显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.量子点
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发光二极管结构显示器由量子点彩膜(quantum dot color filter，qdcf)和发光二极管两部分组成，其不仅具有发光二极管器件的自主发光、薄型化和柔性的特点，而且还具有量子点高色域的优点。该结构器件利用qdcf中量子点的光致发光的特性，把背光的光线转换成相应的光线，从而实现全彩化显示的目的。
3.但是，目前的量子点
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发光二极管显示器仍然存在需要问题，如显示效果不佳等。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有技术中显示面板显示效果不佳的问题。
5.相应的，本技术提供一种显示面板，包括：
6.彩膜基板，所述彩膜基板包括第一基底以及若干间隔设置于所述第一基底上的量子点部；
7.阵列基板，所述阵列基板包括第二基底和若干间隔设置于所述第二基底上的发光器件，所述阵列基板与所述彩膜基板贴合，且所述发光器件与所述量子点部对应设置；以及
8.反射挡墙，所述反射挡墙设置于每两相邻的所述发光器件之间，所述反射挡墙的厚度大于所述发光器件的厚度。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，所述彩膜基板还包括设置于第一基底上的遮光部，且所述遮光部位于每两相邻的所述量子点部之间，所述反射挡墙设置于所述阵列基板上。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，所述反射挡墙设置于所述第一基底与所述第二基底之间，且所述反射挡墙位于每两相邻的所述量子点部之间，所述反射挡墙的厚度大于所述量子点部与所述发光器件的厚度之和。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，每两相邻的所述反射挡墙设置于每两相邻的所述发光器件之间。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，每一所述反射挡墙围绕一所述发光器件设置。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，沿着行方向延伸以及沿着列方向排列的每两相邻的所述反射挡墙设置于每两相邻列所述发光器件之间；沿着列方向延伸以及沿着行方向排列的每两相邻的所述反射挡墙设置于每两相邻行的所述发光器件之间；沿着行方向延伸以及沿着列方向排列的每两相邻的所述反射挡墙与沿着列方向延伸以及沿着行方向排列的每两相邻的所述反射挡墙相交。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，沿着行方向延伸以及沿着列方向排列的每一反射挡墙设置于每两相邻列所述发光器件之间；沿着列方向延伸以及沿着行方向排列的每
一的所述反射挡墙设置于每两相邻行的所述发光器件之间；沿着行方向延伸以及沿着列方向排列的每一所述反射挡墙与沿着列方向延伸以及沿着行方向排列的每一所述反射挡墙相交。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述反射挡墙的厚度为120微米
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140微米，所述发光器件的厚度小于或等于100微米。
16.相应的，本技术还提供一种显示面板的制备方法，包括：
17.提供第一基底；
18.在所述第一基底上形成若干量子点部，若干所述量子点部间隔设置，所述量子点部和所述第一基底构成彩膜基板；
19.提供第二基底；
20.在所述第二基底上形成若干反射挡墙，若干所述反射挡墙间隔设置；
21.在每两相邻的所述反射挡墙之间形成发光器件，所述第二基底和所述发光器件构成阵列基板；以及
22.将所述阵列基板与所述彩膜基板贴合，且所述发光器件与所述量子点部对应设置，所述反射挡墙的厚度为120微米
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140微米所述发光器件的厚度。
23.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述第二基底上采用电流体喷墨打印工艺形成反射挡墙。
