显示基板及其制造方法、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。


背景技术：

2.屏下摄像头(under display camera，udc)技术是指将摄像头设置在显示设备的显示屏与壳体之间的技术。在udc技术中，显示屏中与摄像头对应区域中的发光单元的驱动电路设置在显示屏的非显示区域，摄像头对应区域中的发光单元通过透明连接走线与非显示区域中的驱动电路连接，以通过非显示区域中的驱动电路驱动摄像头对应区域中的发光单元发光。


技术实现要素：

3.本技术提供一种显示基板及其制造方法、显示装置。有助于简化显示基板的制造过程，降低显示基板的制造成本。所述技术方案如下：
4.第一方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括：
5.衬底基板，具有显示区域和非显示区域，所述显示区域中包括目标显示区域；
6.位于所述衬底基板上的显示结构层，所述显示结构层中包括多个子像素，所述子像素包括发光单元和驱动单元，所述发光单元位于所述显示区域中，所述驱动单元包括目标功能膜层；
7.其中，位于所述目标显示区域中的发光单元为目标发光单元，所述目标发光单元的目标驱动单元位于所述非显示区域中，所述目标发光单元与所述目标驱动单元通过目标连接结构电连接，所述目标连接结构中位于所述目标显示区域中的部分为透明结构，所述目标连接结构包括第一连接走线，所述第一连接走线为透明走线，所述第一连接走线与所述目标功能膜层同层同材料。
8.可选的，所述驱动单元包括氧化物有源层，所述目标功能膜层为所述氧化物有源层，所述显示基板中与所述第一连接走线接触的目标膜层的含氢量高于预设阈值。
9.可选的，所述目标膜层的材料包括有机材料和氮化硅中的至少一种。
10.可选的，所述显示结构层中包括：位于所述第一连接走线与所述目标膜层之间的层间结构层，所述层间结构层中具有接触孔，所述目标膜层通过所述接触孔与所述第一连接走线接触。
11.可选的，所述接触孔和所述第一连接走线的重叠面积与所述第一连接走线在所述衬底基板上的正投影的面积的比值大于预设比值，所述重叠面积为所述接触孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一连接走线在所述衬底基板上的正投影的重叠区域的面积。
12.可选的，所述层间结构层中具有一个所述接触孔，所述接触孔在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一连接走线在所述衬底基板上的正投影；或者，
13.所述层间结构层中具有多个所述接触孔，多个所述接触孔均匀分布在所述层间结构层的第一区域中，所述第一区域与所述第一连接走线对应。
14.可选的，所述目标膜层包括平坦层和钝化层中的至少一个。
15.在本技术中，所述目标连接结构包括下述三种实现方式。
16.第一种实现方式，所述目标连接结构还包括：第二连接走线和第三连接走线，所述第二连接走线和所述第三连接走线位于同一层；
17.所述第二连接走线位于所述非显示区域中，所述第二连接走线分别与所述第一连接走线和所述目标驱动单元电连接；
18.所述第三连接走线为透明走线，所述第三连接走线位于所述目标显示区域中，所述第三连接走线分别与所述第一连接走线和所述目标发光单元电连接。
19.第二种实现方式，所述目标连接结构还包括：第二连接走线、第三连接走线和第四连接走线，所述第二连接走线和所述第四连接走线位于同一层，所述第三连接走线位于所述第四连接走线远离所述衬底基板的一侧；
20.所述第二连接走线位于所述非显示区域中，所述第二连接走线分别与所述第一连接走线和所述目标驱动单元电连接；
21.所述第三连接走线为透明走线，所述第三连接走线和所述第四连接走线均位于所述目标显示区域中，所述第四连接走线分别与所述第三连接走线和所述第一连接走线电连接，所述第三连接走线与所述目标发光单元电连接；
22.所述目标发光单元包括阳极，所述第四连接走线在所述衬底基板上的正投影位于所述阳极在所述衬底基板上的正投影内。
23.可选的，在第一种实现方式和第二种实现方式中，所述目标连接结构还包括：第五连接走线；
24.所述第五连接走线为透明走线，所述第五连接走线位于所述目标显示区域中，所述第五连接走线位于所述第三连接走线远离所述衬底基板的一侧；
25.所述第三连接走线通过所述第五连接走线与所述目标发光单元电连接。
26.第三种实现方式，所述目标连接结构还包括：第二连接走线，
27.所述第二连接走线位于所述非显示区域中，所述第二连接走线分别与所述第一连接走线和所述目标驱动单元电连接；
28.所述第一连接走线与所述目标发光单元电连接。
29.第二方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
30.提供衬底基板，所述衬底基板具有显示区域和非显示区域，所述显示区域中包括目标显示区域；
31.在所述衬底基板上形成显示结构层，所述显示结构层中包括多个子像素，所述子像素包括发光单元和驱动单元，所述发光单元位于所述显示区域中，所述驱动单元包括目标功能膜层；
32.其中，位于所述目标显示区域中的发光单元为目标发光单元，所述目标发光单元的目标驱动单元位于所述非显示区域中，所述目标发光单元与所述目标驱动单元通过目标连接结构电连接，所述目标连接结构中位于所述目标显示区域中的部分为透明结构，所述目标连接结构包括第一连接走线，所述第一连接走线为透明走线，所述第一连接走线与所述目标功能膜层同层同材料。
33.可选的，在所述衬底基板上形成显示结构层，包括：
34.在所述衬底基板上形成功能材质层；
35.通过一次构图工艺对所述功能材质层进行处理得到所述目标功能膜层和所述第一连接走线。
36.可选的，所述驱动单元包括氧化物有源层，所述目标功能膜层为所述氧化物有源层，所述显示基板中与所述第一连接走线接触的目标膜层的含氢量高于预设阈值。
37.可选的，在所述衬底基板上形成显示结构层，还包括：
38.在所述第一连接走线远离所述衬底基板的一侧形成层间结构层，所述层间结构层中具有接触孔；
39.在所述层间结构层远离所述衬底基板的一侧形成目标膜层，所述目标膜层通过所述接触孔与所述第一连接走线接触。
40.在本技术中，所述目标连接结构包括三种实现方式，相应的，在所述衬底基板上形成显示结构层包括下述三种实现方式。
41.第一种实现方式，在所述衬底基板上形成显示结构层，还包括：
42.在所述层间结构层远离所述衬底基板的一侧形成第二连接走线和第三连接走线，所述第二连接走线和所述第三连接走线位于同一层，所述第二连接走线位于所述非显示区域中，所述第三连接走线为透明走线，所述第三连接走线位于所述目标显示区域中；
43.其中，所述目标连接结构还包括：所述第二连接走线和所述第三连接走线，所述第二连接走线分别与所述第一连接走线和所述目标驱动单元电连接，所述第三连接走线分别与所述第一连接走线和所述目标发光单元电连接。
44.第二种实现方式，在所述衬底基板上形成显示结构层，还包括：
45.在所述层间结构层远离所述衬底基板的一侧形成第二连接走线、第三连接走线和第四连接走线，所述第二连接走线和所述第四连接走线位于同一层，所述第三连接走线位于所述第四连接走线远离所述衬底基板的一侧，所述第二连接走线位于所述非显示区域中，所述第三连接走线为透明走线，所述第三连接走线和所述第四连接走线均位于所述目标显示区域中；
46.其中，所述目标连接结构还包括：所述第二连接走线、所述第三连接走线和所述第四连接走线，所述第二连接走线分别与所述第一连接走线和所述目标驱动单元电连接，所述第三连接走线分别与所述第一连接走线和所述目标发光单元电连接，所述目标发光单元包括阳极，所述第四连接走线在所述衬底基板上的正投影位于所述阳极在所述衬底基板上的正投影内。
47.在第一种实现方式和第二种实现方式中，在所述衬底基板上形成显示结构层，还包括：
48.在所述第三连接走线远离所述衬底基板的一侧形成第五连接走线，所述第五连接走线为透明走线，所述第五连接走线位于所述目标显示区域中；
49.所述目标连接结构还包括：所述第五连接走线，所述第三连接走线通过所述第五连接走线与所述目标发光单元电连接。
50.第三种实现方式，在所述衬底基板上形成显示结构层，还包括：
51.在所述层间结构层远离所述衬底基板的一侧形成第二连接走线，所述第二连接走线位于所述非显示区域中；
52.所述目标连接结构还包括：所述第二连接走线，所述第二连接走线分别与所述第一连接走线和所述目标驱动单元电连接，所述第一连接走线与所述目标发光单元电连接。
53.第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：壳体、摄像头和第一方面或第一方面的任一可选实现方式所述的显示基板；
54.所述摄像头设置在所述壳体与所述显示基板之间，所述摄像头在所述显示基板上的正投影位于所述显示基板的目标显示区域中。
55.本技术提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
