基片处理装置、基片处理系统和维护方法与流程

1.本发明所公开的实施方式涉及基片处理装置、基片处理系统以及维护方法。


背景技术：

2.等离子体处理装置在对基片进行的等离子体处理中所使用。等离子体处理装置包括腔室以及基片支承器。基片支承器在腔室内支承基片。基片根据在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种进行处理。下面的专利文献1公开了这种等离子体处理装置。
3.专利文献1：日本特开2019-197849号公报


技术实现要素：

4.发明所要解决的问题
5.本发明提供一种能够很容易对形成在其中对基片进行处理的处理空间的腔室进行维护的技术。
6.在一个实施方式中提供一种基片处理装置。该基片处理装置包括：第1腔室、基片支承器、第2腔室、夹具、解除机构以及升降机构。第1腔室包括提供开口的侧壁，且还包括能够在第1腔室内向上方以及下方移动的可动部。基片支承器配置在第1腔室内。第2腔室配置在第1腔室内，且与基片支承器一同形成在其中对载放在基片支承器上的基片进行处理的处理空间。第2腔室能够从第1腔室中拆下，且能够经由第1腔室侧壁的开口在第1腔室的内部空间与第1腔室的外部之间进行搬送。夹具将第2腔室按照可解除的方式固定于在第2腔室上延伸的可动部上。解除机构用来解除夹具对第2腔室的固定。升降机构使可动部向上方及下方移动。
7.发明效果
8.根据本发明的一个实施方式，能够很容易对形成在其中对基片进行处理的处理空间的腔室进行维护。
附图说明
9.图1是表示一例实施方式中的基片处理系统的图。
10.图2是表示一例实施方式中的基片处理装置的概略图。
11.图3是一例实施方式中的基片处理装置的部分放大断面图。
12.图4是一例实施方式中的基片处理系统的搬送模块的概略图。
13.图5是表示一例实施方式中的实施维护方法过程中的基片处理系统的状态的图。
14.图6是表示一例实施方式中的实施维护方法过程中的基片处理系统的状态的图。
15.图7是表示一例实施方式中的实施维护方法过程中的基片处理系统的状态的图。
16.图8是表示一例实施方式中的实施维护方法过程中的基片处理系统的状态的图。
17.图9是表示一例实施方式中的实施维护方法过程中的基片处理系统的状态的图。
18.图10是表示一例实施方式中的实施维护方法过程中的基片处理系统的状态的图。
19.图11是一例实施方式中的基片处理装置的部分放大断面图。
20.图12是表示一例实施方式中的实施维护方法过程中的基片处理系统的状态的图。
21.图13是表示一例实施方式中的实施维护方法过程中的基片处理系统的状态的图。
22.图14是其他的一例实施方式中的基片处理装置的部分放大断面图。
23.图15是其他的一例实施方式中的基片处理装置的部分放大断面图。
24.图16是其他的一例实施方式中的基片处理装置的部分放大断面图。
25.图17是表示其他的一例实施方式中的基片处理装置中的第2腔室的一部分、盖环以及边缘环的平面图。
26.图18是沿图17的xviii-xviii线的断面图。
27.图19是表示其他的一例实施方式中的基片处理装置中的第2腔室的一部分、盖环以及边缘环的平面图。
28.图20是沿图19的xx-xx线的断面图。
具体实施方式
29.下面，对各种实施方式进行说明。
30.在一例实施方式中提供了一种基片处理装置。基片处理装置包括：第1腔室、基片支承器、第2腔室、夹具、解除机构以及升降机构。第1腔室包括提供开口的侧壁，并且还包括可在第1腔室内向上方及下方移动的可动部。基片支承器配置于第1腔室内。第2腔室配置于第1腔室中，并且与基片支承器一同形成在其中对载放在基片支承器上的基片实施处理的处理空间。第2腔室可以从第1腔室上拆下，并且可以经由第1腔室的侧壁开口在第1腔室的内部空间与第1腔室的外部之间进行搬送。夹具将第2腔室固定于在第2腔室之上延伸的可动部上，并且能够解除。解除机构用来解除夹具对第2腔室的固定。升降机构使可动部向上方及下方移动。
31.在上述实施方式的基片处理装置中，在第2腔室内对基片进行处理。第2腔室配置于第1腔室内并且被固定在第1腔室中。可以使用解除机构来解除第2腔室在第1腔室中的固定。另外，在解除第2腔室在第1腔室中的固定的状态下，能够将第2腔室从设置于第1腔室侧壁上的开口向第1腔室的外部搬出。因此，根据上述实施方式，能够很容易维护形成在其中对基片进行处理的处理空间的腔室，即第2腔室。
32.在一例实施方式中，第2腔室也可以包括在处理空间的上方延伸的顶部。夹具也可以按照能够解除的方式将顶部固定在第1腔室的可动部中。