24.本技术提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括彩膜基板、阵列基板和反射挡墙，彩膜基板包括第一基底以及若干间隔设置于第一基底上的量子点部，阵列基板包括第二基底和若干间隔设置于第二基底上的发光器件，阵列基板与彩膜基板贴合，且发光器件与量子点部对应设置，反射挡墙设置于每两相邻的发光器件之间，反射挡墙的厚度大于发光器件的厚度。通过在发光器件之间设置反射挡墙，避免发光器件的光线影响与之相邻发光器件对应的量子点部，进而避免出现光串扰的问题，进而提高显示面板的显示效果。通过在发光器件之间设置反射挡墙，提高发光器件发出的光线的反射，从而聚拢发光器件发出的光线，从而提高了光利用率，进而提高了量子点部的发光效率，从而提高了显示面板的发光强度，从而提高了显示面板的显示效果，进而提高了显示面板的显示性能。
附图说明
25.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1是本技术实施例提供的显示面板的第一种平面示意图。
27.图2是图1中的显示面板沿着ab线的第一种结构示意图。
28.图3是图1中的显示面板沿着ab线的第二种结构示意图。
29.图4是图1中的显示面板沿着ab线的第三种结构示意图。
30.图5是本技术实施例提供的显示面板的第二种平面示意图。
31.图6是本技术实施例提供的显示面板的第三种平面示意图。
32.图7是本技术实施例提供的显示面板的制备方法流程示意图。
具体实施方式
33.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。在本技术中，“反应”可以为化学反应或物理反应。
34.本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。
35.本技术提供一种显示面板，显示面板包括彩膜基板、阵列基板和反射挡墙，彩膜基板包括第一基底以及若干间隔设置于第一基底上的量子点部，阵列基板包括第二基底和若干间隔设置于第二基底上的发光器件，阵列基板与彩膜基板贴合，且发光器件与量子点部对应设置，反射挡墙设置于每两相邻的发光器件之间，反射挡墙的厚度大于发光器件的厚度。
36.在本技术中，通过在发光器件之间设置反射挡墙，且反射挡墙的厚度设置为大于发光器件的厚度，避免发光器件的光线影响与之相邻发光器件对应的量子点部，进而避免出现光串扰的问题，进而提高显示面板的显示效果。
37.以下分别进行详细说明。
38.请参阅图1和图2，图1是本技术实施例提供的显示面板的第一种平面示意图。图2是图1中的显示面板沿着ab线的第一种截面示意图。本技术提供一种显示面板。具体描述如下：
39.显示面板10包括彩膜基板100、阵列基板200和反射挡墙300。
40.彩膜基板100包括第一基底110、黑矩阵120、彩膜部130、遮光部140以及量子点部150。黑矩阵120阵列设置于第一基底110上。彩膜部130设置于每两相邻的黑矩阵120之间。彩膜部130包括红色彩膜部130、绿色彩膜部130、蓝色彩膜部130。遮光部140设置于黑矩阵120上，且遮光部140间隔设置。量子点部150设置于每两相邻的遮光部140之间，且量子点部150与彩膜部130对应设置。量子点部150包括红色量子点部、绿色量子点部和白色量子点部。其中，红色量子点部与红色彩膜部对应设置，绿色量子点部与绿色彩膜部对应设置，白色量子点部与蓝色彩膜部对应设置。
41.在本技术中，在量子点部150的区域设置与之对应的彩膜部130，使得发光器件230发出的光线，经过量子点部150之后未完全转换成相应的光线可以再经彩膜部130转换，从而转换出所需的光线，从而提高显示面板10的显示效果。
42.阵列基板200包括第二基底210、晶体管层220和发光器件230。晶体管层220设置于第二基底210上。发光器件230阵列设置于晶体管层220上。发光器件230为红色发光器件、蓝色发光器件和绿色发光器件中的一种或几种组合。在本实施例中，发光器件230为蓝色发光器件为例。
43.在一实施例中，发光器件230包括迷你发光二极管、有机发光二极管或无机发光二极管等，发光器件230可以为正装的发光器件230或倒装的发光器件230。在本实施例中，以
发光器件230为倒装的迷你发光二极管为例。
44.反射挡墙300包括沿着行方向延伸以及沿着列方向排列的每一反射挡墙300和沿着行方向延伸以及沿着列方向排列的每一反射挡墙300。
