显示设备以及制造该显示设备的方法与流程

显示设备以及制造该显示设备的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年10月7日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0129600号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开的一个或多个实施例涉及设备和方法，并且更具体地，涉及显示设备以及制造该显示设备的方法。


背景技术：

4.具有移动性的电子设备已经被广泛使用。近年来，除了诸如移动电话的小型电子设备之外，平板个人计算机(pc)已经被广泛用作移动电子设备。
5.这样的移动电子设备包括向用户提供诸如图像和/或视频的视觉信息以支持各种功能的显示设备。近年来，随着用于驱动显示设备的其他部件的小型化，电子设备中由显示设备所占据的比例逐渐增加，并且还开发了能够从平坦状态弯曲成具有一定角度的结构。
6.这样的显示设备可以包括发光的子像素，并且子像素可以通过堆叠各种层来形成。在一个或多个实施例中，形成子像素的各种层的位置的精确的调节对于显示设备的性能来说是相当重要的问题。


技术实现要素：

7.在相关技术中，因为用于形成有机发射层的掩模片被拉伸和使用，所以掩模片的开口部分的位置可能与其设计的(或期望的)位置不同。在这种情况下，当显示设备操作时可能难以实现清晰的图像。本公开的一个或多个实施例包括用于提供清晰的图像的显示设备和制造用于提供清晰的图像的显示设备的方法。
8.附加的实施例将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是显而易见的，或者可以通过实践所呈现的实施例来获知。
9.根据一个或多个实施例，显示设备包括：基板；像素限定层，在基板之上，像素限定层包括至少一个开口区域；和有机发射层，在像素限定层之上并且覆盖(例如，屏蔽)开口区域，其中，在平面图中，开口区域的中心和有机发射层的中心在不同的位置处。
10.在一个或多个实施例中，在平面图中，开口区域可以在有机发射层内部。
11.在一个或多个实施例中，显示设备可以进一步包括：像素电极，在基板上，像素电极通过开口区域暴露于外部。
12.在一个或多个实施例中，在平面图中，像素电极的中心可以在与有机发射层的中心和开口区域的中心中的至少一个不同的位置处。
13.在一个或多个实施例中，像素电极的在开口区域的沿着一个方向的两端中的一端处的并且在像素限定层内部的第一部分的第一长度可以与像素电极的在开口区域的两端中的另一端处的并且在像素限定层内部的第二部分的第二长度不同。
14.在一个或多个实施例中，从开口区域的中心到有机发射层的沿着一个方向的末端中的一个的距离可以与从开口区域的中心到有机发射层的末端中的另一个的距离不同。
15.在一个或多个实施例中，从开口区域的边缘到有机发射层的边缘的直线距离可以在开口区域的边缘上的两个设定点处不同。
16.在一个或多个实施例中，有机发射层可以包括发射红色、绿色和蓝色中的一种的光的有机发射层。
17.根据一个或多个实施例，显示设备包括：基板；像素限定层，在基板之上，像素限定层包括多个开口区域；和多个有机发射层，在像素限定层之上并且分别覆盖(例如，屏蔽)多个开口区域中的每一个，其中，在平面图中多个有机发射层当中的第一有机发射层的中心与多个开口区域中的并且对应于第一有机发射层的第一开口区域的中心之间的第一距离与在平面图中多个有机发射层当中的第二有机发射层的中心与多个开口区域当中的并且对应于第二有机发射层的第二开口区域的中心之间的第二距离不同。
18.在一个或多个实施例中，第一有机发射层和第二有机发射层可以发射相同的颜色的光。
19.在一个或多个实施例中，第一有机发射层的中心可以与第一开口区域的中心彼此对准。
20.在一个或多个实施例中，从第一有机发射层的边缘到第一开口区域的边缘的距离沿着第一开口区域的边缘可以是均匀的。
21.在一个或多个实施例中，从第二有机发射层的边缘到第二开口区域的边缘的距离可以在第二开口区域的边缘上的至少两点处不同。
22.在一个或多个实施例中，在平面图中，第一有机发射层和第二有机发射层中的至少一个可以与多个有机发射层中的发射与第一有机发射层和第二有机发射层要发射的光的颜色不同的颜色的光的一个或多个有机发射层重叠。
23.根据一个或多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：将掩模片与显示基板对准；当掩模片的位置和显示基板的位置彼此不对准时，将像素限定层的多个开口区域中的至少一个开口区域偏移到与开口区域的现有位置不同的位置；以及将穿过掩模片的开口部分的沉积材料沉积在像素限定层的多个开口区域中。
24.在一个或多个实施例中，像素限定层的至少一个开口区域可以被偏移为使得被布置在像素限定层下方的像素电极的中心可以与至少一个开口区域的中心彼此不对准。
25.在一个或多个实施例中，沉积材料可以完全覆盖(例如，屏蔽)至少一个开口区域。
26.在一个或多个实施例中，掩模片的开口部分的中心可以与至少一个开口区域的中心不对准。
27.在一个或多个实施例中，在平面图中，开口部分可以与多个开口区域中的一个重叠。
28.根据附图、所附权利要求及其等同物以及本公开的详细描述，除了以上所描述的那些实施例、方面、特征和优点之外的其他实施例、方面、特征和优点将变得显而易见。
29.这些一般和特定方面可以通过使用系统、方法、计算机程序或系统、方法和计算机程序的任何组合来实现。
附图说明
30.通过结合附图的以下描述，某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
31.图1是图示出根据一个或多个实施例的显示设备制造设备的截面图；
32.图2是图示出图1中所图示的掩模组件的透视图；
33.图3是图示出图2中所图示的掩模片在拉伸前后的形状的平面图；
34.图4a是图示出第一掩模片的区a的放大平面图；
35.图4b是图示出第一掩模片的区b的放大平面图；
36.图5a是图示出第二掩模片的区a的放大平面图；
37.图5b是图示出第二掩模片的区b的放大平面图；
38.图6a是图示出第三掩模片的区a的放大平面图；
39.图6b是图示出第三掩模片的区b的放大平面图；
40.图7是图示出根据一个或多个实施例的显示设备的平面图；
41.图8a和图8b是图示出分别布置在图7的第一区域和第二区域中的像素的截面图；
42.图9和图10是图示出图7中所图示的像素的电路的电路图；
43.图11是图示出图7中所图示的显示设备的像素的布置的平面图；
44.图12a是图示出图7中所图示的第一区域的第(1-1)子像素的第(1-1)像素电极、第(1-1)开口区域和第(1-1)有机发射层的位置的平面图；
45.图12b是图示出图7中所图示的第二区域的第(1-2)子像素的第(1-2)像素电极、第(1-2)开口区域和第(1-2)有机发射层的位置的平面图；
46.图13a是图示出图7中所图示的第一区域的第(2-1)子像素的第(2-1)像素电极、第(2-1)开口区域和第(2-1)有机发射层的位置的平面图；
47.图13b是图示出图7中所图示的第二区域的第(2-2)子像素的第(2-2)像素电极、第(2-2)开口区域和第(2-2)有机发射层的位置的平面图；
48.图14a是图示出图7中所图示的第一区域的第(3-1)子像素的第(3-1)像素电极、第(3-1)开口区域和第(3-1)有机发射层的位置的平面图；
49.图14b是图示出图7中所图示的第二区域的第(3-2)子像素的第(3-2)像素电极、第(3-2)开口区域和第(3-2)有机发射层的位置的平面图；以及
50.图15a至图15m是图示出根据一个或多个实施例的显示设备制造方法的截面图或平面图。
具体实施方式
51.现在将更详细地参考实施例，在附图中图示出实施例的示例，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例以解释本说明书的各方面。如本文中所使用，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开中，诸如
“……
中的至少一个”、
“……
中的一个”和“选自
……”
的表达在元件的列表之前和之后时修饰元件的整个列表并且不修饰列表的单个元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变体。
进一步，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指代“本公开的一个或多个实施例”。
52.本公开可以包括各种实施例和修改，并且本公开的某些实施例在附图中图示出并且将在本文中更详细地描述。根据以下参照附图描述的实施例，本公开的效果和特征及其实现方法将变得显而易见。然而，本公开不限于以下描述的实施例，并且可以以各种模式来实施。
53.在下文中，将参照附图更详细地描述实施例，并且在以下的描述中，相同的附图标记将表示相同的元件，并且为了简洁将不再提供其冗余的描述。
54.将理解的是，尽管诸如“第一”和“第二”的术语在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制，并且这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
55.如本文中所使用，单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。
56.此外，将理解的是，本文中使用的术语“包含”、“包括”和“具有”指定所陈述的特征或元件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或元件的存在或添加。
57.将理解的是，当层、区或元件被称为“在”另一层、区或元件“上”时，它可以“直接在”另一层、区或元件“上”(其间没有居间层、区或元件)，或者可以“间接在”另一层、区或元件“上”(其间具有一个或多个居间层、区或元件)。
58.为了便于描述，附图中的元件的尺寸可能被夸大。换句话说，因为为了便于描述而任意地图示出附图中的元件的尺寸和厚度，所以本公开不限于此。
59.此外，在本文中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
60.如本文中所使用，术语“使用”、“正使用”和“被使用”可以分别被认为与术语“利用”、“正利用”和“被利用”同义。
