无机纳米颗粒组合物、发光器件及其制造方法和电子设备与流程

无机纳米颗粒组合物、发光器件及其制造方法和电子设备
1.本技术要求于2020年9月29日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0127398号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种无机纳米颗粒组合物、一种发光器件、一种制造该发光器件的方法和一种包括该发光器件的电子设备。


背景技术：

3.发光器件是将电能转化为光能的器件。这种发光器件的非限制性示例包括使用有机材料作为发光材料的有机发光器件和/或使用量子点作为发光材料的量子点发光器件等。
4.示例发光器件包括顺序地堆叠的第一电极、空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。空穴和电子可以在发射层中复合以产生激子。这些激子可以从激发态跃迁到基态，从而产生光。


技术实现要素：

5.本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种无机纳米颗粒组合物、一种发光器件、一种制造该发光器件的方法和一种包括该发光器件的电子设备。当使用无机纳米颗粒组合物形成发光器件时，可以提高相邻层之间的界面处的正交性，因此可以提高加工效率。
6.附加方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过呈现的公开的实施例的实践而获知。
7.本公开的一个或更多个实施例提供了一种包括无机纳米颗粒和高度氟化的溶剂的无机纳米颗粒组合物，其中，无机纳米颗粒可以包括无机材料和含氟(含f)电荷传输有机配体。
8.本公开的一个或更多个实施例提供了一种发光器件，所述发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极、位于第一电极与第二电极之间并包括发射层的中间层，
9.其中，中间层可以包括位于发射层与第二电极之间的电子传输区域，电子传输区域可以包括无机纳米颗粒和高度氟化的溶剂。
10.本公开的一个或更多个实施例提供了一种制造发光器件的方法，所述方法可以包括：通过将无机纳米颗粒组合物提供到第一电极上的发射层上而在电子传输区域中形成至少一个层；以及在发射层上设置第二电极。
11.本公开的一个或更多个实施例提供了一种包括该发光器件的电子设备。
附图说明
12.通过下面结合附图进行的描述，公开的某些实施例的以上和其他方面、特征以及
优点将更加明显，在附图中：
13.图1是根据实施例的发光器件的示意性剖视图；
14.图2是证明根据一个或更多个实施例的无机纳米颗粒组合物中的正交性的摄影图像；以及
15.图3是示例1和对比示例2的发光器件的重叠发射光谱中波长(纳米，nm)与强度(任意单位，a.u.)的关系的曲线图。
具体实施方式
16.现在将更详细地参照实施例，实施例的示例示出在附图中，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件，并且可以不提供其重复描述。在这方面，给出的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，仅通过参照附图来描述实施例，以解释本描述的实施例的各方面。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”、“从a、b和c中选择的至少一个(种/者)”等指仅a、仅b、仅c、a和b两者(例如，同时a和b)、a和c两者(例如，同时a和c)、b和c两者(例如，同时b和c)、a、b和c的全部或者其变型。
17.由于本公开允许各种合适的改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中更详细地描述所选择的实施例。通过参照附图参考本公开的示例实施例，实现本公开的效果、特征和方法将是明显的。然而，本公开可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。
18.在本说明书中描述的实施例中，除非它在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数形式使用的表述也包括复数形式的表述，反之亦然。
19.在本说明书中，将理解的是，诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语意图指示存在说明书中公开的特征或组件，但是不意图排除可以存在或可以添加一个或更多个其他特征或组件的可能性。
20.将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”或者“到”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上方。例如，可以存在中间层、区域或组件。当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。
21.为了便于解释可以夸大附图中的组件的尺寸和比例。换言之，由于为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此实施例不限于此。
22.如这里所使用的，术语“室温”指约25℃的温度。
23.无机纳米颗粒组合物
24.根据一个或更多个实施例的纳米颗粒组合物可以包括无机纳米颗粒和高度氟化的溶剂，其中，无机纳米颗粒可以包括无机材料和含氟(含f)电荷传输有机配体。
25.在一些实施例中，无机纳米颗粒可以包括无机材料，无机材料可以包括：锌(zn)、钼(mo)、钨(w)、镍(ni)、镁(mg)、锆(zr)、锡(sn)、钽(ta)、铪(hf)、铝(al)、钛(ti)或钡(ba)的氧化物、氮化物、硫化物或氮氧化物；或者其任何组合。
26.在实施例中，无机纳米颗粒可以包括氧化锌(zno)、氧化钼(moo3)、氧化钨(wo3)、氧化镍(nio)、氧化锌镁(znmgo)、氧化锌铝(znalo)、二氧化钛(tio2)、氧化镁(mgo)、氧化锆
(zro2)、氧化锡(sno)、二氧化锡(sno2)、氧化钽(ta2o3)、氧化铪(hfo3)、氧化铝(al2o3)、锆硅氧化物(zrsio4)、钡钛氧化物(batio3)、钡锆氧化物(bazro3)或其任何组合。
27.例如，无机材料可以选自于zno、moo3、woo3和nio。
28.在一些实施例中，无机纳米颗粒还可以包括掺杂材料(例如，掺杂剂)。例如，掺杂材料可以包括锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)、铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)、铜(cu)、铝(al)、镓(ga)、铟(in)、硅(si)或其任何组合。
29.例如，无机材料可以掺杂有金属离子的形式的掺杂材料。
30.在实施例中，无机纳米颗粒可以包括：
31.zno纳米颗粒、moo3纳米颗粒、woo3纳米颗粒或nio纳米颗粒(无机材料，例如，本征或未掺杂的无机材料)；或者
32.均进一步包括li、na、k、rb、cs、be、mg、ca、sr、ba、cu、al、ga、in、si或其任何组合(掺杂材料)的zno纳米颗粒、moo3纳米颗粒、woo3纳米颗粒或nio纳米颗粒(无机材料)。
33.无机纳米颗粒可以提供优异或合适的电荷迁移率。
34.在一些实施例中，无机纳米颗粒的平均直径可以在约3纳米(nm)至约15nm的范围内。当无机纳米颗粒的平均直径在该范围内时，可以提高发光器件的电荷迁移率和外部光提取效率。
35.在一些实施例中，无机纳米颗粒可以具有其中无机材料被含f电荷传输有机配体包覆的结构。
36.在一些实施例中，含f电荷传输有机配体可以是由式1表示的化合物或由式2表示的盐：
37.式1
[0038][0039]
式2
[0040][0041]
其中，在式1和式2中，
[0042]
环het1可以是贫π电子的含氮c
1-c
60
环基，
[0043]
l1和l2可以均独立地选自于取代或未取代的c
3-c
10
亚环烷基、取代或未取代的c
1-c
10
亚杂环烷基、取代或未取代的c
3-c
10
亚环烯基、取代或未取代的c
1-c
10
亚杂环烯基、取代或未取代的c
6-c
60
亚芳基、取代或未取代的c
1-c
60
亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
[0044]
a1和a2可以均独立地为0至5的整数，并且当a1为2或更大时，至少两个l1可以彼此相同或不同，并且当a2为2或更大时，至少两个l2可以彼此相同或不同，
[0045]
y1可以为-oh、-cooh、-nh2或-sh，
[0046]
r1至r4可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、取代或未取代的c
1-c
60
烷基、取代或未取代的c
2-c
60
烯基、取代或未取代的c
2-c
60
炔基、取代或未取代的c
1-c
60
烷氧基、取代或未取代的c
3-c
10
环烷基、取代或未取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代或未取代的c
3-c
10
环烯基、取代或未取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代或未取代的c
6-c
60
芳基、取代或未取代的c
6-c
60
芳氧基、取代或未取代的c
6-c
60
芳硫基、取代或未取代的c
1-c
60
杂芳基、取代或未取代的c
1-c
60
杂芳氧基、取代或未取代的c
1-c
60
杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且
[0047]
b1个r1中的至少一个可以为-f或含氟基团，并且
[0048]
b1可以为1至20的整数，并且当b1为2或更大时，至少两个r1可以彼此相同或不同。
[0049]
贫π电子的含氮c
1-c
60
环基可以是i)第一环、ii)其中至少两个第一环缩合的缩合环或者iii)其中至少两个第二环缩合的缩合环，
[0050]
第一环可以是呋喃基团、噻吩基团、吡咯基团、噻咯基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、异噁二唑基团、噁三唑基团、异噁三唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、异噻二唑基团、噻三唑基团、异噻三唑基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、四唑基团、氮杂噻咯基团、二氮杂噻咯基团、三氮杂噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团或三嗪基团，并且
[0051]
第二环可以是环戊烷基团、环己烷基团、环戊二烯基团、环己烯基团、苯基团、呋喃基团、噻吩基团、吡咯基团、噻咯基团、茚基团、苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、吲哚基团或苯并噻咯基团。
[0052]
在实施例中，未被取代的或取代有至少一个r1的贫π电子的含氮c
1-c
60
环基可以是均未被取代的或取代有至少一个r1的氮杂吲哚基团、氮杂茚基团、氮杂苯并噻咯基团、氮杂苯并噻吩基团、氮杂苯并呋喃基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吖啶基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团或苯并噻二唑基团。
[0053]
含f基团可以是取代有至少一个-f的有机基团。
[0054]
例如，含f基团可以是取代有至少一个-f的c
1-c
60
烷基、取代有至少一个-f的c
2-c
60
烯基、取代有至少一个-f的c
2-c
60
炔基、取代有至少一个-f的c
1-c
60
烷氧基、取代有至少一个-f的c
3-c
10
环烷基、取代有至少一个-f的c
1-c
10
杂环烷基、取代有至少一个-f的c
3-c
10
环烯基、取代有至少一个-f的c
1-c
10
杂环烯基、取代有至少一个-f的c
6-c
60
芳基、取代有至少一个-f的c
6-c
60
芳氧基、取代有至少一个-f的c
6-c
60
芳硫基、取代有至少一个-f的c
1-c
60
杂芳基、取代有至少一个-f的c
1-c
60
杂芳氧基、取代有至少一个-f的c
1-c
60
杂芳硫基、取代有至少一个-f的单价非芳香缩合多环基或者取代有至少一个-f的单价非芳香缩合杂多环基。
[0055]
除了-f之外，含f基团还可以取代有：
[0056]
氘(-d)、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0057]