56.本技术提供的显示基板及其制造方法、显示装置，在显示基板中，子像素包括发光单元和驱动单元，驱动单元包括目标功能膜层，该显示基板的显示区域中包括目标显示区域，目标显示区域中的目标发光单元的目标驱动单元位于该显示基板的非显示区域中，并且目标发光单元与目标驱动单元通过目标连接结构电连接，目标连接结构中位于目标显示区域中的部分为透明结构，目标连接结构包括第一连接走线，第一连接走线与目标功能膜层同层同材料。由于第一连接走线与目标功能膜层同层同材料，因此第一连接走线与目标功能膜层可以通过一次构图工艺制备，有助于减少制造显示基板的过程所需执行的构图工艺的次数，简化了显示基板的制造过程，降低显示基板的制造成本。
57.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本技术。
附图说明
58.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
59.图1是本技术实施例提供的一种显示基板的正视图；
60.图2是本技术实施例提供的一种显示基板的截面图；
61.图3是本技术实施例提供的另一种显示基板的截面图；
62.图4是本技术实施例提供的再一种显示基板的截面图；
63.图5是本技术实施例提供的又一种显示基板的截面图；
64.图6是本技术实施例提供的又一种显示基板的截面图；
65.图7是本技术实施例提供的又一种显示基板的截面图；
66.图8是本技术实施例提供的一种像素电路图；
67.图9是本技术实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图；
68.图10是本技术实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图；
69.图11是本技术实施例提供一种在衬底基板上依次形成阻挡层、第二缓冲层、多晶硅有源层、第二gi层、第一栅极、第二ild层、第二栅极、第三ild层和第一缓冲层后的示意图；
70.图12是本技术实施例提供一种在第一缓冲层远离衬底基板的一侧形成目标功能膜层和第一连接走线后的示意图；
71.图13是本技术实施例提供一种在第一连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第
一gi层、第三栅极、第一ild层和源漏极层后的示意图；
72.图14是本技术实施例提供一种在源漏极层远离衬底基板的一侧形成钝化层后的示意图；
73.图15是本技术实施例提供一种在层间结构层远离衬底基板的一侧形成目标膜层后的示意图；
74.图16是本技术实施例提供一种在目标膜层远离衬底基板的一侧形成第二连接走线和第四连接走线后的示意图；
75.图17是本技术实施例提供一种在第二连接走线和第四连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第二平坦层和第三连接走线后的示意图；
76.图18是本技术实施例提供一种在第三连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第三平坦层和第五连接走线后的示意图。
77.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。
具体实施方式
78.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
79.udc技术是指将摄像头设置在显示设备的显示屏与壳体之间的技术。在udc技术中，显示屏中与摄像头对应区域中的发光单元的驱动电路设置在显示屏的非显示区域，摄像头对应区域中的发光单元通过透明连接走线与非显示区域中的驱动电路连接，以通过非显示区域中的驱动电路驱动摄像头对应区域中的发光单元发光。其中，显示屏中的主要显示部件为显示基板。
80.示例地，图1是本技术实施例提供的一种显示基板的正视图，该显示基板可以基于udc技术的显示屏中的显示基板。参见图1，显示基板包括显示区域aa和非显示区域bb，显示区域aa包括第一显示区aa1和至少位于第一显示区aa1一侧的第二显示区aa2，第一显示区aa1可以是显示设备的取光模块(例如，摄像头，指纹识别器件等)对应区域，第二显示区aa2占显示基板的绝大部分，第一显示区aa1占据剩余部分，即第二显示区aa2的面积可以远大于第一显示区aa1的面积。非显示区域bb包括位于第一显示区aa1远离第二显示区aa2一侧的第一像素电路区域bb1，第一显示区aa1中的发光单元(或称为发光器件)的驱动电路设置在第一像素电路区域bb1中，并通过透明的连接线与第一显示区aa1中的发光单元电连接。其中，第二显示区aa2的分辨率可以大于第一显示区aa1的分辨率，位于第一显示区aa1的发光单元的尺寸小于位于第二显示区aa2的发光单元的尺寸，例如发光单元是有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)发光单元，第一显示区aa1内的发光单元的阳极的尺寸小于第二显示区aa2内的发光单元的阳极的尺寸，如此，第一显示区aa1的透光率可以大于第二显示区aa2的透光率，以便于设置在第一显示区aa1下方的取光模块透过第一显示区aa1取光。由于第一显示区aa1的透光率大于第二显示区aa2的透光率，第二显示区aa2的分辨率大于第一显示区aa1的分辨率，第二显示区aa2的面积远大于第一显示区aa1的面
积，因此，一副显示画面的较大部分可以显示于该第二显示区aa2内，故该第二显示区aa2也可以称为主显示区，第一显示区aa1也可以称为辅显示区。例如，第一显示区aa1为透明显示区，第二显示区aa2为非透明显示区。
81.目前，在基于udc技术的显示屏中，显示基板包括衬底基板，以及，依次设置在衬底基板上的聚酰亚胺(polyimide，pi)层、阻挡(barrier)层、第一缓冲(buffer)层、多晶硅(p-si)有源层、第一栅绝缘(gate insulator，gi)层、第一栅极、第一层间介质(inter-layer dielectric，ild)层、第二栅极、第二ild层、第二缓冲层、氧化物有源层、第二gi层、第三栅极、第三ild层、源漏极层、钝化(passivation，pvx)层、第一平坦(planarization，pln)层、漏极连接线、第二pln层、第一氧化铟锡(indium tin oxide，ito)连接线、第三pln层、第二ito连接线、第四pln层、第三ito连接线、第五pln层、阳极(anode，and)、像素定义层(pixel definition layer，pdl)、隔垫物(photo spacer，ps)层、发光层和阴极。其中，源漏极层中包括第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，第一源极通过一气贯通第三ild层、第二gi层、第二缓冲层、第二ild层、第一ild层和第一gi层的第一过孔与多晶硅有源层连接，第一漏极通过一气贯通第三ild层、第二gi层、第二缓冲层、第二ild层、第一ild层和第一gi层的第二过孔与多晶硅有源层连接，第二源极通过一气贯通第三ild层和第二gi层的第三过孔与氧化物有源层连接，第二漏极通过一气贯通第三ild层和第二gi层的第四过孔与氧化物有源层连接。漏极连接线、第一ito连接线、第二ito连接线和第三ito连接线用于将第一漏极与阳极电连接。多晶硅有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极构成多晶硅薄膜晶体管(thin film transistor，tft)。氧化物有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极构成氧化物tft。阳极、发光层和阴极叠加构成发光单元。摄像头对应区域中的发光单元的驱动电路中的多晶硅tft、氧化物tft以及漏极连接线均位于非显示区域中，第一ito连接线、第二ito连接线和第三ito连接线将摄像头对应区域中的发光单元与非显示区域中的多晶硅tft连接。
82.其中，显示基板中的多晶硅有源层、第一栅极、第二栅极、氧化物有源层、第三栅极、源漏极层、钝化层、第一pln层、漏极连接线、第二pln层、第一ito连接线、第三pln层、第二ito连接线、第四pln层、第三ito连接线、第五pln层、阳极、pdl和ps层分别需要通过一次构图工艺制备，第一至第四过孔需要通过一次构图工艺制备。因此，该显示基板的制造过程至少需要20次构图工艺，导致该显示基板的制造过程复杂，制造成本较高。
83.有鉴于目前制造显示基板的过程上述存在的上述问题，本技术实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置。在该显示基板中，子像素包括发光单元和驱动单元，驱动单元包括目标功能膜层，该显示基板的显示区域中包括目标显示区域，目标显示区域中的目标发光单元的目标驱动单元位于该显示基板的非显示区域中，并且目标发光单元与目标驱动单元通过目标连接结构电连接，目标连接结构中位于目标显示区域中的部分为透明结构，目标连接结构包括第一连接走线，第一连接走线与目标功能膜层同层同材料。由于第一连接走线与目标功能膜层同层同材料，因此第一连接走线与目标功能膜层可以通过一次构图工艺制备，有助于减少制造显示基板的过程所需执行的构图工艺的次数，简化了显示基板的制造过程，降低显示基板的制造成本。