61.如本文中所使用，术语“基本”、“约”和类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且旨在说明本领域技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。考虑到与特定量的测量相关联的误差和有问题的测量(即测量系统的限制性)，如本文中所使用的“约”或“近似”包括由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内的所陈述的值和平均值。例如，“约”可以是指在一个或多个标准偏差之内，或者在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％之内。
62.本文中记载的任何数值范围旨在包括在所记载的范围内包含的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所记载的最小值1.0与所记载的最大值10.0之间(并且包括所记载的最小值1.0和所记载的最大值10.0)的所有子范围，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，诸如例如2.4至7.6。本文中记载的任何最大数值限制旨在包括其中包含的所有较低数值限制，并且本说明书中记载的任何最小数值限制旨在包括其中包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求的本说明书的权利，以明确记载包含在本文中明确记载的范围内的任何子范围。
63.当某个实施例可以不同地实现时，特定过程顺序可以不同于所描述的顺序来执行。例如，两个连续描述的过程可以基本同时执行或可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
64.图1是图示出根据实施例的显示设备制造设备的截面图。
65.参照图1，显示设备制造设备100可以包括腔室110、沉积源120、掩模组件130、第一支撑单元140、第二支撑单元150、磁力发生器160、压力调节器170以及视觉单元180。
66.腔室110可以具有形成在其中的空间，并且腔室110的一侧可以形成为打开的，使得可以通过其抽出或容纳显示基板d。在一个或多个实施例中，包括闸阀等的屏蔽单元111可以被布置在腔室110的开口部分处以选择性地打开或关闭。
67.沉积源120可以容纳用于形成中间层中的至少一个的沉积材料。在一个或多个实施例中，沉积源120可以通过向沉积材料施加能量(例如，热能、光能和/或振动能等)来使沉积材料汽化或升华。
68.以上所描述的沉积源120可以是可替换的。例如，当所容纳的沉积材料耗尽时，沉积源120可以利用新的沉积源120来替换。
69.掩模组件130可以包括掩模框架131、掩模片132和支撑框架133。
70.第一支撑单元140可以支撑显示基板d。在一个或多个实施例中，第一支撑单元140可以通过安装显示基板d来支撑显示基板d，或者可以通过吸附或附接显示基板d的一个表面来支撑显示基板d。例如，第一支撑单元140可以包括固定在腔室110内部的框架和/或杆等。在其他一个或多个实施例中，第一支撑单元140可以包括用于夹持显示基板d的夹具。在其他一个或多个实施例中，第一支撑单元140可以包括粘合卡盘和/或静电卡盘。在一个或多个实施例中，第一支撑单元140可以与磁力发生器160一体地形成。在其他一个或多个实施例中，第一支撑单元140可以包括用于从装载单元传送显示基板d的梭。在下文中，为了便于描述，将主要给出第一支撑单元140包括梭的情况的详细描述。
71.第二支撑单元150可以支撑掩模组件130。在一个或多个实施例中，因为第二支撑单元150可以与以上描述的第一支撑单元140相同或相似，所以为了便于描述，下面将不提供其冗余的描述。此外，在下文中，将主要给出第二支撑单元150包括固定在腔室110内部的框架并且掩模组件130被安装并支撑在框架上的情况的详细描述。
72.磁力发生器160可以被布置在腔室110中以将掩模框架131粘附到显示基板d。在一个或多个实施例中，磁力发生器160可以包括电磁体。
73.压力调节器170可以连接(例如，耦接)到腔室110以调节腔室110内部的压力。在一个或多个实施例中，压力调节器170可以包括连接(例如，耦接)到腔室110的管道和被布置在管道处的泵。
74.视觉单元180可以被布置在腔室110外部或者可以被布置成部分地插入腔室110中。在一个或多个实施例中，视觉单元180可以拍摄掩模组件130的对准标记和显示基板d的对准标记。
75.此外，对于以上所描述的显示设备制造设备100的操作，在显示设备制造设备100被传送到单独被提供有显示基板d的装载单元之后，装载单元可以将显示基板d传送到显示设备制造设备100。
76.显示设备制造设备100可以将沉积材料供给到沉积源120以在显示基板d之上的中间层当中形成有机发射层。在一个或多个实施例中，沉积材料可以通过掩模片132的开口部分132a(参见图2)沉积在显示基板d上。
77.在一个显示设备制造设备100中被布置在显示基板d之上的有机发射层可以发射
相同的颜色的光。在一个或多个实施例中，当发射另一颜色的光的有机发射层形成在显示基板d之上时，有机发射层可以在另一显示设备制造设备100中形成在显示基板d之上。在一个或多个实施例中，不同的显示设备制造设备100可以彼此连接(例如，耦接)，并且显示基板d可以穿过彼此连接(例如，耦接)的显示设备制造设备100，以在显示基板d之上布置每个有机发射层。
78.当以上过程完成时，显示基板d可以通过单独提供的卸载单元被运送到外部，或者可以被供给到用于接下来的操作的设备(或装备)。此后，对电极和/或薄膜封装层等可以形成在显示基板d之上，以完成显示设备的制造。
79.因此，显示设备制造设备100及其显示设备制造方法可以制造具有精确的沉积图案的显示设备。
80.图2是图示出图1中所图示的掩模组件的透视图。图3是图示出图2中所图示的掩模片在拉伸前后的形状的平面图。
81.参照图2和图3，掩模组件130可以包括掩模框架131、掩模片132和支撑框架133。
82.掩模框架131可以具有形成在其中心处的开口部分。在一个或多个实施例中，掩模框架131可以形成为窗口框架等的形状。在其他一个或多个实施例中，掩模框架131可以具有形成在其中心处的开口部分，并且将开口部分划分为网格形状的单独框架可以被布置。在下文中，为了便于描述，将主要给出掩模框架131具有形成在其中心处的一个开口部分的情况的详细描述。
83.掩模片132可以被布置在掩模框架131的一个表面上并且在沿着第一方向和第二方向中的至少一个被拉伸的状态中通过焊接等固定到掩模框架131。在一个或多个实施例中，槽可以形成在掩模框架131中以容纳掩模片132。掩模片132可以形成为矩形形状并且可以被布置在掩模框架131的一侧(例如，一个表面)上。例如，掩模片132可以形成为缝隙形状(例如，细长矩形的形状)。
84.以上所描述的掩模片132可以被提供为一个掩模片或多个掩模片。当掩模片132被提供为一个掩模片时，一个掩模片132可以被布置在掩模框架131之上。当掩模片132被提供为多个掩模片时，多个掩模片132可以被布置成行以在第一方向或第二方向上彼此邻近。例如，在一个或多个实施例中，掩模片132的长侧可以被布置成平行于掩模框架131的长侧或短侧。
85.掩模片132可以包括多个开口部分132a。在一个或多个实施例中，多个开口部分132a可以被布置成在第一方向和第二方向上彼此隔开。多个开口部分132a可以沿着掩模片132的长度方向(例如，延伸方向)形成一个组。在一个或多个实施例中，形成一个组的多个开口部分132a可以被布置在沉积区域dpa中，以对应于被布置在下文所描述的显示区域中的开口区域。在一个掩模片132中，沉积区域dpa可以被提供为仅一个沉积区域或多个沉积区域。在下文中，为了便于描述，将主要给出沉积区域dpa被提供为多个沉积区域的情况的详细描述。
86.多个开口部分132a可以被布置成在沉积区域dpa中彼此间隔开。在一个或多个实施例中，沉积区域dpa的形状可以对应于下文所描述的显示区域da(参见图7)的形状。在下文中，为了便于描述，将主要给出沉积区域dpa具有矩形形状的情况的详细描述。
87.支撑框架133可以被布置在掩模框架131处以不仅支撑掩模框架131而且也支撑掩
模片132。在一个或多个实施例中，支撑框架133可以以网格形状被布置在掩模框架131处以限定一个显示设备的显示区域。例如，支撑框架133可以通过将掩模框架131的中心开口部分划分成多个区域来限定多个显示区域。
88.在一个或多个实施例中，掩模片132可以在拉伸状态中被固定到掩模框架131。例如，沉积区域dpa的边缘部分可以在多个沉积区域dpa中的至少一个中变形。
89.例如，被布置在掩模片132的中心处的沉积区域dpa的侧边缘可以被拉入掩模片132(例如，朝向掩模片132的中心)以形成曲线。这里，沉积区域dpa的被布置在掩模片132的端部处的边缘的一部分可以具有凸形形状。当掩模片132被拉伸时，沉积区域dpa的形状可以与是其初始形状的矩形形状不同。在这种情况下，因为被布置在沉积区域dpa内部的多个开口部分132a中的至少一个的位置可以与其初始位置不同，所以沉积材料通过开口部分132a沉积在显示基板d上的路径可以与其设计值不同。因此，因为沉积材料可能不被施加以覆盖像素限定层29的整个开口区域op(参见图8a)，所以有缺陷的子像素可能出现或者子像素可能无法发射清晰的光。
90.根据被布置在每个子像素中的有机发射层，根据本实施例的掩模组件130可以不同地形成(例如，可以是不同的)。例如，在形成在多个子像素当中的发射第一颜色(例如，红色、绿色和蓝色中的一种和/或红色、黄色和蓝色中的一种等)的光的有机发射层的情况下，可以使用下文所描述的第一掩模片132-1(参见图4a)，并且在形成在多个子像素当中的发射第二颜色(例如，红色、绿色和蓝色中的另一种和/或红色、黄色和蓝色中的另一种等)的光的有机发射层的情况下，可以使用下文所描述的第二掩模片132-2(参见图5a)。在一个或多个实施例中，在形成在多个子像素当中的发射第三颜色(例如，红色、绿色和蓝色中的另一种和/或红色、黄色和蓝色中的另一种等)的光的有机发射层的情况下，可以使用下文所描述的第三掩模片132-3(参见图6a)。
91.图4a是图示出第一掩模片的区a的放大平面图。图4b是图示出第一掩模片的区b的放大平面图。
