盖层的与第二发射二极管重叠的部分的厚度相同。
22.根据实施方式，封盖层的与第一发射二极管重叠的部分的厚度和封盖层的与第二发射二极管重叠的部分的厚度可以彼此不同。
23.根据实施方式，第一串联有机发光层可以发射具有与第二串联有机发光层相同颜色的光。
24.因此，显示装置的一个或多个实施方式可以包括具有单堆叠结构的第一发射二极管和具有双堆叠结构(例如，串联结构)的串联发射二极管。另外，显示装置还可以包括在第一发射二极管和串联发射二极管上的封盖层，并且可以将封盖层的与第一发射二极管重叠的部分的厚度和封盖层的与串联发射二极管重叠的部分的厚度调整为彼此不同。因此，封盖层可以减小在具有不同结构的第一发射二极管和串联发射二极管之间可能出现的谐振
偏差。随着谐振偏差减小，可以减小对于串联发射二极管的每个角度的颜色变化量。换言之，随着谐振偏差减小，当从侧面观察显示装置时，可以改善侧面视角处的色移现象。另外，随着谐振偏差的减小，可以根据发射二极管的厚度的差异来改善白色变化的量。因此，可以减小发射二极管之间的厚度差的制程分布。另外，由于串联发射二极管具有双堆叠结构，因此可以改善串联发射二极管的电流效率。
25.将理解的是，前述概述性描述和以下详细描述二者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
26.包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且将附图并入本说明书并且构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开。
27.图1是示出显示装置的实施方式的平面图。
28.图2是示出显示装置的实施方式的剖视图。
29.图3和图4是示出图2的区域a的实施方式的剖视图。
30.图5和图6是示出制造图3的显示装置的方法的实施方式的剖视图。
31.图7和图8是示出制造图3的显示装置的方法的实施方式的剖视图。
32.图9和图10是示出显示装置的实施方式的剖视图。
具体实施方式
33.现将在下文中参考示出了各种实施方式的附图更全面地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式来实现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开透彻且完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达本发明的范围。相同的附图标记通篇表示相同的元件。
34.将理解，当元件被称为与另一元件有关，诸如“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者在它们之间可以存在居间的元件。相反，当元件被称为与另一元件有关，诸如“直接在”另一元件“上”时，不存在居间的元件。
35.将理解的是，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分。
36.本文中使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在进行限制。如本文中所使用的，“一”、“一个”、“该”和“至少一种”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数二者，除非上下文另外清楚地指示。例如，“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义，除非上下文另外清楚地指示。“至少一个”不应被解释为限制“一”或“一个”。“或”意指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。还将理解的是，术语“包含”和/或“包含有”或者“包括”和/或“包括有”在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或
多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
37.此外，诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语在本文中可以用于描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。还将理解的是，除了附图中描绘的取向之外，相对术语旨在包括装置的不同取向。例如，如果附图中的一个中的装置被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随之取向在其它元件的“上”侧上。因此，取决于附图的特定取向，术语“下”可以包括“下”和“上”两种取向。类似地，如果附图中的一个中的装置被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件将随之取向在其它元件“上方”。因此，术语“下方”或“下面”可以包括上方和下方两种取向。