33.在一例实施方式中，夹具也可以包括支承部以及弹簧。支承部具有按照第2腔室的顶部从其上面悬挂的方式而构成的下端。弹簧经由支承部的下端将第2腔室的顶部向第1腔室的可动部施力。
34.在一例实施方式中，解除机构也可以包括空气供给器，它提供将支承部的下端从第2腔室中分离的空气压力以解除由夹具对顶部的固定。
35.在一例实施方式中，基片处理装置还可以包括导体部以及触头。导体部沿着基片支承器的外周设置并且接地。触头与导体部电连接。第2腔室也可以在与基片支承器一同形成处理空间的状态下与触头抵接。触头也可以从导体部向上方延伸。
36.在一例实施方式中，触头也可以与第2腔室弹性地接触。触头还可以包括弹簧。
37.在一例实施方式中，触头也可以是销。第2腔室也可以提供销嵌入其中的凹部。销也可以具有锥形形状。第2腔室的凹部也可以具有与销的锥形形状对应的锥形形状。
38.在一例实施方式中，触头也可以包括具有可挠性且由导电材料形成的膜。基片处理装置还可以包括在膜上施加气压并将该膜按压到第2腔室的其他的空气供应器。
39.在一例实施方式中，第2腔室也可以包括在处理空间下方延伸的底部。在第2腔室中，其底部也可以与触头抵接。
40.在一例实施方式中，基片处理装置还可以包括具有内边缘部和外边缘部的盖环。在基片支承器上配置边缘环。盖环的内边缘部也可以支承配置在其上的边缘环的外边缘部。盖环的外边缘部也可以包括径向突出的多个凸部。第2腔室还可以包括具有内边缘部的底部，该内缘部划分边缘环和盖环可以通过的内孔。第2腔室也可以在底部的内边缘部上配置有多个凸部的状态下支承盖环。内孔可以包括多个凸部能够通过且由内边缘部提供的多个凹槽。
41.在一例实施方式中，基片处理装置也可以是等离子体处理装置。
42.在其他的实施方式中提供一种基片处理系统。基片处理系统包括：上述各种实施方式中的任意一个基片处理装置、搬送模块以及控制部。搬送模块具有其他的腔室以及搬送装置。搬送模块的其他腔室包括提供开口的侧壁。搬送装置将第2腔室从第1腔室的内部空间经由第1腔室的开口以及其他腔室的开口向其他腔室的内部空间搬送。控制部控制升降机构、解除机构以及搬送装置。控制部控制升降机构，从而将第1腔室的可动部以及第2腔室从基片支承器向上方分离。控制部控制解除机构，从而解除由钳子固定的第2腔室，以便将第2腔室移交至搬送装置。控制部控制搬送装置，将第2腔室从第1腔室的内部空间经由第1腔室的开口以及其他腔室的开口，向其他的腔室的内部空间搬送。
43.在一例实施方式中，基片处理装置可以包括开闭第1腔室的开口的闸阀。搬送模块可以包括开闭其他腔室的开口的闸阀，且能够移动。在其他的腔室与第1腔室连接的状态下，第1腔室的侧壁、其他腔室的侧壁、基片处理装置的闸阀以及搬送模块的闸阀可以在它们之间形成密闭的空间。基片处理装置可以包括对该密封空进行减压的排气装置。
44.在其他的实施方式中提供一种维护方法。维护方法包括：在基片处理装置的第1腔室内将第2腔室从基片支承器向上方分离的工序(a)。基片处理装置包括第1腔室、基片支承器以及第2腔室。第1腔室还包括提供开口的侧壁，并且还包括可在第2腔室的上面延伸且在能够第1腔室内向上方以及下方移动的可动部。基片支承器配置于第1腔室内。第2腔室配置于第1腔室内，并且与基片支承器一同形成在其中对载放在基片支承器上的基片进行处理的处理空间。维护方法还包括：解除第2腔室在第1腔室的可动部上的固定的工序(b)。维护方法还包括：将第2腔室从第1腔室的内部空间经由开口向搬送模块的腔室的内部空间搬送的工序(c)。
45.下面将参照附图对各种实施方式进行详细的说明。另外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的符号。
46.图1是表示一个实施例中的基片处理系统的图。图1所示的基片处理系统ps包括：处理模块pm1～pm6、搬送模块ctm以及控制部mc。
47.基片处理系统ps还可以包括：台2a～2d、容器4a～4d、校准器an、负载锁定模块ll1、ll2以及搬送模块tm。另外，基片处理系统ps中的台的个数、容器的个数、负载锁定模块
的个数可以是一个以上的任意个数。基片处理系统ps中的处理模块的个数也可以是一个以上的任意个数。
48.台2a～2d沿着加载模块lm的一个边缘排列。容器4a～4d分别搭载在台2a～2d上。各个容器4a～4d例如是被称作foup(front opening unified pod前开式晶圆传送盒)的容器。各个容器4a～4d在其内部容纳基片w。