92.参照图4a和图4b，在用于形成被布置在多个子像素中的一个中的有机发射层的第一掩模片132-1的第一开口部分当中，被布置在图3中所图示的区a和区b中的第一开口部分的位置可以与第一开口部分的现有(例如，初始)位置不同。例如，当第一掩模片132-1不被拉伸时，第一开口部分可以被布置成基本直线，并且彼此邻近的第一开口部分之间的距离可以维持基本均匀。
93.然而，如图4a和图4b中所图示，当第一掩模片132-1被拉伸时，在第一方向上邻近的第一开口部分之间的距离可以彼此不同。例如，在被布置在第一掩模片132-1的区a中的第一开口部分当中，第(1-1)开口部分132a-1a与第(1-2)开口部分132a-1b之间的第(1-1)距离l1-1和第(1-2)开口部分132a-1b与第(1-3)开口部分132a-1c之间的第(1-2)距离l1-2可以彼此不同。在一个或多个实施例中，第(1-1)距离l1-1可以大于第(1-2)距离l1-2。例如，在第一掩模片132-1的区a中，第(1-3)开口部分132a-1c可以从其初始位置朝向第一掩模片132-1的内部区移动以比第(1-3)开口部分132a-1c的初始位置更靠近第(1-2)开口部分132a-1b。在一个或多个实施例中，第(1-2)距离l1-2可以小于其初始值(例如，在第一掩模片132-1被拉伸之前，基于对应的开口部分的位置的初始第(1-2)距离l1-2)。在一个或多个实施例中，根据第一掩模片132-1的拉伸(例如，当第一掩模片132-1被拉伸时)，第(1-4)
开口部分132a-1d可以离第(1-3)开口部分132a-1c更远。在这种情况下，它们之间的第(1-3)距离l1-3可以大于其初始值。
94.被布置在第一掩模片132-1的区b中的第(1-5)开口部分132a-1e、第(1-6)开口部分132a-1f、第(1-7)开口部分132a-1g以及第(1-8)开口部分132a-1h之间的距离也可以变化。例如，因为第一掩模片132-1的区b可以被布置在第一掩模片132-1的端部处，所以沉积区域dpa的边缘的一部分可以朝向第一掩模片132-1的端部突出。在这种情况下，因为第(1-5)开口部分132a-1e、第(1-6)开口部分132a-1f、第(1-7)开口部分132a-1g和第(1-8)开口部分132a-1h中的至少一个的位置可能变化，所以它们之间的第(1-4)距离l1-4、第(1-5)距离l1-5和第(1-6)距离l1-6中的至少一个可以与其各自的初始值不同。
95.根据一个或多个实施例，当多个第一开口部分中的至少一个的位置由于第一掩模片132-1的拉伸而与其初始位置不同时，穿过第一开口部分的沉积材料可以不沉积在显示基板d的预设位置处。因为沉积材料可以不被沉积为完全覆盖(例如，屏蔽)像素限定层29(参照图8a)的开口区域，所以有机发射层可以仅被布置在像素电极的通过开口区域暴露的部分处。
96.图5a是图示出第二掩模片的区a的放大平面图。图5b是图示出第二掩模片的区b的放大平面图。
97.参照图5a和图5b，类似于图4a和图4b中所图示的第一掩模片132-1，第二掩模片132-2的形状也可以变化。
98.多个第二开口部分132a-2中的至少一个的位置可以与其初始位置不同。例如，第(2-1)开口部分132a-2a、第(2-2)开口部分132a-2b、第(2-3)开口部分132a-2c、第(2-4)开口部分132a-2d、第(2-5)开口部分132a-2e、第(2-6)开口部分132a-2f、第(2-7)开口部分132a-2g以及第(2-8)开口部分132a-2h中的至少一个的位置可以与其各自的初始位置不同。
99.在一个或多个实施例中，对应的开口部分之间的第(2-1)距离l2-1、第(2-2)距离l2-2、第(2-3)距离l2-3、第(2-4)距离l2-4、第(2-5)距离l2-5和第(2-6)距离l2-6中的至少一个可以小于或大于其各自的初始值。在一个或多个实施例中，第(2-1)距离l2-1、第(2-2)距离l2-2、第(2-3)距离l2-3、第(2-4)距离l2-4、第(2-5)距离l2-5和第(2-6)距离l2-6中的一个可以与第(2-1)距离l2-1、第(2-2)距离l2-2、第(2-3)距离l2-3、第(2-4)距离l2-4、第(2-5)距离l2-5和第(2-6)距离l2-6中的另一个不同。
100.图6a是图示出第三掩模片的区a的放大平面图。图6b是图示出第三掩模片的区b的放大平面图。
101.参照图6a和图6b，类似于图4a和图4b中所图示的第一掩模片132-1，第三掩模片132-3的形状也可以变化。
102.多个第三开口部分132a-3中的至少一个的位置可以与其初始位置不同。例如，第(3-1)开口部分132a-3a、第(3-2)开口部分132a-3b、第(3-3)开口部分132a-3c、第(3-4)开口部分132a-3d、第(3-5)开口部分132a-3e、第(3-6)开口部分132a-3f、第(3-7)开口部分132a-3g和第(3-8)开口部分132a-3h中的至少一个的位置可以与其各自的初始位置不同。
103.在一个或多个实施例中，对应的开口部分之间的第(3-1)距离l3-1、第(3-2)距离l3-2、第(3-3)距离l3-3、第(3-4)距离l3-4、第(3-5)距离l3-5和第(3-6)距离l3-6中的至少
一个可以小于或大于其各自的初始值。在一个或多个实施例中，第(3-1)距离l3-1、第(3-2)距离l3-2、第(3-3)距离l3-3、第(3-4)距离l3-4、第(3-5)距离l3-5和第(3-6)距离l3-6中的一个可以与第(3-1)距离l3-1、第(3-2)距离l3-2、第(3-3)距离l3-3、第(3-4)距离l3-4、第(3-5)距离l3-5和第(3-6)距离l3-6中的另一个不同。
104.图7是图示出根据实施例的显示设备的平面图。图8a和图8b是图示出分别布置在图7的第一区域和第二区域中的像素的截面图。图8a是与图7中的线i-i’对应的截面图，并且图8b是与图7中的线ii-ii’对应的截面图。
105.参照图7至图8b，显示设备20可以由基板21之上的显示区域da和围绕显示区域da的外围区域pa限定。发光单元可以被布置在显示区域da中，并且电源线等可以被布置在可以是不发光的区域的外围区域pa中。在一个或多个实施例中，焊盘单元c可以被布置在外围区域pa中。
106.在一个或多个实施例中，显示区域da可以具有各种合适的形状。例如，显示区域da可以具有基本矩形、正方形或圆形的形状。在一些实施例中，显示区域da可以具有除基本矩形、正方形或圆形的形状之外的非典型形状。然而，在下文中，为了便于描述，将主要给出显示区域da具有矩形(或基本矩形)形状的情况的详细描述。
107.显示区域da可以被划分成至少两个区域。在一个或多个实施例中，至少两个区域中的每一个可以包括至少一个子像素。例如，至少两个区域中的一个可以包括一个子像素，并且至少两个区域中的其他区域可以包括多个子像素。在其他一个或多个实施例中，至少两个区域中的一个可以包括多个子像素中的一些，并且至少两个区域中的另一个(或其他区域)可以包括多个子像素中的其他子像素。对于如上所描述被布置在各自的区域并且发射相同颜色的光的子像素，取决于各自的区域，被布置在每个子像素中并且将在下文中描述的像素电极28-1的中心、开口区域op的中心和中间层28-2的有机发射层的中心可以被布置成彼此匹配或不匹配。在下文中，为了便于描述，将主要给出下列情况的详细描述：显示区域da包括第一区域1a和第二区域2a，在被布置在第一区域1a中的子像素中，像素电极28-1的中心、开口区域op的中心和中间层28-2的有机发射层的中心被布置成彼此匹配，并且在被布置在第二区域2a中的子像素中，像素电极28-1的中心、开口区域op的中心和中间层28-2的有机发射层的中心被布置成彼此不匹配。在一个或多个实施例中，如图7中所图示，第一区域1a位于显示区域da的中心，并且第二区域2a被布置成围绕第一区域1a；然而，本公开不限于此，并且第一区域1a和第二区域2a可以被布置在显示区域da的各种合适的位置处，因为它们可以根据掩模片132的变形来限定。然而，在下文中，为了便于描述，将主要给出第一区域1a位于显示区域da的中心处并且第二区域2a位于第一区域1a周围的情况的详细描述。
108.显示设备20可以包括显示基板d和封装构件。在一个或多个实施例中，显示基板d可以包括基板21、薄膜晶体管tft、钝化层27和像素电极28-1。在其他一个或多个实施例中，显示基板d可以包括基板21、薄膜晶体管tft、钝化层27、像素电极28-1和中间层28-2中的一些。
109.基板21可以包括塑料材料并且可以包括诸如不锈钢(sus)和/或钛(ti)的金属材料。在一个或多个实施例中，基板21可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或醋酸丙酸纤维素。基板21可以具有任何以上材料的单层或多层结构，并且在具有多
层结构的情况下可以进一步包括无机层。在下文中，为了便于描述，将主要给出基板21包括聚酰亚胺的情况的详细描述。
110.薄膜晶体管tft可以形成在基板21之上，钝化层27可以形成以覆盖薄膜晶体管tft，并且有机发光器件28可以形成在钝化层27之上。
111.包括有机化合物和/或无机化合物的缓冲层22可以进一步形成在基板21的上表面上并且可以包括sio
x
(x≥1)和/或sin
x
(x≥1)。
112.被布置成一定(或设定)图案的有源层23可以形成在缓冲层22之上，并且然后可以通过栅绝缘层24掩埋(例如，覆盖)有源层23。有源层23可以包括源区23-1和漏区23-3，并且可以进一步包括在源区23-1与漏区23-3之间的沟道区23-2。
113.有源层23可以形成为包括各种合适的材料。例如，有源层23可以包括诸如非晶硅和/或晶体硅的无机半导体材料。作为另一示例，有源层23可以包括氧化物半导体。作为另一示例，有源层23可以包括有机半导体材料。在下文中，为了便于描述，将主要给出有源层23包括非晶硅的情况的详细描述。
114.有源层23可以通过在缓冲层22之上形成非晶硅层、将非晶硅层结晶成多晶硅层以及图案化多晶硅层来形成。在有源层23中，源区23-1和漏区23-3可以根据tft的类型(诸如驱动tft或开关tft)掺杂杂质。
115.对应于有源层23的栅电极25和掩埋(例如，覆盖)栅电极25的层间绝缘层26可以形成在栅绝缘层24的上表面上。