均未被取代的或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)和-p(＝o)(q
11
)(q
12
)中的至少一者的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基；
[0058]
均未被取代的或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)和-p(＝o)(q
21
)(q
22
)中的至少一者的c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳香缩合多环基或单价非芳香缩合杂多环基；
[0059]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)；或者
[0060]
其任何组合。
[0061]q11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以均独立地与下面描述的相同。
[0062]
在一些实施例中，含f电荷传输有机配体可以是由式1-1表示的化合物或者由式2-1或式2-2表示的盐：
[0063]
式1-1
[0064][0065]
式2-1
[0066][0067]
式2-2
[0068][0069]
其中，在式1-1中，
[0070]
x1至x3可以均独立地为c(r
10
)或n，
[0071]
x1至x3中的至少一个可以为n，
[0072]
y1可以为-oh、-cooh、-nh2或-sh，
[0073]
n1可以是0至20的整数，
[0074]r10
至r
24
可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、取代或未取代的c
1-c
60
烷基、取代或未取代的c
2-c
60
烯基、取代或未取代的c
2-c
60
炔基、取代或未取代的c
1-c
60
烷氧基、取代或未取代的c
3-c
10
环烷基、取代或未取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代或未取代的c
3-c
10
环烯基、取代或未取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代或未取代的c
6-c
60
芳基、取代或未取代的c
6-c
60
芳氧基、取代或未取代的c
6-c
60
芳硫基、取代或未取代的c
1-c
60
杂芳基、取代或未取代的c
1-c
60
杂芳氧基、取代或未取代的c
1-c
60
杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且
[0075]r11
至r
24
中的至少一个可以为-f或c
1-c
20
氟代烷基。
[0076]c1-c
20
氟代烷基可以是取代有至少一个-f的c
1-c
20
烷基。
[0077]
在一些实施例中，r
11
至r
24
中的至少一个可以为-f或c
1-c
20
全氟烷基(例如，其中所有氢原子都被-f取代的c
1-c
20
烷基)。
[0078]
由于含f电荷传输有机配体包括含f基团，因此无机纳米颗粒可以具有优异的电荷传输性。因此，当将含f电荷传输有机配体应用于发光器件时，可以促进空穴和电子的迁移，因此提高发光器件的效率。
[0079]
在一些实施例中，r
11
至r
24
可以彼此相同，并且r
11
至r
24
可以均为-f或c
1-c
20
氟代烷基。
[0080]
在一些实施例中，r
11
至r
24
可以均为-f。
[0081]
在一些实施例中，r
11
至r
24
可以均为-(cf2)
n2
cf3(其中，n2可以是0至10的整数)。
[0082]
在一些实施例中，含f电荷传输有机配体可以覆盖无机材料的表面的至少一部分。
[0083]
在一些实施例中，高度氟化的溶剂可以包括氯氟烃(cfc)、全氟烃(pfc)、氢氟烃(hfc)、氢氟烯烃(hfo)、氢氯氟烃(hcfc)、氢氯氟烯烃(hcfo)、氢氟醚(hfe)、全氟聚醚(pfpe)或其任何组合。
[0084]
无机纳米颗粒在无机纳米颗粒组合物中的含量可以在约1重量％(wt％)至约40wt％的范围内，例如，在约1wt％至约30wt％的范围内，例如，在约2wt％至约20wt％的范围内，或者例如，在约3wt％至约10wt％的范围内。当含量在这些范围中的任一范围内时，无机纳米颗粒组合物在电荷迁移率方面可以适合应用于发光器件。
[0085]
高度氟化的溶剂在无机纳米颗粒组合物中的含量可以在约60wt％至约99wt％的范围内，例如，在约70wt％至约98wt％的范围内，或者例如，在约80wt％至约95wt％的范围内。当含量在这些范围中的任一范围内时，无机纳米颗粒组合物可以具有高熔点。因此，无机纳米颗粒组合物可以有利地用于喷墨工艺，并且可以在薄膜形成期间防止或减少在相邻层之间的界面处的材料的混合和/或劣化。
[0086]
在一些实施例中，无机纳米颗粒组合物可以具有150℃或更高的熔点。在一些实施例中，无机纳米颗粒组合物可以具有200℃或更高的熔点。
[0087]
无机纳米颗粒组合物可以具有在约1厘泊(cp)至约10cp的范围内的粘度。当无机纳米颗粒组合物的粘度在该范围内时，无机纳米颗粒组合物可以合适地用于通过使用溶液工艺在发光器件的中间层中形成至少一个层。
[0088]
无机纳米颗粒组合物可以具有在约10dynes/cm至约40dynes/cm(例如，30dynes/cm)的范围内的表面张力。当无机纳米颗粒组合物的表面张力在该范围内时，无机纳米颗粒组合物可以合适地用于通过使用溶液工艺在发光器件的中间层中形成至少一个层。
[0089]
当根据一个或更多个实施例的无机纳米颗粒组合物具有高熔点时，可以减少干燥时污渍的产生，并且可以在薄膜形成期间防止或减少在相邻层之间的界面处的材料的混合和/或劣化。因此，无机纳米颗粒组合物可以有利地用于喷墨工艺，并且可以提高效率。
[0090]
发光器件
[0091]
根据一个方面，发光器件可以包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及中间层，位于第一电极与第二电极之间且包括发射层，
[0092]
其中，中间层可以包括位于发射层与第二电极之间的电子传输区域，
[0093]
电子传输区域的至少一部分可以通过使用包括无机纳米颗粒和高度氟化的溶剂的无机纳米颗粒组合物来形成，并且
[0094]
无机纳米颗粒可以包括无机材料和含f电荷传输有机配体。
[0095]
在一些实施例中，电子传输区域可以包括电子传输层，其中，电子传输层可以与发射层直接接触并且可以通过使用无机纳米颗粒组合物来形成。
[0096]
在一个实施例中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，并且
[0097]
发光器件还可以包括位于第一电极与发射层之间的空穴传输区域，
[0098]
其中，空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合。
[0099]
在一些实施例中，基于可见光波长的范围内的光，第二电极可以是具有50％或更高的透光率的透明电极。
[0100]
在一个或更多个实施例中，发光器件可以包括位于第一电极外侧和/或第二电极外侧的盖层。
[0101]
在一个或更多个实施例中，发光器件还可以包括位于第一电极外侧的第一盖层和位于第二电极外侧的第二盖层中的至少一个，并且第一盖层和第二盖层中的至少一个可以包括由式1表示的化合物。第一盖层和第二盖层可以分别通过参照这里提供的第一盖层和第二盖层的描述来理解。
[0102]
在一些实施例中，发光器件可以包括：
[0103]
第一盖层，位于第一电极外侧并且包括由式1表示的化合物；
[0104]
第二盖层，位于第二电极外侧并且包括由式1表示的化合物；或者
[0105]
(例如，同时包括)第一盖层和第二盖层。
[0106]
根据一个或更多个实施例，电子设备可以包括发光器件。电子设备还可包括薄膜晶体管。在一些实施例中，电子设备还可以包括具有源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且发光器件的第一电极可以电连接到源电极或漏电极。电子设备还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。电子设备可以通过参照这里提供的电子设备的描述来理解。
[0107]
参照图1，将描述根据实施例的发光器件。
[0108]
图1中所示的发光器件10可以包括第一电极110、发射层153、电子传输区域155和第二电极190。
[0109]
第一电极110
[0110]
在图1中，基底可以另外位于第一电极110下方和/或第二电极190上方。基底可以是玻璃基底和/或塑料基底。基底可以是包括具有优异的耐热性和/或耐久性的塑料(例如，聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任何组合)的柔性基底。
[0111]
根据基底的位置，有机发光器件可以是底部发射有机发光器件或顶部发射有机发光器件。
[0112]
第一电极110可以通过在基底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110是阳极时，可以使用可以容易地注入空穴的高逸出功材料。
[0113]
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任何组合。在一些实施例中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任何组合可以用作用于形成第一电极110的材料。
[0114]
第一电极110可以具有包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。在一些实施例中，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0115]
发光器件可以包括：i)顺序堆叠在第一电极110与第二电极190之间的至少两个发射单元；以及ii)位于至少两个发射单元之间的电荷产生层。当发光器件包括至少两个发射单元和电荷产生层时，发光器件10可以是串联发光器件。
[0116]
空穴传输区域
[0117]
在一些实施例中，在第一电极110与发射层153之间还可以包括空穴传输区域。
[0118]
空穴传输区域可以具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)；ii)包括包含多种不同材料的单个层(例如，由包含多种不同材料的单个层组成)的单层结构；或者iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
[0119]
空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合。
[0120]
例如，空穴传输区域可以具有多层结构(例如，空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构)，其中，以各自陈述的次序在第一电极110上顺序地堆叠每种结构的构成层。
[0121]
空穴传输区域可以包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：
[0122]
式201
[0123][0124]
式202
[0125][0126]
其中，在式201和式202中，
[0127]
l
201
至l
204
可以均独立地为未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0128]
l
205
可以为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
20
亚烷基、未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
2-c
20
亚烯基、未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0129]
xa1至xa4可以均独立地为0至5的整数，
[0130]
xa5可以为1至10的整数，
[0131]r201
至r
204
和q
201
可以均独立地为未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0132]r201
和r
202
可以可选地经由单键、未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c5亚烷基或者未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
2-c5亚烯基彼此结合，以形成未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
8-c
60
多环基(例如，咔唑基等)(例如，这里描述的化合物ht16)，
[0133]r203
和r