84.其中，目标显示区域可以是该显示基板中的屏下取光区域，屏下取光区域指的是显示基板中与位于显示设备的显示屏和壳体之间的取光模块对应的区域。例如，目标显示区域是屏下摄像头区域，屏下摄像头指的是设置在显示设备的显示屏与壳体之间的摄像
头。由于目标发光单元与目标驱动单元通过目标连接结构电连接，目标连接结构中位于目标显示区域中的部分为透明结构，因此该屏下摄像头区域能够进行显示，有助于提高显示屏的屏占比。
85.下面结合附图介绍本技术实施例的技术方案。
86.图2是本技术实施例提供的一种显示基板的截面图，例如图2可以是图1所示的显示基板的c-c部位的截面图。参见图2，该显示基板包括衬底基板10和位于衬底基板10上的显示结构层11。衬底基板10具有显示区域101和非显示区域102，显示区域101中包括目标显示区域1011。显示结构层11中包括多个子像素(图2中未标出)，每个子像素包括发光单元111和驱动单元112，发光单元112位于显示区域101中，驱动单元112包括目标功能膜层1121。
87.其中，位于目标显示区域1011中的发光单元111为目标发光单元111a，目标发光单元111a的驱动单元为目标驱动单元112a，目标驱动单元112a位于非显示区域102中，目标发光单元111a与目标驱动单元112a通过目标连接结构113电连接。目标连接结构113中位于目标显示区域1011中的部分为透明结构，目标连接结构113包括第一连接走线1131，第一连接走线1131为透明走线，第一连接走线1131与目标功能膜层1121同层同材料。也即，第一连接走线1131与目标功能膜层1121分布在同一层，并且第一连接走线1131的材料与目标功能膜层1121的材料相同，因此，第一连接走线1131与目标功能膜层1121可以通过一次构图工艺制备。
88.综上所述，在本技术实施例提供的显示基板中，子像素包括发光单元和驱动单元，驱动单元包括目标功能膜层，该显示基板的显示区域中包括目标显示区域，目标显示区域中的目标发光单元的目标驱动单元位于该显示基板的非显示区域中，并且目标发光单元与目标驱动单元通过目标连接结构电连接，目标连接结构中位于目标显示区域中的部分为透明结构，目标连接结构包括第一连接走线，第一连接走线与目标功能膜层同层同材料。由于第一连接走线与目标功能膜层同层同材料，因此第一连接走线与目标功能膜层可以通过一次构图工艺制备，有助于减少制造显示基板的过程所需执行的构图工艺的次数，简化显示基板的制造过程，降低显示基板的制造成本。由于第一连接走线与目标功能膜层可以通过一次构图工艺制备，因此相比于相关技术的显示基板的制造过程，本技术的显示基板的制造过程可以减少一次ito工艺(即形成ito走线的构图工艺)，由于第一连接走线与目标功能膜层位于同一层，因此还可以减少一次pln工艺(即形成pln层的构图工艺)，即，相比于目前的显示基板，本技术实施例提供的显示基板的制造过程可以减少两次构图工艺。
89.其中，显示基板可以是刚性显示基板或柔性显示基板。相应地，衬底基板可以是刚性衬底基板或柔性衬底基板，刚性衬底基板例如是玻璃基板，柔性衬底基板例如是采用pi制备的柔性基板。显示基板中除目标显示区域1011之外的区域为非目标显示区域1012，非目标显示区域1012位于目标显示区域1011的至少一侧，非目标显示区域1012占显示基板的绝大部分，目标显示区域1011占据剩余部分，即非目标显示区域1012的面积可以远大于目标显示区域1011的面积。非目标显示区域1012的分辨率可以大于目标显示区域1011的分辨率，位于目标显示区域1011的发光单元的尺寸小于位于非目标显示区域1012的发光单元的尺寸。其中，目标显示区域1011可以是显示基板中的屏下取光区域，例如是屏下摄像头区域。由于目标发光单元111a位于目标显示区域1011中，目标驱动单元112a位于非显示区域
102中，并且连接目标发光单元111a与目标驱动单元112a的目标连接结构中位于目标显示区域1011中的部分为透明结构，因此该目标显示区域1011能够进行显示，有助于提高显示屏的屏占比。
90.在本技术实施例中，驱动单元112包括氧化物有源层，目标功能膜层1121可以为该氧化物有源层，显示基板中与第一连接走线1131接触的目标膜层的含氢量高于预设阈值，即目标膜层的含氢量较高。由于目标功能膜层1121为驱动单元112中的氧化物有源层，因此该目标功能膜层1121的材料为半导体氧化物，又由于第一连接走线1131的材料与目标功能膜层1121的材料相同，因此第一连接走线1131的材料也为半导体氧化物。由于第一连接走线1131与含氢量高于预设阈值的目标膜层接触，目标膜层中的氢元素可以向与第一连接走线1131中扩散，扩散至第一连接走线1131的氢元素可以将第一连接走线1131中的氧化物还原，使第一连接走线1131中的氧化物被氢化，从而将第一连接走线1131导体化，增强第一连接走线1131的导电性，便于目标驱动单元112a中的驱动信号通过第一连接走线1131向目标发光单元111a传输，以驱动目标发光单元111a发光。可选的实施例中，第一连接走线1131的材料和目标功能膜层1121的材料均为铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，igzo)或者铟锡锌氧化物(indium tin zinc oxide，itzo)，或者还可以是其他的半导体氧化物，本技术实施例对此不作限定，预设阈值为3.6
×
10
21
～9.68
×
10
21
h/cm3之间的任一数值。
91.可选的实施例中，目标膜层的材料包括有机材料和氮化硅中的至少一种。由于有机材料、氮化硅等材料的含氢量通常较高，因此采用有机材料、氮化硅等材料制备的目标膜层可以将第一连接走线1131导体化。示例的，显示基板中通常包括平坦层和钝化层等膜层，平坦层的材料一般为含氢量较高的有机材料(例如，环氧树脂、丙烯酸酯等)，钝化层的材料一般为含氢量较高的氮化硅，因此本技术实施例中所述的目标膜层可以包括平坦层和钝化层中的至少一个。
92.可选的实施例中，显示结构层11中包括位于第一连接走线1131与目标膜层之间的层间结构层。该层间结构层中具有接触孔，目标膜层通过接触孔与第一连接走线1131接触，以通过目标膜层对第一连接走线1131进行导体化。其中，所述接触孔和第一连接走线1131的重叠面积与第一连接走线1131在衬底基板10上的正投影的面积的比值大于预设比值，该重叠面积为所述接触孔在衬底基板10上的正投影与第一连接走线1131在衬底基板10上的正投影的重叠区域的面积，该预设比值为0.33～1之间的任一数值。由此，可以使得目标膜层与第一连接走线1131的接触面积较大，便于目标膜层对第一连接走线1131进行导体化。在一种可能的实现方式中，该层间结构层中具有一个接触孔，该接触孔在衬底基板10上的正投影覆盖第一连接走线1131在衬底基板10上的正投影，由此可以使得目标膜层与第一连接走线1131的接触面积较大。在另一种可能的实现方式中，该层间结构层中具有多个接触孔，该多个接触孔均匀分布在层间结构层的第一区域中，该第一区域与第一连接走线1131对应，由此可以使得目标膜层通过该多个接触孔与第一连接走线1131均匀接触，目标膜层与第一连接走线1131的接触面积较大。
93.可选的，图3至图7是本技术实施例提供的另外五种显示基板的截面图。在一种可能的实现方式中，如图2至图6所示，显示结构层11中与第一连接走线1131接触的膜层包括第一平坦层115、第一gi层116和第一缓冲层117，目标膜层可以包括第一平坦层115。位于目标膜层(即第一平坦层115)与第一连接走线1131之间的层间结构层包括：沿远离衬底基板
10的方向依次分布的第一gi层116、第一ild层118和钝化层114。如图2至图5所示，该层间结构层(即第一gi层116、第一ild层118和钝化层114)中具有一气贯通的多个接触孔(图2至图5中均未标出)，第一平坦层115(即目标膜层)通过该多个接触孔与第一连接走线1131接触。如图6所示，该层间结构层(即第一gi层116、第一ild层118和钝化层114)中具有一气贯通的接触孔(图2至图5中均未标出)，该接触孔的孔径大于图2至图5中的任一接触孔的孔径，第一平坦层115(即目标膜层)通过该接触孔与第一连接走线1131接触。在另一种可能的实现方式中，如图7所示，显示结构层11中与第一连接走线1131接触的膜层包括钝化层114、第一gi层116和第一缓冲层117，目标膜层可以是钝化层114。位于目标膜层(即钝化层114)与第一连接走线1131之间的层间结构层包括：沿远离衬底基板10的方向依次分布的第一gi层116和第一ild层118。该层间结构层中具有一气贯通的接触孔(图7中未标出)，钝化层114(即目标膜层)通过该接触孔与第一连接走线1131接触。