116.在一个或多个实施例中，接触孔h1可以形成在层间绝缘层26和栅绝缘层24中，并且然后源电极27-1和漏电极27-2可以形成在层间绝缘层26之上以分别接触源区23-1和漏区23-3。
117.钝化层27可以形成在根据本实施例形成的薄膜晶体管tft之上，并且有机发光器件(oled)28的像素电极28-1可以形成在钝化层27之上。像素电极28-1可以通过形成在钝化层27中的通孔h2接触tft的漏电极27-2。钝化层27可以由无机材料和/或有机材料形成为单层或两层或更多层，并且可以形成为平坦化层以具有平坦(或基本平坦)的上表面，而不管其下方的下层的曲率如何，或者可以形成为具有沿着其下方的层的曲率的曲率。在一个或多个实施例中，钝化层27可以由透明绝缘体形成以实现谐振效果。
118.在像素电极28-1形成在钝化层27之上后，像素限定层29可以由有机材料和/或无机材料形成以覆盖像素电极28-1和钝化层27，并且可以敞开以暴露像素电极28-1的一部分。
119.在一个或多个实施例中，中间层28-2和对电极28-3可以至少形成在像素电极28-1之上。在其他一个或多个实施例中，对电极28-3可以形成在显示基板d的整个表面之上。例如，对电极28-3可以形成在中间层28-2和像素限定层29之上。在下文中，为了便于描述，将主要给出对电极28-3形成在中间层28-2和像素限定层29之上的情况的详细描述。
120.像素电极28-1可以用作阳极电极，并且对电极28-3可以用作阴极电极，或者像素电极28-1和对电极28-3的极性可以反转。
121.像素电极28-1和对电极28-3可以通过中间层28-2彼此绝缘，并且通过将不同极性的电压施加到中间层28-2，可以从有机发射层发射光。
122.中间层28-2可以包括有机发射层。在一个或多个实施例中，中间层28-2可以包括
有机发射层并且可以进一步包括空穴注入层(hil)、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。本实施例不限于此，并且中间层28-2可以包括有机发射层并且可以进一步包括各种其他合适的功能层。
123.以上所描述的中间层28-2可以被提供为多个中间层28-2，并且多个中间层28-2可以形成显示区域da。在一个或多个实施例中，多个中间层28-2可以被布置成在显示区域da中彼此隔开。中间层28-2可以根据包括在其中的有机发射层而发射各种颜色的光。在下文中，为了便于描述，将主要给出中间层28-2包括有机发射层的情况的详细描述。
124.一个单元像素可以包括多个子像素。多个子像素可以发射各种颜色的光。在一个或多个实施例中，一个子像素可以被限定为发射一种颜色的光的区域。在其他一个或多个实施例中，一个子像素可以被限定为像素电极28-1的通过像素限定层29的开口区域op暴露于外部的部分。在这种情况下，调节一个子像素的尺寸可以通过调节平面图中像素限定层29的开口区域op的尺寸以调节像素电极28-1暴露于外部的部分的面积来实现。然而，在下文中，为了便于描述，将主要给出一个子像素是发射一种颜色的光的区域的情况的详细描述。
125.多个子像素可以包括分别发射红光、绿光和蓝光的子像素。在其他一个或多个实施例中，多个子像素可以包括发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素。在其他一个或多个实施例中，多个子像素可以包括发射红光、黄光和蓝光的子像素。然而，多个子像素不限于此并且可以包括发射不同颜色的光的子像素的任何合适的组合。然而，在下文中，为了便于描述，将主要给出多个子像素包括发射红光、绿光和蓝光的子像素的情况的详细描述。
126.取决于被布置在子像素中的中间层28-2的有机发射层，子像素可以发射各种颜色的光。
127.在一个或多个实施例中，封装构件可以被布置在对电极28-3之上以密封有机发光器件28。在一个或多个实施例中，封装构件可以形成为各种合适的形状。例如，封装构件可以包括面向基板的封装基板和被布置在封装基板与基板之间的密封构件。在其他一个或多个实施例中，封装构件可以包括被布置在对电极28-3之上的薄膜封装层e。在下文中，为了便于描述，将主要给出封装构件包括薄膜封装层e的情况的详细描述。
128.薄膜封装层e可以包括多个无机层或者可以包括无机层和有机层。
129.薄膜封装层e的有机层可以包括聚合物，并且可以包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸)或其任何组合。
130.薄膜封装层e的无机层可以包括单层，或者可以具有包括金属氧化物和/或金属氮化物的叠层结构。例如，无机层可以包括sin
x
、al2o3、sio2和tio2中的任何一种。
131.薄膜封装层e的暴露于外部的顶层可以形成为无机层以防止或减少湿气渗透到有机发光器件28中。
132.薄膜封装层e可以包括至少一个有机层被插入在至少两个无机层之间的至少一个夹心结构。作为另一示例，薄膜封装层e可以包括至少一个无机层被插入在至少两个有机层之间的至少一个夹心结构。作为另一示例，薄膜封装层e可以包括至少一个有机层被插入在至少两个无机层之间的夹心结构和至少一个无机层被插入在至少两个有机层之间的夹心结构。
133.薄膜封装层e可以包括从有机发光器件28的顶部顺序地堆叠的第一无机层、第一有机层和第二无机层。
134.作为另一示例，薄膜封装层e可以包括从有机发光器件28的顶部顺序地堆叠的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
135.作为另一示例，薄膜封装层e可以包括从有机发光器件28的顶部顺序地堆叠的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
136.包括lif的金属卤化物层可以附加地被包括在有机发光器件28与薄膜封装层e的第一无机层之间。当通过溅射形成第一无机层时，金属卤化物层可以防止或减少对有机发光器件28的损坏。
137.第一有机层的面积可以小于第二无机层的面积，并且第二有机层的面积可以小于第三无机层的面积。
138.当如本文中所描述提供多个无机层时，无机层可以沉积成在显示设备20的边缘区域中彼此直接接触，并且有机层可以不暴露于外部。
139.显示设备20可以通过每个子像素实现精确(或显著改进)的图像。
140.在下文中，有机发光显示设备将被描述为根据一个或多个实施例的显示设备20的示例；然而，本公开的显示设备不限于此。在其他一个或多个实施例中，可以使用诸如无机el显示器(无机发光显示器)和/或量子点发光显示器的各种合适类型(或种类)的显示设备。
141.根据本实施例的子像素可以根据它们被布置的区域而具有不同的合适形状。例如，如图8a中所图示，在子像素被布置在第一区域1a中的情况下，开口区域op的中心和中间层28-2的有机发射层的中心可以彼此匹配。在一个或多个实施例中，在第一区域1a中，在一个方向上被插入像素限定层29中的像素电极28-1的(例如，在像素电极28-1的末端的两侧的)端部的长度可以彼此相等。
142.相反，如图8b中所图示，在子像素被布置在第二区域2a中的情况下，开口区域op的中心op-c和中间层28-2的有机发射层的中心28-2c可以彼此不匹配。在一个或多个实施例中，在第二区域2a中，在一个方向上被插入像素限定层29中的像素电极28-1的(例如，在像素电极28-1的末端的两侧的)端部的长度可以彼此不同。这将在下文更详细地描述。
143.图9和图10是图示出图7中所图示的像素的电路的电路图。
144.参照图9和图10，每个子像素px可以包括连接(例如，耦接)到扫描线sl和数据线dl的像素电路pc以及连接(例如，耦接)到像素电路pc的有机发光器件oled。
145.像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2和存储电容器cst。开关薄膜晶体管t2可以连接(例如，耦接)到扫描线sl和数据线dl，并且可以被配置成根据通过扫描线sl输入的扫描信号sn将通过数据线dl输入的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1。
146.存储电容器cst可以连接(例如，耦接)到开关薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且可以存储与从开关薄膜晶体管t2接收的电压和被供给到驱动电压线pl的第一电力电压elvdd(或驱动电压)之间的差相对应的电压。
147.驱动薄膜晶体管t1可以连接(例如，耦接)到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以响应于存储在存储电容器cst中的电压值来控制从驱动电压线pl流过有机发光器件
oled的驱动电流。有机发光器件oled可以根据驱动电流发射具有一定(或设定)亮度的光。
148.尽管图9图示出像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。如图10中所图示，像素电路pc可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。尽管图10图示出像素电路pc包括一个存储电容器，但是像素电路pc可以包括两个或更多个存储电容器。
149.参照图10，每个子像素px可以包括像素电路pc和连接(例如，耦接)到像素电路pc的有机发光器件oled。像素电路pc可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以连接(例如，耦接)到信号线sl、sl-1、el和dl、初始化电压线vl和驱动电压线pl。
150.尽管图10图示出每个子像素px连接(例如，耦接)到信号线sl、sl-1、el和dl、初始化电压线vl和驱动电压线pl，但是本公开不限于此。在其他一个或多个实施例中，信号线sl、sl-1、el和dl、初始化电压线vl和/或驱动电压线pl等中的至少一个可以被邻近的像素共享。
151.信号线可以包括被配置成传输扫描信号sn的扫描线sl、被配置成将先前的扫描信号sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7的先前的扫描线sl-1、被配置成将发射控制信号en传输到操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6的发射控制线el以及与扫描线sl相交并且被配置成传输数据信号dm的数据线dl。驱动电压线pl可以被配置成将驱动电压elvdd传输到驱动薄膜晶体管t1，并且初始化电压线vl可以被配置成传输用于初始化驱动薄膜晶体管t1及有机发光器件oled的像素电极的初始化电压vint。