204
可以可选地经由单键、未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c5亚烷基或者未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
2-c5亚烯基彼此结合，以形成未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
8-c
60
多环基，并且
[0134]
na1可以为1至4的整数。
[0135]
在一些实施例中，由式201和式202表示的化合物可以均包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个：
[0136][0137]
其中，在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可以均独立地通过参照这里提供的r
10a
的描述来理解，环cy
201
至环cy
204
可以均独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以未被取代或被r
10a
取代。
[0138]
在一些实施例中，在式cy201至式cy217中，环cy
201
至环cy
204
可以均独立地为苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0139]
在一些实施例中，由式201和式202表示的化合物可以均包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0140]
在一个或更多个实施例中，由式201表示的化合物可以包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0141]
在一个或更多个实施例中，在式201中，xa1可以为1，r
201
可以是由式cy201至式cy203中的任何一个表示的基团，xa2可以为0，并且r
202
可以是由式cy204至式cy207表示的基团。
[0142]
在一些实施例中，由式201和式202表示的化合物可以均不包括由式cy201至式cy203表示的基团。
[0143]
在一个或更多个实施例中，由式201和式202表示的化合物可以均不包括由式cy201至式cy203表示的基团，并且包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0144]
在一些实施例中，由式201和式202表示的化合物可以均不包括由式cy201至式cy217表示的基团。
[0145]
在一些实施例中，空穴传输区域可以包括化合物ht1至化合物ht44、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化npb、tapc、hmtpd、4,4',4
″‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)中的一种或者其任何组合：
[0146]
[0147]
[0148]
[0149][0150]
空穴传输区域的厚度可以在约50(埃)至约的范围内，并且在一些实施例中，在约至约的范围内。当空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可以在约至约的范围内，并且在一些实施例中，在约至约的范围内，空穴传输层的厚度可以在约至约的范围内，并且在一些实施例中，在约至约的范围内。当空穴传输区域、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围中的任一范围内时，可以获得优异的空穴传输特性，而不显著增大驱动电压。
[0151]
发射辅助层可以通过补偿由发射层发射的光的波长的光学谐振距离来提高器件
的发光效率。电子阻挡层可以防止或减少电子从发射层泄漏到空穴传输区域。可以包括在空穴传输区域中的材料也可以包括在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0152]
p掺杂剂
[0153]
除了前述材料之外，空穴传输区域还可以包括电荷产生材料，以改善空穴传输区域的导电性质。电荷产生材料可以基本上均匀地或非均匀地分散(例如，作为包括电荷产生材料(例如，由电荷产生材料组成)的单个层)在空穴传输区域中。
[0154]
电荷产生材料可以包括例如p掺杂剂。
[0155]
在一些实施例中，p掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可以为-3.5ev或更低。
[0156]
在一些实施例中，p掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基化合物、包括元素el1和元素el2的化合物或者其任何组合。
[0157]
醌衍生物的非限制性示例包括tcnq和/或f4-tcnq等。
[0158]
含氰基化合物的非限制性示例包括hat-cn和/或由式221表示的化合物等：
[0159][0160]
式221
[0161][0162]
其中，在式221中，
[0163]r221
至r
223
可以均独立地为未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，并且
[0164]r221
至r
223
中的至少一个可以均独立地为取代有以下基团的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氰基；f；-cl；-br；-i；取代有氰基、f、-cl、-br、-i或其任何组合的c
1-c
20
烷基；或者其任何组合。
[0165]
在包括元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或其组合，元素el2可以是非金属、准金属或其组合。
[0166]
金属的非限制性示例可以包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)和/或铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)和/或钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)和/或金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)和/或锡(sn)等)；和/或镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)和/或镥(lu)等)；等等。
[0167]
准金属的非限制性示例包括硅(si)、锑(sb)和/或碲(te)等。
[0168]
非金属的非限制性示例包括氧(o)和/或卤素(例如，f、cl、br和/或i等)等。
[0169]
例如，包括元素el1和元素el2的化合物可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物等)、金属碲化物或其任何组合。
[0170]
金属氧化物的非限制性示例可以包括氧化钨(例如，wo、w2o3、wo2、wo3和/或w2o5等)、氧化钒(例如，vo、v2o3、vo2和/或v2o5等)、氧化钼(moo、mo2o3、moo2、moo3和/或mo2o5等)和/或氧化铼(例如，reo3等)等。
[0171]
金属卤化物的非限制性示例包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和/或镧系金属卤化物等。
[0172]
碱金属卤化物的非限制性示例包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和/或csi等。
[0173]
碱土金属卤化物的非限制性示例包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和/或bai2等。
[0174]
过渡金属卤化物的非限制性示例包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4和/或tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4和/或zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4和/或hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3和/或vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3和/或nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3和/或tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3和/或cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3和/或moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3和/或wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2和/或mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2和/或tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2和/或rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2和/或fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2和/或rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2和/或osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2和/或coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2和/或rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2和/或iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2和/或nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2和/或pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2和/或pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr和/或cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr和/或agi等)和/或金卤化物(例如，auf、aucl、aubr和/或aui等)等。
[0175]
后过渡金属卤化物的非限制性示例包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2和/或zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和/或锡卤化物(例如，sni2等)等。
[0176]
镧系金属卤化物的非限制性示例包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和/或smi3等。
[0177]
准金属卤化物的非限制性示例包括锑卤化物(例如，sbcl5等)等。
[0178]
金属碲化物的非限制性示例包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te和/或cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte和/或bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte和/或au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和/或镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte和/或lute等)等。
[0179]
发射层153
[0180]
发射层可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以是磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。
[0181]