38.如在本文中使用的“约”或“近似”包括所述值以及如本领域普通技术人员考虑所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
39.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的那些术语，应被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过分正式的含义来解释，除非在本文中明确地如此限定。
40.本文中参考作为理想化实施方式的示意性图示的剖视图来描述实施方式。由此，将预期到由于例如制造技术和/或公差而导致的与图示的形状的偏差。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所示的区域的特定形状，而将包括例如由制造而导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，所示的尖角可以是圆润的。因此，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在表示区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
41.由于功能层仅设置在电子显示装置的一些发光二极管中，所以在发光二极管之间出现谐振偏差。谐振偏差增加了对于发光二极管的每个角度的颜色变化量。另外，谐振偏差根据功能层的厚度的差异使颜色变化量增加，由此增加制程分布。因此，具有改善的显示质量的显示装置包括谐振偏差的减小。
42.从下面结合附图的详细描述将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施方式。
43.图1是示出显示装置10的实施方式的平面图。
44.参照图1，显示装置10可以包括多个发射二极管(例如，多个发光二极管)和多个串联发射二极管(例如，多个串联发光二极管)。在实施方式中，例如，显示装置10可以包括第一发射二极管px1(例如，第一发光二极管)、第二发射二极管px2(例如，第二发光二极管)和串联发射二极管tpx(例如，串联发光二极管)。第一发射二极管px1、第二发射二极管px2和串联发射二极管tpx可以设置在显示装置10的显示区域da中，并且可以沿着第一方向d1布置。第一发射二极管px1、第二发射二极管px2和串联发射二极管tpx中的每个可以设置成多个，其包括多个第一发射二极管px1、多个第二发射二极管px2和多个串联发射二极管tpx。
45.显示装置10及其部件的厚度方向(例如，第二方向d2)可以与第一方向d1交叉。第二方向d2可以垂直于第一方向d1，而不限于此。第一发射二极管px1、第二发射二极管px2和串联发射二极管tpx可以设置在显示装置10的显示区域da中，并且可以沿着与第一方向d1
和第二方向d2中的每个交叉的第三方向布置。第三方向可以垂直于第一方向d1和/或第二方向d2，而不限于此。
46.显示装置10的非显示区域nda可以与显示区域da相邻，并且驱动器可以设置在非显示区域nda中。驱动器可以向第一发射二极管px1、第二发射二极管px2和串联发射二极管tpx提供诸如驱动信号(例如，栅极信号和数据电压)的电信号。在实施方式中，非显示区域nda可以定位成围绕显示区域da。
47.第一发射二极管px1可以生成和/或发射具有第一颜色的光，第二发射二极管px2可以生成和/或发射具有第二颜色的光，并且串联发射二极管tpx可以生成和/或发射具有第三颜色的光。当具有第一颜色的光、具有第二颜色的光和具有第三颜色的光被组合时，显示装置10可以显示期望的图像。在实施方式中，第一发射二极管px1的数量、第二发射二极管px2的数量和串联发射二极管tpx的数量可以相同。
48.图2是示出显示装置11的实施方式的剖视图。在实施方式中，例如，图2可以是沿着图1的线i-i'截取的剖视图。