152.驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1可以连接(例如，耦接)到存储电容器cst的下电极ce1，驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1可以经由操作控制薄膜晶体管t5连接(例如，耦接)到驱动电压线pl，并且驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极d1可以经由发射控制薄膜晶体管t6电连接(例如，耦接)到有机发光器件oled的像素电极。驱动薄膜晶体管t1可以根据开关薄膜晶体管t2的开关操作接收数据信号dm并且将驱动电流i
oled
供给到有机发光器件oled。
153.开关薄膜晶体管t2的开关栅电极g2可以连接(例如，耦接)到扫描线sl，开关薄膜晶体管t2的开关源电极s2可以连接(例如，耦接)到数据线dl，并且开关薄膜晶体管t2的开关漏电极d2可以连接(例如，耦接)到驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1，并且经由操作控制薄膜晶体管t5连接(例如，耦接)到驱动电压线pl。开关薄膜晶体管t2可以根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn而导通，以执行将被传输到数据线dl的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1的开关操作。
154.补偿薄膜晶体管t3的补偿栅电极g3可以连接(例如，耦接)到扫描线sl，补偿薄膜晶体管t3的补偿源电极s3可以连接(例如，耦接)到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极d1，并且经由发射控制薄膜晶体管t6连接(例如，耦接)到有机发光器件oled的像素电极，并且补偿薄膜晶体管t3的补偿漏电极d3可以连接(例如，耦接)到存储电容器cst的下电极ce1、第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏电极d4以及驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1。补偿薄膜晶体管t3可以根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn而导通，以将驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1电连接到驱动漏电极d1以二极管连接驱动薄膜晶体管t1。
155.第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化栅电极g4可以连接(例如，耦接)到先前的扫描线sl-1，第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源电极s4可以连接(例如，耦接)到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏电极d7和初始化电压线vl，并且第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏电极d4可以连接(例如，耦接)到存储电容器cst的下电极ce1、补偿薄膜晶体管t3的补偿漏电极d3以及驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1。第一初始化薄膜晶体管t4可以根据通过先前的扫描线sl-1接收的先前的扫描信号sn-1而导通，以通过将初始化电压vint传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1来执行初始化驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极g1的电压的初始化操作。
156.操作控制薄膜晶体管t5的操作控制栅电极g5可以连接(例如，耦接)到发射控制线el，操作控制薄膜晶体管t5的操作控制源电极s5可以连接(例如，耦接)到驱动电压线pl，并且操作控制薄膜晶体管t5的操作控制漏电极d5可以连接(例如，耦接)到驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极s1和开关薄膜晶体管t2的开关漏电极d2。
157.发射控制薄膜晶体管t6的发射控制栅电极g6可以连接(例如，耦接)到发射控制线el，发射控制薄膜晶体管t6的发射控制源电极s6可以连接(例如，耦接)到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极d1和补偿薄膜晶体管t3的补偿源电极s3，并且发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏电极d6可以电连接(例如，耦接)到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源电极s7和有机发光器件oled的像素电极。
158.操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6可以根据通过发射控制线el接收的发射控制信号en而同步(例如，同时)导通，使得驱动电压elvdd可以被传输到有机发光器件oled，并且因此驱动电流i
oled
可以流过有机发光器件oled。
159.第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化栅电极g7可以连接(例如，耦接)到先前的扫描线sl-1，第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源电极s7可以连接(例如，耦接)到发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏电极d6和有机发光器件oled的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏电极d7可以连接(例如，耦接)到第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源电极s4和初始化电压线vl。第二初始化薄膜晶体管t7可以根据通过先前的扫描线sl-1接收的先前的扫描信号sn-1而导通，以初始化有机发光器件oled的像素电极。
160.尽管图10图示出第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7连接(例如，耦接)到先前的扫描线sl-1的情况，但是本公开不限于此。在其他一个或多个实施例中，第一初始化薄膜晶体管t4可以连接(例如，耦接)到先前的扫描线sl-1以根据先前的扫描信号sn-1被驱动，并且第二初始化薄膜晶体管t7可以连接(例如，耦接)到单独的信号线(例如，后续的扫描线)以根据被传输到单独的(例如，后续的)信号线的信号被驱动。
161.存储电容器cst的上电极ce2可以连接(例如，耦接)到驱动电压线pl，并且有机发光器件oled的对电极可以连接(例如，耦接)到供给有公共电压elvss的线。因此，有机发光器件oled可以从驱动薄膜晶体管t1接收驱动电流i
oled
来发光以显示图像。
162.图11是图示出图7中所图示的显示设备的像素的布置的平面图。
163.参照图11，像素可以被布置在显示区域da中。在一个或多个实施例中，像素可以包括多个子像素px。多个子像素px可以包括第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3。
164.以上所描述的第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3可以发射不同的
颜色的光。第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3可以以各种合适的方式布置。例如，第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3的全部可以各自独立地形成为矩形形状并且以s条纹类型(例如，条纹图案)布置。在其他一个或多个实施例中，如附图中所图示，第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3可以被布置成菱形结构的形式或图案(是由三星显示有限公司所拥有的注册商标)。在一个或多个实施例中，以上所描述的第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3的布置结构不限于此，并且可以具有各种形式。然而，在下文中，为了便于描述，将主要给出第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3被布置成形式或图案的情况的详细描述。
165.以上所描述的第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3中的一个可以发射红色、绿色和蓝色中的一种的光，并且第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3中的另一个可以发射红色、绿色和蓝色中的另一种的光。在一个或多个实施例中，第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3中的其他子像素可以发射红色、绿色和蓝色中的其他颜色的光。在下文中，为了便于描述，将主要给出第一子像素px1发射红光、第二子像素px2发射绿光并且第三子像素px3发射蓝光的情况的详细描述。