49.加载模块lm包括腔室。加载模块lm的腔室内的压力被设定为大气压。加载模块lm具有搬送装置tu1。搬送装置tu1例如是搬送机器人，由控制部mc控制。搬送装置tu1经由加载模块lm的腔室搬送基片w。搬送装置tu1在各个容器4a～4d与校准器an之间、在校准器an与各个负载锁定模块ll1、ll2之间、在各个负载锁定模块ll1、ll2与各个容器4a～4d之间搬送基片w。校准器an与加载模块lm连接。校准器an调整基片w的位置(位置校准)
50.负载锁定模块ll1以及负载锁定模块ll2分别设置在加载模块lm与搬送模块tm之间。负载锁定模块ll1以及负载锁定模块ll2分别提供预备减压室。负载锁定模块ll1以及负载锁定模块ll2分别通过闸阀与加载模块lm连接。另外，负载锁定模块ll1以及负载锁定模块ll2分别通过闸阀与搬送模块tm连接。
51.搬送模块tm具有可减压的搬送腔室tc。搬送模块tm具有搬送装置tu2。搬送装置tu2例如是搬送机器人，由控制部mc控制。搬送装置tu2经由搬送腔室tc搬送基片w。搬送装置tu2可在各个负载锁定模块ll1、ll2与各个处理模块pm1～pm6之间以及处理模块pm1～pm6中的任意两个处理模块之间搬送基片w。
52.处理模块pm1～pm6分别经由闸阀与搬送模块tm连接。处理模块pm1～pm6是分别进行专用基片处理的装置。处理模块pm1～pm6中的至少一个处理模块是后述的实施方式中的基片处理装置。
53.搬送模块ctm具有腔室以及搬送装置。搬送模块ctm由控制部mc控制。搬送模块ctm具有搬送装置。搬送模块ctm的搬送装置将设置在基片处理装置的第1腔室内的第2腔室向搬送模块ctm的腔室内搬送。将在后面对搬送模块ctm的详细内容进行阐述。
54.控制部mc控制基片处理系统ps的各个部分。控制部mc可以是包括处理器、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机。控制部mc运行存储在存储装置中的控制程序，根据存储在该存储装置中的配方数据来控制基片处理系统ps的各个部分。对于后述的实施方式中的维护方法，可以通过控制部mc对基片处理系统ps的各个部分的控制在基片处理系统ps中实施。
55.下面，对实施方式中的基片处理装置进行说明。图2是表示一个实施方式中的基片处理装置的概略图。图3是一个实施方式中的基片处理装置的部分放大断面图。图2及图3所示的基片处理装置1是电容耦合型的等离子体处理装置。基片处理装置1包括第1腔室10、第2腔室20以及基片支承器30。
56.第1腔室10提供内部空间。第1腔室10由铝等金属构成。第1腔室10电气接地。可以在第1腔室10的表面上形成有耐腐蚀性的膜。作为耐腐蚀性的膜，例如由氧化铝或氧化钇等材料形成。
57.第1腔室10包括侧壁10s。侧壁10s具有大致圆柱形形状。侧壁10s的中心轴线在垂直方向(铅垂方向)上延伸，在图2中表示为轴线ax。侧壁10s提供通道10p。第1腔室10的内部空间经由通道10p与搬送模块tm的搬送腔室tc的内部空间相连。通道10p可以通过闸阀10g
开闭。当在第1腔室10的内部空间与第1腔室10的外部之间搬送基片w时，通过通道10p。
58.侧壁10s还提供开口10o。开口10o具有第2腔室20可通过的尺寸。第1腔室10的内部空间可以经由开口10o与搬送模块ctm的内部空间连接。开口10o可以通过闸阀10v开闭。
59.在一个实施方式中，侧壁10s的一部分具有由内侧壁10i以及外侧壁10e形成的双重结构。内侧壁10i与外侧壁10e在它们之间提供空间10q。开口10o形成于内侧壁10i以及外侧壁10e上。闸阀10v沿着内侧壁10i设置，用来开闭开口10o。
60.第1腔室10还可以包括上部10u。上部10u从侧壁10s的上端向与轴线ax交叉的方向延伸。上部10u在与轴线ax交叉的区域中提供开口。
61.第1腔室10还包括可动部10m。可动部10m设置在第1腔室10的上部10u的下方且侧壁10s的内侧。可动部10m可在第1腔室10内向上方及下方移动。
62.基片处理装置1还具备升降机构12。升降机构12使可动部10m向上方及下方移动。升降机构12包括驱动装置12d以及轴12s。可动部10m固定在轴12s上。轴12s从可动部10m通过上部10u的开口后向上方延伸。驱动装置12d设置在第1腔室10的外侧。驱动装置12d使轴12s向上方及下方移动。驱动装置12d例如包括马达。通过轴12s向上方及下方的移动，可动部10m向上方及下方移动。