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以在约0.01重量份至约15重量份的范围内。
[0182]
在一些实施例中，发射层153可以包括量子点(例如，多个量子点)。包括量子点的发射层153的厚度可以在约7nm至约100nm的范围内，或者例如，在约15nm至约50nm的范围内。当厚度在这些范围中的任一范围内时，由于对可能在量子点排列中产生的孔的适当控制，发光器件可以具有优异的发光效率和/或寿命。
[0183]
发射层可以包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可以用作发射层中的主体或掺杂剂。
[0184]
发射层的厚度可以在约至约的范围内，在一些实施例中，在约至约的范围内。当发射层的厚度在这些范围中的任一范围内时，可以获得提高的发光特性，而不显著增大驱动电压。
[0185]
当发光器件为全色发光器件时，发射层153可以根据子像素而被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或更多个实施例中，发射层可以具有堆叠结构。堆叠结构可以包括从红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中选择的两个或更多个层。所述两个或更多个层可以彼此直接接触。在一些实施例中，所述两个或更多个层可以彼此分开。在一个或更多个实施例中，发射层可以包括两种或更多种材料。所述两种或更多种材料可以包括红色发光材料、绿色发光材料或蓝色发光材料。所述两种或更多种材料可以在单个层中彼此混合。在单个层中彼此混合的所述两种或更多种材料可以发射白光。
[0186]
发射层153中的主体
[0187]
主体可以包括由式301表示的化合物：
[0188]
式301
[0189]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
，
[0190]
其中，在式301中，
[0191]
ar
301
可以选自于取代或未取代的c
5-c
60
碳环基和取代或未取代的c
1-c
60
杂环基，
[0192]
xb11可以为1、2或3，
[0193]
l
301
可以为取代或未取代的c
3-c
10
亚环烷基、取代或未取代的c
1-c
10
亚杂环烷基、取代或未取代的c
3-c
10
亚环烯基、取代或未取代的c
1-c
10
亚杂环烯基、取代或未取代的c
6-c
60
亚芳基、取代或未取代的c
1-c
60
亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
[0194]
xb1可以为0、1、2、3、4或5，
[0195]r301
可以为氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、取代或未取代的c
1-c
60
烷基、取代或未取代的c
2-c
60
烯基、取代或未取代的c
2-c
60
炔基、取代或未取代的c
1-c
60
烷氧基、取代或未取代的c
3-c
10
环烷基、取代或未取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代或未取代的c
3-c
10
环烯基、取代或未取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代或未取代的c
6-c
60
芳基、取代或未取代的c
6-c
60
芳氧基、取代或未取代的c
6-c
60
芳硫基、取代或未取代的c
1-c
60
杂芳基、取代或未取代的单价非芳香
si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0217]
xb21可以是1至5的整数，并且
[0218]q301
至q
303
可以均独立地与结合q
11
描述的相同。
[0219]
在一些实施例中，当式301中的xb11为2或更大时，至少两个ar
301
可以经由单键结合。
[0220]
在一些实施例中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：
[0221]
式301-1
[0222][0223]
式301-2
[0224][0225]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0226]
环a
301
至环a
304
可以均独立地为未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0227]
x
301
可以为o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0228]
xb22和xb23可以均独立地为0、1或2，
[0229]
l
301
、xb1和r
301
可以均独立地与上面描述的相同，
[0230]
l
302
至l
304
可以均独立地与结合l
301
描述的相同，
[0231]
xb2至xb4可以均独立地与结合xb1描述的相同，并且
[0232]r302
至r
305
和r
311
至r
314
可以均独立地与结合r
301
描述的相同。
[0233]
在一些实施例中，主体可以包括碱土金属配合物。例如，主体可以包括be配合物(例如，化合物h55)或mg配合物。在一些实施例中，主体可以为zn配合物或其任何组合。
[0234]
在一些实施例中，主体可以包括化合物h1至化合物h124、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp)和1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)中的一种或者其任何组合：
[0235]
[0236]
[0237]
[0238]
[0239][0240]
发射层153中的磷光掺杂剂
[0241]
磷光掺杂剂可以包括至少一种过渡金属作为中心金属。
[0242]
磷光掺杂剂可以包括单齿配体、双齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。
[0243]
磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0244]
在一些实施例中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属配合物：
[0245]
式401
[0246]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0247]
式402
cn或者含磷物质基团(例如，膦基团或亚磷酸(盐)基团)。
[0265]
磷光掺杂剂可以为例如化合物pd1至化合物pd25中的一种或者其任何组合：
[0266][0267]
发射层153中的荧光掺杂剂
[0268]
荧光掺杂剂可以包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。
[0269]
在一些实施例中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0270]
式501
[0271][0272]
其中，在式501中，
[0273]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可以均独立地为未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0274]
xd1至xd3可以均独立地为0、1、2或3，并且
[0275]
xd4可以为1、2、3、4、5或6。
[0276]
在一些实施例中，在式501中，ar
501
可以包括其中至少三个单环基团缩合的缩合环基团(例如，蒽基团、基团或芘基团)。
[0277]
在一些实施例中，式501中的xd4可以为2。
[0278]
在一些实施例中，荧光掺杂剂可以包括化合物fd1至化合物fd36、dpvbi和dpavbi中的一种或者其任何组合：
[0279]
[0280]
[0281][0282]
延迟荧光材料
[0283]
发射层可以包括延迟荧光材料。
[0284]
这里描述的延迟荧光材料可以是根据延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的任何合适的化合物。
[0285]
根据包括在发射层中的其他材料的类型(种类)，包括在发射层中的延迟荧光材料可以用作主体或掺杂剂。
[0286]
在一些实施例中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可以为约0ev或更大且约0.5ev或更小。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差在该范围内时，在延迟荧光材料中可以有效地发生从三重态到单重态的向上转换，因此改善发光器件10的发光效率等。
[0287]
在一些实施例中，延迟荧光材料可以包括：i)包括至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环基(诸如咔唑基团等))以及至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基和/或贫π电子的含氮c
1-c
60
环基等)的材料；以及/或者ii)包括包含彼此缩合并共用硼(b)原子的至少两个环基的c
8-c
60
多环基的材料等。
[0288]
延迟荧光材料的非限制性示例可以包括化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0289][0290]
包括量子点的发射层153
[0291]
在一些实施例中，发射层153可以包括量子点。除了量子点之外，发射层153还可以包括基质材料。例如，发射层153可以包括量子点和基质材料，并且量子点可以分散在基质材料中。
[0292]
如这里所使用的术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射一种或更多种合适发射波长的光的任何合适的材料。
[0293]
可以根据湿化学工艺、金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺和/或分子束外延(mbe)工艺等来合成量子点。
[0294]
湿化学工艺是通过将前驱体材料与有机溶剂混合来生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂可以自然地充当在量子点晶体的表面上配位的分散剂，并可以控制晶体的生长。因此，与气相沉积工艺(诸如金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺和/或分子束外延(mbe)工艺)相比，湿化学方法可以更容易。此外，可以以较低的制造成本来控制量子点颗粒的生长。
[0295]
量子点可以包括ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；iv族元素或半导体化合物；或者其任何组合。
[0296]
ii-vi族半导体化合物的非限制性示例包括二元化合物(诸如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse和/或mgs)；三元化合物(诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、
cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns)；四元化合物(诸如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、和/或hgznste)；或者其任何组合。
[0297]
iii-v族半导体化合物的非限制性示例包括二元化合物(诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas和/或insb)；三元化合物(诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inaip、innas、innsb、inpas和/或inpsb)；四元化合物(诸如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas和/或inalpsb)；或者其任何组合。在一些实施例中，iii-v族半导体化合物还可以包括ii族(例如，iib族)元素。还包括ii族元素的iii-v族半导体化合物的非限制性示例包括inznp、ingaznp和/或inalznp等。
[0298]
iii-vi族半导体化合物的非限制性示例包括二元化合物(诸如in2s3、gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2se3和/或inte等)；三元化合物(诸如ingas3和/或ingase3等)；或者其任何组合。