94.需要说明的是，图2至图7仅仅是本技术的显示基板的示例，在一些实施例中，对于图2至图5所示的显示基板，第一平坦层115(目标膜层)可以通过一个接触孔与第一连接走线1131接触，对于图6和图7所示的显示基板，第一平坦层115(目标膜层)可以通过多个接触孔与第一连接走线1131接触。本技术实施例不对接触孔的数量和尺寸进行限定，只要能保证目标膜层与第一连接走线1131充分接触即可。此外，图2至图6以目标膜层为第一平坦层115为例说明，图7以目标膜层为钝化层114为例说明，在其他实施例中，目标膜层还可以同时包括平坦层和钝化层，例如，第一平坦层115和钝化层114均可以与第一连接走线1131接触。本技术实施例对此不作限定。
95.在本技术实施例中，目标连接结构可以由电连接的多条连接走线构成，除第一连接走线外，目标连接结构还可以包括其他一条或多条连接走线。下面结合图2至图7，分三种实现方式对目标连接结构进行介绍。
96.第一种实现方式：目标连接结构包括第一连接走线、第二连接走线和第三连接走线。第二连接走线和第三连接走线位于同一层，第二连接走线和第三连接走线位于第一连接走线远离衬底基板的一侧。第二连接走线位于非显示区域中，第二连接走线分别与第一连接走线和目标驱动单元电连接。第三连接走线为透明走线，第三连接走线位于目标显示区域中，第三连接走线分别与第一连接走线和目标发光单元电连接。由此使得目标连接结构将目标发光单元与目标驱动单元电连接。
97.示例的，请参考图3、图6和图7，目标连接结构113包括第一连接走线1131、第二连接走线1132和第三连接走线1133。第二连接走线1132位于非显示区域102中，第二连接走线1132分别与第一连接走线1131和目标驱动单元112a电连接。第三连接走线1133为透明走线，第三连接走线1133位于目标显示区域1011中，第三连接走线1133分别与第一连接走线1131和目标发光单元111a电连接。
98.如图3、图6和图7所示，第二连接走线1132和第三连接走线1133均位于第一连接走线1131远离衬底基板10的一侧。显示结构层11包括位于第二连接走线1132与目标驱动单元112a之间的钝化层114和第一平坦层115，钝化层114和第一平坦层115上与目标驱动单元112a对应的区域中具有一气贯通的第一连接孔，第二连接走线1132通过第一连接孔与目标驱动单元112a电连接。显示结构层11包括位于第二连接走线1132与第一连接线1131之间的第一gi层116、第一ild层118、钝化层114和第一平坦层115。第一gi层116、第一ild层118、钝
化层114和第一平坦层115上与第一连接线1131对应的区域中具有一气贯通的第二连接孔和第三连接孔，第二连接走线1132通过第二连接孔与第一连接线1131电连接，第三连接走线1133通过第三连接孔与第一连接线1131电连接。
99.该第一种实现方式以第二连接走线和第三连接走线位于同一层为例说明，第二连接走线和第三连接走线也可以位于不同层。例如图2所示，第三连接走线1133位于第二连接走线1132的远离第一连接走线1131的一侧。显示结构层11包括位于第三连接走线1133与第一连接走线1131之间的第一gi层116、第一ild层118、钝化层114、第一平坦层115和第二平坦层119，第一gi层116、第一ild层118、钝化层114、第一平坦层115和第二平坦层119上与第一连接线1131对应的区域中具有一气贯通的第三连接孔，第三连接走线1133通过第三连接孔与第一连接线1131电连接。
100.第二种实现方式：目标连接结构包括第一连接走线、第二连接走线、第三连接走线和第四连接走线。第二连接走线和第四连接走线位于同一层，第三连接走线位于第四连接走线远离衬底基板的一侧。第二连接走线位于非显示区域中，第二连接走线分别与第一连接走线和目标驱动单元电连接。第三连接走线为透明走线，第三连接走线和第四连接走线均位于目标显示区域中，第四连接走线分别与第三连接走线和第一连接走线电连接，第三连接走线与目标发光单元电连接。其中，目标发光单元包括阳极，第四连接走线在衬底基板上的正投影位于阳极在衬底基板上的正投影内。
101.示例的，请参考图4，目标连接结构包括：第一连接走线1131、第二连接走线1132、第三连接走线1133和第四连接走线1134。第二连接走线1132和第四连接走线1134位于同一层，第三连接走线1133位于第四连接走线1134远离衬底基板10的一侧。第二连接走线1132位于非显示区域102中，第二连接走线1132分别与第一连接走线1131和目标驱动单元112a电连接。第三连接走线1133为透明走线，第三连接走线1133和第四连接走线1134均位于目标显示区域1011中，第四连接走线1134分别与第三连接走线1133和第一连接走线1131电连接，第三连接走线1133与目标发光单元111a电连接。目标发光单元111a包括阳极1111，第四连接走线1134在衬底基板10上的正投影位于阳极1111在衬底基板10上的正投影内。其中，第四连接走线1134可以为非透明结构，将第四连接走线1134设置在非透明的阳极1111下方，且使第四连接走线1134在衬底基板10上的正投影位于阳极1111在衬底基板10上的正投影内，可以避免非透明的第四连接走线1134对显示区域101的透光性能的影响。
102.如图4所示，第二连接走线1132和第四连接走线1134均位于第一连接走线1131远离衬底基板10的一侧，第三连接走线1133位于第四连接走线1134远离衬底基板10的一侧。显示结构层11包括位于第二连接走线1132与目标驱动单元112a之间的钝化层114和第一平坦层115，第一平坦层115和钝化层114上与目标驱动单元112a对应的区域中具有一气贯通的第一连接孔，第二连接走线1132通过第一连接孔与目标驱动单元112a电连接。显示结构层11包括位于第二连接走线1132与第一连接线1131之间的第一gi层116、第一ild层118、钝化层114和第一平坦层115，第一gi层116、第一ild层118、钝化层114和第一平坦层115上与第一连接线1131对应的区域中具有一气贯通的第二连接孔和第三连接孔，第二连接走线1132通过第二连接孔与第一连接线1131电连接，第四连接走线1134通过第三连接孔与第一连接线1131电连接。显示结构层11还包括位于第三连接走线1133与第四连接线1134之间的第二平坦层119。第二平坦层119上与第四连接线1134对应的区域中具有第四连接孔，第三
连接走线1133通过第四连接孔与第四连接线1134电连接。
103.可选的实施例中，对于上述第一种实现方式和第二种实现方式，目标连接结构还可以包括第五连接走线，第五连接走线为透明走线，第五连接走线位于目标显示区域中，第五连接走线位于第三连接走线远离衬底基板的一侧，第三连接走线可以通过第五连接走线与目标发光单元电连接。请参考图2至图4、图6和图7，目标连接结构113还包括第五连接走线1135，第五连接走线1135位于目标显示区域1011中，第五连接走线1135位于第三连接走线1133远离衬底基板10的一侧，第三连接走线1133通过第五连接走线1135与目标发光单元111a电连接。在一种可选实现方式中，如图3、图6和图7所示，显示结构层11包括第五连接走线1135与第三连接走线1133之间的第二平坦层119。第二平坦层119上与第三连接线1133对应的区域中具有第五连接孔，第五连接走线1135通过第五连接孔与第三连接走线1133电连接，并且第五连接走线1135与目标发光单元111a电连接，使得第三连接走线1133通过第五连接走线1135与目标发光单元111a电连接。在另一种可选实现方式中，如图2和图4所示，显示结构层11包括第五连接走线1135与第三连接走线1133之间的第三平坦层120，第三平坦层120上与第三连接线1133对应的区域中具有第五连接孔，第五连接走线1135通过第五连接孔与第三连接线1133电连接，并且第五连接走线1135与目标发光单元111a电连接，使得第三连接走线1133通过第五连接走线1135与目标发光单元111a电连接。
104.第三种实现方式：目标连接结构包括第一连接走线和第二连接走线。第二连接走线位于非显示区域中，第二连接走线分别与第一连接走线和目标驱动单元电连接。第一连接走线通过目标发光单元电连接。
105.示例的，请参考图5，目标连接结构113包括第一连接走线1131和第二连接走线1132。第二连接走线1132位于非显示区域102中，第二连接走线1132分别与第一连接走线1131和目标驱动单元112a电连接，第一连接走线1131与目标发光单元111a电连接。如图5所示，显示结构层11包括位于第二连接走线1132与目标驱动单元112a之间的钝化层114和第一平坦层115，钝化层114和第一平坦层115上与目标驱动单元112a对应的区域中具有一气贯通的第一连接孔，第二连接走线1132通过第一连接孔与目标驱动单元112a电连接。显示结构层11包括位于第二连接走线1132与第一连接线1131之间的第一gi层116、第一ild层118、钝化层114和第一平坦层115。第一gi层116、第一ild层118、钝化层114和第一平坦层115上与第一连接线1131对应的区域中具有一气贯通的第二连接孔，第二连接走线1132通过第二连接孔与第一连接线1131电连接。