49.参照图1和图2，显示装置11可以包括衬底sub、缓冲层bfr、第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3、栅极绝缘层gi、第一栅电极gat1、第二栅电极gat2和第三栅电极gat3、层间绝缘层ild、第一源电极se1、第二源电极se2和第三源电极se3、第一漏电极de1、第二漏电极de2和第三漏电极de3、通孔绝缘层via、第一发射二极管px1、第二发射二极管px2、串联发射二极管tpx、第一封盖层170、第二封盖层270、串联封盖层370、钝化层180、第一无机层191、有机层192和第二无机层193。
50.第一发射二极管px1可以包括第一像素电极110、第一发射层130和公共电极150的第一部分，第二发射二极管px2可以包括第二像素电极210、第二发射层230和公共电极150的第二部分，并且串联发射二极管tpx(例如，第三发射二极管)可以包括串联像素电极310(例如，第三像素电极)、串联发射层330(例如，第三发射层)和公共电极150的第三部分。
51.第一像素电极110、第二像素电极210和第三像素电极310可以在彼此相同的层中。元件当在相同的层中时可以是衬底sub上的相同材料层的相应部分或相应图案。多于一个的像素电极可以一起限定像素电极层。
52.第一发射二极管px1和第二发射二极管px2可以与正常像素区域npa重叠或对应，并且串联发射二极管tpx可以与串联像素区域tpa重叠或对应。详细地，第一发射二极管px1可以与正常像素区域npa的第一像素区域pa1重叠或对应，并且第二发射二极管px2可以与正常像素区域npa的第二像素区域pa2重叠或对应。第一像素区域pa1、第二像素区域pa2和串联像素区域tpa可以在第一方向d1上彼此相邻。即，第一像素区域pa1、第二像素区域pa2和串联像素区域tpa可以沿着第一方向d1顺序地布置，而不限于此。
53.衬底sub可以包括玻璃、石英、塑料等。在实施方式中，衬底sub可以包括玻璃，并且显示装置11可以是刚性显示装置。在实施方式中，衬底sub可以包括诸如聚酰亚胺的塑料，并且显示装置11可以是柔性显示装置。
54.缓冲层bfr可以设置在衬底sub上。在实施方式中，例如，缓冲层bfr可以包括硅氧化物(“sio
x”)、硅氮化物(“sin
x”)、硅氮氧化物(“sion”)等。缓冲层bfr可以减少或有效地防止金属原子或杂质扩散到第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3中。此外，缓冲层bfr可以在用于提供或形成第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源
图案act3的结晶工艺期间调节提供给第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3的热速率。
55.第一有源图案act1可以设置在缓冲层bfr上。第一有源图案act1可以包括硅半导体。在实施方式中，例如，第一有源图案act1可以包括非晶硅、多晶硅等。第二有源图案act2和第三有源图案act3可以设置在缓冲层bfr上，并且可以包括与第一有源图案act1相同的材料。
56.栅极绝缘层gi可以设置在缓冲层bfr上并且可以覆盖第一有源图案act1、第二有源图案act2和第三有源图案act3。在实施方式中，栅极绝缘层gi可以包括绝缘材料。在实施方式中，例如，栅极绝缘层gi可以包括硅氧化物(“sio
x”)、硅氮化物(“sin
x”)、硅氮氧化物(“sion”)等。
57.第一栅电极gat1可以设置在栅极绝缘层gi上。第一栅电极gat1可以与第一有源图案act1重叠。响应于诸如提供给第一栅电极gat1的栅极信号的电信号，可以通过第一有源图案act1传输电信号和/或电压。
58.在实施方式中，第一栅电极gat1可以包括金属、合金、金属氧化物、导电材料等。在实施方式中，例如，第一栅电极gat1可以包括银(“ag”)、含银合金、钼(“mo”)、含钼合金、铝(“al”)、含铝合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)等。
59.第二栅电极gat2和第三栅电极gat3可以设置在栅极绝缘层gi上，并且可以包括与第一栅电极gat1相同的材料。
60.层间绝缘层ild可以设置在栅极绝缘层gi上，并且可以覆盖第一栅电极gat1、第二栅电极gat2和第三栅电极gat3。在实施方式中，层间绝缘层ild可以包括绝缘材料。在实施方式中，例如，层间绝缘层ild可以包括硅氧化物(“sio
x”)、硅氮化物(“sin
x”)、硅氮氧化物(“sion”)等。
61.第一源电极se1可以设置在层间绝缘层ild上。第一源电极se1可以接触第一有源图案act1。在实施方式中，第一源电极se1可以包括金属、合金、金属氧化物、导电材料等。在实施方式中，例如，第一源电极se1可以包括银(“ag”)、含银合金、钼(“mo”)、含钼合金、铝(“al”)、含铝合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)等。
