一种发光二极管的外延结构及其制备方法、LED芯片与流程

一种发光二极管的外延结构及其制备方法、led芯片
技术领域
1.本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种发光二极管的外延结构及其制备方法、led芯片。


背景技术：

2.发光二极管(light emitting diode，led)是一种能发光的半导体电子元件。氮化镓(gan)具有良好的热导性能，同时具有耐高温、耐酸碱、高硬度等优良特性，使gan基led受到越来越多的关注和研究。
3.外延片是led制备过程中的初级成品。现有的外延片包括衬底、第一型半导体层、有源层和第二半导体层，第一型半导体层、有源层和第二半导体层依次层叠在衬底上。第一型半导体层用于提供进行复合发光的空穴或电子，第二型半导体层用于提供进行复合发光的电子或空穴，有源层用于进行电子和空穴的辐射复合发光，衬底用于为外延材料提供生长表面。
4.现有的gan基led外延片，通常会在衬底的表面形成阵列布置的多个凸起，一方面可以改变光线的出射角，提高光的提取效率；另一方面可以缓解衬底材料(如碳化硅、蓝宝石、硅等)与氮化镓晶格常数的差异而产生的应力和缺陷，提升外延片整体的晶体质量，增加有源层的辐射复合发光，提高 led的发光效率。但是阵列布置多个凸起的图形化衬底对衬底材料和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷作用有限，led的发光效率还有待提升。
5.有鉴于此，本发明人专门设计了一种发光二极管的外延结构及其制备方法、led芯片，本案由此产生。


