技术特征：
1.一种具有p-型掺杂导电高分子涂层的正极材料的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：a)按一定配比将过渡金属卤化物、导电高分子加入n-甲基吡咯烷酮中，超声，使其均一分散，形成混合物a；b)将正极材料加入去离子水中，进行机械搅拌使其形成均一的混合物b；c)在不断搅拌的情况下，将混合物a加入混合物b中继续搅拌；d)重复水洗、抽滤，热处理得到具有p-型掺杂导电高分子涂层的正极材料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡金属卤化物为p型掺杂剂，选自nbf5、taf5、mof5、wf5、ruf5、ptcl4、ticl4中的一种或几种。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电高分子选自聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚亚苯基、聚苯乙炔、聚苯胺中的一种或几种。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正极材料选自镍钴锰酸锂(ncm)、镍钴锰酸铝(nca)、层状镍锰酸锂(lnmo)、镍酸锂(lno)中的任意一种。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述导电高分子与所述n-甲基吡咯烷酮的质量比为(2.0-8.0)：1；所述导电高分子与所述正极材料的质量比为(0.001-0.1)：1；所述过渡金属元素与所述正极材料的质量比为(0.0005-0.01)：1。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述正极材料：(n-甲基吡咯烷酮+去离子水)的质量比为(0.6-2.0)：1。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中超声时间为30-60min。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中搅拌线速度为1.50-1.80m/s，搅拌时间为10min-30min；所述步骤c)搅拌线速度为1.50-1.80m/s，搅拌时间为30min-60min。9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，热处理温度为200-320℃，热处理时间为2-5h。10.根据权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到的具有p-型掺杂导电高分子涂层的正极材料。
技术总结
本发明公开了一种具有p-型掺杂导电高分子涂层的正极材料及其制备方法，该制备方法包含以下步骤：a)按一定配比将过渡金属卤化物、导电高分子加入N-甲基吡咯烷酮中，超声，使其均一分散，形成混合物A；b)将正极材料加入去离子水中，进行机械搅拌使其形成均一的混合物B；c)在不断搅拌的情况下，将混合物A加入混合物B中继续搅拌；重复水洗、抽滤，热处理得到具有p-型掺杂导电高分子涂层的正极材料。这种涂层既有导电高分子的高电导率，又有过渡金属元素的优异的电性能，同时作为物理屏障阻隔正极材料与电解液接触，抑制副反应。该方法过程工艺简单，改性后的正极材料循环稳定性和倍率性能优异。异。异。
技术研发人员：李文娟 方胜庭 田新勇 高彦宾
受保护的技术使用者：陕西红马科技有限公司
技术研发日：2021.10.22
技术公布日：2022/2/6