62.第二源电极se2和第三源电极se3可以设置在层间绝缘层ild上，并且可以包括与第一源电极se1相同的材料。
63.第一漏电极de1可以设置在层间绝缘层ild上。第一漏电极de1可以接触第一有源图案act1。在实施方式中，例如，数据电压可以通过第一源电极se1传输到第一有源图案act1，并且电驱动电流可以通过第一漏电极de1传输到第一像素电极110。第一漏电极de1可以包括与第一源电极se1相同的材料。
64.第二漏电极de2和第三漏电极de3可以设置在层间绝缘层ild上，并且可以包括与第一源电极se1相同的材料。
65.相应的有源图案、相应的栅电极、相应的源电极和相应的漏电极可以与栅极绝缘
层gi的一部分和层间绝缘层ild的一部分一起限定连接到相应的发射二极管的晶体管，而不限于此。
66.通孔绝缘层via可以设置在层间绝缘层ild上并且可以覆盖源电极和漏电极。在实施方式中，通孔绝缘层via可以包括有机绝缘材料。因此，通孔绝缘层via可以具有基本上平坦的顶表面。在实施方式中，例如，通孔绝缘层via可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。
67.将参照图3和图4来描述第一像素电极110、第二像素电极210、串联像素电极310、像素限定层pdl、第一发射层130、第二发射层230、串联发射层330、公共电极150、第一封盖层170、第二封盖层270和串联封盖层370。
68.第一无机层191可以设置在钝化层180上。在实施方式中，第一无机层191可以包括无机材料并且可以沿着钝化层180的轮廓设置。在实施方式中，例如，第一无机层191可以包括硅氧化物(“sio
x”)、硅氮化物(“sin
x”)、硅氮氧化物(“sion”)等。
69.第一无机层191可以减少或有效防止氧气和/或水分渗透到第一无机层191下面的各种发射二极管和其它层中。因此，第一无机层191可以减少或有效地防止第一发射二极管px1、第二发射二极管px2和串联发射二极管tpx的劣化。此外，第一无机层191可以保护第一发射二极管px1、第二发射二极管px2和串联发射二极管tpx免受冲击的影响。
70.有机层192可以设置在第一无机层191上。在实施方式中，有机层192可以包括有机材料并且可以具有基本上平坦的顶表面。在实施方式中，例如，有机层192可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等。有机层192可以减少或有效防止裂纹向有机层192下面的其它层蔓延。
71.第二无机层193可以设置在有机层192上。第二无机层193可以面对第一无机层191，且有机层192在第二无机层193和第一无机层191之间。在实施方式中，第二无机层193可以包括无机材料。在实施方式中，例如，第二无机层193可以包括硅氧化物(“sio
x”)、硅氮化物(“sin
x”)、硅氮氧化物(“sion”)等。第一无机层191、有机层192和第二无机层193可以一起限定封装层。
72.图3和图4是示出图2的区域a的实施方式的剖视图。图3和图4可以是示出包括在图2的显示装置11中的第一发射二极管px1、第二发射二极管px2、串联发射二极管tpx、第一封盖层170、第二封盖层270和串联封盖层370的剖视图。
73.参照图2、图3和图4，第一像素电极110(anode1)可以设置在通孔绝缘层via上，并且可以与第一像素区域pa1重叠。第一像素电极110可以接触第一漏电极de1并且可以接收电驱动电流。在实施方式中，第一像素电极110可以包括金属、合金、金属氧化物、反射导电材料等。在实施方式中，例如，第一像素电极110可以包括银(“ag”)、含银合金、钼(“mo”)、含钼合金、铝(“al”)、含铝合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、铟锡氧化物(“ito”)、铟锌氧化物(“izo”)等。在实施方式中，第一像素电极110可以具有ito/ag/ito结构。
74.第二像素电极210(anode2)可以设置在通孔绝缘层via上，并且可以与第二像素区域pa2重叠。串联像素电极310(anode3)可以设置在通孔绝缘层via上，并且可以与串联像素区域tpa重叠。第二像素电极210和串联像素电极310可以包括与第一像素电极110相同的材
料。
