一种显示基板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的不断发展，人们对显示产品的画质要求越来越高。对于oled(organic light-emitting diode,有机发光二极管)显示产品，不同颜色子像素的oled发光材料在外界温度变化的情况下，各自的开启电压的变化幅度不同。
3.在实际应用中，当oled显示产品在低温条件下使用时，由于不同颜色子像素的开启电压的变化幅度不同，以致不同颜色子像素的发光强度变化程度不同，这样，在显示白画面时，白平衡被破坏，从而出现白画面的色偏问题，降低显示效果。
4.目前，亟需一种新的显示基板，以解决上述问题。


技术实现要素：

5.本技术的实施例提供一种显示基板及显示装置，该显示基板能够改善低温条件下白画面的色偏问题，提高显示效果。
6.为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案：
7.一方面，本技术的实施例提供了一种显示基板，包括：
8.衬底；
9.位于所述衬底上的多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括晶体管、发光元件和第一辅助走线，所述晶体管的第一极和所述发光元件的阳极之间通过所述第一辅助走线电连接；
10.其中，至少有一个所述子像素还包括第二辅助走线，所述第二辅助走线分别与所述第一辅助走线和所述阳极电连接，且所述第二辅助走线在所述衬底上的正投影与所述第一辅助走线在所述衬底上的正投影存在交叠区。
11.在一些实施例中，所述显示基板还包括多条信号线，所述子像素还包括第三辅助走线，所述信号线通过所述第三辅助走线与所述晶体管的第二极电连接；
12.其中，设置有所述第二辅助走线的所述子像素还包括第四辅助走线，所述第四辅助走线分别与所述第三辅助走线和所述信号线电连接，且所述第四辅助走线在所述衬底上的正投影和所述第三辅助走线在所述衬底上的正投影存在交叠区。
13.在一些实施例中，所述显示基板还包括多条电源走线，所述子像素还包括存储电容和第五辅助走线，所述存储电容的第一电极通过所述第五辅助走线和所述电源走线电连接；
14.其中，设置有所述第二辅助走线的所述子像素还包括第六辅助走线，所述第六辅助走线分别与所述第五辅助走线和所述电源走线电连接，且所述第六辅助走线在所述衬底上的正投影和所述第五辅助走线在所述衬底上的正投影存在交叠区。
15.在一些实施例中，所述第一辅助走线、所述第三辅助走线和所述第五辅助走线均
与所述晶体管的第一极同层设置；
16.所述第二辅助走线、所述第四辅助走线和所述第六辅助走线同层设置。
17.在一些实施例中，所述第二辅助走线在所述衬底上的正投影与所述晶体管的第一极在所述衬底上的正投影存在交叠区；所述第四辅助走线在所述衬底上的正投影和所述晶体管的第二极在所述衬底上的正投影存在交叠区。
18.在一些实施例中，所述像素单元包括三个所述子像素，三个所述子像素划分为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；
19.所述红色子像素和所述蓝色子像素均包括所述第二辅助走线、所述第四辅助走线和所述第六辅助走线。
20.在一些实施例中，所述像素单元包括三个所述子像素，三个所述子像素划分为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；
21.所述红色子像素和所述绿色子像素均包括所述第二辅助走线、所述第四辅助走线和所述第六辅助走线。
22.在一些实施例中，所述像素单元包括三个所述子像素，三个所述子像素划分为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；
23.所述绿色子像素和所述蓝色子像素均包括所述第二辅助走线、所述第四辅助走线和所述第六辅助走线。
24.在一些实施例中，所述子像素包括依次设置的缓冲层、有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层、电容电极层、第三绝缘层、源漏金属层、第一平坦层、阳极、像素定义层和发光功能层；
25.其中，设置有所述第二辅助走线的所述子像素还包括辅助导电层和第二平坦层，所述辅助导电层位于所述第二平坦层远离所述源漏金属层的一侧，所述第一平坦层覆盖所述辅助导电层；