63.基片处理装置1还可以包括波纹管(真空膜盒)14。波纹管14设置在可动部10m和上部10u之间。波纹管14将第1腔室10的内部空间与第1腔室10的外部分离。波纹管14的下端固定在可动部10m上。波纹管14的上端固定在上部10u上。
64.在一个实施方式中，可动部10m也可以包含第一部件10a和第二部件10b。第一部件10a与第二部件10b相互固定。第一部件10a具有大致圆盘形状。第一部件10a由铝等导体形成。第一部件10a可以在基片处理装置1中构成上部电极。第二部件10b具有大致圆柱形。第二部件10b沿着第一部件10a的外周延伸，并且在第一部件10a的上方延伸。上述波纹管14的下端被固定在第二部件10b的上端。
65.在一个实施方式中，可动部10m也可以与第2腔室20的后述的顶部一同构成喷头。即，可动部10m也可以构成向后述的处理空间s供给气体的喷头的一部分。在该实施方式中，可动部10m提供气体扩散室10d及多个气孔10h。
66.气体扩散室10d也可以在第一部件10a中提供。气体供给部16与气体扩散室10d连接。气体供给部16设置于第1腔室10的外部。气体供给部16包括在基片处理装置1中所使用的一个以上的气体源、一个以上的流量控制器以及一个以上的阀门。一个以上的气体源分别经由相应的流量控制器以及相应的阀门与气体扩散室10d连接。多个气孔10h从气体扩散室10d向下方延伸。
67.基片支承器30配置在第1腔室10内且可动部10m的下方。基片支承器30用来支承载放在其上的基片w。基片支承器30也可以由支承部31所支承。支承部31具有大致圆柱形状。支承部31例如由石英等绝缘体形成。支持部31也可以从底板32向上方延伸。底板32可以由铝等金属形成。
68.基片支承器30可以包括下部电极34以及静电卡盘36。下部电极34具有大致圆盘形状。下部电极34的中心轴线与轴线ax大体一致。下部电极34由铝等导体形成。下部电极34在其中提供流路34f。流路34f例如成旋涡状延伸。流路34f与冷却单元35连接。冷却单元35设置在第1腔室10的外部。冷却单元35向流路34f供给制冷剂。供给流路34f的制冷剂返回冷却
单元35。
69.基片处理装置1还可以包括第一高频电源41以及第二高频电源42。第一高频电源41是产生第一高频电力的电源。第一高频电力具有适合生成等离子体的频率。第一高频电力的频率例如在27mhz以上。第一高频电源41经由匹配器41m与下部电极34电连接。匹配器41m具有用于将第一高频电源41的负载侧(下部电极34侧)的阻抗与第一高频电源41的输出阻抗相匹配的匹配电路。另外，第一高频电源41也可以不经由下部电极34，而是经由匹配器41m与上部电极连接。
70.第二高频电源42是产生第二高频电力的电源。第二高频电力具有适合于将离子引入基片w的频率。第二高频电力的频率例如在13.56mhz以下。第二高频电源42经由匹配器42m与下部电极34电连接。匹配器42m具有用于将第二高频电源42的负载侧(下部电极18侧)的阻抗与第二高频电源42的输出阻抗相匹配的匹配电路。
71.静电卡盘36设置在下部电极34上。静电卡盘36包括主体和电极36a。静电卡盘36的主体具有大致圆盘形状。静电卡盘36的中心轴线与轴线ax大体一致。静电卡盘36的主体由陶瓷制成。基片w载放在静电卡盘36主体的上面。电极36a是由导体形成的膜。电极36a设置于静电卡盘36的主体内。电极36a经由开关36s与直流电源36d连接。在电极36a上施加来自直流电源36d的电压后，在静电卡盘36与基片w之间产生静电引力。由于产生的静电吸引，基片w被静电卡盘36所吸引并被静电卡盘36保持。基片处理装置1可以在静电卡盘36与基片w的背面之间的间隙提供供给传热气体(例如氦气)的气体管线。
72.基片支承器30也可以支承配置在其上面的边缘环er。基片w在由边缘环er围成的区域内载置于静电卡盘36上。边缘环er例如由硅、石英或碳化硅形成。
73.基片处理装置1还可以包括绝缘部37。绝缘部37由石英等绝缘体形成。绝缘部37可以具有大致筒形的形状。绝缘部37沿着下部电极34的外周和静电卡盘36的外周延伸。
74.基片处理装置1还可以包括导体部38。导体部38由铝等导体形成。导体部38可以具有大致筒形的形状。导体部38沿着基片支承器30的外周设置。具体来讲，导体部38在径向方向上在绝缘部37的外侧沿圆周方向延伸。径向方向及圆周方向分别是以轴线ax为基准的方向。导体部38接地。在一实施例中，导体部38经由底板32以及第1腔室10接地。