[0299]
i-iii-vi族半导体化合物的非限制性示例包括三元化合物(诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2和/或其任何组合)。
[0300]
iv-vi族半导体化合物的非限制性示例包括二元化合物(诸如sns、snse、snte、pbs、pbse和/或pbte)；三元化合物(诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse和/或snpbte)；四元化合物(诸如snpbsse、snpbsete和/或snpbste)；或者其任何组合。
[0301]
iv族元素或半导体化合物可以是单质(诸如si和/或ge)；二元化合物(诸如sic和/或sige)；或者其任何组合。
[0302]
包括在多元素化合物(诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的各个元素可以以基本上均匀或不均匀的浓度存在于量子点颗粒中。
[0303]
量子点可以具有其中包括在量子点中的每种元素的浓度是基本上均匀的单一(例如，一体)结构或者核-壳双重结构。在一些实施例中，包括在核中的材料可以与包括在壳中的材料不同。
[0304]
量子点的壳可以用作用于防止或减少核的化学变性以保持半导体特性的保护层，并且/或者可以用作用于向量子点赋予电泳特性的荷电层。壳可以具有单层结构或多层结构。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向核降低的浓度梯度。
[0305]
量子点的壳的非限制性示例包括金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物和/或其组合。金属氧化物和非金属氧化物的非限制性示例可以包括：二元化合物(诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio)；三元化合物(诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4)；和/或其任何组合。半导体化合物的非限制性示例包括ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；或者其任何组合。在一些实施例中，半导体化合物可以为cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或者其任何组合。
[0306]
量子点可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发射波长光谱
的半峰全宽(fwhm)。当量子点的fwhm在该范围内时，可以改善色纯度和/或颜色再现性。在一些实施例中，因为通过量子点发射的光沿所有方向发射，所以可以改善光学视角。
[0307]
在一些实施例中，量子点可以是球形、金字塔形、多臂形和/或立方体形的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米片。
[0308]
通过调节量子点的尺寸，还可以调节能带隙，从而在量子点发射层中获得各种合适波长的光。通过使用各种合适尺寸的量子点，可以实现发射各种合适波长的光的发光器件。在一些实施例中，可以选择量子点的尺寸，使得量子点可以发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施例中，可以选择量子点的尺寸，使得量子点可以通过组合一种或更多种合适颜色的光来发射白光。
[0309]
量子点可以具有：单一结构，具有均质的组分和组成；或者复合结构(诸如核-壳结构或梯度结构)。核-壳结构中的壳可以是具有均质组分和组成的单壳或者具有包括不同组分和/或组成的至少两层的多壳结构。
[0310]
例如，构成核-壳结构中的核和壳的材料可以均选自于描述的半导体化合物。
[0311]
在实施例中，量子点可以包括iii-v族半导体化合物。
[0312]
在一个或更多个实施例中，量子点可以包括in。
[0313]
在一个或更多个实施例中，量子点可以包括in和p。
[0314]
在一个或更多个实施例中，量子点可以包括iii-v族半导体化合物和ii-vi族半导体化合物。
[0315]
在一个或更多个实施例中，量子点可以具有核-壳结构，核可以是iii-v族半导体化合物，壳可以是ii-vi族半导体化合物。
[0316]
在一个或更多个实施例中，量子点可以具有核-壳结构，核可以是gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb或其任何组合，壳可以是cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgs、mgse、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgzns、mgznse、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste或其任何组合。
[0317]
在一个或更多个实施例中，量子点可以具有核-壳结构，核可以是cdse、cds、zns、znse、cdte、cdsete、cdzns、pbse、aginzns、zno、inn、inp、inas、insb、ingap或其任何组合，壳可以是cdse、znse、zns、znses、znte、cdte、pbs、tio、srse、hgse或其任何组合。
[0318]
在一个或更多个实施例中，量子点可以是inp/zns或inp/znses核-壳量子点。
[0319]
量子点的平均直径可以在约1nm至约20nm的范围内，例如，在约1nm至约15nm的范围内，或者例如，在约1nm至约10nm的范围内。
[0320]
当量子点具有核-壳结构时，核的半径与壳的半径的比可以在约2:8至约8:2的范围内，例如，在约3:7至约7:3的范围内，或者例如，在约4:6至约6:4的范围内。
[0321]
基质材料可以包括聚合物材料，聚合物材料可以用作其中分散有量子点的基质。
[0322]
电子传输区域155
[0323]
电子传输区域155可以位于发射层153与第二电极190之间。电子传输区域155可以用于将从第二电极190注入的电子转移到发射层153。
[0324]
电子传输区域可以具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)；ii)包括包含多种不同材料的单个层(例如，由包含多种不同材料的单个层组成)的单层结构；或者iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
[0325]
在一些实施例中，电子传输区域可以包括从缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中选择的至少一者，但实施例不限于此。
[0326]
在一些实施例中，电子传输区域可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或者缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，以各自陈述的次序在发射层上顺序地堆叠每种结构的构成层，但实施例不限于此。
[0327]
在一些实施例中，电子传输区域155可以包括无机纳米颗粒。
[0328]
在一些实施例中，电子传输区域的至少一部分可以通过使用包括无机纳米颗粒和高度氟化的溶剂的无机纳米颗粒组合物来形成。
[0329]
因此，在一些实施例中，电子传输区域的至少一部分可以包括无机纳米颗粒和高度氟化的溶剂，高度氟化的溶剂可以在形成电子传输区域的至少一部分时保留。
[0330]
无机纳米颗粒和高度氟化的溶剂可以均通过参照这里提供的无机纳米颗粒和高度氟化的溶剂的描述来理解。
[0331]
在根据一个或更多个实施例的发光器件中，电子传输区域的至少一部分可以通过使用无机纳米颗粒组合物来形成，并且可以防止或减少在包括无机纳米颗粒的区域和可能与其相邻的另一区域(例如，发射层等)之间的界面处的材料的混合和/或劣化，无机纳米颗粒组合物可以适当地用于喷墨工艺。
[0332]
在一些实施例中，由于包括在电子传输区域中的无机纳米颗粒的电荷传输性，可以防止或减少由驱动发光器件时产生的热或从发射层迁移的过量激子引起的劣化。因此，发光器件可以具有优异的发光效率和/或寿命。
[0333]
在一些实施例中，电子传输区域可以包括电子传输层，并且
[0334]
电子传输层可以与发射层直接接触，并且可以通过使用无机纳米颗粒组合物形成。
[0335]
在根据一个或更多个实施例的发光器件中，由于与发射层相邻的电子传输层可以通过使用无机纳米颗粒组合物来形成，因此可以防止或减少在包括无机纳米颗粒的区域和可能与所述区域相邻的发射层之间的界面处的材料混合和/或劣化，无机纳米颗粒组合物可以适当地用于喷墨工艺。
[0336]
电子传输层的厚度可以在约至约的范围内，在一些实施例中，在约至约的范围内。当电子传输层的厚度在这些范围中的任一范围内时，可以获得优异的电荷传输特性而不显著增大驱动电压。
[0337]
电子传输区域(例如，电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包括包含至少一个贫π电子的含氮c
1-c
60
环基的无金属化合物。
[0338]
在一些实施例中，电子传输区域可以包括由式601表示的化合物：
[0339]
式601
[0340]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0341]
其中，在式601中，
[0342]
ar
601
和l
601
可以均独立地为未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0343]
xe11可以为1、2或3，
[0344]
xe1可以为0、1、2、3、4或5，
[0345]r601
可以为未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基、未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0346]q601
至q
603
可以均通过参照这里提供的q
11
的描述来理解，
[0347]
xe21可以为1、2、3、4或5，并且
[0348]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以均独立地为未被取代的或取代有至少一个r
10a
的贫π电子的含氮c
1-c
60
环基。
[0349]
在一些实施例中，当式601中的xe11为2或更大时，至少两个ar
601
可以经由单键结合。
[0350]
在一些实施例中，在式601中，ar
601
可以为取代或未取代的蒽基团。
[0351]
在一些实施例中，电子传输区域可以包括由式601-1表示的化合物：
[0352]
式601-1
[0353][0354]
其中，在式601-1中，
[0355]
x
614
可以为n或c(r
614
)，x
615
可以为n或c(r
615
)，x
616
可以为n或c(r
616
)，并且从x
614
至x
616
中选择的至少一个可以为n，
[0356]
l
611
至l
613
可以均通过参照这里提供的l
601
的描述来理解，
[0357]
xe611至xe613可以均通过参照这里提供的xe1的描述来理解，
[0358]r611
至r
613
可以均通过参照这里提供的r
601
的描述来理解，并且
[0359]r614
至r
616
可以均独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未被取代的或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基。
[0360]
例如，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可以均独立地为0、1或2。
[0361]
电子传输区域可以包括化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz和ntaz中的一种或者其任何组合：
[0362]
[0363][0364]
电子传输区域的厚度可以在约至约的范围内，在一些实施例中，在约至约的范围内。当电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电
子传输层或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以均独立地在约至约的范围内，例如，在约至约的范围内，并且电子传输层的厚度可以在约至约的范围内，例如，在约至约的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区域的厚度均在这些范围内时，可以获得优异的电子传输特性，而不显著增大驱动电压。