75.像素限定层pdl可以设置在通孔绝缘层via上，并且可以沿着衬底sub在一方向上限定各个像素区域的边界。此外，像素限定层pdl可以包括或限定暴露像素电极的上表面的开口，并且发射层可以设置在像素限定层pdl的开口中或延伸到像素限定层pdl的开口中。详细地，像素限定层pdl可以包括暴露第一像素电极110的上表面的第一开口，并且第一发射层130可以设置在第一开口中。此外，像素限定层pdl可以包括暴露第二像素电极210的上表面的第二开口，并且第二发射层230可以设置在第二开口中。此外，像素限定层pdl可以包括暴露串联像素电极310的上表面的第三开口，并且串联发射层330可以设置在第三开口中。
76.第一发射层130可以设置在第一像素电极110上并且可以与第一像素区域pa1重叠。第一发射层130可以包括第一空穴转移层331(htl1)的第一部分、第一辅助层131(ril)、第一有机发光层132(reml)和第二电子转移层133(etl2)的第一部分。
77.第二发射层230可以设置在第二像素电极210上并且可以与第二像素区域pa2重叠。第二发射层230可以包括第一空穴转移层331的第二部分、第二辅助层231(gil)、第二有机发光层232(geml)和第二电子转移层133的第二部分。
78.串联发射层330可以设置在串联像素电极310上并且可以与串联像素区域tpa重叠。串联发射层330可以包括第一空穴转移层331的第三部分、第一串联辅助层332(bil1)、第一串联有机发光层333(beml1)、第一电子转移层334(etl1)、电荷生成层335(cgl)、第二空穴转移层336(htl2)、第二串联辅助层337(bil2)、第二串联有机发光层338(beml2)和第二电子转移层133的第三部分。
79.第一空穴转移层331可以设置在第一像素电极110、第二像素电极210和串联像素电极310上，并且可以与正常像素区域npa和串联像素区域tpa中的每个重叠。换言之，第一空穴转移层331可以公共地设置或形成在显示区域da中。第一空穴转移层331可以增加空穴朝向第一有机发光层132的迁移率。在实施方式中，第一空穴转移层331可以包括空穴转移材料。在实施方式中，例如，第一空穴转移层331可以包括hatcn(1,4,5,8,9,11-六氮杂三苯-己腈)、cupc(铜酞菁)、pedot(聚(3,4)-乙撑二氧噻吩)、pani(聚苯胺)和npd(n,n-二萘基-n,n'-二苯基联苯胺)中的至少一种。
80.第一辅助层131可以设置在第一空穴转移层331上并且可以与第一像素区域pa1重叠。第一辅助层131可以增强从第一有机发光层132发射的光的谐振。在实施方式中，第一辅助层131可以包括基于胺的有机化合物，并且可以通过调节第一辅助层131的厚度来增强谐振。在实施方式中，第一辅助层131可以包括具有高反射率的金属(诸如，ag和mgag)以及用于调节光路的材料(诸如，sin
x
、sio
x
、tio2、ta2o5、ito和izo)。
81.第一有机发光层132可以设置在第一辅助层131上并且可以与第一像素区域pa1重叠。当电子和空穴被注入到第一有机发光层132中时，第一有机发光层132可以发射具有第一颜色的光。在实施方式中，例如，第一颜色可以是红色，并且第一有机发光层132可以包括发射红光的有机材料。
82.第二辅助层231可以设置在第一空穴转移层331上并且可以与第二像素区域pa2重叠。第二辅助层231可以增强从第二有机发光层232发射的光的谐振。在实施方式中，第二辅助层231可以包括基于胺的有机化合物，并且可以通过调节第二辅助层231的厚度来增强谐
振。在实施方式中，第二辅助层231可以包括具有高反射率的金属(诸如，ag和mgag)以及用于调节光路的材料(诸如，sin
x
、sio
x
、tio2、ta2o5、ito、izo等)。
83.第二有机发光层232可以设置在第二辅助层231上并且可以与第二像素区域pa2重叠。当电子和空穴被注入到第二有机发光层232中时，第二有机发光层232可以发射具有第二颜色的光。在实施方式中，例如，第二颜色可以是绿色，并且第二有机发光层232可以包括发射绿光的有机材料。
84.第一串联辅助层332可以设置在第一空穴转移层331上并且可以与串联像素区域tpa重叠。第一串联辅助层332可以增强从第一串联有机发光层333发射的光的谐振。在实施方式中，第一串联辅助层332可以包括基于胺的有机化合物，并且可以通过调节第一串联辅助层332的厚度来增强谐振。在实施方式中，第一串联辅助层332可以包括具有高反射率的金属(诸如，ag和mgag)以及用于调节光路的材料(诸如，sin
x
、sio
x
、tio2、ta2o5、ito和izo)。