166.在一个或多个实施例中，第一子像素px1可以被提供为多个第一子像素px1。例如，多个第一子像素px1当中邻近的第一子像素px1的中心之间的距离可能不均匀。例如，遍及多个第(1-1)子像素px1-1a中的全部，多个第一子像素px1当中的被布置在第一区域1a中并且彼此邻近的第(1-1)子像素px1-1a之间的第(1-1)子像素距离l1-1a可以相等。例如，多个第一子像素px1当中被布置在第二区域2a中并且在彼此邻近的第(1-2)子像素px1-2a之间的第(1-2)子像素距离l1-2a可以与第(1-1)子像素距离l1-1a不同。例如，第(1-1)子像素距离l1-1a可以大于或小于第(1-2)子像素距离l1-2a。例如，通过被布置在如图3中所图示的掩模片的侧表面处的开口部分沉积的第(1-2)子像素px1-2a之间的第(1-2)子像素距离l1-2a可以小于通过被布置在掩模片的中心处的开口部分沉积的第(1-1)子像素px1-1a之间的第(1-1)子像素距离l1-1a。例如，通过被布置在如图3中所图示的掩模片的上部分或下部分处的开口部分沉积的第(1-2)子像素px1-2a之间的第(1-2)子像素距离l1-2a可以大于通过被布置在掩模片的中心处的开口部分沉积的第(1-1)子像素px1-1a之间的第(1-1)子像素距离l1-1a。在下文中，为了便于描述，将主要给出第(1-1)子像素距离l1-1a大于第(1-2)子像素距离l1-2a的情况的详细描述。
167.在一个或多个实施例中，在多个第(1-2)子像素px1-2a当中，多个第(1-2)子像素px1-2a之间的第(1-2)子像素距离l1-2a可以是不同的。例如，靠近外围区域pa并且彼此邻近布置的第(1-2)子像素px1-2a之间的第(1-2)子像素距离l1-2a可以与靠近第一区域1a并且彼此邻近布置的第(1-2)子像素px1-2a之间的第(1-2)子像素距离l1-2a不同。以上所描述的第一子像素px1之间的距离可以根据在第一掩模片132-1的拉伸之后的第一开口部分的位置而不同。例如，第(1-2)子像素px1-2a的位置和第(1-2)子像素px1-2a之间的第(1-2)子像素距离l1-2a可以分别相似于(例如，对应于)如图4a和图4b中所图示的第一开口部分的位置和第一开口部分之间的距离形成。在一个或多个实施例中，以上所描述的每个子像素距离可以指代在一个方向上布置并且彼此邻近的邻近的子像素的中心之间的距离。
168.在一个或多个实施例中，被布置在显示区域da中的第二子像素px2和第三子像素
px3中的每一个可以相似于第一子像素px1(例如，基本类似于第一子像素px1的布置)来布置。例如，被布置在第一区域1a中并且彼此邻近的第(2-1)子像素px2-1a的中心之间的第(2-1)子像素距离l2-1a可以与被布置在第二区域2a中并且彼此邻近的第(2-2)子像素px2-2a的中心之间的第(2-2)子像素距离l2-2a不同。被布置在第一区域1a中并且彼此邻近的第(3-1)子像素px3-1a的中心之间的第(3-1)子像素距离l3-1a可以与被布置在第二区域2a中并且彼此邻近的第(3-2)子像素px3-2a的中心之间的第(3-2)子像素距离l3-2a不同。在一个或多个实施例中，被布置在第二区域2a中的第(2-2)子像素px2-2a之间的第(2-2)子像素距离l2-2a可以彼此不同。在一个或多个实施例中，第(2-2)子像素px2-2a的位置和第(2-2)子像素距离l2-2a可以分别类似于图5a和图5b中所图示的第二开口部分的位置和第二开口部分之间的距离。在一个或多个实施例中，被布置在第二区域2a中的第(3-2)子像素px3-2a之间的第(3-2)子像素距离l3-2a可以彼此不同。例如，第(3-2)子像素px3-2a的位置和第(3-2)子像素距离l3-2a可以分别类似于图6a和图6b中所图示的第三开口部分的位置和第三开口部分之间的距离。
169.在本实施例中，对于在本文中描述的第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3，每个子像素的像素电极、开口区域和有机发射层的位置可以彼此不同，这取决于它们是被布置在第一区域1a还是第二区域2a中。这将在下面更详细地描述。
170.图12a是图示出图7中所图示的第一区域的第(1-1)子像素的第(1-1)像素电极、第(1-1)开口区域和第(1-1)有机发射层的位置的平面图。
171.参照图12a，第一子像素可以包括被布置在第一区域1a中的第(1-1)子像素px1-1a。
172.在一个或多个实施例中，被布置在第一区域1a中的第(1-1)子像素px1-1a的第(1-1)像素电极28-1a1a、第(1-1)开口区域op1-1a和第(1-1)有机发射层28-2a1a的全部可以具有一个中心ce1a。
173.例如，第(1-1)像素电极28-1a1a可以包括第(1-1)像素电极主体28-1a1a-1以及连接(例如，耦接)到第(1-1)像素电极主体28-1a1a-1的第(1-1)像素电极连接部分28-1a1a-2。在一个或多个实施例中，第(1-1)像素电极连接部分28-1a1a-2可以通过接触孔连接(例如，耦接)到漏电极。如图12a中所图示，第(1-1)像素电极连接部分28-1a1a-2可以形成为在与第(1-1)像素电极主体28-1a1a-1相同的平面上从第(1-1)像素电极主体28-1a1a-1延伸。在其他一个或多个实施例中，第(1-1)像素电极连接部分28-1a1a-2可以形成为在第(1-1)像素电极主体28-1a1a-1下方突出。然而，在下文中，为了便于描述，将主要给出如图12a中所图示形成第(1-1)像素电极连接部分28-1a1a-2的情况的详细描述。
174.在一个或多个实施例中，在平面图中，第(1-1)像素电极主体28-1a1a-1、第(1-1)开口区域op1-1a和第(1-1)有机发射层28-2a1a的形状可以彼此相同或类似。在一个或多个实施例中，第(1-1)像素电极主体28-1a1a-1的平面形状的尺寸和第(1-1)有机发射层28-2a1a的平面形状的尺寸可以大于第(1-1)开口区域op1-1a的平面形状的尺寸。
175.第(1-1)像素电极主体28-1a1a-1的平面形状的中心ce1a、第(1-1)开口区域op1-1a的平面形状的中心ce1a和第(1-1)有机发射层28-2a1a的平面形状的中心ce1a可以被布置在相同或基本相同的位置处。
176.在一个或多个实施例中，第(1-1)开口区域op1-1a的平面形状的边缘(例如，外围)
与第(1-1)有机发射层28-2a1a的平面形状的边缘(例如，外围)之间的间隔可以彼此相等。例如，图12a中所图示的第(1-1)间隔w1-1a、第(2-1)间隔w2-1a、第(3-1)间隔w3-1a和第(4-1)间隔w4-1a可以彼此相等。
177.在其他一个或多个实施例中，被布置在第一区域1a中的第(1-1)子像素px1-1a中的一个的第(1-1)开口区域中心ce1a与第(1-1)有机发射层中心ce1a之间的距离可以与被布置在第一区域1a中的第(1-1)子像素px1-1a中的另一个的第(1-1)开口区域中心ce1a与第(1-1)有机发射层中心ce1a之间的距离不同。例如，被布置在第一区域1a中的第(1-1)子像素px1-1a中的一个可以如图12a中所图示形成，并且第(1-1)子像素px1-1a中的另一个可以如下文描述的图12b中所图示形成。
178.图12b是图示出图7中所图示的第二区域的第(1-2)子像素的第(1-2)像素电极、第(1-2)开口区域和第(1-2)有机发射层的位置的平面图。
179.参照图12b，第一子像素可以包括被布置在第二区域2a中的第(1-2)子像素px1-2a。第(1-2)像素电极28-1a2a可以包括第(1-2)像素电极主体28-1a2a-1以及连接(例如，耦接)到第(1-2)像素电极主体28-1a2a-1的第(1-2)像素电极连接部分28-1a2a-2。被布置在第二区域2a中的第(1-2)子像素px1-2a的第(1-2)像素电极主体28-1a2a-1的平面第(1-2)像素电极主体中心ce2a-1a、第(1-2)开口区域op1-2a的平面第(1-2)开口区域中心ce2a-2a以及第(1-2)有机发射层28-2a2a的平面第(1-2)有机发射层中心ce2a-3a中的一个可以与第(1-2)子像素px1-2a的第(1-2)像素电极主体28-1a2a-1的平面第(1-2)像素电极主体中心ce2a-1a、第(1-2)开口区域op1-2a的平面第(1-2)开口区域中心ce2a-2a以及第(1-2)有机发射层28-2a2a的平面第(1-2)有机发射层中心ce2a-3a中的另一个不匹配。在下文中，为了便于描述，将主要给出第(1-2)子像素px1-2a的第(1-2)像素电极主体28-1a2a-1的平面第(1-2)像素电极主体中心ce2a-1a、第(1-2)开口区域op1-2a的平面第(1-2)开口区域中心ce2a-2a以及第(1-2)有机发射层28-2a2a的平面第(1-2)有机发射层中心ce2a-3a彼此都不同的情况的详细描述。
180.在一个或多个实施例中，在平面图中，第(1-2)开口区域op1-2a可以在第(1-2)有机发射层28-2a2a的内部。例如，可以布置第(1-2)开口区域op1-2a和第(1-2)有机发射层28-2a2a使得第(1-2)有机发射层28-2a2a的边缘可以完全覆盖第(1-2)开口区域op1-2a的边缘。
181.在一个或多个实施例中，第(1-2)开口区域op1-2a的平面形状的边缘(例如，外围)与第(1-2)有机发射层28-2a2a的平面形状的边缘(例如，外围)之间的间隔可以在至少两点上彼此不同。例如，图12b中所图示的第(1-2)间隔w1-2a、第(2-2)间隔w2-2a、第(3-2)间隔w3-2a以及第(4-2)间隔w4-2a中的一个可以与第(1-2)间隔w1-2a、第(2-2)间隔w2-2a、第(3-2)间隔w3-2a以及第(4-2)间隔w4-2a中的另一个不同。在下文中，为了便于描述，将主要给出第(1-2)间隔w1-2a、第(2-2)间隔w2-2a、第(3-2)间隔w3-2a以及第(4-2)间隔w4-2a彼此都不同的情况的详细描述。
182.在一个或多个实施例中，被布置在第二区域2a中的第(1-2)子像素px1-2a中的一个的第(1-2)开口区域中心ce2a-2a与第(1-2)有机发射层中心ce2a-3a之间的距离可以与被布置在第二区域2a中的第(1-2)子像素px1-2a中的另一个的第(1-2)开口区域中心ce2a-2a与第(1-2)有机发射层中心ce2a-3a之间的距离不同。