75.基片处理装置1还可以包括盖环39。套环39由石英等绝缘体形成。套环39具有环状。套环39设置在绝缘部37以及导体部38上，以使其位于径向方向上配置有边缘环er的区域的外侧。
76.基片处理装置1还可以包括触头40。触头40与导体部38电连接。第2腔室20在与基片支承器30一同形成处理空间s的状态下与触头40抵接。处理空间s是在其中对基片w进行处理的空间。在一个实施方式中，触头40在径向方向上配置于套环39的外侧，从导体部38向上方延伸。
77.触头40可以与第2腔室20弹性地接触。如图3所示，触头40可以具有弹簧40s。触头40还可以具有接触部40c。弹簧40s以及接触部40c具有导电性。弹簧40s的下端固定在导体部38上。弹簧40s从导体部38向上方延伸。接触部40c固定在弹簧40s的上端。接触部40c是与第2腔室20接触的部分。
78.第2腔室20配置于第1腔室10内，并且与基片支承器30一同形成处理空间s。第2腔室20由铝等金属构成。可以在第2腔室20的表面上形成有耐腐蚀性的膜。耐腐蚀性的膜例如
由氧化铝或氧化钇等材料形成。
79.第2腔室20可以从第1腔室10中拆下，并且可以经由开口10o在第1腔室10的内部空间与第1腔室10的外部之间进行搬送。
80.基片处理装置1还包括夹具50以及解除机构60。夹具50用来将第2腔室20固定在第1腔室10上，并且能够解除。解除机构60用来解除夹具50对第2腔室20的固定。将在后面对夹具50以及解除机构60进行详细的阐述。
81.在一个实施方式中，第2腔室20可以包括顶部20c。顶部20c在处理空间s的上方大致水平地延伸。在第2腔室20被固定在第1腔室10中的状态下，顶部20c的上面与可动部10m的下表面抵接。顶部20c提供多个气孔20h。多个气孔20h贯通顶部20c，并且朝向处理空间s开口。多个气孔20h分别与多个气孔10h连接。
82.在一个实施方式中，第2腔室20还可以包括侧部20s。侧部20s在处理空间s的侧方延伸。侧部20s具有大致圆柱形的形状。侧部20s从顶部20c的边缘部向下方延伸。
83.在一个实施方式中，第2腔室20还可以包括底部20b。底部20b从侧部20s的下端沿与轴线ax交叉的方向延伸。在第2腔室20与基片支承器30一同形成处理空间s的状态下，底部20b与触头40抵接。
84.在底部20b上形成多个贯通孔。基片处理装置1还可以包括排气装置70。排气装置70包括诸如自动压力控制阀之类的压力调节器以及涡轮分子泵之类的减压泵。排气装置70在底部20b的下方与第1腔室10的底部连接。
85.下面对夹具50以及解除机构60进行说明。夹具50将第2腔室20的顶部20c固定在第1腔室10的可动部10m上并且能够解除。
86.如图2及图3所示，在一个实施方式中，夹具50包括多个支承部52以及多个弹簧54。夹具50还可以包括板56。另外，夹具50的支承部52的个数以及弹簧54的个数也可以分别是一个。
87.多个支承部52分别具有下端52b。下端52b按照顶部20c从其上面悬挂的方式而形成。多个弹簧54按照将顶部20c向第1腔室10的可动部10m施力的方式而设置。
88.在一个实施方式中，第1腔室10的可动部10m提供空腔10c。空腔10c可以围绕轴线ax在圆周方向上延伸。空腔10c由盖体58闭合。盖体58被设置在第1腔室10的可动部10m上从而关闭空腔10c。可动部10m还提供多个孔10t。多个孔10t也可以围绕轴线ax等间隔地排列。多个孔10t从空腔10c向下方延伸，并且朝着顶部20c开口。顶部20c提供多个凹部20r。在第2腔室20被固定在第1腔室10中的状态中，多个凹部20r分别与多个孔10t连接。
89.在一个实施方式中，多个支承部52分别形成棒状。多个支承部52的各个下端52b在水平方向上突出。多个凹部20r的各个底部包括扩展部20e。扩展部20e按照多个支承部52中的对应的支承部的下端52b可以位于该位置的方式而形成。在一实施例中，多个支承部52可以是螺丝，多个支承部52的各个下端52b也可以是螺丝的头部。
90.多个支承部52从腔10c通过多个孔10t后向下放延伸。在顶部20c从多个支承部52悬挂的状态下，多个支承部52的下端52b分别配置在多个凹部20r及其扩展部20e中。
91.多个支承部52的上端在腔10c中固定在板56上。多个弹簧54配置在腔10c中。多个弹簧54配置在从下方划分出空腔10c的可动部10m的面和板56之间。在一个实施方式中，多个弹簧54是螺旋弹簧。多个弹簧54分别按照在腔10c中围绕多个支承部52的方式而设置。