106.可选的，在上述三种实现方式中，第一连接走线1131、第三连接走线1133和第五连接走线1135均可以是采用ito等透明材料制备的走线。第二连接走线1132和第四连接走线1134可以均是非透明走线，例如，第二连接走线1132和第四连接走线1134均可以是采用金属铝等金属材料制备的金属走线。此外，图2至图7以不同层之间的连接走线通过错位的连接孔(即多个连接孔在衬底基板10上的正投影不重合)连接为例说明，在实际应用中，连接孔在各个膜层中的位置可以按照需要调整，本技术实施例对此不作限定。
107.在本技术实施例中，请继续参考图2至图7，发光单元111包括沿远离衬底基板10的方向依次分布的阳极1111、发光层1112和阴极1113。在上述第一种实现方式和第二种实现方式中，第五连接走线1135与目标发光单元111a的阳极1111电连接。例如图2至图4、图6和图7所示，显示结构层11包括位于阳极1111与第五连接走线1135之间的第四平坦层121，第
四平坦层121上与第五连接走线1135对应的区域中具有阳极连接孔(图2至图4、图6和图7中均未标出)，阳极1111通过该阳极连接孔与第五连接走线1135电连接。在上述第三种实现方式中，第一连接走线1131与目标发光单元111a的阳极1111电连接。例如图5所示，显示结构层11包括位于阳极1111与第一连接走线1131之间的第二平坦层119、第一平坦层115、钝化层114、第一ild层118和第一gi层116，第二平坦层119、第一平坦层115、钝化层114、第一ild层118和第一gi层116上与第一连接走线1131对应的区域中具有一气贯通的阳极连接孔，阳极1111通过该阳极连接孔与第一连接走线1131电连接。
108.本技术实施例的显示基板可以是低温多晶氧化物(low temperature polycrystalline oxide，ltpo)显示基板，ltpo显示基板能够使像素保持长时间开启，降低显示基板的刷新率，从而降低显示基板的能耗。ltpo显示基板中的驱动单元112可以是ltpo tft，ltpo tft由氧化物tft和多晶硅tft构成，该氧化物tft和该多晶硅tft分别可以是顶栅型tft、底栅型tft或顶底栅型tft，并且该氧化物tft和该多晶硅tft的类型可以不同，例如，该氧化物tft和该多晶硅tft中的一个是顶栅型tft，另一个是顶底栅型tft，本技术实施例对此不作限定。
109.示例的，本技术实施例以驱动单元112中的氧化物tft是顶底栅型tft，多晶硅tft是顶栅型tft为例说明。如图2至图7所示，驱动单元112包括沿远离衬底基板10的方向依次分布的多晶硅有源层1122、第一栅极1123、第二栅极1124、氧化物有源层(即目标功能膜层1121)、第三栅极1125和源漏极层，源漏极层中包括第一源极1126、第一漏极1127、第二源极1128和第二漏极1129。多晶硅有源层1122、第一栅极1123、第一源极1126和第一漏极1127构成多晶硅tft，第二栅极1124、氧化物有源层(即目标功能膜层1121)、第三栅极1125、第二源极1128和第二漏极1129构成氧化物tft，第一源极1126与第二漏极1129电连接(例如第一源极1126与第二漏极1129为一体结构)，使得该多晶硅tft与该氧化物tft电连接。第二连接走线1132通过第一连接孔与目标驱动单元112a中的第一漏极1127电连接，使第二连接走线1132与目标驱动单元112a电连接。
110.如图2至图7所示，显示结构层11包括：沿远离衬底基板10的方向分布在多晶硅有源层1122与源漏极层之间的第二gi层122、第二ild层123、第三ild层124、第一缓冲层117、第一gi层116和第一ild层118，第二gi层122、第二ild层123、第三ild层124、第一缓冲层117、第一gi层116和第一ild层118上具有一气贯通的第一过孔和第二过孔，第一源极1126通过第一过孔与多晶硅有源层1122电连接，第一漏极1127通过第二过孔与多晶硅有源层1122电连接。氧化物有源层(即目标功能膜层1121)与源漏极层之间具有沿远离衬底基板10的方向分布的第一gi层116和第一ild层118，第一gi层116和第一ild层118上具有一气贯通的第三过孔和第四过孔，第二源极1128通过第三过孔与氧化物有源层(即目标功能膜层1121)电连接，第二漏极1129通过第四过孔与氧化物有源层(即目标功能膜层1121)电连接。第二源极1128用于与数据线(图2至图7中均未示出)电连接，以接收数据线传输的数据信号。
111.如图2至图7所示，显示结构层11中还包括像素定义层125和隔垫物层126，像素定义层125位于阳极1111远离衬底基板10的一侧，且像素定义层125限定出多个子像素区域(图2至图7中未标出)，阳极1111、发光层1112和阴极1113位于子像素区域中的部分叠加构成发光单元111。隔垫物层126位于像素定义层125远离衬底基板10的一侧，隔垫物层126用
于控制发光层1112的厚度。
112.如图2至图7所示，该显示基板还包括位于衬底基板10与显示结构层11之间的阻挡层13和第二缓冲层14。第二缓冲层14位于阻挡层13远离衬底基板10一侧。图2至图7以衬底基板10与显示结构层11之间具有一层阻挡层和一层缓冲层为例说明，在其他实施例中，衬底基板10与显示结构层11之间可以具有多层阻挡层和多层缓冲层，具体可以根据实际需要设置。
113.本领域技术人员应当明白，图2至图7仅仅是本技术实施例提供的显示基板的示例，并不构成对显示基板的结构限制，显示基板实际可以包括比图2至图7更多或更少的结构，例如，显示基板还可以包括位于显示结构层远离衬底基板一侧的封装层，该封装层对显示结构层中的发光单元进行封装，以避免外界水氧进入显示基板的内部侵蚀发光单元。再例如，显示结构层中还可以包括遮光层，遮光层位于氧化物有源层与衬底基板之间以对氧化物有源层遮挡，避免从衬底基板射入显示基板内部的光线射入氧化物有源层，影响氧化物tft的开关特性。即，遮光层的设置可以保证氧化物tft的开关特性。在实际应用中，显示基板的结构可以按照需要进行调整，本技术实施例对此不作限定。
114.根据前述实施例的描述可知，在图5所示的显示基板中，目标发光单元111a直接与第一连接走线1131电连接，在图2至图4以及图6和图7的显示基板中，目标发光单元111a通过其他的连接走线与第一连接走线1131电连接。例如在图2、图3、图6和图7所示的显示基板中，目标发光单元111a通过异层分布的第五连接走线1135和第三连接走线1133与第一连接走线1131电连接。在图4所示的显示基板中，目标发光单元111a通过异层分布的第五连接走线1135、第三连接走线1133和第四连接走线1134与第一连接走线1131电连接。这样一来，相比于图5所示的显示基板，在图2、图3、图6和图7所示的显示基板中，每层中的连接走线的宽度可以较小，从而发光区域的面积可以较大，有利于提高显示基板的分辨率，即，图2、图3、图6和图7所示的显示基板可以适用于分辨率要求较高的显示装置。此外，在图2所示的显示基板中，第三连接走线1133与第二连接走线1132位于不同层中，在图3、图6和图7所示的显示基板中，第三连接走线1133与第二连接走线1132位于同一层中，因此，相比于图2所示的显示基板，在图3、图6和图7所示的显示基板中，第三连接走线1133与第二连接走线1132不具有绝缘层，因此可以减少一次构图工艺。即，相比于图2所示的显示基板，图3、图6和图7所示的显示基板的制造过程更简单，制造成本更低。
115.以上实施例主要介绍目标显示区域1011中的目标发光单元111a与非显示区域102中的目标驱动单元112a的连接方式。对于显示区域101中的非目标显示区域1012，该非目标显示区域1012中的子像素的发光单元111和驱动单元112均位于该非目标显示区域1012中，该非目标显示区域1012中的每个子像素中的驱动单元112与该子像素中的发光单元111可以通过跨层连接结构电连接。其中，该跨层连接结构包括位于至少一层中的连接走线，该跨层连接结构中的全部或部分连接走线与目标连接结构中的全部或部分连接走线同层分布，该跨层连接结构和该目标连接结构中，处于同一层并且材料相同的连接走线可以通过同一次构图工艺制备。为了简洁，本技术实施例在此不再赘述非目标显示区域1012中的驱动单元112与发光单元111的连接方式。
116.显示基板中的每个子像素可以具有一个像素电路，以用于驱动该子像素中的发光单元发光，上述驱动单元可以位于驱动电路中。示例的，请参考图8，其示出了本技术实施例