26.所述晶体管的第一极、所述晶体管的第二极和所述第一辅助走线构成部分所述源漏金属层，所述第二辅助走线构成部分所述辅助导电层。
27.在一些实施例中，除设置有所述第一辅助走线的所述子像素之外，其它所述子像素还包括所述第二平坦层；
28.所述第二平坦层位于所述源漏金属层和所述第一平坦层之间，所述第二平坦层被配置为使各所述子像素的所述发光功能层沿垂直于所述衬底的方向到所述衬底之间的距离相等。
29.另一方面，本技术的实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
30.本技术的实施例提供了一种显示基板及显示装置，该显示基板包括：衬底；位于衬底上的多个像素单元，像素单元包括多个子像素，子像素包括晶体管、发光元件和第一辅助走线，晶体管的第一极和发光元件的阳极之间通过第一辅助走线电连接；其中，至少有一个子像素还包括第二辅助走线，第二辅助走线分别与第一辅助走线和阳极电连接，且第二辅助走线在衬底上的正投影与第一辅助走线在衬底上的正投影存在交叠区。
31.这样，由于该显示基板中部分子像素设置有第一辅助走线，剩余部分子像素中设置有第一辅助走线和第二辅助走线；相较于只设置第一辅助走线的部分子像素，设置有第一辅助走线和第二辅助走线的子像素中的驱动电路有较小的阻抗，从而降低了这部分子像
素的驱动电路中走线的分压，提高了实际施加在发光元件两端的电压，提高了这部分子像素的发光强度；通过这种方式，改变不同颜色的子像素的发光强度，达到平衡不同颜色子像素的发光强度的目的，进而改善了白画面的色偏问题，提高显示效果。
附图说明
32.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1a和图1b为本技术实施例提供的不同温度下三种颜色的子像素的电压电流变化曲线；
34.图2a、图2b和图2c为本技术的实施例提供的三种不同的显示基板的结构示意图；
35.图3为本技术的实施例提供的一种像素驱动电路等效电路图；
36.图4为本技术的实施例提供的一种设置(或不设置)辅助金属层的子像素在不同温度下的电压电流变化曲线对比图。
具体实施方式
37.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
38.除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本技术的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
39.在本技术的实施例中，采用“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本技术实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
40.oled显示装置因其具有色域广、分辨率高、对比度高、功耗低、可柔性化等优点，已成为市场上主流的显示产品。随着oled显示装置的广泛使用，在不同外界条件下，对显示产品的显示稳定性要求越来越高。
41.图1a示出了不同颜色的oled发光材料在25℃下的电压亮度曲线，具体来说，在向不同发光元件两端施加的电压均为3v的情况下，红色子像素中的红色发光元件的亮度为l2，绿色子像素中的红色发光元件的亮度为l3。图1b示出了不同颜色的oled发光材料在-20℃下的电压亮度曲线，具体来说，在向不同发光元件两端施加的电压均为3v的情况下，红色子像素中的红色发光元件的亮度为l4，绿色子像素中的红色发光元件的亮度为l5。对于同一显示产品而言，在外界环境温度从25℃降低至-20℃的情况下，红色子像素中的红色发光
元件的亮度从l2变为l4，绿色子像素中的绿色发光元件的亮度从l3变为l5，且l2-l4≠l3-l5。可以理解，当温度下降时，oled发光材料中载流子的迁移速率下降，导致oled的开启电压升高，从而使得在施加相同的电压的情况下，低温环境下的亮度降低。
42.若在外界环境温度为25℃时，该显示产品能够维持白平衡，由于不同颜色的发光元件在温度降低时发光强度降低的幅度不一致，导致在低温条件下，由这三种颜色的色光混色而成的白画面和在外界环境温度为25℃时不同，白平衡破坏。在实际应用中，若温度降低导致红色发光元件的开启电压变化最大，则红色发光元件的亮度降低幅度较大，以致在白画面下显示画面偏青。若温度降低导致蓝色发光元件的开启电压变化最大，则蓝色发光元件的亮度降低幅度较大，以致在白画面下显示画面偏黄。