85.第一串联有机发光层333可以设置在第一串联辅助层332上并且可以与串联像素区域tpa重叠。当电子和空穴被注入到第一串联有机发光层333中时，第一串联有机发光层333可以发射具有第三颜色的光。在实施方式中，例如，第三颜色可以是蓝色，并且第一串联有机发光层333可以包括发射蓝光的有机材料。
86.然而，第一颜色至第三颜色不限于上述颜色。在实施方式中，例如，上述第一颜色可以是绿色，上述第二颜色可以是蓝色，并且上述第三颜色可以是红色。
87.第一电子转移层334可以设置在第一串联有机发光层333上并且可以与串联像素区域tpa重叠。在实施方式中，第一电子转移层334可以不与正常像素区域npa重叠。当被设置成不与部件或区域重叠时，元件可以被排除在所述部件或所述区域之外和/或与所述部件或所述区域间隔开。第一电子转移层334可以增加电子朝向第一串联有机发光层333的迁移率。在实施方式中，第一电子转移层334可以包括电子转移材料。在实施方式中，例如，第一电子转移层334可以包括liq(8-羟基喹啉基-锂)、alq3(三(8-羟基喹啉根合)铝)、pbd(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4噁二唑)、taz和螺-pbd中的至少一种。
88.电荷生成层335可以设置在第一电子转移层334上并且可以与串联像素区域tpa重叠。在实施方式中，电荷生成层335可以不与正常像素区域npa重叠。电荷生成层335可以增加电子朝向第一串联有机发光层333的迁移率，并且可以增加空穴朝向第二串联有机发光层338的迁移率。在实施方式中，电荷生成层335可以包括设置在第一电子转移层334上的n型电荷生成层和设置在n型电荷生成层上的p型电荷生成层，并且可以具有np结结构。
89.第二空穴转移层336可以设置在电荷生成层335上并且可以与串联像素区域tpa重叠。在实施方式中，第二空穴转移层336可以不与正常像素区域npa重叠。第二空穴转移层336可以增加空穴朝向第二串联有机发光层338的迁移率。在实施方式中，第二空穴转移层336可以包括空穴转移材料。在实施方式中，例如，第二空穴转移层336可以包括hatcn(1,4,5,8,9,11-六氮杂三苯-己腈)、cupc(铜酞菁)、pedot(聚(3,4)-乙撑二氧噻吩)、pani(聚苯胺)和npd(n,n-二萘基-n,n'-二苯基联苯胺)中的至少一种。
90.第二串联辅助层337可以设置在第二空穴转移层336上并且可以与串联像素区域tpa重叠。第二串联辅助层337可以增强从第二串联有机发光层338发射的光的谐振。在实施方式中，第二串联辅助层337可以包括基于胺的有机化合物，并且可以通过调节第二串联辅助层337的厚度来增强谐振。在实施方式中，第二串联辅助层337可以包括具有高反射率的
金属(诸如，ag和mgag)以及用于调节光路的材料(诸如，sin
x
、sio
x
、tio2、ta2o5、ito、izo等)。
91.第二串联有机发光层338可以设置在第二串联辅助层337上并且可以与串联像素区域tpa重叠。当电子和空穴被注入到第二串联有机发光层338中时，第二串联有机发光层338可以发射具有第三颜色的光。在实施方式中，例如，第三颜色可以是蓝色，并且第二串联有机发光层338可以包括发射蓝光的有机材料。
92.第二电子转移层133可以设置在第一有机发光层132、第二有机发光层232和第二串联有机发光层338上，并且可以与正常像素区域npa和串联像素区域tpa二者重叠。换言之，第二电子转移层133可以公共地设置或形成在显示区域da中。第二电子转移层133可以增加电子朝向第一有机发光层132、第二有机发光层232和第二串联有机发光层338的迁移率。在实施方式中，第二电子转移层133可以包括电子转移材料。在实施方式中，例如，第二电子转移层133可以包括liq(8-羟基喹啉基-锂)、alq3(三(8-羟基喹啉根合)铝)、pbd(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4噁二唑)、taz和螺-pbd中的至少一种。
93.在实施方式中，串联发射二极管tpx可以具有双堆叠结构(例如，串联结构)。参照图4，例如，第一空穴转移层331的第三部分、第一串联辅助层332、第一串联有机发光层333和第一电子转移层334可以构成第一堆叠结构stk1。第二空穴转移层336、第二串联辅助层337、第二串联有机发光层338和第二电子转移层133的第三部分可以构成第二堆叠结构stk2。由于串联发射二极管tpx具有双堆叠结构，所以可以改善串联发射二极管tpx的电流效率。
94.在实施方式中，例如，在串联发射二极管tpx具有双堆叠结构的同时，第一发射二极管px1(或第二发射二极管px2)可以具有单堆叠结构。