45.沿着行方向延伸以及沿着列方向排列的每一反射挡墙300设置于每两相邻列发光器件230之间。沿着列方向延伸以及沿着行方向排列的每一反射挡墙300设置于每两相邻行的发光器件230之间。沿着行方向延伸以及沿着列方向排列的每一反射挡墙300与沿着列方向延伸以及沿着行方向排列的每一反射挡墙300相交。阵列基板200与彩膜基板100对位贴合。反射挡墙300与遮光部140对应设置。发光器件230与量子点部150对应设置。反射挡墙300的厚度大于发光器件230的厚度。
46.在本技术中，在每两相邻行和列的发光器件230之间设置均设置一反射挡墙300，且反射挡墙300的厚度大于发光器件230的厚度，使得发光器件230的侧向光线被反射挡墙300反射，从而消除了其激发相邻像素的可能性，即避免发光器件230的侧向光线影响与之相邻设置的发光器件230对应的量子点部150，进而避免出现光串扰的问题，进而提高显示面板10的显示效果。在每两相邻行和列的发光器件230之间设置均设置一反射挡墙300，且反射挡墙300的厚度大于发光器件230的厚度，使得发光器件230的侧向光线被反射挡墙300反射，从而聚拢发光器件230的侧向光线，从而提高了发光器件230正面发光的强度，进而提高了量子点部150的发光效率，从而提高了显示面板10的发光强度，从而提高了显示面板10的显示效果，进而提高了显示面板10的显示性能。
47.在一实施例中，发光器件230的厚度h小于或等于100微米。具体的，发光器件230的厚度h可以为10微米、20微米、50微米、70微米、80微米或100微米等。反射挡墙300的厚度w为120微米
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140微米。具体的，反射挡墙300的厚度w可以120微米、125微米、130微米、135微米或140微米。
48.在本技术中，在每两相邻行和列的发光器件230之间设置均设置一反射挡墙300，反射挡墙300的厚度大于发光器件230的厚度，且，发光器件230的厚度h小于或等于100微米，反射挡墙300的厚度w为120微米
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140微米，进一步使得发光器件230的侧向光线被反射挡墙300反射，从而进一步消除了其激发相邻像素的可能性，即进一步避免发光器件230的侧向光线影响与之相邻设置的发光器件230对应的量子点部150，进而进一步避免出现光串扰的问题，进而进一步提高显示面板10的显示效果。在每两相邻行和列的发光器件230之间设置均设置一反射挡墙300，且反射挡墙300的厚度大于发光器件230的厚度，使得发光器件230的侧向光线被反射挡墙300反射，从而进一步聚拢发光器件230的侧向光线，从而进一步提高了发光器件230正面发光的强度，进而进一步提高了量子点部150的发光效率，从而进一步提高了显示面板10的发光强度，从而进一步提高了显示面板10的显示效果，进而进一步提高了显示面板10的显示性能，并降低成本。
49.在一实施例中，反射挡墙300的材料为高粘度的二氧化钛和银浆中的一种或几种。在本技术中，反射挡墙300的材料为高粘度的二氧化钛和银浆，使得反射挡墙300可以采用电流体喷墨打印工艺形成，提高了反射挡墙300的精度和厚度，从而提高显示面板10的性能。
50.在一实施例中，显示面板10还包括框胶400。框胶400设置于第一基底110与第二基底210之间，且位于第一基底110与第二基底210的边缘。
51.请参阅图3，图3是图1中的显示面板沿着ab线的第二种截面示意图。需要说明的是，第二种结构和第一种结构的不同之处在于：
52.在每两相邻的量子点部150之间不设置遮光部140。在每两相邻的发光器件230之间设置有反射挡墙300的一部分，且与每两相邻的发光器件230对应的每两相邻的量子点部150之间设置有反射挡墙300的另一部分。反射挡墙300设置于第一基底110与第二基底210之间，且反射挡墙300与黑矩阵120对应设置。反射挡墙300的厚度h大于量子点部150与发光器件230的厚度q之和。
53.在本技术中，在每两相邻的量子点部150之间不设置遮光部140，而在每两相邻的发光器件230之间以及与之对应的每两相邻的量子点部150之间设置反射挡墙300，且反射挡墙300的厚度h大于量子点部150与发光器件230的厚度q之和，使得发光器件230的侧向光线被反射挡墙300反射，从而消除了其激发相邻像素的可能性，即避免发光器件230的侧向光线影响与之相邻设置的发光器件230对应的量子点部150，同时避免量子点部150影响与之相邻的量子点部150，进而避免出现光串扰的问题，进而提高显示面板10的显示效果。在每两相邻的量子点部150之间不设置遮光部140，而在每两相邻的发光器件230之间以及与之对应的每两相邻的量子点部150之间设置反射挡墙300，且反射挡墙300的厚度h大于量子点部150与发光器件230的厚度q之和，使得发光器件230的侧向光线被反射挡墙300反射，从而聚拢发光器件230的侧向光线，从而提高了发光器件230正面发光的强度，同时反射挡墙300可以反射量子点部150转换形成的光线，从而聚拢量子点部150转换形成的光线，进而提高了量子点部150的发光效率，从而提高了显示面板10的发光强度，从而提高了显示面板10的显示效果，进而提高了显示面板10的显示性能。
