技术特征：
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体基底，具有第一侧和与所述第一侧背对的第二侧；多个光电区域，沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在所述半导体基底中；以及分隔结构，设置在所述半导体基底中以分隔所述多个光电区域，其中，所述分隔结构包括下分隔结构和上分隔结构，所述下分隔结构设置在所述半导体基底的所述第一侧处，所述上分隔结构设置在所述半导体基底的所述第二侧处，并且其中，所述上分隔结构的下端与所述下分隔结构的上端之间的高度差比所述下分隔结构的宽度大。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述下分隔结构的下端与所述下分隔结构的所述上端之间的长度比所述上分隔结构的所述下端与所述上分隔结构的上端之间的长度大。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，在所述分隔结构的至少一部分中，所述下分隔结构的两个横向表面之间的第一竖直中心轴不与所述上分隔结构的两个横向表面之间的第二竖直中心轴竖直地对准。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在所述第一方向上延伸的线性部分，并且其中，在所述分隔结构的所述线性部分的在所述第一方向上的剖面结构中，所述下分隔结构的上表面包括多个第一部分，所述多个第一部分具有凹形形状。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述多个第一部分中的至少一个形成在所述下分隔结构的所述上表面的具有不同倾斜角的第一倾斜表面和第二倾斜表面彼此交会的位置处。6.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，在所述分隔结构的所述线性部分的在所述第一方向上的所述剖面结构中，所述下分隔结构的所述上表面在所述多个第一部分之中的彼此相邻的一对第一部分之间包括具有凸形形状的第二部分，并且其中，所述多个第一部分各自设置在所述多个光电区域之中的在所述第二方向上彼此相邻的光电区域之间。7.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述下分隔结构与所述上分隔结构接触。8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中，所述分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在所述第二方向上延伸的线性部分，其中，在所述分隔结构的所述线性部分的在所述第一方向上的剖面结构中，所述上分隔结构包括与所述下分隔结构竖直地叠置的部分和不与所述下分隔结构竖直地叠置的下延伸部分，所述下延伸部分在面对所述半导体基底的所述第一侧的方向上延伸，并且其中，所述上分隔结构的所述下端是所述上分隔结构的所述下延伸部分的下端。9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述上分隔结构的所述下延伸部分的所述下端与所述下分隔结构的与所述上分隔结构叠置的横向表面间隔开。10.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述上分隔结构的横向表面具有第一倾斜角，并且所述下分隔结构的横向表面具有比第一倾斜角更陡峭的第二倾斜角。11.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述分隔结构包括位于所述多个光电区
域之间且在所述第二方向上延伸的线性部分，其中，在所述分隔结构的所述线性部分的在所述第一方向上的剖面结构中，所述上分隔结构具有彼此背对的第一横向表面和第二横向表面，并且其中，所述上分隔结构的所述第一横向表面与所述下分隔结构叠置，所述上分隔结构的所述第二横向表面不与所述下分隔结构叠置。12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，所述上分隔结构的所述第二横向表面包括具有第一倾斜角的第一部分、具有第二倾斜角的第二部分以及设置在所述第一部分与所述第二部分之间的弯曲部分。13.根据权利要求12所述的图像传感器，其中，在所述上分隔结构的所述第二横向表面上，所述弯曲部分位于在所述上分隔结构的所述下端与所述下分隔结构的所述上端之间的高度水平上。14.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述下分隔结构与所述上分隔结构间隔开。15.根据权利要求3所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：隔离层，从所述半导体基底的所述第一侧延伸到所述半导体基底中；以及分隔沟槽，设置在所述半导体基底中，其中，所述分隔沟槽包括下分隔沟槽和上分隔沟槽，所述下分隔沟槽在从所述半导体基底的与所述隔离层接触的表面朝向所述半导体基底的所述第二侧的方向上延伸，所述上分隔沟槽从所述半导体基底的所述第二侧朝向所述半导体基底的所述第一侧延伸，所述下分隔结构设置在所述下分隔沟槽中，并且所述上分隔结构设置在所述上分隔沟槽中。16.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述下分隔结构包括下材料图案和下材料层，所述下材料层置于所述下材料图案与所述半导体基底之间，其中，所述下材料图案包括多晶硅材料，所述下材料层包括绝缘材料。