[0365]
除了上述材料之外，电子传输区域(例如，电子传输区域中的电子传输层)还可以包括含金属材料。
[0366]
含金属材料可以包括碱金属配合物、碱土金属配合物或其任何组合。碱金属配合物的金属离子可以为锂(li)离子、钠(na)离子、钾(k)离子、铷(rb)离子或铯(cs)离子。碱土金属配合物的金属离子可以为铍(be)离子、镁(mg)离子、钙(ca)离子、锶(sr)离子或钡(ba)离子。与碱金属配合物和碱土金属配合物的金属离子配位的每种配体可以独立地为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
[0367]
例如，含金属材料可以包括li配合物。li配合物可以包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0368][0369]
电子传输区域可以包括电子注入层以促进电子从第二电极190的注入。电子注入层可以与第二电极190直接接触。
[0370]
电子注入层可以具有：i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)；ii)包括包含多种不同材料的单个层(例如，由包含多种不同材料的单个层组成)的单层结构；或者iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
[0371]
电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或其任何组合。
[0372]
碱金属可以为li、na、k、rb、cs或其任何组合。碱土金属可以为mg、ca、sr、ba或其任何组合。稀土金属可以为sc、y、ce、tb、yb、gd或其任何组合。
[0373]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可以均分别是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碲化物或其任何组合。
[0374]
含碱金属化合物可以是碱金属氧化物(诸如，li2o、cs2o和/或k2o)、碱金属卤化物(诸如，lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi和/或ki)或其任何组合。含碱土金属化合物可以包括
碱土金属氧化物(诸如，bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中，x是满足0《x《1的实数)和/或ba
x
ca
1-x
o(其中，x是满足0《x《1的实数))。含稀土金属化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任何组合。在一些实施例中，含稀土金属化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的非限制性示例包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和/或lu2te3等。
[0375]
碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以包括：i)上述的碱金属、碱土金属和稀土金属的各自的离子；以及ii)与金属离子结合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
[0376]
电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或其任何组合(例如，可以由碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或其任何组合组成)。在一些实施例中，电子注入层还可以包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0377]
在一些实施例中，电子注入层可以包括i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)或者ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合(例如，由i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)或者ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合组成)。在一些实施例中，电子注入层可以是ki:yb共沉积层和/或rbi:yb共沉积层等。
[0378]
当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或其组合可以基本上均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
[0379]
电子注入层的厚度可以在约至约的范围内，在一些实施例中，在约至约的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围中的任一范围内时，可以获得优异的电子注入特性，而不显著增大驱动电压。
[0380]
电子传输区域155的一部分可以不包括碳。例如，电子传输区域155可以包括电子注入层，并且电子注入层可以不包括有机材料。
[0381]
第二电极190
[0382]
第二电极190可以位于电子传输区域155上。在实施例中，第二电极190可以为作为电子注入电极的阴极。在该实施例中，用于形成第二电极190的材料可以为具有低逸出功的材料，例如，金属、合金、导电化合物或其任何组合。
[0383]
在一些实施例中，第二电极190可以包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任何组合。
[0384]
在一个或更多个实施例中，除了ag、al、mg、ca、sr、ba、in或其任何组合之外，第二电极190还可以包括碱金属、稀土金属或其任何组合。
[0385]
碱金属可以是li、na、k、rb、cs或其任何组合。稀土金属可以是sc、y、ce、tb、yb、gd或其任何组合。
[0386]
第二电极190可以是透明电极、半透明电极或反射电极。
[0387]
在一些实施例中，基于可见光波长范围内的光(例如，具有在约400nm至约700nm的范围内的最大发射波长的光)，第二电极190可以是具有50％或更高(例如，60％或更高、65％或更高、70％或更高、75％或更高、80％或更高、85％或更高、90％或更高或者95％或更高)的透光率的透明电极。因此，包括第二电极190的发光器件10可以是具有优异的发光效率和/或寿命的顶部发射发光器件。
[0388]
第二电极190可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
[0389]
第二电极190的厚度可以例如在约10nm至约1,000nm的范围内，或者例如，在约100nm至约300nm的范围内。
[0390]
盖层
[0391]
第一盖层可以位于第一电极110外侧，并且/或者第二盖层可以位于第二电极190外侧。在一些实施例中，发光器件10可以具有其中第一盖层、第一电极110、发射层153、电子传输区域155和第二电极190以该陈述的次序顺序地堆叠的结构、其中第一电极110、发射层153、电子传输区域155、第二电极190和第二盖层以该陈述的次序顺序地堆叠的结构或者其中第一盖层、第一电极110、发射层153、电子传输区域155、第二电极190和第二盖层以该陈述的次序顺序地堆叠的结构。
[0392]
在发光器件10中，从发射层153发射的光可以穿过第一电极110(其可以是半透明电极或透明电极)并穿过第一盖层到外部。在发光器件10中，从发射层153发射的光可以穿过第二电极190(其可以是半透明电极或透明电极)并穿过第二盖层到外部。
[0393]
第一盖层和/或第二盖层可以基于相长干涉原理来提高器件的外部发光效率。因此，可以提高发光器件10的光提取效率，从而改善发光器件10的发光效率。
[0394]
第一盖层和第二盖层可以均包括(在589nm下)具有1.6或更高的折射率的材料。
[0395]
第一盖层和第二盖层可以均独立地为包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层或者包括有机材料和无机材料的复合盖层。
[0396]
第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可以均可选地取代有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任何组合的取代基。
[0397]
在一些实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括含胺基化合物。
[0398]
在一些实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。
[0399]
在一个或更多个实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括化合物ht28至化合物ht33中的一种、化合物cp1至化合物cp6中的一种、β-npb或其任何组合：
[0400][0401]
电子设备
[0402]
发光器件10可以被包括在一个或更多个合适的电子设备中。在一些实施例中，包括发光器件10的电子设备可以是发射设备或认证设备。
[0403]
除了发光器件之外，电子设备(例如，发射设备)还可以包括i)滤色器、ii)颜色转换层或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以设置在从发光器件发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光器件发射的光可以是蓝光或白光。发光器件可以通过参照这里提供的描述来理解。在一些实施例中，颜色转换层可以包括量子点。量子点可以是例如这里描述的量子点。
[0404]
电子设备可以包括第一基底。第一基底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0405]
像素限定膜可以位于多个子像素区域之间以限定每个子像素区域。
[0406]
滤色器还可以包括多个滤色器区域和在多个滤色器区域之间的阻光图案，并且颜色转换层还可以包括多个颜色转换区域和在多个颜色转换区域之间的阻光图案。
[0407]
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括：第一区域，用于发射第一颜色光；第二区域，用于发射第二颜色光；和/或第三区域，用于发射第三颜色光，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有不同的最大发射波长。在一些实施例中，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，并且第三颜色光可以是蓝光。在一些实施例中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以均包括量子点。在一些实施例中，第一区域可以包括红色量子点，第二区域可以包括绿色量子点，第三区域可以不包括任何量子点。量子点可以通过参照这里提供的量子点的描述来理解。第一区域、第二区域和/或第三区域可以
均进一步包括散射体。
[0408]
在一些实施例中，发光器件可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射1-1颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射2-1颜色光，第三区域可以吸收第一光以发射3-1颜色光。在该实施例中，1-1颜色光、2-1颜色光和3-1颜色光可以各自具有不同的最大发射波长。在一些实施例中，第一光可以是蓝光，1-1颜色光可以是红光，2-1颜色光可以是绿光，并且3-1颜色光可以是蓝光。
[0409]
除了发光器件之外，电子设备还可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极和漏电极中的一个可以电连接到发光器件的第一电极和第二电极中的一个。
[0410]
薄膜晶体管还可以包括栅电极和/或栅极绝缘膜等。
[0411]
有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体。
[0412]
电子设备还可以包括用于密封发光器件的封装单元。封装单元可以位于滤色器和/或颜色转换层与发光器件之间。封装单元可以允许光从发光器件穿过到外部，并且可以同时(例如，并发地)防止或减少空气和/或湿气渗透到发光器件。封装单元可以是包括透明玻璃的密封基底和/或塑料基底。封装单元可以是包括有机层和无机层中的至少一个的薄膜封装层。当封装单元是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0413]