183.例如，被布置在第二区域2a中的第(1-2)子像素px1-2a中的一个可以如图12a中所图示形成，并且第(1-2)子像素px1-2a中的另一个可以如图12b中所图示形成。在其他一个或多个实施例中，被布置在第二区域2a中的第(1-2)子像素px1-2a中的全部可以如图12b中所图示形成。例如，在第(1-2)子像素px1-2a的全部中，每个中心的位置可以与图12b中所图示的每个中心的位置不同。在其他一个或多个实施例中，被布置在第二区域2a中的第(1-2)子像素px1-2a中的全部可以如图12b中所图示形成，并且每个中心的位置在多个第(1-2)子像素px1-2a中的一些子像素中可以与图12b中所图示的每个中心的位置相同，并且在多个第(1-2)子像素px1-2a中的一些其他子像素中可以与图12b中所图示的每个中心的位置不同。
184.例如，多个第一子像素px1中的一个中的第一开口区域中心与第一有机发射层中心之间的距离可以与多个第一子像素px1中的另一个中的第一开口区域中心与第一有机发射层中心之间的距离不同。
185.图13a是图示出图7中所图示的第一区域的第(2-1)子像素的第(2-1)像素电极、第(2-1)开口区域和第(2-1)有机发射层的位置的平面图。
186.参照图13a，第二子像素可以包括被布置在第一区域1a中的第(2-1)子像素px2-1a。
187.在一个或多个实施例中，第(2-1)子像素px2-1a的第(2-1)像素电极28-1b1a、第(2-1)开口区域op2-1a和第(2-1)有机发射层28-2b1a的平面形状的中心ce1a可以彼此匹配或者可以彼此基本相同。例如，在平面图中，第(2-1)开口区域op2-1a可以被布置在第(2-1)有机发射层28-2b1a的内部。在平面图中，从第(2-1)开口区域op2-1a的边缘到第(2-1)有机发射层28-2b1a的边缘的间隔沿着第(2-1)开口区域op2-1a的边缘(例如，沿着外围)可以是均匀的。
188.在一个或多个其他实施例中，被布置在第一区域1a中的第(2-1)子像素px2-1a中的一个中的第(2-1)开口区域op2-1a的中心ce1a与第(2-1)有机发射层28-2b1a的中心ce1a之间的距离可以与被布置在第一区域1a中的第(2-1)子像素px2-1a中的另一个中的第(2-1)开口区域op2-1a的中心ce1a与第(2-1)有机发射层28-2b1a的中心ce1a之间的距离不同。例如，被布置在第一区域1a中的第(2-1)子像素px2-1a中的一个可以如图13a中所图示形成，并且第(2-1)子像素px2-1a中的另一个可以如下文描述的图13b中所图示形成。
189.图13b是图示出图7中所图示的第二区域的第(2-2)子像素的第(2-2)像素电极、第(2-2)开口区域和第(2-2)有机发射层的位置的平面图。
190.参照图13b，第二子像素可以包括被布置在第二区域2a中的第(2-2)子像素px2-2a。第(2-2)像素电极28-1b2a可以包括第(2-2)像素电极主体28-1b2a-1以及连接(例如，耦接)到第(2-2)像素电极主体28-1b2a-1的第(2-2)像素电极连接部分28-1b2a-2。第(2-2)子像素px2-2a的第(2-2)像素电极28-1b2a的第(2-2)像素电极主体中心ce2a-1b、第(2-2)开口区域op2-2a的第(2-2)开口区域中心ce2a-2b和第(2-2)有机发射层28-2b2a的第(2-2)有机发射层中心ce2a-3b中的一个可以被布置在与第(2-2)像素电极主体中心ce2a-1b、第(2-2)开口区域中心ce2a-2b和第(2-2)有机发射层中心ce2a-3b中的另一个不同的位置处。在一个或多个实施例中，第(2-2)开口区域op2-2a可以被布置成完全包括在第(2-2)有机发射层28-2b2a内部。
191.例如，被布置在第二区域2a中的第(2-2)子像素px2-2a中的一个可以如图13a中所图示形成，并且第(2-2)子像素px2-2a中的另一个可以如图13b中所图示形成。在其他一个或多个实施例中，被布置在第二区域2a中的第(2-2)子像素px2-2a中的全部可以如图13b中所图示形成。在一个或多个实施例中，在第(2-2)子像素px2-2a的全部中，每个中心的位置可以与图13b中所图示的每个中心的位置不同。在其他一个或多个实施例中，被布置在第二区域2a中的第(2-2)子像素px2-2a中的全部可以如图13b中所图示形成，并且每个中心的位置在多个第(2-2)子像素px2-2a中的一些子像素中可以与图13b中所图示的每个中心的位置相同，并且在多个第(2-2)子像素px2-2a中的一些其他子像素中可以与图13b中所图示的每个中心的位置不同。
192.在一个或多个实施例中，在平面图中，第(2-2)开口区域op2-2a可以被布置在第(2-2)有机发射层28-2b2a的内部。
193.例如，多个第二子像素px2中的一个中的第二开口区域中心与第二有机发射层中心之间的距离可以与多个第二子像素px2中的另一个中的第二开口区域中心与第二有机发射层中心之间的距离不同。
194.图14a是图示出图7中所图示的第一区域的第(3-1)子像素的第(3-1)像素电极、第(3-1)开口区域和第(3-1)有机发射层的位置的平面图。
195.参照图14a，第三子像素px3可以包括被布置在第一区域1a中的第(3-1)子像素px3-1a。
196.在一个或多个实施例中，第(3-1)子像素px3-1a的第(3-1)像素电极28-1c1a、第(3-1)开口区域op3-1a和第(3-1)有机发射层28-2c1a的平面形状的中心ce1a可以彼此匹配或者可以彼此基本相同。在一个或多个实施例中，在平面图中，第(3-1)开口区域op3-1a可以被布置在第(3-1)有机发射层28-2c1a的内部。第(3-1)像素电极28-1c1a可以包括第(3-1)像素电极主体28-1c1a-1以及连接(例如，耦接)到第(3-1)像素电极主体28-1c1a-1的第(3-1)像素电极连接部分28-1c1a-2。在一个或多个实施例中，在平面图中，从第(3-1)开口区域op3-1a的边缘(例如，外围)到第(3-1)有机发射层28-2c1a的边缘(例如，外围)的间隔沿着第(3-1)开口区域op3-1a的边缘可以是均匀的。
197.在其他一个或多个实施例中，被布置在第一区域1a中的第(3-1)子像素px3-1a中的一个中的第(3-1)开口区域op3-1a的中心与第(3-1)有机发射层28-2c1a的中心之间的距离可以与被布置在第一区域1a中的第(3-1)子像素px3-1a中的另一个中的第(3-1)开口区域op3-1a的中心与第(3-1)有机发射层28-2c1a的中心之间的距离不同。例如，被布置在第一区域1a中的第(3-1)子像素px3-1a中的一个可以如图14a中所图示形成，并且第(3-1)子像素px3-1a中的另一个可以如下文描述的图14b中所图示形成。
198.图14b是图示出图7中所图示的第二区域的第(3-2)子像素的第(3-2)像素电极、第(3-2)开口区域和第(3-2)有机发射层的位置的平面图。
199.参照图14b，第三子像素px3可以包括被布置在第二区域2a中的第(3-2)子像素px3-2a。第(3-2)像素电极28-1c2a可以包括第(3-2)像素电极主体28-1c2a-1以及连接(例如，耦接)到第(3-2)像素电极主体28-1c2a-1的第(3-2)像素电极连接部分28-1c2a-2。第(3-2)子像素px3-2a的第(3-2)像素电极28-1c2a的第(3-2)像素电极主体中心ce2a-1c、第(3-2)开口区域op3-2a的第(3-2)开口区域中心ce2a-2c和第(3-2)有机发射层28-2c2a的第
(3-2)有机发射层中心ce2a-3c中的一个可以被布置在与第(3-2)像素电极主体中心ce2a-1c、第(3-2)开口区域中心ce2a-2c和第(3-2)有机发射层中心ce2a-3c中的另一个不同的位置处。在一个或多个实施例中，第(3-2)开口区域op3-2a可以被布置成完全(例如，全部)包括在第(3-2)有机发射层28-2c2a内部。
200.例如，被布置在第二区域2a中的第(3-2)子像素px3-2a中的一个可以如图14a中所图示形成，并且第(3-2)子像素px3-2a中的另一个可以如图14b中所图示形成。在其他一个或多个实施例中，被布置在第二区域2a中的第(3-2)子像素px3-2a中的全部可以如图14b中所图示形成。在一个或多个实施例中，在第(3-2)子像素px3-2a的全部中，每个中心的位置可以与图14b中所图示的每个中心的位置不同。在其他一个或多个实施例中，被布置在第二区域2a中的第(3-2)子像素px3-2a中的全部可以如图14b中所图示形成，并且每个中心的位置在多个第(3-2)子像素px3-2a中的一些子像素中可以与图14b中所图示的每个中心的位置相同，并且在多个第(3-2)子像素px3-2a中的一些其他子像素中可以与图14b中所图示的每个中心的位置不同。
201.在一个或多个实施例中，在平面图中，第(3-2)开口区域op3-2a可以被布置在第(3-2)有机发射层28-2c2a的内部。
202.例如，多个第三子像素px3中的一个中的第三开口区域中心与第三有机发射层中心之间的距离可以与多个第三子像素px3中的另一个中的第三开口区域中心与第三有机发射层中心之间的距离不同。
203.图15a至图15m是图示出根据一个或多个实施例的显示设备制造方法的截面图或平面图。
204.参照图15a至图15m，有机发射层可以形成在显示基板d之上。在一个或多个实施例中，图2中所图示的掩模组件130可以用于形成有机发射层。在一个或多个实施例中，取决于从每个子像素发射的光，可以使用不同的掩模组件。在一个或多个实施例中，因为形成在每个子像素部分中的有机发射层通过类似(或基本类似)的方法形成，所以在下文中，为了便于描述，将主要给出第(1-2)有机发射层28-2a2a形成在显示基板之上的情况的详细描述。
205.参照图15a，首先，像素电极28-1a2a和28-1c2a可以形成在钝化层27之上。
206.参照图15b和图15c，像素限定层29可以形成在像素电极之上。光刻胶pr可以被布置在像素限定层29之上并且可以去除光刻胶pr的一部分以形成开口区域pr-op。然后，像素限定层29中的开口区域可以形成为将第(1-1)像素电极的至少一部分、第(1-2)像素电极28-1a2a的至少一部分、第(2-1)像素电极的至少一部分、第(2-2)像素电极的至少一部分、第(3-1)像素电极的至少一部分以及第(3-2)像素电极28-1c2a的至少一部分暴露于外部。在一个或多个实施例中，当每个开口区域初始形成在像素限定层29中时，像素限定层29的所有相应开口区域可以被设置成以相等间隔形成。当根据本实施例形成像素限定层29的每个开口区域时，可以暴露每个像素电极的至少一部分。在一个或多个实施例中，像素限定层29的每个开口区域的平面中心和每个像素电极的平面中心可以在显示基板d的整个区域内彼此匹配。