95.公共电极150(cathode)可以设置在第二电子转移层133上，并且可以与正常像素区域npa和串联像素区域tpa二者重叠。公共电极150可以包括金属、合金、金属氧化物、透明导电材料等。在实施方式中，例如，公共电极150可以包括银(“ag”)、含银合金、钼(“mo”)、含钼合金、铝(“al”)、含铝合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、铟锡氧化物(“ito”)、铟锌氧化物(“izo”)等。
96.第一封盖层170(cpl1)可以设置在公共电极150上并且可以与第一像素区域pa1重叠。通过使用第一封盖层170的折射率，可以使从第一有机发光层132发射的光谐振，并且可以改善第一发射二极管px1的光提取效率。在实施方式中，例如，第一封盖层170可以包括有机材料。此外，第一封盖层170可以在整个第一像素区域pa1上具有恒定的厚度，并且可以沿着公共电极150的轮廓设置。
97.第二封盖层270(cpl2)可以设置在公共电极150上并且可以与第二像素区域pa2重叠。通过使用第二封盖层270的折射率，可以使从第二有机发光层232发射的光谐振，并且可以改善第二发射二极管px2的光提取效率。在实施方式中，例如，第二封盖层270可以包括有机材料。此外，第二封盖层270可以在整个第二像素区域pa2上具有恒定的厚度，并且可以沿着公共电极150的轮廓设置。
98.串联封盖层370(tcpl)可以设置在公共电极150上并且可以与串联像素区域tpa重叠。通过使用串联封盖层370的折射率，可以使从第一串联有机发光层333和第二串联有机发光层338发射的光谐振，并且可以改善串联发射二极管tpx的光提取效率。在实施方式中，
例如，串联封盖层370可以包括有机材料。此外，串联封盖层370可以在整个串联像素区域tpa上具有恒定的厚度，并且可以沿着公共电极150的轮廓设置。
99.第一封盖层170沿着与第一方向d1交叉的第二方向d2可以具有第一厚度th1。第二封盖层270沿着第二方向d2可以具有第二厚度th2。串联封盖层370沿着第二方向d2可以具有第三厚度th3。在实施方式中，第一厚度th1和第二厚度th2可以相同，并且第三厚度th3可以小于第一厚度th1。第一封盖层170、第二封盖层270和串联封盖层370可以是显示装置11的封盖层的相应部分。第一封盖层170、第二封盖层270和串联封盖层370可以是在衬底sub上的限定显示装置11的封盖层的相同材料层的相应部分。
100.如上所述，在串联发射二极管tpx具有双堆叠结构的同时，第一发射二极管px1(或第二发射二极管px2)可以具有单堆叠结构。因此，在从第一发射二极管px1(或第二发射二极管px2)发射的光的谐振程度和从串联发射二极管tpx发射的光的谐振程度之间可能出现谐振偏差。然而，由于串联封盖层370被设置或形成为使得第三厚度th3小于第一厚度th1(或第二厚度th2)，所以可以减小谐振偏差。在各种像素区域中，相应像素区域的相应发射二极管内的堆叠的数量可以与相应像素区域中的封盖层的相应厚度相反。换言之，为了减小谐振偏差，可以有差别地调节包括在显示装置11中的各种封盖层的厚度。随着谐振偏差的减小，可以减小对于串联发射二极管tpx的每个角度的颜色变化量，并且可以改善显示装置11的白色角度依赖性(“wad”)。换言之，随着谐振偏差减小，当从侧面观察显示装置11时，可以改善侧面视角处的色移现象。
101.图5和图6是示出制造图3的显示装置11的方法的实施方式的剖视图。
102.参照图3和图5，可以设置或形成穿过通孔绝缘层via的通孔，并且可以将第一像素电极110、第二像素电极210和串联像素电极310一起设置或形成(例如，同时设置或形成、以相同工艺设置或形成、设置或形成为相同材料层的相应图案等)。因此，第一像素电极110、第二像素电极210和串联像素电极310可以包括相同的材料。
103.另外，可以设置或形成暴露像素电极的上表面的像素限定层pdl，并且可以在显示区域da中整体地设置或形成第一空穴转移层331。在实施方式中，例如，可以使用开口掩模来沉积第一空穴转移层331。
104.此外，可以将第一辅助层131和第一有机发光层132设置或形成为与第一像素区域pa1重叠，可以将第二辅助层231和第二有机发光层232设置或形成为与第二像素区域pa2重叠，并且可以将第一串联辅助层332、第一串联有机发光层333、第一电子转移层334、电荷生成层335、第二空穴转移层336、第二串联辅助层337和第二串联有机发光层338设置或形成为与串联像素区域tpa重叠。另外，可以在显示区域da中整体地形成第二电子转移层133和公共电极150。