43.为此，本技术的实施例提供了一种显示基板，参考图2a所示，包括：
44.衬底100；
45.位于衬底100上阵列排布的多个像素单元p，像素单元p包括多个子像素(例如包括子像素p1、子像素p2、子像素p3)，各子像素包括晶体管1、发光元件(图2a中未标记)和第一辅助走线(图2a中未绘制)，晶体管1的第一极14和发光元件的阳极3之间通过第一辅助走线电连接；
46.其中，至少有一个子像素还包括第二辅助走线4，第二辅助走线4分别与第一辅助走线和阳极3电连接，且第二辅助走线4在衬底100上的正投影与第一辅助走线在衬底100上的正投影存在交叠区。
47.在示例性的实施例中，至少有一个子像素还包括第二辅助走线4，具体的：以一个像素单元p包括三个不同颜色的子像素为例进行说明，可以是一个子像素包括第二辅助走线4；或者，也可以是如图2a所示的两个子像素分别包括第二辅助走线4。
48.在实际应用中，可以根据实际的使用需求设置部分的子像素包括第二辅助走线4；部分子像素不包括第二辅助走线4。
49.在示例性的实施例中，像素单元p可以包括三个子像素，例如：依次排列的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；或者，像素单元p可以包括四个子像素，例如：依次排布的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素；或者，依次排布的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和绿色子像素；或者，依次排布的绿色子像素、绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素。具体可以根据实际情况确定，这里不进行限定。
50.在示例性的实施例中，第一辅助走线和晶体管1的第一极、第二极同层设置。在实际应用中，第一辅助走线、晶体管1的第一极14和晶体管1的第二极11可以构成部分的源漏金属层。在示例性的实施例中，第一辅助走线和第二辅助走线4采用的导电材料相同，且两者直接接触。
51.需要说明的是，在第一辅助走线和第二辅助走线4采用的导电材料相同的情况下，未设置第二辅助走线4的子像素的结构可以称作单源漏金属层结构(单sd)，设置有第二辅助走线4的子像素的结构可以称作双源漏金属层结构(双sd)。
52.在示例性的实施例中，第二辅助走线4在衬底100上的正投影和第一辅助走线在衬底100上的正投影存在交叠区可以为：第二辅助走线4在衬底100上的正投影和第一辅助走线在衬底100上的正投影至少部分交叠。
53.例如：第二辅助走线4在衬底100上的正投影位于第一辅助走线在衬底100上的正
投影以内；或者，第二辅助走线4在衬底100上的正投影轮廓与第一辅助走线在衬底100上的正投影轮廓重叠；或者，第二辅助走线4在衬底100上的正投影覆盖第一辅助走线在衬底100上的正投影。
54.在示例性的实施例中，晶体管1可以为驱动晶体管，或者，也可以为开关晶体管，具体根据实际的像素驱动电路确定，这里不进行限制。
55.上述晶体管1的第一极14可以是源极，晶体管1的第二极11可以是漏极；或者，晶体管1的第二极11可以是源极，晶体管1的第一极14可以是漏极；具体可以根据像素驱动电路的设计确定。
56.另外，参考图2a所示，晶体管1还包括栅极12，有源层102位于第一极14和第二极11的部分区域构成晶体管1的半导体区13。
57.在示例性的实施例中，上述发光元件包括oled发光元件，oled发光元件可以包括发光功能层(例如如图2a中所示的红色发光功能层114、绿色发光功能层115或蓝色发光功能层116)，阳极3和阴极(图2a中未绘制)。
58.其中，发光功能层可以包括多个膜层，例如包括：电子传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和空穴传输层，在实际应用中，通过改变发光层的材料来改变发光元件的发光颜色。
59.需要说明的是，本技术的实施例提供的显示基板为oled显示基板。在实际应用中，oled显示基板包括amoled(active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极管)显示基板和pmoled(passive matrix oled，被动矩阵有机发光二极管)显示基板，由于pmoled单纯地以阴极、阳极构成矩阵状，不设置晶体管等元器件，本技术的实施例中的显示基板均指的是amoled显示基板。