54.请参阅图4，图4是图1中的显示面板沿着ab线的第三种结构示意图。需要说明的是，第三种结构和第一种结构的不同之处在于：
55.在每两相邻的量子点部150之间不设置遮光部140。在每两相邻的发光器件230之间设置一反射挡墙300，且与每两相邻的发光器件230对应的每两相邻的量子点部150之间也设置一反射挡墙300。反射挡墙300与黑矩阵120对应设置。设置在每两相邻的发光器件230之间的反射挡墙300和设置在与每两相邻的发光器件230对应的每两相邻的量子点部150之间的反射挡墙300的厚度h之和大于量子点部150与发光器件230的厚度q之和。在发光器件230之间以及量子点部150之间均设置一反射挡墙300，降低反射挡墙300制备工艺要求，且提高了量子点部150的发光效率，从而提高了显示面板10的发光强度，从而提高了显示面板10的显示效果，进而提高了显示面板10的显示性能。
56.请参阅图5，图5是本技术实施例提供的显示面板的第二种平面示意图。需要说明的是，第二种平面示意图和第一种平面示意图的不同之处在于：
57.在每两相邻行和列的发光器件230之间均不设置反射挡墙300，而是每一反射挡墙300围绕一发光器件230以及一量子点部150设置。
58.在本技术中，每一反射挡墙300围绕一发光器件230以及一量子点部150设置，即每一反射挡墙300围绕一像素设置，可以降低反射挡墙300成本。
59.请参阅图6，图6是本技术实施例提供的显示面板的第三种平面示意图。需要说明的是，第三种平面示意图和第一种平面示意图的不同之处在于：
60.沿着行方向延伸以及沿着列方向排列的每两相邻的反射挡墙300设置于每两相邻
列发光器件230之间。沿着列方向延伸以及沿着行方向排列的每两相邻的反射挡墙300设置于每两相邻行的发光器件230之间。沿着行方向延伸以及沿着列方向排列的每两相邻的反射挡墙300与沿着列方向延伸以及沿着行方向排列的每两相邻的反射挡墙300相交。
61.在本技术中，每两相邻行的反射挡墙300设置在每两相邻行的发光器件230以及与之对应设置的量子点部150之间，每两相邻列的反射挡墙300设置在每两相邻列的发光器件230以及与之对应设置的量子点部150之间，进一步提高发光器件230发出的光线以及量子点部150转换光线的反射，从而聚拢发光器件230发出的光线以及量子点部150转换形成的光线，进而提高了量子点部150的发光效率，从而提高了显示面板10的发光强度，从而提高了显示面板10的显示效果，进而提高了显示面板10的显示性能，且简化了反射挡墙300的制备工艺，缩短了生产周期。每两相邻行的反射挡墙300设置在每两相邻行的发光器件230以及与之对应设置的量子点部150之间，每两相邻列的反射挡墙300设置在每两相邻列的发光器件230以及与之对应设置的量子点部150之间，进一步使得发光器件230的侧向光线被反射挡墙300反射，从而进一步消除了其激发相邻像素的可能性，即进一步避免发光器件230的侧向光线影响与之相邻设置的发光器件230对应的量子点部150，进而进一步避免出现光串扰的问题，进而进一步提高显示面板10的显示效果。
62.本技术提供一种显示面板10，显示面板10包括彩膜基板100、阵列基板200和反射挡墙300，彩膜基板100包括第一基底110以及若干间隔设置于第一基底110上的量子点部150，阵列基板200包括第二基底210和设置于第二基底210上的发光器件230，发光器件230具有若干个，且间隔设置；阵列基板200与彩膜基板100贴合，且发光器件230与量子点部150对应设置，反射挡墙300设置于每两相邻的发光器件230之间，反射挡墙300的厚度大于发光器件230的厚度。通过在发光器件230之间设置反射挡墙300，避免发光器件230的光线影响与之相邻发光器件230对应的量子点部150，进而避免出现光串扰的问题，进而提高显示面板10的显示效果。通过在发光器件230之间设置反射挡墙300，提高发光器件230发出的光线的反射，从而聚拢发光器件230发出的光线，从而提高了光利用率，进而提高了量子点部150的发光效率，从而提高了显示面板10的发光强度，从而提高了显示面板10的显示效果，进而提高了显示面板10的显示性能。