207.此后，第一掩模片132-1可以被布置成面向显示基板d，并且第一有机发射层可以通过图1中所图示的显示设备制造设备100形成在显示基板d之上。
208.在一个或多个实施例中，多个第一有机发射层中的一些第一有机发射层可以形成
为包括(例如，全部包括)第一开口区域，但是多个第一有机发射层中的一些其他第一有机发射层可以不形成为完全(例如，全部)包括第一开口区域。
209.例如，当第一掩模片132-1被拉伸时，第一开口部分之间的间隔在第一掩模片132-1的被布置成与第一区域1a相对应的部分中可以维持均匀(或基本均匀)，并且第一开口部分的位置在第一掩模片132-1的被布置成与第二区域2a相对应的部分中可以与初始位置或预设位置不同，并且因此，形成在第二区域2a中的第(1-2)有机发射层28-2a2a的位置可以与预设(例如，初始)位置不同。在一个或多个实施例中，第(1-2)有机发射层28-2a2a可以不完全覆盖(例如，屏蔽)通过第(1-2)开口区域op1-2a暴露的第(1-2)像素电极28-1a2a。
210.例如，参照图15d至图15f，在平面图中，当布置第一掩模片132-1时，第(1-5)开口部分132a-1e可以被布置成不包括第(1-2)开口区域op1-2a的全部。在一个或多个实施例中，第(2-2)开口区域op2-2a的至少一部分和第(3-2)开口区域op3-2a的至少一部分中的至少一个可以被布置在第(1-5)开口部分132a-1e内部。在一个或多个实施例中，已经穿过第(1-5)开口部分132a-1e的沉积材料可以被沉积移动到第(1-2)开口区域op1-2a。在一个或多个实施例中，如图15d的区h中所图示，可以不在第(1-2)像素电极28-1a2a的通过第(1-2)开口区域op1-2a暴露于外部的部分上进行沉积。在一个或多个实施例中，如图15d的区h中所图示，沉积材料可以被沉积在暴露于第(3-2)开口区域op3-2a的第(3-2)像素电极28-1c2a上，第(3-2)开口区域op3-2a跟第(3-2)像素电极28-1c2a邻近，并且因此，第(1-2)有机发射层28-2a2a可以被布置在第(3-2)像素电极28-1c2a以及第(1-2)像素电极28-1a2a的一部分之上。例如，第(1-2)有机发射层28-2a2a可以被布置在第(2-2)像素电极28-1b2a的暴露于第(2-2)开口区域op2-2a的至少一部分之上。
211.当第(1-2)有机发射层28-2a2a不仅被布置在第(1-2)像素电极28-1a2a处而且被布置在第(2-2)像素电极28-1b2a和第(3-2)像素电极28-1c2a中的至少一个处时，光可以在第(2-2)子像素px2-2a和第(3-2)子像素px3-2a中的至少一个中混合并且发射，并且因此，显示设备20本身在实现清晰的图像方面可能存在限制。另外，因为可能存在第(1-2)有机发射层28-2a2a不在第(1-2)像素电极28-1a2a的部分中的区域，所以可能存在从第(1-2)子像素px1-2a发射的光的面积小和/或模糊的问题。
212.在上述情况下，例如，当确定设备有缺陷时，制造的显示设备20可能无法实现清晰的图像，并且其制造时间和成本可能增加。
213.参照图15g，当有机发射层像本实施例那样不完全覆盖对应的开口区域时，可以计算第一掩模片132-1与基板21之间的偏差程度。例如，被布置在基板21处的第一对准标记ar1和形成在第一掩模片132-1处的第二对准标记ar2可以由图1中所图示的视觉单元180拍摄。视觉单元180可以将其获得的图像传输到控制器，并且控制器可以比较第一对准标记ar1和第二对准标记ar2的位置以计算第一掩模片132-1的变形程度。例如，控制器可以基于第一对准标记ar1的中心ar1-ce与第二对准标记ar2的中心ar2-ce之间的间隔和/或其方向等来计算第一掩模片132-1的变形程度。在其他一个或多个实施例中，第一掩模片132-1的变形程度可以通过使用电子显微镜等观察实际形成有机发射层的基板来计算。在一个或多个实施例中，第一掩模片132-1的变形程度可以通过有机发射层的平面(例如，在平面图中)中心和开口区域的平面(例如，在平面图中)中心的位置来计算。在一个或多个实施例中，根据本公开的实施例，控制器可以处于预先存储用于计算第一掩模片132-1的变形程度的公
式的状态，或者根据本公开的实施例，可以处于以表格形式预先布置和预先存储第一掩模片132-1的变形程度的状态。
214.参照图15h和图15i，控制器可以根据如本文中所描述的那样计算的第一掩模片132-1的变形程度来计算第一开口部分的位置。当形成像素限定层29的开口区域时，控制器可以使用该信息作为用于施加和显影光刻胶pr的信息。
215.在一个或多个实施例中，控制器可以在像素限定层29之上形成光刻胶pr，并且可以将形成在光刻胶pr中的开口部分pr-op从其现有位置偏移以形成第(1-2)开口区域op1-2a。例如，控制器可以将光刻胶pr的开口部分pr-op的中心布置在与第(1-2)像素电极28-1a2a的中心的位置不同的位置处。
216.当在将光刻胶pr的开口部分pr-op的中心从与第(1-2)像素电极28-1a2a的中心匹配的位置改变到与第(1-2)像素电极28-1a2a的中心不匹配的位置之后，第(1-2)开口区域op1-2a形成在像素限定层29中时，第(1-2)开口区域op1-2a的中心可以与第(1-2)像素电极28-1a2a的中心不匹配。在这种情况下，在一个方向上插入像素限定层29中的第(1-2)像素电极28-1a2a的末端中的一端的长度可以与插入像素限定层29中的第(1-2)像素电极28-1a2a的末端中的另一端的长度不同。例如，在一个方向上插入像素限定层29中的第(1-2)像素电极28-1a2a的末端中的一端的长度可以大于或小于插入像素限定层29中的第(1-2)像素电极28-1a2a的末端中的另一端的长度(参见例如图15h的区j-1和区j-2)。
217.除了第(1-2)开口区域op1-2a之外，也可以对第(2-2)开口区域op2-2a和第(3-2)开口区域op3-2a两者进行以上过程。在一个或多个实施例中，尽管如上所描述，除了第(1-2)第二开口区域op1-2a之外，在形成第(2-2)第二开口区域op2-2a和第(3-2)第二开口区域op3-2a的过程中也应用了本实施例的过程，但是本实施例不限于此。例如，当确定掩模片的与被布置在第一区域1a中的开口区域相对应的开口部分的位置与预设位置不同时，也可以对第一区域1a的开口区域进行这样的操作。例如，当确定掩模片的与第二区域2a的开口区域相对应的开口部分的位置与预设位置没有不同时，可以不对第二区域2a的开口区域进行以上操作并且开口区域可以形成在像素限定层中，使得开口区域的中心和像素电极主体的中心彼此匹配，与现有操作相同。
218.参照图15j和图15k，在像素限定层29之上的第(1-2)开口区域op1-2a的位置基于初始设定位置在至少一个方向上偏移之后，第(1-1)有机发射层28-2a1a可以通过图1中所图示的显示设备制造设备100形成。
219.在一个或多个实施例中，在平面图中，当布置第一掩模片132-1时，第(1-2)像素电极28-1a2a的全部可以通过第一开口部分暴露于外部。在一个或多个实施例中，通过第一开口部分沉积的沉积材料可以形成被布置成完全覆盖第(1-2)开口区域op1-2a的第(1-2)有机发射层28-2a2a。
220.当如上形成第(1-2)有机发射层28-2a2a时，第(1-2)有机发射层28-2a2a可以覆盖通过第(1-2)开口区域op1-2a暴露于外部的第(1-2)像素电极28-1a2a的全部(图15j的区h’)。此外，第(1-2)有机发射层28-2a2a可以不布置在与其邻近的第(3-2)子像素px3-2a的第(3-2)像素电极28-1c2a之上(图15j的区i’)。
221.以上操作可以应用于第二掩模片132-2和第三掩模片132-3以及第一掩模片132-1。在一个或多个实施例中，由于第二掩模片132-2和第三掩模片132-3的变形，每个子像素
的与被计算为与初始位置或预设位置不同的第二开口部分和第三开口部分的位置分别相对应的开口区域的位置可以相对于每个子像素开口区域的初始设置位置偏移。
222.在一个或多个实施例中，像素限定层29的开口区域可以单独调节以对应每个掩模片的变形。
223.参照图15l和图15m，当开口区域的位置如上单独调节时，彼此邻近并且发射不同颜色的光的有机发射层可以包括彼此至少部分重叠的子像素。例如，在平面图中，例如，如图15l和图15m中所图示的区j’中，当第(1-2)开口区域op1-2a、第(2-2)开口区域op2-2a和第(3-2)开口区域op3-2a中的至少一个偏移并且形成时，第(1-2)有机发射层28-2a2a、第(2-2)有机发射层28-2b2a和第(3-2)有机发射层28-2c2a中的一个可以与第(1-2)有机发射层28-2a2a、第(2-2)有机发射层28-2b2a和第(3-2)有机发射层28-2c2a中的另一个重叠。在一个或多个实施例中，在平面图中，第(1-2)有机发射层28-2a2a、第(2-2)有机发射层28-2b2a和第(3-2)有机发射层28-2c2a中的一个与第(1-2)有机发射层28-2a2a、第(2-2)有机发射层28-2b2a和第(3-2)有机发射层28-2c2a中的另一个重叠的部分可以在像素限定层29之上。因此，因为没有向有机发射层如上那样彼此重叠的部分施加电力，所以可以不发射光。
224.因此，以上所描述的显示设备制造方法可以解决有机发射层由于掩模片的变形而不能完全覆盖开口区域的问题。此外，显示设备制造方法可以通过布置有机发射层以覆盖暴露于开口区域的整个像素电极来允许每个子像素发射清晰的光。
225.根据显示设备制造方法，通过调节开口区域的位置以反映掩模片的变形，可以将沉积材料沉积在准确的位置处。
226.根据实施例的显示设备可以实现清晰的图像。根据实施例的显示设备制造方法，有机发射层可以准确地沉积在暴露于外部的像素电极上。
227.应当理解，本文描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在形式和细节上进行各种改变，而不脱离由所附权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围。