60.本技术的实施例提供的显示基板包括：衬底100；位于衬底100上的多个像素单元p，像素单元p包括多个子像素，子像素包括晶体管1、发光元件和第一辅助走线，晶体管1的第一极14和发光元件的阳极3之间通过第一辅助走线电连接；其中，至少有一个子像素还包括第二辅助走线4，第二辅助走线4分别与第一辅助走线和阳极3电连接，且第二辅助走线4在衬底100上的正投影与第一辅助走线在衬底100上的正投影存在交叠区。
61.这样，由于该显示基板中部分子像素设置有第一辅助走线，剩余部分子像素中设置有第一辅助走线和第二辅助走线4；相较于只设置第一辅助走线的部分子像素，设置有第一辅助走线和第二辅助走线4的子像素中的驱动电路有较小的阻抗，从而降低了这部分子像素的驱动电路中走线的分压，提高了实际施加在发光元件两端的电压，提高了这部分子像素的发光强度；通过这种方式，改变不同颜色的子像素的发光强度，达到平衡不同颜色子像素的发光强度的目的，进而改善了白画面的色偏问题，提高显示效果。
62.具体的，在显示基板制备的显示产品的白画面颜色偏青的情况下(低温条件下红色子像素的色光衰减较绿色子像素和蓝色子像素多，易出现白画面颜色偏青)，根据光的混色原理，需要降低绿色色光的强度，或者，提高红色色光的强度以进行改善，参考图2a所示，像素单元p包括三个子像素p1、p2和p3，其中，子像素p1为红色子像素，子像素p2为绿色子像素，子像素p3为蓝色子像素；各子像素中均设置有第一辅助走线，红色子像素和蓝色子像素中还设置有第二辅助走线4，由于绿色子像素中未设置第二辅助走线4，则绿色子像素的像素驱动电路中走线的阻抗较大，使得实际施加在绿色发光元件的阳极3上的电压较小，绿色
发光元件发出的绿光亮度较低；而红色子像素和蓝色子像素中均设置有第二辅助走线4，使得实际施加在红色发光元件的阳极3和蓝色发光元件的阳极3上的电压较大，红色发光元件发出的红光亮度较高，蓝色发光元件发出的蓝光的亮度较高；通过三种色光混色之后，很大程度上减轻显示产品的白画面颜色偏青的问题。
63.需要说明的是，在实际应用中，可以根据白画面颜色偏青的程度，确定通过在红色子像素中设置第二辅助走线4，提高红光的色光强度；或者，通过在红色子像素和蓝色子像素中均设置第二辅助走线4，同时提高红光和蓝光的色光强度，以平衡白画面的颜色。
64.在一些实施例中，显示基板还包括多条信号线(图中未绘制)，子像素还包括第三辅助走线，信号线通过第三辅助走线与晶体管1的第二极11电连接；
65.其中，设置有第二辅助走线4的子像素还包括第四辅助走线5，第四辅助走线5分别与第三辅助走线和信号线电连接，且第四辅助走线5在衬底100上的正投影和第三辅助走线在衬底100上的正投影存在交叠区。
66.在示例性的实施例中，信号线可以包括数据信号线(data)、初始信号线(initial)、复位信号线(vinit)等信号线中的一种或多种的组合；具体可以根据显示基板中像素驱动电路的具体结构确定，这里不进行限制。
67.在示例性的实施例中，第四辅助走线5在衬底100上的正投影和第三辅助走线在衬底100上的正投影存在交叠区的含义为：第四辅助走线5在衬底100上的正投影和第三辅助走线在衬底100上的正投影至少部分交叠。
68.例如：第四辅助走线5在衬底100上的正投影位于第三辅助走线在衬底100上的正投影以内；或者，第四辅助走线5在衬底100上的正投影轮廓和第三辅助走线在衬底100上的正投影轮廓重叠；或者，第四辅助走线5在衬底100上的正投影覆盖第三辅助走线在衬底100上的正投影。
69.在示例性的实施例中，第三辅助走线和第四辅助走线5采用的导电材料相同，且两者直接接触。
70.在本技术的实施例中，参考图2a所示，在显示基板制备的显示产品的白画面颜色偏青的情况下，通过在设置有第二辅助走线4的子像素(红色子像素和蓝色子像素)中设置第四辅助走线5，能够进一步降低红色子像素和蓝色子像素中驱动电路的走线的阻抗，提高实际施加在发光元件两端的电压，从而提高红色发光元件发出的红光强度和蓝色发光元件发出的蓝光强度，通过三种色光混色之后，进一步改善白画面偏青的问题。