105.在实施方式中，可以一起设置或形成第一初步封盖层170'、第二初步封盖层270'和串联封盖层370。在实施方式中，例如，第一初步封盖层170'、第二初步封盖层270'和串联封盖层370可以使用具有与显示区域da对应的开口的开口掩模来设置。因此，第一初步封盖层170'、第二初步封盖层270'和串联封盖层370可以具有与第三厚度th3相同的厚度。第三厚度th3可以是第一初步封盖层170'和第二初步封盖层270'的初步厚度。
106.参照图3和图6，第一封盖层170和第二封盖层270可以一起设置或形成。在实施方式中，例如，可以使用具有与正常像素区域npa对应的开口的精细金属掩模(“fmm”)(例如，
在图6中由在正常像素区域npa处断开的水平线指示的掩模)来设置(参照图6中的向下箭头)第一封盖层170和第二封盖层270。因此，第一封盖层170和第二封盖层270可以具有第一厚度th1(或第二厚度th2)的最终厚度，其大于第三厚度th3并且包括第三厚度th3的初始厚度。另外，第一封盖层170和第二封盖层270可以具有相同的厚度(例如，第一厚度th1或第二厚度th2)。
107.图7和图8是示出制造图3的显示装置11的方法的实施方式的剖视图。
108.参照图3和图7，可以在显示区域da中整体地设置或形成公共电极150。在实施方式中，例如，设置在公共电极150下方的部件的制造方法可以与参照图5描述的基本上相同。
109.在实施方式中，可以一起设置或形成第一封盖层170和第二封盖层270。在实施方式中，例如，第一封盖层170和第二封盖层270可以使用开口掩模(或精细金属掩模)来沉积，该开口掩模具有与正常像素区域npa对应的开口(例如，在图7中由在正常像素区域npa处断开的水平线指示的掩模)。因此，第一封盖层170和第二封盖层270可以具有相同的第一厚度th1(或第二厚度th2)。
110.参照图3和图8，可以设置或形成串联封盖层370。在实施方式中，例如，可以使用具有与串联像素区域tpa对应的开口的精细金属掩模(例如，在图8中由在串联像素区域tpa处断开的水平线指示的掩模)来沉积串联封盖层370。因此，串联封盖层370可以具有小于第一厚度th1的第三厚度th3。即，单独地或以单独的掩模工艺设置整体不同厚度的多种封盖层。
111.图9和图10是示出显示装置12的实施方式的剖视图。
112.参照图2、图9和图10，由于除了第一封盖层470、第二封盖层570和串联封盖层670之外，显示装置12与显示装置11基本上相同，因此将省略重复描述。
113.第一封盖层470可以设置在公共电极150上并且可以与第一像素区域pa1重叠。通过使用第一封盖层470的折射率，可以使从第一有机发光层132发射的光谐振，并且可以改善第一发射二极管px1的光提取效率。在实施方式中，例如，第一封盖层470可以包括有机材料。此外，第一封盖层470可以具有恒定的厚度并且可以沿着公共电极150的轮廓设置。
114.第二封盖层570可以设置在公共电极150上并且可以与第二像素区域pa2重叠。通过使用第二封盖层570的折射率，可以使从第二有机发光层232发射的光谐振，并且可以改善第二发射二极管px2的光提取效率。在实施方式中，例如，第二封盖层570可以包括有机材料。另外，第二封盖层570可以具有恒定的厚度并且可以沿着公共电极150的轮廓设置。
115.串联封盖层670可以设置在公共电极150上并且可以与串联像素区域tpa重叠。通过使用串联封盖层670的折射率，可以使从第一串联有机发光层333和第二串联有机发光层338发射的光谐振，并且可以改善串联发射二极管tpx的光提取效率。在实施方式中，例如，串联封盖层670可以包括有机材料。此外，串联封盖层670可以具有恒定的厚度并且可以沿着公共电极150的轮廓设置。
116.第一封盖层470沿着第二方向d2可以具有第一厚度th1。第二封盖层570沿着第二方向d2可以具有第二厚度th2。串联封盖层670沿着第二方向d2可以具有第三厚度th3。在实施方式中，第一厚度th1、第二厚度th2和第三厚度th3可以彼此不同。可以基于相应像素区域的第一颜色、第二颜色和第三颜色的发射光来适当地设置第一厚度th1、第二厚度th2和第三厚度th3。在实施方式中，例如，第三厚度th3可以小于第二厚度th2，并且第二厚度th2可以小于第一厚度th1。
117.尽管在本文中描述了实施方式和实现方式，但是从该描述中其它实施方式和修改将是显而易见的。因此，本公开不限于这样的实施方式，而是限于所附权利要求以及如将对本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等效布置的更宽泛的范围。