除了滤色器和/或颜色转换层之外，根据电子设备的用途，一个或更多个合适的功能层可以设置在封装单元上。功能层的非限制性示例包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可以是电阻式触摸屏层、电容式触摸屏层或红外光束触摸屏层。认证设备可以是例如根据生物识别信息(例如，指尖和/或瞳孔等)来识别个体的生物识别认证设备。
[0414]
发光器件可以用于一种或更多种合适的显示器和/或光源等。
[0415]
认证设备可以是例如根据生物识别信息(例如，指尖和/或瞳孔等)来识别个体的生物识别认证设备。除了上述发光器件之外，认证设备还可以包括生物识别信息收集单元。
[0416]
电子设备可以应用于一种或更多种合适的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、蜂窝电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗装置(例如，电子温度计、血压仪、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图记录仪、超声诊断装置、内窥镜显示装置)、鱼探测器、各种合适的测量装置、仪表(例如，车辆、飞机、船舶的仪表)和/或投影仪。
[0417]
制造方法
[0418]
根据本公开的实施例的制造发光器件的方法包括：在第一电极上设置发射层；通过将根据本公开的实施例的无机纳米颗粒组合物提供到发射层上而在电子传输区域中形成至少一个层；以及在发射层上设置第二电极。
[0419]
在一些实施例中，通过使用喷墨印刷方法在电子传输区域中形成至少一个层。
[0420]
术语的一般定义
[0421]
如在此使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指包括仅碳原子(例如，由仅碳原子组成)且具有3个至60个碳原子的环基。如在此使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指除了除碳原子以外的杂原子以外还具有1个至60个碳原子的环基。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可以均是包括一个环(例如，由一个环组成)的单环基或其中至少两个环缩合的多环基。例如，c
1-c
60
杂环基中的成环原子数可以在3至60的范围内。
[0422]
如在此使用的术语“环基”可以包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0423]
术语“富π电子的c
3-c
60
环基”指具有3个至60个碳原子并且不包括*-n＝*'作为成环部分的环基。如在此使用的术语“贫π电子的含氮c
1-c
60
环基”指具有1个至60个碳原子并且*-n＝*'作为成环部分的杂环基。
[0424]
在一些实施例中，
[0425]c3-c
60
碳环基可以是i)t1基团(定义如下)或ii)其中至少两个t1基团缩合的基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、并环戊二烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
[0426]c1-c
60
杂环基可以是i)t2基团(定义如下)、ii)其中至少两个t2基团缩合的基团，或者iii)其中至少一个t2基团与至少一个t1基团缩合的基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0427]
富π电子的c
3-c
60
环基可以是i)t1基团、ii)其中至少两个t1基团缩合的缩合基团、iii)t3基团(定义如下)、iv)其中至少两个t3基团缩合的缩合基团，或者v)其中至少一个t3基团与至少一个t1基团缩合的缩合基团(例如，c
3-c
60
碳环基、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
[0428]
贫π电子的含氮c
1-c
60
环基可以是i)t4基团(定义如下)、ii)其中至少两个t4基团缩合的基团、iii)其中至少一个t4基团与至少一个t1基团缩合的基团、iv)其中至少一个t4基团与至少一个t3基团缩合的基团，或者v)其中至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团缩合的基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二
唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0429]
其中，t1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
[0430]
t2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团，
[0431]
t3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，
[0432]
t4基团可以是2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0433]
如在此使用的术语“环基”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环基”或“贫π电子的含氮c
1-c
60
环基”根据术语所适用的式的结构可以为与任何合适的环基缩合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团和/或四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基和/或亚苯基等，根据包括“苯基团”的式的结构，本领域普通技术人员可以理解这一点。
[0434]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的非限制性示例包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳香缩合多环基和/或单价非芳香缩合杂多环基。二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的非限制性示例包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基和/或二价非芳香缩合杂多环基。
[0435]
如在此使用的术语“c
1-c
60
烷基”可以指具有1个至60个碳原子的直链或支链的脂肪族饱和烃单价基团，其非限制性示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基。如在此使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指具有与c
1-c
60
烷基基本相同结构的二价基团。
[0436]
如在此使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基。其非限制性示例包括乙烯基、丙烯基和/或丁烯基。如在此使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指具有与c
2-c
60
烯基基本相同结构的二价基团。
[0437]
如在此使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基。其非限制性示例包括乙炔基和/或丙炔基。如在此使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指具有与c
2-c
60
炔基基本相同结构的二价基团。
[0438]
如在此使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
(其中，a
101
为c
1-c
60
烷基)表示的单价基团。其非限制性示例包括甲氧基、乙氧基和/或异丙氧基。
[0439]
如在此使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指包括3个至10个碳原子的单价饱和烃单环基团。c
3-c
10
环烷基的非限制性示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基和/或双环[2.2.2]辛基。如在此使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指具有与c
3-c
10
环烷基基本相同结构的二价基团。
[0440]
如在此使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指包括除碳原子以外的作为成环原子的至少一种杂原子并且具有1个至10个碳原子的单价环基。其非限制性示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和/或四氢噻吩基。如在此使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指具有与c
1-c
10
杂环烷基基本相同结构的二价基团。
[0441]
如在此使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且不是芳香性的单价环基。其非限制性示例包括环戊烯基、环己烯基和/或环庚烯基。如在此使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指具有与c
3-c
10
环烯基基本相同结构的二价基团。
[0442]
如在此使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指在其环中包括除碳原子以外的作为成环原子的至少一种杂原子、1个至10个碳原子以及至少一个双键的单价环基。c
1-c
10
杂环烯基的非限制性示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和/或2,3-二氢噻吩基。如在此使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指具有与c
1-c
10
杂环烯基基本相同结构的二价基团。
[0443]
如在此使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的单价基团。如在此使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有包括6个至60个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。c
6-c
60
芳基的非限制性示例包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基和/或卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基均独立地包括两个或更多个环时，相应的环可以稠合。
[0444]
如在此使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳香体系的单价基团，该杂环芳香体系进一步包括除碳原子之外的作为成环原子的至少一种杂原子以及1个至60个碳原子。如在此使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳香体系的二价基团，该杂环芳香体系进一步包括除碳原子之外的作为成环原子的至少一种杂原子以及1个至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的非限制性示例包括吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、酞嗪基和/或萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基均独立地包括两个或更多个环时，相应的环可以稠合。
[0445]
如在此使用的术语“单价非芳香缩合多环基”指具有缩合的两个或更多个环并且仅碳原子(例如，8个至60个碳原子)作为成环原子的单价基团，其中，整个分子结构是非芳香性的(例如，在其整体上考虑时该结构不是芳香性的)。单价非芳香缩合多环基的非限制
性示例包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基和/或茚并蒽基。如在此使用的术语“二价非芳香缩合多环基”指具有与单价非芳香缩合多环基基本相同结构的二价基团。
[0446]