71.在一些实施例中，显示基板还包括多条电源走线(图中未绘制)，子像素还包括存储电容2和第五辅助走线7，存储电容2的第一电极21通过第五辅助走线7和电源走线电连接；
72.其中，设置有第二辅助走线4的子像素还包括第六辅助走线6，第六辅助走线6分别与第五辅助走线7和电源走线电连接，且第六辅助走线6在衬底100上的正投影和第五辅助走线7在衬底100上的正投影存在交叠区。
73.在示例性的实施例中，电源走线可以是第一电源走线(vdd)，或者也可以是第二电源走线(vss)，本技术的实施例中提供的电源走线以第一电源走线(vdd)为例，第一电源走线(vdd)和存储电容2的第一电极21电连接。
74.在示例性的实施例中，发光元件的阴极与第二电源走线(vss)电连接。
75.在示例性的实施例中，第六辅助走线6在衬底100上的正投影和第五辅助走线7在衬底100上的正投影存在交叠区的含义为：第六辅助走线6在衬底100上的正投影和第五辅助走线7在衬底100上的正投影至少部分交叠。
76.例如：第六辅助走线6在衬底100上的正投影位于第五辅助走线7在衬底100上的正投影以内；或者，第六辅助走线6在衬底100上的正投影轮廓与第五辅助走线7在衬底100上的正投影轮廓重叠；或者，第六辅助走线6在衬底100上的正投影覆盖第五辅助走线7在衬底100上的正投影。
77.在示例性的实施例中，第五辅助走线和第六辅助走线6采用的导电材料相同，且两者直接接触。
78.在本技术的实施例中，参考图2a所示，在显示基板制备的显示产品的白画面颜色偏青的情况下，通过在设置有第二辅助走线4的子像素(红色子像素和蓝色子像素)中设置第六辅助走线6，能够进一步降低红色子像素和蓝色子像素中驱动电路的走线的阻抗，提高实际施加在发光元件两端的电压，从而提高红色发光元件发出的红光强度和蓝色发光元件发出的蓝光强度，通过三种色光混色之后，进一步改善白画面偏青的问题。
79.在一些实施例中，参考图2a所示，第一辅助走线、第三辅助走线和第五辅助走线7均与晶体管1的第一极14同层设置；
80.第二辅助走线4、第四辅助走线5和第六辅助走线6同层设置。
81.在示例性的实施例中，同层设置是指采用一次构图工艺制作。一次构图工艺是指经过一次曝光形成所需要的层结构工艺。一次构图工艺包括掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。
82.在示例性的实施例中，第一辅助走线、第三辅助走线和第五辅助走线7均与晶体管1的第一极14共同构成的导电层可以称作源漏金属层，源漏金属层的材料可以为铜(cu)。
83.在示例性的实施例中，第二辅助走线4、第四辅助走线5和第六辅助走线6共同构成的导电层可以称作辅助金属层，辅助金属层的材料可以为铜(cu)。
84.其中，源漏金属层和辅助金属层可以采用相同的材料制备，以降低第一辅助走线和第二辅助走线4的接触电阻、第三辅助走线和第四辅助走线5的接触电阻、以及第五辅助走线和第六辅助走线6的接触电阻。
85.在一些实施例中，参考图2a所示，第二辅助走线4在衬底100上的正投影与晶体管1的第一极14在衬底100上的正投影存在交叠区；第四辅助走线5在衬底100上的正投影和晶体管1的第二极11在衬底100上的正投影存在交叠区。
86.在示例性的实施例中，第二辅助走线4的部分区域可以与晶体管1的第一极14直接接触，第四辅助走线5的部分区域可以与晶体管1的第二极11直接接触，以进一步降低晶体管的第一极14和第二极11与走线之间的阻抗，从而提高实际施加在设置第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6的子像素的发光元件两端的电压，提高其发光元件的发光强度，从而达到调整不同颜色子像素光强度的目的，进而平衡白画面的颜色。
87.在一些实施例中，像素单元p包括三个所述子像素，三个子像素划分为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；红色子像素和蓝色子像素均包括第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6。
88.在显示基板制备的显示产品的白画面颜色偏青的情况下(低温条件下红色子像素