92.在一个实施方式中，解除机构60包括空气供给器。为了解除由夹具50对顶部20c的固定，空气供给器提供将多个支承部52的各个下端52b从第2腔室20分离的空气压力。解除机构60的空气供给器可以向盖体58与板56之间的间隙提供空气。向盖体58与板56之间的间隙提供空气后，板56以及多个支承部52向下方移动，多个支承部52的各个下端52b与第2腔室20分离。即，解除夹具50对顶部20c的固定。在解除夹具50对顶部20c的固定的状态下，解除第2腔室20在第1腔室10中的固定，能够将第2腔室20从第1腔室10的内部空间向第1腔室10的外部搬送。
93.下面，对搬送模块ctm进行说明。图4是表示一个实施方式中的基片处理系统的搬送模块的概略图。搬送模块ctm包括腔室110。腔室110提供内部空间112以及内部空间114。内部空间112设置在内部空间114的上方，并且与内部空间114分离。腔室110的侧壁110s提供与内部空间112连续的开口110o。开口110o可以由闸阀116开闭。
94.在一个实施方式中，侧壁110s的一部分具有由内侧壁110i以及外侧壁110e形成的双重结构。内侧壁110i与外侧壁110e在它们之间提供空间110q。开口110o形成于内侧壁110i以及外侧壁110e上。闸阀110v沿着内侧壁110i设置，用来开闭开口110o。
95.搬送模块ctm还包括搬送装置120。搬送装置120是搬送机器人，包括手臂120a。搬送装置120设置在内部空间112中。
96.搬送模块ctm还包括排气装置122。排气装置122设置在内部空间114中。排气装置122经由阀门124与内部空间112连接，并经由阀门126与空间110q连接。排气装置122用来对内部空间112以及空间110q进行减压。
97.搬送模块ctm还具有移动机构130。移动机构130具有主体132以及多个车轮134。主体132在其中内置电池等电源、动力源以及转向机构。车轮134利用主体132内的动力源旋转，并在主体132内的导向机构所控制的方向上使搬送模块ctm移动。另外，如果能够使搬送模块ctm移动，则移动机构130也可以是采用了像步行式那样的车轮561以外类型的机构。
98.搬送模块ctm还具有传感器138以及控制器140。传感器138安装在腔室110的外壁上。控制部140设置在内部空间114中。传感器138感测搬送模块cm周围的环境，并将感测结果输出到控制部140。传感器138例如是图像传感器，将搬送模块cm周围的图像输出到控制部140。控制部140可以是具有诸如处理器、存储器之类的存储装置以及通信部的计算机。控制部140控制搬送模块ctm的各个部分。为了将搬送模块ctm与基片处理装置1连接，控制部140利用传感器138的感测结果来控制移动机构130，从而使搬送模块ctm移动。另外，控制部140还控制排气装置122和阀门124及126。
99.下面，参照图5～图13，对一个实施方式中的维护方法进行说明。另外，还对用于维护方法的控制部mc的控制进行说明。图5～图10及图12～图13分别是表示一个实施方式中的维护方法实施过程中的基片处理系统的状态的图。图11是一个实施方式中的基片处理装置的部分放大断面图。在维护方法中，为了进行维护将第2腔室20从第1腔室10中拆下，并从第1腔室10的内部空间向搬送模块ctm的腔室110的内部空间搬送。
100.维护方法是在第2腔室20固定在可动部10m上，且第2腔室20与基片支承器30一同形成处理空间s的状态下开始的。在该状态下，第2腔室20与触头40接触并接地。
101.首先，在维护方法中，使搬送模块ctm移动，如图5所示，搬送模块ctm的腔室110与基片处理装置1的第1腔室10连接。第1腔室10与腔室110按照开口10o和开口110o排列的方
式而相互连接。像这样为了使搬送模块ctm移动，控制部mc控制搬送模块ctm。具体来讲，由接收到来自控制部mc的指令的控制部140来控制移动机构130，从而使模块ctm移动。
102.在腔室110与第1腔室10连接的状态下，侧壁10s、闸阀10v、侧壁110s和闸阀10v形成密封空间。密闭空间包括空间10q及空间110q。在维护方法中，利用排气装置122对该密闭空间进行减压。同时，也利用排气装置122对搬送模块ctm的腔110的内部空间112进行减压。为了对密闭空间以及内部空间112进行减压，排气装置122由控制部mc控制。具体来讲，排气装置122由接收控制部mc的指令的控制部140来控制。