提供的一种像素电路图。如图8所示，子像素包括发光单元111和驱动发光单元111发光的驱动电路114，驱动电路113包括驱动子电路1141、数据写入子电路1142、阈值补偿子电路1143、复位子电路、发光控制子电路和存储电容cst，复位子电路包括第一复位子电路1144和第二复位子电路1145，发光控制子电路包括第一发光控制子电路1146和第二发光控制子电路1147。其中，第一复位子电路1144包括第一复位晶体管bt1，阈值补偿子电路1143包括阈值补偿晶体管bt2，驱动子电路1141包括驱动晶体管bt3，数据写入子电路1142包括数据写入晶体管bt4，第一发光控制子电路1146包括第一发光控制晶体管bt5，第二发光控制子电路1147包括第二发光控制晶体管bt6，第二复位子电路1145包括第二复位晶体管bt7。可选的，第一复位晶体管bt1和阈值补偿晶体管bt2均为氧化物tft，数据写入晶体管bt4、第一发光控制晶体管bt5、第二发光控制晶体管bt6和第二复位晶体管bt7均为多晶硅tft。图2至图7中的驱动单元112中包含图8中的两个tft，并且该两个tft中的一个tft是氧化物tft，另一个tft是多晶硅tft。例如，图2至图7中的驱动单元112中的氧化物tft可以是图8中的bt2，图2至图7中的驱动单元112中的多晶硅tft可以是图8中的bt6。
117.其中，驱动子电路1141包括控制端、第一端和第二端，且配置为控制流经发光单元111的驱动电流。驱动子电路1141的控制端和第一节点s1连接，第一端和第二节点s2连接，第二端和第三节点s3连接。数据写入子电路1142与驱动子电路1141的第一端、数据线vdata和第一栅极扫描信号线gp连接，且配置为响应于第一栅极扫描信号线gp提供的数据写入控制信号将数据线vdata提供的数据信号写入驱动子电路1141的第一端。阈值补偿子电路1143与驱动子电路1141的控制端和第二端、第一电压线vdd以及第二栅极扫描信号线gn连接，且配置为响应于第二栅极扫描信号线gn提供的阈值补偿控制信号将第一电压线vdd写入的数据信号对驱动子电路1141进行补偿。第一复位子电路1144与驱动子电路1141的控制端、初始信号线vinit1和第三栅极扫描信号线rt连接，且配置为响应于第三栅极扫描信号线rt提供的第一复位控制信号将初始信号线vinit1提供的初始电压施加至驱动子电路1141的第二端。第二复位子电路1145与初始信号线vinit2和第一栅极扫描信号线gp和发光单元111的一端连接，且配置为响应于第一栅极扫描信号线gp提供的第二复位控制信号将初始信号线vinit2提供的初始电压通过第四节点s4施加至发光单元111的一端。发光单元111的另一端与第二电压线vss连接。第一发光控制子电路1146与第一电压线vdd、驱动子电路1141的第一端以及第四栅极扫描信号线e连接，且配置为响应于第四栅极扫描信号线e提供的发光控制信号将第一电压线vdd提供的第一电压施加至驱动子电路1141的第一端。第二发光控制子电路1147与驱动子电路1141的第二端、发光单元111的一端以及第四栅极扫描信号线e连接，且配置为响应于第四栅极扫描信号线e提供的发光控制信号，使驱动电流被施加至发光单元111的一端。
118.图8仅仅是本技术实施例的像素电路的示例，并不构成对像素电路的限制，在实际应用中，像素电路的结构也可以使其他的结构，本技术对此不做限制。
119.综上所述，在本技术实施例提供的显示基板中，子像素包括发光单元和驱动单元，驱动单元包括目标功能膜层，该显示基板的显示区域中包括目标显示区域，目标显示区域中的目标发光单元的目标驱动单元位于该显示基板的非显示区域中，并且目标发光单元与目标驱动单元通过目标连接结构电连接，目标连接结构中位于目标显示区域中的部分为透明结构，目标连接结构包括第一连接走线，第一连接走线与目标功能膜层同层同材料。由于
第一连接走线与目标功能膜层同层同材料，因此第一连接走线与目标功能膜层可以通过一次构图工艺制备，有助于减少制造显示基板的过程所需执行的构图工艺的次数，简化显示基板的制造过程，降低显示基板的制造成本。
120.请参考图9，其示出了本技术实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。该显示基板的制造方法可以用于制造如图2至图7任一所示的显示基板。参见图9，该方法可以包括如下步骤：
121.在步骤901中，提供衬底基板，该衬底基板具有显示区域和非显示区域，显示区域中包括目标显示区域。
122.其中，目标显示区域可以是显示基板中的屏下摄像头区域。
123.在步骤902中，在衬底基板上形成显示结构层，该显示结构层中包括多个子像素，每个子像素包括发光单元和驱动单元，发光单元位于显示区域中，驱动单元包括目标功能膜层。其中，位于目标显示区域中的发光单元为目标发光单元，该目标发光单元的目标驱动单元位于非显示区域中，该目标发光单元与该目标驱动单元通过目标连接结构电连接，该目标连接结构中位于目标显示区域中的部分为透明结构，该目标连接结构包括第一连接走线，该第一连接走线为透明走线，该第一连接走线与目标功能膜层同层同材料。
124.第一连接走线与目标功能膜层同层同材料指的是：该第一连接走线与该目标功能膜层分布在同一层，并且该第一连接走线的材料与该目标功能膜层的材料相同。该第一连接走线与该目标功能膜层可以通过一次构图工艺制备。
125.综上所述，本技术实施例提供的显示基板的制造方法，由于在该方法制造的显示基板中，子像素包括发光单元和驱动单元，驱动单元包括目标功能膜层，该显示基板的显示区域中包括目标显示区域，目标显示区域中的目标发光单元的目标驱动单元位于该显示基板的非显示区域中，并且目标发光单元与目标驱动单元通过目标连接结构电连接，目标连接结构中位于目标显示区域中的部分为透明结构，目标连接结构包括第一连接走线，第一连接走线与目标功能膜层同层同材料。由于第一连接走线与目标功能膜层同层同材料，因此第一连接走线与目标功能膜层可以通过一次构图工艺制备，有助于减少制造显示基板的过程所需执行的构图工艺的次数，简化显示基板的制造过程，降低显示基板的制造成本。
126.请参考图10，其示出了本技术实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图。图10以制造图4所示的显示基板为例说明。图2、图3以及图5至图7所示的显示基板的制造过程可以参考本实施例。参见图10，该方法包括如下步骤：
127.在步骤1001中，提供衬底基板，该衬底基板具有显示区域和非显示区域，显示区域中包括目标显示区域。
128.例如图2至图7所示，衬底基板10具有显示区域101和非显示区域102，非显示区域102围绕显示区域101分布，显示区域101中包括目标显示区域1011，并且目标显示区域1011靠近非显示区域102。其中，目标显示区域1011可以是屏下摄像头区域。衬底基板10可以是刚性基板，例如衬底基板10是玻璃基板，或者，衬底基板10可以是采用pi等柔性材料制成的柔性基板。
129.在步骤1002中，在衬底基板上依次形成阻挡层、第二缓冲层、多晶硅有源层、第二gi层、第一栅极、第二ild层、第二栅极、第三ild层和第一缓冲层。
130.请参考图11，其示出了本技术实施例提供一种在衬底基板10上依次形成阻挡层
13、第二缓冲层14、多晶硅有源层1122、第二gi层122、第一栅极1123、第二ild层123、第二栅极1124、第三ild层124和第一缓冲层117后的示意图。
131.其中，阻挡层13的材料可以是有机材料。第二缓冲层14、第二gi层122、第二ild层123、第三ild层124和第一缓冲层117的材料均可以是siox(氧化硅)、sinx(氮化硅)或sioxny(氮氧化硅)等无机材料。多晶硅有源层1122的材料可以是p-si。第一栅极1123的材料可以是金属材料。第二栅极1124的材料可以是遮光材料，例如，第二栅极1124的材料是金属材料。
132.示例的，首先，在显示基板10上沉积一层有机材料得到阻挡层13。然后，在阻挡层13远离衬底基板10的一侧沉积一层siox得到第二缓冲层14。接着，在第二缓冲层14远离衬底基板10的一侧形成多晶硅材质层，通过一次构图工艺对多晶硅材质层进行处理得到多晶硅有源层1122。之后，在多晶硅有源层1122远离衬底基板10的一侧沉积一层sinx得到第二gi层122。之后，在第二gi层122远离衬底基板10的一侧形成金属材质层，通过一次构图工艺对金属材质层进行处理得到第一栅极1123。之后，在第一栅极1123远离衬底基板10的一侧沉积一层sioxny得到第二ild层123。之后，在第二ild层123远离衬底基板10的一侧形成金属材质层，通过一次构图工艺对金属材质层进行处理得到第二栅极1124。之后，在第二栅极1124远离衬底基板10的一侧沉积一层sinx得到第三ild层124。最后，在第三ild层124在远离衬底基板10的一侧沉积一层siox材质层得到第一缓冲层117。
133.在步骤1003中，在第一缓冲层远离衬底基板的一侧形成目标功能膜层和第一连接走线。