的色光衰减较绿色子像素和蓝色子像素多，易出现白画面颜色偏青)，根据光的混色原理，需要降低绿色色光的强度，或者，提高红色色光的强度以进行改善，参考图2a所示，像素单元p包括三个子像素p1、p2和p3，其中，子像素p1为红色子像素，子像素p2为绿色子像素，子像素p3为蓝色子像素；各子像素中均设置有第一辅助走线、第三辅助走线和第五辅助走线，红色子像素和蓝色子像素中还设置有第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6。
89.这样，绿色子像素的像素驱动电路中走线的阻抗较大，使得实际施加在绿色发光元件的阳极3上的电压较小，绿色发光元件发出的绿光亮度较低；红色子像素和蓝色子像素的像素驱动电路中走线的阻抗较大，使得实际施加在红色发光元件的阳极3和蓝色发光元件的阳极3上的电压较小，红色发光元件和蓝色发光元件发出的红光和蓝光的亮度较高，通过三种色光混色之后，很大程度上减轻显示产品的白画面颜色偏青的问题。
90.在一些实施例中，像素单元p包括三个所述子像素，三个子像素划分为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；红色子像素和绿色子像素均包括第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6。
91.在显示基板制备的显示产品的白画面颜色偏黄的情况下，根据光的混色原理，需要降低蓝光亮度，提高红光和绿光亮度以进行改善。参考图2b所示，子像素p1为红色子像素，子像素p2为绿色子像素，子像素p3为蓝色子像素；各子像素中均设置有第一辅助走线、第三辅助走线和第五辅助走线，红色子像素和绿色子像素中还设置有第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6。
92.这样，蓝色子像素的像素驱动电路中走线的阻抗较大，使得实际施加在蓝色发光元件的阳极3上的电压较小，蓝色发光元件发出的蓝光亮度较低；红色子像素和绿色子像素的像素驱动电路中走线的阻抗较大，使得实际施加在红色发光元件的阳极3和绿色发光元件的阳极3上的电压较小，红色发光元件和绿色发光元件发出的红光和绿光的亮度较高，通过三种色光混色之后，很大程度上减轻显示产品的白画面颜色偏黄的问题。
93.在一些实施例中，像素单元p包括三个所述子像素，三个子像素划分为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；绿色子像素和蓝色子像素均包括第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6。
94.在实际应用中，在显示基板制备的显示产品的白画面颜色偏紫的情况下，根据色光的混色原理，需要降低红光的亮度，提高蓝光和绿光的亮度；在各子像素中均设置有第一辅助走线、第三辅助走线和第五辅助走线，蓝色子像素和绿色子像素中还设置有第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6。
95.这样，红色子像素的像素驱动电路中走线的阻抗较大，使得实际施加在红色发光元件的阳极3上的电压较小，红色发光元件发出的红光亮度较低；蓝色子像素和绿色子像素的像素驱动电路中走线的阻抗较大，使得实际施加在蓝色发光元件的阳极3和绿色发光元件的阳极3上的电压较小，蓝色发光元件和绿色发光元件发出的蓝光和绿光的亮度较高，通过三种色光混色之后，很大程度上减轻显示产品的白画面颜色偏紫的问题。
96.图3提供了一种像素电路的等效电路图。参考图3所示，第一电源走线(vdd)和第二电源走线(vss)之间的电压＝v
vdd-v
vss
＝v1+v2+v3+v4+v5，在实际应用中，若走线的负载(loading)较大，即v1和v5较大，则实际施加在驱动晶体管(dtft)上的电压v2和施加在发光元件(oled)上的电压v4则相应减小。其中，图3中的vdd ir drop指的是第一电源走线的压
降，vss ir drop指的是第二电源走线的压降，stft指的是驱动电路中的开关晶体管。由图3所示的等效电路图可知，在驱动电路中，可以通过降低走线的压降，来提高实际施加在驱动晶体管(dtft)上的电压v2和施加在发光元件(oled)上的电压v4，从而提高控制发光器件发光的电流强度，进而提高发光器件的发光强度。