103.接下来，在维护方法中，如图6所示，为了将第1腔室10的内部空间与搬送模块ctm的腔室110的内部空间112连通，使闸阀10v以及闸阀116移动。通过闸阀10v及闸阀116的移动，开口10o和开口110o打开。闸阀10v及闸阀116由控制部mc控制以使它们移动。闸阀116由接收控制部mc的指令的控制部140来控制。
104.接下来，在维护方法中，如图7所示，将可动部10m以及第2腔室20在第1腔室10内从基片支承器30向上方分离。可动部10m以及第2腔室20通过升降机构12向上方移动。为了使可动部10m以及第2腔室20向上方移动，升降机构12由控制部mc来控制。另外，在图7所示的状态下，即将第2腔室20从基片支承器30向上方分离的状态下，第2腔室20也与触头40分离。
105.接下来，在维护方法中，如图8所示，搬送装置120的手臂120a按照从搬送模块ctm的腔室110的内部空间112延伸到第2腔室20的下方的方式，进入第1腔室10的内部空间。为此，搬送装置120由控制部mc来控制。具体来讲，搬送装置120由接收控制部mc的指令的控制部140来控制。
106.接下来，在维护方法中，如图9所示，可动部10m与第2腔室20通过升降机构12向下方移动，第2腔室20被载放在手臂120a上。为了使可动部10m与第2腔室20向下方移动，升降机构12由控制部mc来控制。
107.接下来，在维护方法中，如图10及图11所示，解除夹具50对第2腔室20的固定。解除机构60解除夹具50对第2腔室20的固定。在一实施例中，解除机构60从其空气供给器向盖体58与板56之间的间隙供给空气。由此来解除夹具50对第2腔室20的固定。为了解除夹具50对第2腔室20的固定，解除机构60由控制部mc来控制。
108.接下来，如图10及图11所示，第2腔室20通过搬送装置120在水平方向上移动。由此，多个支承部52的下端52b从扩展部20e退避。为了使第2腔室20在水平方向上移动，搬送装置120由控制部mc来控制。具体来讲，搬送装置120由接收控制部mc的指令的控制部140来控制。
109.接下来，在维护方法中，如图12所示，可动部10m向上方移动，并与第2腔室20分离。可动部10m通过升降机构12向上方移动。为了使可动部10m向上方移动，升降机构12由控制部mc来控制。
110.接下来，在维护方法中，如图13所示，第2腔室20从第1腔室10的内部空间经由开口10o及开口110o向搬送模块ctm的腔室110的内部空间112。为此，搬送装置120的手臂120a返回到搬送模块ctm的腔室110的内部空间112中。为了搬送第2腔室20，搬送装置120由控制部mc来控制。具体来讲，搬送装置120由接收控制部mc的指令的控制部140来控制。
111.如图13所示，使闸阀10v以及闸阀116移动，从而关闭开口10o以及开口110o。为了使它们移动，闸阀10v以及闸阀116由控制部mc来控制。闸阀116由接收控制部mc的指令的控
制部140来控制。
112.如上所述，在基片处理装置1中，在第2腔室20内对基片w进行处理。第2腔室20配置在第1腔室10内并被固定在第1腔室10中。可以使用解除机构60来解除第2腔室20在第一腔室10中的固定。另外，在解除第二腔室20在第一腔室10中的固定的状态下，能够将第2腔室20从设置于第1腔室10的侧壁上的开口10o搬出到第1腔室10的外部。因此，能够很容易地对形成处理空间s的第2腔室20进行维护。
113.另外，根据基片处理系统ps以及上述维护方法，能够将第2腔室20从第1腔室10的内部空间自动地搬出。因此，因对第2腔室20进行维护(例如更换)而引起的基片处理系统ps的非工作期间缩短。
114.下面，参照图14。图14是一个实施方式中的基片处理装置的部分放大断面图。在图14所示的基片处理装置中，触头40的构造与基片处理装置1的触头40的构造不同。在图14所示的基片处理装置中，触头40是销。第2腔室20提供触头40的销嵌入其中的凹部20r。在一个实施方式中，触头40的销可以具有锥形形状。第2腔室20的凹部20r可以具有与触头40的销的锥形形状对应的锥形形状。图14所示的基片处理装置的其他构造可以与基片处理装置1的相对应的构造相同。
115.下面，参照图15。图15是其他实施方式中的基片处理装置的部分放大断面图。在图15所示的基片处理装置中，触头40的构造与基片处理装置1的触头40的构造不同。在图15所示的基片处理装置中，触头40包括膜。触头40的膜具有可挠性，并且由导电性材料形成。触头40的膜安装在导体部38的外周面上。触头40的膜与导体部38一同在导体部38内形成压力室40p。