134.请参考图12，其示出了本技术实施例提供一种在第一缓冲层117远离衬底基板10的一侧形成目标功能膜层1121和第一连接走线1131后的示意图。首先可以在第一缓冲层117远离衬底基板10的一侧形成功能材质层，然后对该功能材质层进行处理得到目标功能膜层1121和第一连接走线1131。其中，目标功能膜层1121可以是氧化物有源层，目标功能膜层1121的材料可以是igzo、itzo等半导体氧化物。目标功能膜层1121在衬底基板10上的正投影位于第二栅极1124在衬底基板10上正投影内。
135.在步骤1004中，在第一连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第一gi层、第三栅极、第一ild层和源漏极层。
136.请参考图13，其示出了本技术实施例提供一种在第一连接走线1131远离衬底基板10的一侧依次形成第一gi层116、第三栅极1125、第一ild层118和源漏极层后的示意图。源漏极层包括第一源极1126、第一漏极1127、第二源极1128和第二漏极1129。第一源极1126通过第二gi层122、第二ild层123、第三ild层124、第一缓冲层117、第一gi层116和第一ild层118中的一气贯通的第一过孔与多晶硅有源层1122电连接。第一漏极1127通过第二gi层122、第二ild层123、第三ild层124、第一缓冲层117、第一gi层116和第一ild层118中的一气贯通的第二过孔与多晶硅有源层1122电连接。第二源极1128通过第一gi层116和第一ild层118中的一气贯通的第三过孔与氧化物有源层(即目标功能膜层1121)电连接。第二漏极1129通过第一gi层116和第一ild层118中的一气贯通的第四过孔与氧化物有源层(即目标功能膜层1121)电连接。其中，多晶硅有源层1122、第一栅极1123、第一源极1126和第一漏极1127构成多晶硅tft，第二栅极1124、氧化物有源层(即目标功能膜层1121)、第三栅极1125、第二源极1128和第二漏极1129构成氧化物tft，第一源极1126与第二漏极1129电连接，使得
该多晶硅tft与该氧化物tft电连接构成ltpo tft(即驱动单元112)。
137.示例的，首先，在第一连接走线1131远离衬底基板10的一侧沉积一层sioxny得到第一gi层116。然后，在第一gi层116远离衬底基板10的一侧形成金属材质层，通过一次构图工艺对金属材质层进行处理得到第三栅极1125。接着，在第三栅极1125远离衬底基板10的一侧沉积一层sinx得到第一ild层118。之后，通过一次构图工艺在第二gi层122、第二ild层123、第三ild层124、第一缓冲层117、第一gi层116和第一ild层118中的一气贯通的第一过孔和第二过孔，在第一gi层116和第一ild层118中的一气贯通的第三过孔和第四过孔。最后，在第一ild层118远离衬底基板10的一侧形成金属材质层，通过一次构图工艺对金属材质层进行处理得到源漏极层。
138.在步骤1005中，在源漏极层远离衬底基板的一侧形成钝化层。其中，第一gi层、第一ild层和钝化层叠加构成层间结构层，该层间结构层中具有接触孔。
139.请参考图14，其示出了本技术实施例提供一种在源漏极层远离衬底基板10的一侧形成钝化层114后的示意图。第一gi层116、第一ild层118和钝化层114钝化层叠加构成层间结构层。该层间结构层中具有一气贯通的多个接触孔k，该多个接触孔k均匀分布在层间结构层的第一区域中，该第一区域与第一连接走线1131对应。
140.示例的，首先，在源漏极层远离衬底基板10的一侧沉积一层sinx得到钝化层114。然后，通过一次构图工艺在第一gi层116、第一ild层118和钝化层(即层间结构层)中形成一气贯通的多个接触孔k。
141.在步骤1006中，在层间结构层远离衬底基板的一侧形成目标膜层，该目标膜层通过接触孔与第一连接走线接触。
142.请参考图15，其示出了本技术实施例提供一种在层间结构层远离衬底基板10的一侧形成目标膜层后的示意图。图15以目标膜层是第一平坦层115为例说明。第一平坦层115通过层间结构层中的多个接触孔k与第一连接走线1131接触，以对第一连接走线1131进行导体化。如图15所示，第一平坦层115和钝化层114中具有一气贯通的第一连接孔g，第一平坦层115、钝化层114、第一ild层118和第一gi层116中具有一气贯通的第二连接孔n，并且第一平坦层115中具有第三连接孔h，第三连接孔h套接在层间结构层中的接触孔k中。
143.示例的，首先在钝化层114远离衬底基板10的一侧形成环氧树脂材质层作为第一平坦层115。然后通过一次构图工艺在第一平坦层115和钝化层114中形成一气贯通的第一连接孔g，在第一平坦层115、钝化层114、第一ild层118和第一gi层116形成一气贯通的第二连接孔n，并在第一平坦层115中形成第三连接孔h。
144.在步骤1007a中，在目标膜层远离衬底基板的一侧形成第二连接走线和第四连接走线，第二连接走线和第四连接走线位于同一层，第二连接走线位于非显示区域中，第四连接走线位于目标显示区域中，第二连接走线通过第一连接孔与第一漏极电连接，第二连接走线通过第二连接孔与第一连接走线电连接，第四连接走线通过第三连接孔与第一连接走线电连接。
145.请参考图16，其示出了本技术实施例提供一种在目标膜层(即第一平坦层115)远离衬底基板10的一侧形成第二连接走线1132和第四连接走线1134后的示意图。第二连接走线1132和第四连接走线1134位于同一层，第二连接走线1132位于非显示区域102中，第四连接走线1134位于目标显示区域1011中。第二连接走线1132通过第一连接孔g与目标驱动单
元112a的第一漏极1127电连接，并且第二连接走线1132通过第二连接孔n与第一连接走线1131电连接，第四连接走线1134通过第三连接孔h与第一连接走线1131电连接。如图16所示，在形成第二连接走线1132和第四连接走线1134的过程中，还在显示区域101中的非目标显示区域1012中形成用于连接该非目标显示区域1012中的驱动单元112与发光单元111的连接走线。
146.示例的，在目标膜层(即第一平坦层115)远离衬底基板10的一侧形成金属材质层，通过一次构图工艺对金属材质层进行处理得到第二连接走线1132和第四连接走线1134。
147.在步骤1008a中，在第二连接走线和第四连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第二平坦层和第三连接走线，第三连接走线为透明走线，第三连接走线位于目标显示区域中。
148.请参考图17，其示出了本技术实施例提供一种在第二连接走线1132和第四连接走线1134远离衬底基板10的一侧依次形成第二平坦层119和第三连接走线1133后的示意图。第三连接走线1133位于目标显示区域1011中。第二平坦层119上与第四连接线1134对应的区域中具有第四连接孔，第三连接走线1133通过该第四连接孔与第四连接线1134电连接。
149.示例的，首先，在第二连接走线1132和第四连接走线1134远离衬底基板10的一侧形成丙烯酸酯材质层，通过一次构图工艺对丙烯酸酯材质层进行处理得到第二平坦层119。然后，在第二平坦层119远离衬底基板10的一侧形成ito材质层，通过一次构图工艺对ito材质层进行处理得到第三连接走线1133。
150.在步骤1009a中，在第三连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第三平坦层和第五连接走线，第五连接走线为透明走线，第五连接走线位于目标显示区域中。
151.请参考图18，其示出了本技术实施例提供一种在第三连接走线1133远离衬底基板10的一侧依次形成第三平坦层120和第五连接走线1135后的示意图。第五连接走线1135为透明走线，第五连接走线1135位于目标显示区域1011中。第三平坦层120上与第四连接线1134对应的区域中具有第五连接孔，第五连接走线1135通过该第五连接孔与第三连接走线1133电连接。其中，第一连接走线1131、第二连接走线132、第三连接走线1133、第四连接走线1134和第五连接走线1135构成目标连接结构113。
152.示例的，首先，在第三连接走线1133远离衬底基板10的一侧形成环氧树脂材质层，通过一次构图工艺对环氧树脂材质层进行处理得到第三平坦层120。然后，在第三平坦层120远离衬底基板10的一侧形成ito材质层，通过一次构图工艺对ito材质层进行处理得到第五连接走线1135。
153.在步骤1010a中，在第五连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第四平坦层和发光单元。
154.在第五连接走线1135远离衬底基板10的一侧依次形成第四平坦层121和发光单元111后的示意图可以参考图4。发光单元111包括沿远离衬底基板10的方向依次形成的阳极1111、发光层1112和阴极1113。阳极1111在衬底基板10上的正投影覆盖第四连接走线1134在衬底基板10上的正投影。阳极1111通过贯穿第四平坦层121的阳极连接孔与第五连接走线1135电连接。