97.图4提供了一种驱动晶体管(dtft)的输出特性曲线(标记vgs的曲线)和oled的电流-电压特性曲线(i-v曲线)。其中，对于驱动晶体管的输出特性曲线，横坐标为源漏电压vds，纵坐标为电流；对于oled的电流-电压特性曲线，横坐标为电压，纵坐标为电流。另外，设置有第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6的oled的电流-电压特性曲线标记为y，未设置第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6的oled的电流-电压特性曲线标记为n。
98.结合图3和图4所示，对于未设置第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6(标记n)的子像素，像素电路的负载(loading)较大，对应的驱动晶体管(dtft)的分压v2和施加在发光元件(oled)上的分压v4减小，在输入相同的数据信号(vdata)的情况下，未设置第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6(标记n)的子像素的i-v工作曲线较设置第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6(标记y)的子像素的i-v工作曲线更靠近驱动晶体管(dtft)的输出特性曲线的线性区；而越靠近驱动晶体管(dtft)的输出特性曲线的线性区，等量的电压变化将会引起更多的电流变化。可以理解，未设置第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6(标记n)的子像素的发光器件的工作电流对电压的变化较设置有第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6(标记y)的子像素的发光器件的工作电流对电压的变化更敏感。另外，如图4所示，随着温度的降低，发光器件的工作电流对电压的变化更敏感。
99.当oled显示基板在低温环境下工作时，由于实际施加在不同颜色的oled子像素的电压的变化量不同，不同颜色的oled子像素的工作电流的下降比例也不同，造成不同颜色的oled子像素的亮度下降不一致，从而引起白画面颜色的改变，白平衡被破坏，降低了显示效果。基于上述特性，通过对不同颜色的子像素的驱动电路做差异化设计，在部分子像素中设置第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6(双sd结构)，从而降低这部分子像素中走线的阻抗(或者负载)，从而提高实际施加在发光元件上的分压，提高这部分发光元件的工作电流，进而提高了部分颜色的发光强度。具体可以根据白画面的色偏情况，选择在红色、绿色或者蓝色子像素的至少一种颜色的子像素中设置第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6，以提高至少一种颜色子像素的发光强度，从而改善白画面的色偏问题。
100.在实际应用中，将低温条件下oled电压变化较大(工作电流降低幅度较大)的一种或两种颜色的子像素中设置第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6中的至少一种，剩余颜色的子像素中仅设置第一辅助走线、第三辅助走线和第五辅助走线7，由于设置第二辅助走线4、第四辅助走线5或第六辅助走线6的子像素的负载较小，使得实际施加在这部分子像素的发光元件的分压较大，工作电流也较大，从而平衡了低温条件下工作电流的下降，进而改善低温下不同颜色子像素亮度下降不一致造成的白平衡破坏的问题，保证了低温下oled显示产品的画质温度，提高显示效果。
101.在一些实施例中，参考图2c所示，子像素包括依次设置的缓冲层101、有源层102、第一绝缘层103、栅极层104、第二绝缘层105、电容电极层106(由存储电容的第二电极22构
成)、第三绝缘层107、源漏金属层108、第一平坦层111、阳极3、像素定义层113和发光功能层；
102.其中，设置有第二辅助走线4的子像素还包括辅助导电层110和第二平坦层109，辅助导电层110位于第二平坦层109远离源漏金属层108的一侧，第一平坦层111覆盖辅助导电层110；
103.晶体管1的第一极14、晶体管1的第二极11和第一辅助走线构成部分源漏金属层108，第二辅助走线4构成部分辅助导电层110。
104.在示例性的实施例中，栅极层104包括晶体管1的栅极12和存储电容2的第一电极21。