17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述上分隔结构与所述下材料图案接触。18.一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体基底，具有第一侧和与所述第一侧背对的第二侧；多个光电区域，在所述半导体基底的第一区域中沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在所述半导体基底中；以及第一分隔结构，在所述半导体基底的所述第一区域中设置在所述多个光电区域之间，其中，所述第一分隔结构包括下分隔结构和上分隔结构，所述下分隔结构设置在所述半导体基底的所述第一侧处，所述上分隔结构设置在所述半导体基底的所述第二侧处，其中，所述第一分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在所述第一方向上延伸的线性部分，并且其中，在所述第一分隔结构的所述线性部分的在所述第一方向上的剖面结构中，所述下分隔结构的上表面和所述上分隔结构的下表面中的至少一个具有波状形状。19.根据权利要求18所述的图像传感器，其中，所述下分隔结构与所述上分隔结构接触，
其中，所述下分隔结构的两个横向表面之间的第一竖直中心轴不与所述上分隔结构的两个横向表面之间的第二竖直中心轴竖直地对准。20.根据权利要求18所述的图像传感器，其中，当基于穿过所述半导体基底的所述第一侧与所述半导体基底的所述第二侧之间的中心部分的水平中心轴观看时，所述下分隔结构的所述上表面和所述上分隔结构的所述下表面位于在所述水平中心轴与所述半导体基底的所述第二侧之间的高度水平上。21.一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一芯片结构，包括下基底、下布线结构和下绝缘层，所述下布线结构设置在所述下基底上方，所述下绝缘层设置在所述下基底上方并覆盖所述下布线结构；以及第二芯片结构，设置在所述第一芯片结构上方，其中，所述第二芯片结构包括：半导体基底，具有与所述第一芯片结构相对的第一侧和与所述第一侧背对的第二侧；多个光电区域，沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在所述半导体基底的第一区域中；第一参考区域和第二参考区域，设置在所述半导体基底的第二区域中，并且彼此间隔开；背侧绝缘层，设置在所述半导体基底的所述第二侧上方；滤色器，设置在所述背侧绝缘层上方，并且与所述多个光电区域叠置；微透镜，设置在所述滤色器上方；阻光图案，设置在所述背侧绝缘层上方，并且与所述第一参考区域和所述第二参考区域叠置；第一分隔结构，设置在所述半导体基底的所述第一区域中，并且围绕所述多个光电区域中的每个；第二分隔结构，设置在所述半导体基底的所述第二区域中，并且围绕所述第一参考区域和所述第二参考区域中的每个；以及上布线结构和上绝缘层，设置在所述半导体基底的所述第一侧与所述第一芯片结构之间，其中，所述第一分隔结构和所述第二分隔结构中的每个包括下分隔结构和设置在所述下分隔结构上方的上分隔结构，其中，所述第一分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在所述第一方向上延伸的线性部分，并且其中，在所述第一分隔结构的所述线性部分的在所述第一方向上的剖面结构中，所述下分隔结构的上表面和所述上分隔结构的下表面中的至少一个沿所述第一方向重复地布置，并且包括具有不同倾斜角的第一倾斜表面和第二倾斜表面。22.根据权利要求21所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：第一通孔，穿过所述背侧绝缘层和所述半导体基底，并且在向下的方向上延伸以暴露所述上布线结构的一部分和所述下布线结构的一部分；第二通孔，穿过所述背侧绝缘层和所述半导体基底，并且在向下的方向上延伸以暴露所述下布线结构的一部分；
第一连接导电层，设置在所述第一通孔中，并且电连接到所述上布线结构和所述下布线结构；第二连接导电层，设置在所述第一通孔中，并且电连接到所述下布线结构；以及输入/输出垫，包括从所述第二连接导电层延伸的垫导电层和设置在所述垫导电层上方的导电图案，其中，所述阻光图案包括阻光导电层和设置在所述阻光导电层上方的阻光滤色器层，其中，所述第一连接导电层、所述第二连接导电层和所述阻光导电层包括相同的导电材料层，其中，所述阻光滤色器层包括蓝色滤色器层，其中，所述第一参考区域和所述多个光电区域包括光电二极管，并且其中，所述第二参考区域不包括所述光电二极管。
技术总结
提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，具有彼此背对的第一侧和第二侧；多个光电区域，在半导体基底的第一区域中沿彼此垂直的第一方向和第二方向布置在半导体基底中；以及第一分隔结构，在半导体基底的第一区域中设置在所述多个光电区域之间。第一分隔结构包括下分隔结构和设置在下分隔结构上方的上分隔结构，第一分隔结构包括位于所述多个光电区域之间且在第一方向上延伸的线性部分，其中，在第一分隔结构的线性部分的在第一方向上的剖面结构中，下分隔结构的上表面和上分隔结构的下表面中的至少一个具有波状形状。状。状。
技术研发人员：姜栋薰 吴光永 张锺光 金振泳 李泰宪
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.11.05
技术公布日：2022/5/10