63.请参阅图7，图7是本技术实施例提供的显示面板的制备方法流程示意图。本技术还提供一种显示面板10的制备方法，包括：
64.实施例1
65.请继续参阅图2。
66.b11、提供第一基底。
67.在一实施例中，在步骤b11之后，还包括：
68.在第一基底110上设置黑矩阵120材料，并对其图案化形成黑矩阵120。每两相邻的黑矩阵120间隔设置。
69.在一实施例中，在第一基底110上形成黑矩阵120的步骤之后，还包括：
70.在每两相邻的黑矩阵120之间形成彩膜部130。
71.在一实施例中，在每两相邻的黑矩阵120之间形成彩膜部130的步骤之后，还包括：
72.在黑矩阵120以及彩膜部130上设置遮光部140材料，并对其图案化形成遮光部140，遮光部140与黑矩阵120对应设置。
73.b12、在第一基底上形成若干量子点部，若干量子点部间隔设置，量子点部和第一基底构成彩膜基板。
74.在每两相邻的遮光部140之间采用喷墨打印工艺形成量子点部150。第一基底110、黑矩阵120、遮光部140和量子点部150构成彩膜基板100。
75.b13、提供第二基底。
76.在一实施例中，在步骤b13之后，还包括：
77.在第二基底210上形成晶体管层220。
78.b14、在第二基底上形成若干反射挡墙，每两相邻的反射挡墙间隔设置。
79.在晶体管层220上采用电流体喷墨打印工艺制备反射挡墙300，每两相邻的反射挡墙300间隔设置。反射挡墙300的材料为高粘度的银浆和二氧化钛中的一种或两种组合。
80.电流体喷墨打印(ehd printing)是利用打印喷头处的墨水在高压电场的作用下被极化并产生泰勒锥，在强电场下墨水喷出。
81.b15、在每两相邻的反射挡墙之间形成发光器件，第二基底和发光器件构成阵列基板。
82.在晶体管层220上形成发光器件230，且发光器件230位于每两相邻的反射挡墙300之间。第二基底210、晶体管层220、反射挡墙300和发光器件230构成阵列基板200。
83.b16、将阵列基板与彩膜基板贴合，且发光器件与量子点部对应设置，反射挡墙的厚度大于发光器件的厚度。
84.采用框胶400将阵列基板200与彩膜基板100贴合。发光器件230与量子点部150对应设置。反射挡墙300与遮光部140对应设置。
85.在本技术中，采用电流体喷墨打印工艺制备反射挡墙300，从而制备高精度以及高厚度的反射挡墙300，从而保证了显示面板10的性能。
86.实施例2
87.请继续参阅图3。需要说明的是，实施例2与实施例1的不同之处在于：
88.反射挡墙300不在阵列基板200侧形成，而是在彩膜基板100侧形成，且彩膜基板100侧不形成遮光部140。具体的，在每两相邻的黑矩阵120之间形成彩膜部130的步骤之后，直接采用电流体喷墨打印工艺制备反射挡墙300，形成的反射挡墙300的厚度h大于量子点部150与发光器件230的厚度q之和。其他步骤与实施例1相同，此处不再赘述。
89.实施例3
90.请继续参阅图4。需要说明的是，实施例3与实施例1的不同之处在于：将遮光部140替换成反射挡墙300，使得彩膜基板100侧和阵列基板200侧均设置有一反射挡墙300，提高了显示面板10的显示效果，进一步提高了显示面板10的性能。其他步骤与实施例1相同，此处不再赘述。
91.本技术提供一种显示面板10及其制备方法，显示面板10包括彩膜基板100、阵列基板200和反射挡墙300，彩膜基板100包括第一基底110以及若干间隔设置于第一基底110上的量子点部150，阵列基板200包括第二基底210和若干间隔设置于第二基底210上的发光器件230，阵列基板200与彩膜基板100贴合，且发光器件230与量子点部150对应设置，反射挡墙300设置于每两相邻的发光器件230之间，反射挡墙300的厚度大于发光器件230的厚度。通过在发光器件230之间设置反射挡墙300，避免发光器件230的光线影响与之相邻发光器
件230对应的量子点部150，进而避免出现光串扰的问题，进而提高显示面板10的显示效果。通过在发光器件230之间设置反射挡墙300，提高发光器件230发出的光线的反射，从而聚拢发光器件230发出的光线，从而提高了光利用率，进而提高了量子点部150的发光效率，从而提高了显示面板10的发光强度，从而提高了显示面板10的显示效果，进而提高了显示面板10的显示性能。
92.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。