如在此使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”指具有两个或更多个缩合环以及除了碳原子(例如，1个至60个碳原子)之外的作为成环原子的至少一种杂原子的单价基团，其中，整个分子结构是非芳香性的(例如，在其整体上考虑时该结构不是芳香性的)。单价非芳香缩合杂多环基的非限制性示例包括噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和/或苯并噻吩并二苯并噻吩基。如在此使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”指具有与单价非芳香缩合杂多环基基本相同结构的二价基团。
[0447]
如在此使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指-oa
102
(其中，a
102
为c
6-c
60
芳基)，如在此使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指-sa
103
(其中，a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0448]
如在此使用的术语“c
1-c
60
杂芳氧基”指-oa
104
(其中，a
104
为c
1-c
60
杂芳基)。如在此使用的术语“c
1-c
60
杂芳硫基”指-sa
105
(其中，a
105
为c
1-c
60
杂芳基)。
[0449]
如在此使用的术语“r
10a”可以为：
[0450]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0451]
均未被取代的或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任何组合的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基；
[0452]
均未被取代的或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任何组合的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基；或者
[0453]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0454]
取代的c
5-c
60
碳环基、取代的c
1-c
60
杂环基、取代的c
3-c
10
亚环烷基、取代的c
1-c
10
亚杂环烷基、取代的c
3-c
10
亚环烯基、取代的c
1-c
10
亚杂环烯基、取代的c
6-c
60
亚芳基、取代的c
1-c
60
亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的c
1-c
60
烷基、取代的c
2-c
60
烯基、取代的c
2-c
60
炔基、取代的c
1-c
60
烷氧基、取代的c
3-c
10
环烷基、取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代的c
3-c
10
环烯基、取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代的c
6-c
60
芳基、取代的c
6-c
60
芳氧基、取代的c
6-c
60
芳硫基、取代的c
1-c
60
杂芳基、取代的c
1-c
60
杂芳氧基、取代的c
1-c
60
杂芳硫基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基中
的至少一个取代基可以为：
[0455]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基；
[0456]
均取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)或-p(＝o)(q
11
)(q
12
)的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基；
[0457]c3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳香缩合多环基或单价非芳香缩合杂多环基；
[0458]
均取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)或-p(＝o)(q
21
)(q
22
)的c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳香缩合多环基或单价非芳香缩合杂多环基；或者
[0459]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0460]q11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以均独立地为氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者均未被取代的或取代有氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。
[0461]
如在此使用的术语“杂原子”指除碳原子以外的任何原子。杂原子的非限制性示例可以包括o、s、n、p、si、b、ge、se和/或其任何组合。
[0462]
如在此使用的术语“ph”表示苯基。如在此使用的术语“me”表示甲基。如在此使用的术语“et”表示乙基。如在此使用的术语“tert-bu”或“bu
t”表示叔丁基。如在此使用的术语“ome”表示甲氧基。
[0463]
如在此使用的术语“联苯基”表示取代有苯基的苯基。“联苯基”可以为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0464]
如在此使用的术语“三联苯基”表示取代有联苯基的苯基。“三联苯基”可以为具有取代有c
6-c
60
芳基的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0465]
除非另外定义，否则如在此使用的符号*和*'表示与对应式中的相邻原子的结合位。
[0466]
示例
[0467]
制备示例1：无机纳米颗粒组合物的制备
[0468]
在无机纳米颗粒的表面上包覆三甲基氧鎓四氟硼酸盐((ch3)3o(bf4))，然后将高度氟化的溶剂(fc-770，3m公司)分散到其中，从而制备无机纳米颗粒组合物。
[0469]
图2是其中分散在非极性有机溶剂中的量子点和制备的无机纳米颗粒组合物包含在一个容器中的图像。在图2中，容器的上部为其中分散有量子点的溶液，下部为无机纳米
颗粒组合物。因为分散在非极性有机溶剂中的量子点不与高度氟化的溶剂的无机纳米颗粒组合物混合，所以当无机纳米颗粒组合物用于形成发光器件时，可以获得在相邻层之间的界面处的正交性。
[0470]
对比制备示例1
[0471]
除了使用醇类溶剂代替高度氟化的溶剂，并且无机纳米颗粒不包括配体之外，以与制备示例1中的方式基本相同的方式制备对比制备示例1的组合物。
[0472]
对比制备示例2
[0473]
除了使用非极性有机溶剂代替高度氟化的溶剂，并且使用辛胺(octylamine，c8h
19
n)作为无机纳米颗粒的配体之外，以与制备示例1中的方式基本相同的方式制备对比制备示例2的组合物。
[0474]
对比制备示例3
[0475]
除了使用非极性有机溶剂代替高度氟化的溶剂，并且无机纳米颗粒不包括配体之外，以与制备示例1中的方式基本相同的方式制备对比制备示例3的组合物。
[0476]
评价示例1：组合物特性的评价
[0477]
评价制备示例1和对比制备示例1至对比制备示例3中制备的组合物的溶解度和对喷墨头的影响。其结果示出在表1中。
[0478]
溶解度的评价标准
[0479]
ok：无机纳米颗粒溶解在溶剂中。
[0480]
ng：无机纳米颗粒未溶解在溶剂中。
[0481]
对喷墨头的影响的评价标准
[0482]
ok：未发生由于组合物而导致的对喷墨头的损坏。
[0483]
ng：发生由于组合物而导致的对喷墨头的损坏。
[0484]
可以通过对液滴排放时出现的问题的整体观察来识别对喷墨头的损坏，例如，可以用肉眼观察到的损坏、通过分析排出的液滴检测喷墨头中的残留组分(粘性复合物和/或涂覆组分等)、喷嘴堵塞、液滴直线度变化和/或附属物生成等。
[0485]
表1
[0486][0487]
参照表1的结果，发现根据一个或更多个实施例的制备示例1的无机纳米颗粒组合物可以具有优异的溶解度，并且可以对喷墨头几乎没有影响。因此，发现无机纳米颗粒组合物适用于湿法工艺。
[0488]
示例1
[0489]
作为阳极，将其上沉积有ito的玻璃基底切割成50毫米(mm)
×
50mm
×
0.7mm的尺
寸，在异丙醇和纯水中于每种溶剂中超声处理5分钟，用紫外线清洗30分钟。然后用臭氧清洗，并且将玻璃基底安装在真空沉积设备中。
[0490]
在ito基底上旋涂pedot:pss并干燥，以形成具有40nm的厚度的空穴注入层，在空穴注入层上旋涂tfb并干燥，以形成具有40nm的厚度的空穴传输层。
[0491]
将包括inp/znse/zns核-壳量子点(具有在3nm至8nm的范围内的平均直径)的组合物以每分钟3,500转(rpm)的涂覆速率旋涂在空穴传输层上作为量子点，然后在室温下自然干燥5分钟。然后，将该层在150℃的温度下干燥30分钟，从而形成具有30nm的厚度的qd(量子点)发射层。
[0492]
将包括全氟聚醚和用作为电荷传输配体的(ch3)3o(bf4)进行表面处理的zno无机纳米颗粒的组合物旋涂在qd发射层上，然后自然干燥，以形成具有40nm的厚度的电子传输层。随后，在电子传输层上沉积ag以形成具有150nm的厚度的阴极，从而完成发光器件的制造。
[0493]
对比示例1
[0494]
除了在形成电子传输层时使用不包括配体的无机纳米颗粒，并使用醇类溶剂代替包括全氟聚醚的溶剂之外，以与示例1中的方式基本相同的方式制备发光器件。
[0495]
对比示例2
[0496]
除了在形成电子传输层时使用用辛胺配体进行表面处理的zno无机纳米颗粒，并使用非极性有机溶剂代替全氟聚醚之外，以与示例1中的方式基本相同的方式制备发光器件。
[0497]
评价示例2：发光器件的特性评价
[0498]
通过使用吉时利源测量单元(smu)236和亮度计pr650来测量在示例1以及对比示例1和对比示例2中制造的发光器件的驱动电压(v)和发光效率(cd/a)。其相对值的结果示出在表2中。在一些实施例中，识别qd发射层的损坏。其结果示出在表2中。在一些实施例中，图3中示出了示例1和对比示例2的发光器件的发射光谱。x表示qd发射层未损坏；o表示qd发射层损坏。
[0499]
表2
[0500][0501][0502]
参照表2的结果，发现当与对比示例1的发光器件相比时，示例1的发光器件具有低驱动电压和优异的发光效率。当与对比示例2的发光器件相比时，示例1的发光器件在发光效率方面是优异的
[0503]
参照表2的结果，发现当与示例1的发光器件相比时，对比示例2的发光器件具有低驱动电压。该低驱动电压可能是由于在发光器件的制造期间对qd发射层的损坏导致的。如图3中所示，发现对比示例2的发光器件发射在约420nm至约450nm的波长范围内的光，这表
明由于qd发射层的损坏而从电荷传输层发射光。
[0504]
通过前面的描述应明显的是，当使用无机纳米颗粒组合物形成发光器件时，可以提高相邻层之间的界面处的正交性，因此可以提高加工效率。因此，可以通过使用无机纳米颗粒组合物来实现高质量的电子设备。
[0505]
如这里使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”和类似的术语被用作近似术语而不是程度术语，并且意图说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
[0506]
这里陈述的任意数值范围意图包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(并且包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任意最大数值界限意图包括其中包含的所有较小数值界限，本说明书中陈述的任意最小数值界限意图包括其中包含的所有较大数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包含在这里明确陈述的范围内的任意子范围。
[0507]
应理解的是，这里描述的实施例应仅以描述性含义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述应通常被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物所限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。