105.在示例性的实施例中，红色子像素中包括的发光功能层为红色发光功能层114，绿色子像素中包括的发光功能层为绿色发光功能层115，蓝色子像素中包括的发光功能层为蓝色发光功能层116。
106.在示例性的实施例中，第一辅助走线、第三辅助走线和第五辅助走线7均与晶体管1的第一极14共同构成的导电层可以称作源漏金属层，源漏金属层的材料可以为铜(cu)。
107.在示例性的实施例中，第二辅助走线4、第四辅助走线5和第六辅助走线6共同构成的导电层可以称作辅助金属层，辅助金属层的材料可以为铜(cu)。
108.其中，源漏金属层和辅助金属层可以采用相同的材料制备，以降低第一辅助走线和第二辅助走线4的接触电阻、第三辅助走线和第四辅助走线5的接触电阻、以及第五辅助走线和第六辅助走线6的接触电阻。
109.在示例性的实施例中，缓冲层101的材料可以为无机材料，例如：氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种或几种的组合。
110.在示例性的实施例中，有源层102的材料可以为非晶硅(a-si)、单晶硅、多晶硅(p-si)和氧化物(oxide)中的至少一种，具体可以根据实际情况确定。
111.在示例性的实施例中，第一绝缘层103、第二绝缘层105和第三绝缘层107的材料可以为无机材料，或者，也可以为有机材料。例如：无机材料可以为氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种；有机材料可以为树脂。
112.在示例性的实施例中，栅极层104、电容电极层106和源漏金属层108的材料可以均相同，或者，也可以不同，具体可以根据实际情况确定。为了降低制备工艺难度，可以将栅极层104、电容电极层106和源漏金属层108的材料均设置为铜(cu)。
113.另外，本技术的实施例提供的显示基板还包括如图2a所示的支撑层117，用于防止蒸镀过程中掩膜版与发光功能层之间发生剐蹭。
114.在一些实施例中，参考图2a或图2b所示，除设置有第一辅助走线4的子像素之外，其它子像素还包括第二平坦层109；
115.第二平坦层109位于源漏金属层108和第一平坦层111之间，第二平坦层109被配置为使各子像素的发光功能层(114、115或116)沿垂直于衬底100的方向到衬底100之间的距离相等。
116.这样，可以避免各子像素的发光功能层的出光路径差异造成的显示效果降低的问题，另外，通过在各子像素中均设置第二平坦层109，可以使用现有的掩膜版通过一次构图工艺同时形成所有的第二平坦层109，降低制作工艺难度，避免购买新的掩膜版，从而降低
成本。
117.本技术的实施例提供的显示基板还包括诸如支撑层117等的其它结构和部件，这里仅说明与本技术的发明点相关的结构和部件，显示基板包括的其它结构和部件可以参考相关技术。
118.本技术的实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
119.本技术的实施例提供的显示装置为oled显示装置。在实际应用中，oled显示装置包括amoled(active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置和pmoled(passive matrix oled，被动矩阵有机发光二极管)显示装置，由于pmoled单纯地以阴极、阳极构成矩阵状，不设置晶体管等元器件，本技术的实施例中的显示装置均指的是amoled显示装置。
120.另外，上述显示装置可以是电视、数码相机、手机、平板电脑、手环等任何具有显示功能的产品或者部件。
121.本技术的实施例提供的显示装置，由于该显示基板中部分子像素设置有第一辅助走线，剩余部分子像素中设置有第一辅助走线和第二辅助走线4；相较于只设置第一辅助走线的部分子像素，设置有第一辅助走线和第二辅助走线4的子像素中的驱动电路有较小的阻抗，从而降低了这部分子像素的驱动电路中走线的分压，提高了实际施加在发光元件两端的电压，提高了这部分子像素的发光强度；通过这种方式，改变不同颜色的子像素的发光强度，达到平衡不同颜色子像素的发光强度的目的，进而改善了白画面的色偏问题，提高显示效果。
122.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。