技术特征：
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；介质层，位于所述衬底层的第二表面上；焊垫，位于所述焊垫区域上方的介质层表面；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述焊垫下方的衬底层被所述隔离结构包围，以用于隔离所述焊垫下方的衬底层与所述隔离结构外围的衬底层。2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构位于所述焊垫区域。3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第一基底还包括所述焊垫区域外的器件区域。4.根据权利要求3所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构位于所述器件区域。5.根据权利要求3所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构位于所述焊垫区域与所述器件区域的交界处。6.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构还贯穿所述介质层。7.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：第一接触部，所述第一接触部贯穿所述介质层和焊垫区域的衬底层；所述焊垫连接至所述第一接触部。8.根据权利要求7所述的存储器结构，其特征在于，所述第一接触部包括金属柱以及位于所述金属柱侧壁表面的绝缘侧墙。9.根据权利要求7所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构的特征尺寸小于所述第一接触部的特征尺寸。10.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述焊垫在衬底层上的投影与所述隔离结构之间的最小距离为0.5μm。11.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述隔离结构包括两个以上套嵌设置的隔离环。12.根据权利要求11所述的存储器结构，其特征在于，相邻隔离环之间的距离为0.8μm～1.2μm。13.根据权利要求7所述的存储器结构，其特征在于，所述存储层内形成有第二接触部，所述第一接触部连接至所述第二接触部。14.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：第二基底，所述第二基底内形成有外围电路；所述第二基底键合于所述存储层表面，所述存储层内形成有存储单元和连接所述存储单元的存储电路结构，所述第二基底内的外围电路与所述存储层内的存储电路结构之间形成电连接。15.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，包括衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；在所述衬底层的第二表面形成介质层；形成贯穿所述衬底层的隔离结构；在所述焊垫区域上方的介质层表面形成焊垫，位于所述焊垫下方的衬底层被所述隔离结构包围，以用于隔离所述焊垫下方的衬底层与所述隔离结构外围的衬底层。
16.根据权利要求15所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在所述衬底层的第二表面形成所述介质层之前，形成贯穿所述衬底层的隔离结构，形成贯穿所述衬底层的隔离结构的方法包括：形成贯穿所述衬底层的隔离沟槽，所述隔离沟槽包围待形成的焊垫下方的衬底层；形成填充满所述隔离沟槽的隔离材料。17.根据权利要求15所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成贯穿所述介质层和焊垫区域的衬底层的第一接触部；所述焊垫连接至所述第一接触部。18.根据权利要求17所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述第一接触部和隔离结构的形成方法包括：刻蚀所述介质层至所述衬底层，在所述介质层内形成第一开口和第二开口；沿所述第一开口和所述第二开口同时刻蚀所述衬底层，分别形成贯穿所述衬底层的隔离沟槽和接触孔；形成填充满所述隔离沟槽、第一开口以及覆盖所述接触孔和第二开口内壁表面的绝缘材料层；去除位于所述接触孔底部的绝缘材料层；形成填充满所述接触孔和第二开口的金属材料层，并以所述介质层为停止层进行平坦化处理。19.根据权利要求17所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述存储层内形成有贯穿所述存储层的第二接触部，所述第一接触部连接至所述第二接触部。20.根据权利要求17所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的特征尺寸小于所述第一接触部的特征尺寸。21.根据权利要求15所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述焊垫在衬底层上的投影与所述隔离结构之间的最小距离为0.5μm。22.根据权利要求15所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构包括两个以上套嵌设置的隔离环。23.根据权利要求22所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，相邻隔离环之间的距离为0.8μm～1.2μm。24.根据权利要求15所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述第一基底的存储层表面还键合有第二基底；所述存储层内形成有存储单元和连接所述存储单元的存储电路结构，所述第二基底内的外围电路与所述存储层内的存储电路结构之间形成电连接。
技术总结
本发明涉及一种存储器结构及其形成方法，所述存储器结构包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；介质层，位于所述衬底层的第二表面上；焊垫，位于所述焊垫区域上的介质层表面；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述焊垫下方的衬底层被所述隔离结构包围，以用于隔离所述焊垫下方的衬底层与所述隔离结构外围的衬底层。本发明的存储器结构中焊垫与衬底层之间的寄生电容被减小，有利于提高存储器性能。高存储器性能。高存储器性能。
技术研发人员：陈赫 董金文 朱继锋 华子群 肖亮 王永庆
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.08.03
技术公布日：2022/2/23