155.可选的，在第五连接走线1135远离衬底基板10的一侧依次形成第四平坦层121、阳极1111、像素定义层125、隔垫物层126、发光层1112和阴极1113，像素定义层125限定出多个
子像素区域，阳极1111、发光层1112和阴极1113叠加构成发光单元111，发光单元111位于子像素区域中。
156.示例的，首先，在第五连接走线1135远离衬底基板10的一侧形成丙烯酸酯材质层，通过一次构图工艺对丙烯酸酯材质层进行处理得到第四平坦层121。然后，在第四平坦层121远离衬底基板10的一侧形成金属材质层，通过一次构图工艺对金属材质层进行处理得到阳极1111。接着，在阳极1111远离衬底基板10的一侧形成sinx材质层，通过一次构图工艺对sinx材质层进行处理得到像素定义层125。之后，在像素定义层125远离衬底基板10的一侧形成一层siox材质层，通过一次构图工艺对siox材质层进行处理得到隔垫物层126。之后，在隔垫物层126远离衬底基板10的一侧形成发光层1112。最后，通在发光层1112远离衬底基板10的一侧形成阴极1113。
157.其中，在上述步骤1001至1010a中，形成材质层的工艺可以是沉积、磁控溅射、热蒸发等工艺，例如是等离子体增强化学气相沉积法(英文：plasma enhanced chemical vapor deposition；简称：pecvd)工艺。
158.综上所述，本技术实施例提供的显示基板的制造方法，由于在该方法制造的显示基板中，子像素包括发光单元和驱动单元，驱动单元包括目标功能膜层，该显示基板的显示区域中包括目标显示区域，目标显示区域中的目标发光单元的目标驱动单元位于该显示基板的非显示区域中，并且目标发光单元与目标驱动单元通过目标连接结构电连接，目标连接结构中位于目标显示区域中的部分为透明结构，目标连接结构包括第一连接走线，第一连接走线与目标功能膜层同层同材料。由于第一连接走线与目标功能膜层同层同材料，因此第一连接走线与目标功能膜层可以通过一次构图工艺制备，有助于减少制造显示基板的过程所需执行的构图工艺的次数，简化显示基板的制造过程，降低显示基板的制造成本。
159.需要说明的是，图10所示实施例以制造图4所示的显示基板为例说明。在制造图2、图3以及图5至图7所示的显示基板时，可以对上述图10所示实施例的步骤进行适应性调整。
160.作为本技术的一个示例，在制造图2所示的显示基板时，上述图10所示实施例中的步骤1007a和步骤1008a可以替换为下述步骤1007b和步骤1008b。
161.在步骤1007b中，在目标膜层远离衬底基板的一侧形成第二连接走线。
162.步骤1007b的实现过程可以参考步骤1007a，这里不做赘述。
163.在步骤1008b中，在第二连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第二平坦层和第三连接走线。
164.步骤1008b的实现过程可以参考步骤1008a。如图2所示，第三连接孔贯通第二平坦层119、第一平坦层115、钝化层114、第一ild层118和第一gi层116，第三连接走线1133通过第三连接孔与第一连接线1131电连接。
165.对于图2所示的显示基板，第一连接走线1131、第二连接走线1132、第三连接走线1133和第五连接走线1135构成目标连接结构113，目标连接结构113将目标发光单元111a与目标驱动单元112a电连接。
166.作为本技术的另一个示例，在制造图3、图6和图7所示的显示基板时，上述图10所示实施例中的步骤1007a至步骤1010a可以替换为下述步骤1007c至步骤1009c。
167.在步骤1007c中，在目标膜层远离衬底基板的一侧形成第二连接走线和第三连接走线，第二连接走线和第三连接走线位于同一层，第二连接走线位于非显示区域中，第三连
接走线为透明走线，第三连接走线位于目标显示区域中。
168.示例的，参考图3、图6或图7，首先，在目标膜层(即第一平坦层115)远离衬底基板10的一侧形成金属材质层，通过一次构图工艺对金属材质层进行处理得到第二连接走线1132。然后，在第一平坦层115远离衬底基板10的一侧形成ito材质层，通过一次构图工艺对进行处理得到第三连接走线1133。可选的，可以先在目标膜层(即第一平坦层115)远离衬底基板10的一侧形成ito材质层，通过一次构图工艺对ito材质层进行处理得到第三连接走线1133，然后在目标膜层(即第一平坦层115)远离衬底基板10的一侧形成金属材质层，通过一次构图工艺对金属材质层进行处理得到第二连接走线1132。本技术实施例对第二连接走线1132与第三连接走线1133形成的顺序不做限定。
169.在步骤1008c中，在第二连接走线和第三连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第二平坦层和第五连接走线，第五连接走线为透明走线，第五连接走线位于目标显示区域中。
170.步骤1008c的实现过程可以参考步骤1009a，这里不做赘述。
171.对于图3、图6和图7所示的显示基板，第一连接走线1131、第二连接走线1132、第三连接走线1133和第五连接走线1135构成目标连接结构，目标连接结构将目标发光单元111a与目标驱动单元112a电连接。
172.在步骤1009c中，在第五连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第四平坦层和发光单元。
173.步骤1008c的实现过程可以参考步骤1010a，这里不做赘述。
174.作为本技术的再一个示例，在制造图5所示的显示基板时，上述图10所示实施例中的步骤1007a至步骤1010a可以替换为下述步骤1007d和步骤1008d。
175.在步骤1007d中，在目标膜层远离衬底基板的一侧形成第二连接走线，第二连接走线位于非显示区域中。
176.步骤1007d的实现过程可以参考步骤1007a，这里不做赘述。
177.在步骤1008d中，在第二连接走线远离衬底基板的一侧依次形成第二平坦层和发光单元。
178.步骤1008d的实现过程可以参考步骤1010a，这里不做赘述。
179.如图5所示，阳极连接孔贯通第二平坦层119、第一平坦层115、钝化层114、第一ild层118和第一gi层116，目标发光单元111a的阳极1111通过该过阳极连接孔与第一连接线1131电连接。对于图5所示的显示基板，第一连接走线1131和第二连接走线1132构成目标连接结构113。
180.需要说明的是，本技术实施例所涉及的一次构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，通过一次构图工艺对材质层(例如igzo材质层)进行处理包括：在材质层(例如igzo材质层)上涂覆一层光刻胶形成光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使得光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对材质层(例如igzo材质层)上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，最后剥离非曝光区的光刻胶得到相应的结构(例如第一连接走线1131)。此处以光刻胶为正性光刻胶为例进行说明的，当光刻胶为负性光刻胶时，一次构图工艺的过程可以参考本段的描述，本技术实施例在此不再赘述。
181.本技术实施例提供的显示基板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本技术的保护范围之内，因此不再赘述。
182.本技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括壳体、摄像头和上述实施例提供的显示基板。摄像头设置在壳体与显示基板之间，摄像头在显示基板上的正投影位于显示基板的目标显示区域中。
183.可选的，该显示装置可以为智能手机、平板电脑、智能手环、智能手表、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
184.在本技术中，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“至少一个”指一个或多个，“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定，术语“至少一种”与此同理。术语“电连接”指连接并且可以传输电荷，而不限定必须有电荷传输，例如a和b电连接指a和b连接且a和b之间可以传输电荷，不限定a和b之间一定有电荷传输。
185.需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。
186.以上所述仅为本技术的示例性实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。