116.图15所示的基片处理装置1提供流路40f。流路40f与压力室40p连接。流路40f部分地形成于导体部38中。图15所示的基片处理装置1还包括气供给器70a以及排气装置71a。空气供给器70a经由阀门70v与流路40f连接。排气装置71a是干式泵那样的装置，经由阀门71v与流路40f连接。空气供给器70a向压力室40p供给空气。即，空气供给器70a对触头40的膜施加空气压力并将该膜紧贴在第2腔室20上。在图示的例子中，触头40的膜被紧贴在第2腔室20底部20b的内边缘部。当压力室40p内的空气被排气装置71a排出后，触头40的膜与第2腔室20分离。图15所示的基片处理装置的其他构造可以与基片处理装置1的相对应的构造相同。
117.下面，参照图16～图20。图16是其他实施方式中的基片处理装置的部分放大断面图。图17是表示其他实施方式中的基片处理装置中的第2腔室的一部分、盖环以及边缘环的平面图。图17表示将盖环的多个凸部配置在第2腔室底部的内边缘部上的状态。图18是沿图17的xviii－xviii线取的断面图。图19是表示其他实施方式中的基片处理装置中的第2腔室的一部分、盖环以及边缘环的平面图。图19表示盖环的多个凸部的位置与第2腔室底部的内边缘部所提供的多个缺口的位置一致的状态。图20是沿着图19的xx线取的断面图。
118.在图16～图20所示的基片处理装置中，覆盖环39包括内边缘部39i及外边缘部。配置于基片支承器30上的边缘环er的外边缘部ero被配置在内边缘部39i上，并由内缘部39i支承。盖环39的外边缘部包括多个凸部39p。多个凸部39p向径向突出，并且沿着圆周方向排列。
119.第2腔室20的底部20b包括内边缘部20i。内边缘部20i形成内孔20p。内孔20p按照
以下方式形成，被盖环39所支承的边缘环er能够与盖环39一同从第2腔室20的内部经由内孔20p向第2腔室20的外部通过。内孔20p包括多个凹槽20n。多个凹槽20n由内边缘部20i提供。多个凹槽20n按照与多个凸部39p同样的方式沿着圆周方向排列。多个凹槽20n按照多个凸部39p能够通过的方式而形成。第2腔室20底部20b的内边缘部20i按照支承配置在其上面的盖环39的多个凸部39p的方式而构成。
120.根据图16～图20所示的基片处理装置，在多个凸部39p的位置与多个凹槽20n的位置不一致的状态下，第2腔室20能够与盖环39共同支承边缘环er。因此，盖环39以及边缘环er可以与第2腔室20一同从第1腔室10的内部向第1腔室10的外部搬出。另外，调整盖环39的旋转方向上的位置而使多个凸部39p的位置与多个凹槽20n的位置一致后，这样就能够从第2腔室20经由内孔20p取出盖环39以及边缘环er。另外，图16～图20所示的基片处理装置的其他构造可以与基片处理装置1的相对应的构造相同。
121.以上对各种实施方式进行了说明，但本发明不限于上述的实施方式，可以进行各种各样的添加、省略、替换以及更改。另外，还可以将不同的实施方式中的要素进行组合而形成其他的实施方式。
122.例如，在其他的实施方式中，基片处理装置可以是电感耦合型等离子体处理装置、电子回旋共振(ecr)等离子体处理装置、或使用微波生成等离子体等其他类型的等离子体处理装置。另外，在其他的实施方式中，基片处理装置也可以是用来进行等离子体处理以外的基片处理而构成的基片处理装置。
123.搬送模块ctm也可以不能移动，并且可以与具有第2腔室20的基片处理装置的第1腔室连接并固定在其上面。此外，也可以代替搬送模块ctm，将搬送模块tm用作将第2腔室20从第1腔室10的内部空间搬出的模块。
124.另外，夹具50还可以包括用来将第2腔室20固定在第1腔室10上的凸轮机构。解除机构60也可以通过使凸轮机构的凸轮旋转从而解除凸轮机构对第2腔室20的固定。
125.由以上的说明可知，本公开的各种实施方式是基于说明的目的而在本明细书中进行了说明，可以在不脱离本公开的范围和宗旨的情况下进行各种改变。因此，本明细书公开的各种实施方式并非进行限定，并且真正的范围和宗旨如所附权利要求书所示。
126.符号说明
[0127]1…
基片处理装置、10
…
第1腔室、10s
…
侧壁、10o
…
开口、10m
…
可动部、12
…
升降机构、20
…
第2腔室、30
…
基片支承器、s
…
处理空间、50
…
夹具、60
…
解除机构、ps
…
基片处理系统、ctm
…
搬送模块。