技术实现要素：

6.本发明的目的在于提供一种发光二极管的外延结构及其制备方法、led 芯片，可以增大图形化衬底的反射出光率，最终提高led芯片的发光效率。
7.为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
8.一种发光二极管的外延结构，包括：
9.图形化衬底，所述图形化衬底的表面具有多个凸起；
10.反射层，所述反射层设置于所述凸起的水平表面或侧壁；
11.非故意掺杂层，所述非故意掺杂层设置于所述反射层背离所述图形化衬底的一侧表面，且所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起及反射层；
12.发光结构，所述发光结构层叠于所述非故意掺杂层背离所述图形化衬底的一侧表面，且所述发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；所述第一方向垂直于所述图形化衬底，并由所述图形化衬底指向所述发光结构。
13.优选地，所述反射层对所述凸起表面的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值。
14.优选地，所述反射层包括单个或具有不同的折射率且交替地堆叠的多个介电层。
15.优选地，所述凸起包括台状凸起，所述反射层层叠于所述台状凸起的台面或侧壁；
且所述反射层对所述凸起台面的覆盖面积范围为5％-100％，包括端点值。
16.优选地，所述凸起与对应的所述反射层层构成一个锥状结构。
17.优选地，所述反射层从所述台状凸起的台面延伸至所述凸起的侧壁。
18.优选地，所述台状凸起包括圆台状凸起、椭圆台状凸起、多棱台状凸起中的一种或多种。
19.优选地，所述凸起包括锥状凸起，所述反射层附着于所述凸起的侧壁；且所述反射层对所述凸起侧壁的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值。
20.优选地，所述锥状凸起包括圆锥状凸起、椭圆锥状凸起、多棱锥状凸起中的一种或多种。
21.优选地，所述反射层包括sio2、sin、al2o3、mgf、aln、tio中的一种或多种。
22.优选地，在所述非故意掺杂层与所述反射层之间设有缓冲层，所述缓冲层至少覆盖所述反射层；且所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起、反射层及缓冲层。
23.本发明还提供了一种发光二极管的外延结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
24.s01、提供一图形化衬底，所述图形化衬底的表面具有多个凸起；
25.s02、形成反射层，所述反射层设置于所述凸起的表面；
26.s03、形成非故意掺杂层，所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起和反射层；
27.s04、生长发光结构，所述发光结构层叠于所述非故意掺杂层背离所述图形化衬底的一侧表面，且所述发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；所述第一方向垂直于所述图形化衬底，并由所述图形化衬底指向所述发光结构。
28.优选地，所述凸起包括台状凸起，所述反射层层叠于所述台状凸起的台面；且所述反射层对所述凸起台面的覆盖面积范围为5％-100％，包括端点值。
29.优选地，所述反射层从所述台状凸起的台面延伸至所述凸起的侧壁。
30.优选地，所述凸起包括锥状凸起，所述反射层附着于所述凸起的侧壁；且所述反射层对所述凸起侧壁的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值。
31.本发明还提供了一种led芯片，包括外延叠层、n型电极及p型电极，所述外延叠层包括上述任一项所述的发光二极管的外延结构。
32.经由上述的技术方案可知，本发明提供的发光二极管的外延结构及led 芯片，通过将衬底设置为表面具有多个凸起的图形化衬底，且在所述凸起的表面设有反射层；有利于增大衬底的反射出光率，从而进一步提高发光二极管led芯片的发光亮度。进一步地，所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起及反射层，且反射层对所述凸起表面的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值；在提高衬底的反射出光率的同时，可实现非故意掺杂层、反射层、图形化衬底三者之间的有效连接，保证其结构稳定性，从而降低衬底与外延结构之间的晶格失配，避免图形斜面对外延生长的不利影响，确保了外延结构生长的均匀性。
33.同时，所述反射层包括单个或具有不同的折射率且交替地堆叠的多个介电层，在后续发光结构的高温生长过程中，介电层可电离而放出电子的固有属性，从而有利于提高电子浓度，进而提升外延结构的发光亮度。
34.其次，通过：所述凸起包括台状凸起，所述反射层层叠于所述台状凸起的台面；且
所述反射层对所述凸起台面的覆盖面积范围为5％-100％，包括端点值；所述凸起与对应的所述反射层层构成一个锥状结构的设置。可通过在衬底上形成反射层后，同步刻蚀形成使凸起与反射层构成锥状结构，在提高衬底的反射出光率的同时，可减少刻蚀所需的时间。
35.然后，由于反射材料的应力大，通过：所述凸起包括锥状凸起，所述反射层附着于所述凸起的侧壁；且所述反射层对所述凸起侧壁的覆盖面积范围为5％-95％的设置。将所述反射层镀在所述凸起的侧壁，可增大所述反射层与衬底的接触面积，保证其结构稳定性，使所述反射层不易脱落。
36.本发明还提供了一种发光二极管的外延结构的制备方法，在实现上述发光二极管的外延结构及led芯片的有益效果的同时，其工艺制作简单便捷，便于生产化。
附图说明
37.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
38.图1为本发明实施例1所提供的发光二极管的外延结构的结构示意图；
39.图2为本发明实施例1所提供的发光二极管的外延结构的制备方法流程图；
40.图3为本发明实施例2所提供的发光二极管的外延结构的结构示意图；
41.图4为本发明实施例2所提供的发光二极管的外延结构的制备方法流程图；
42.图5为本发明实施例3所提供的发光二极管的外延结构的结构示意图；
43.图6为本发明实施例3所提供的发光二极管的外延结构的制备方法流程图；
44.图中符号说明：1、图形化衬底，1.1、凸起，2、缓冲层，3、反射层， 4、非掺杂层，5、第一型半导体层，6、有源区，7、第二型半导体层。
具体实施方式
45.为使本发明的内容更加清晰，下面结合附图对本发明的内容作进一步说明。本发明不局限于该具体实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
46.实施例1
47.如图1所示，一种发光二极管的外延结构，包括：
48.图形化衬底1，图形化衬底1的表面具有多个凸起1.1；
49.反射层3，反射层3设置于凸起1.1的水平表面或侧壁；
50.非故意掺杂层，非故意掺杂层设置于反射层3背离图形化衬底1的一侧表面，且非故意掺杂层覆盖各凸起1.1及反射层3；
51.发光结构，发光结构层叠于非故意掺杂层背离图形化衬底1的一侧表面，且发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层5、有源区6以及第二型半导体层7；第一方向垂直于图形化衬底1，并由图形化衬底1指向发光结构。
52.需要说明的是，衬底1的材料类型在本实施例中不受限制，例如，衬底 1可以是但不限于蓝宝石衬底1、硅衬底1等。另外，发光结构的第一型半导体层5、有源区6以及第二型
半导体层7的类型在本实施例中也可以不受限制，可以是但不限于氮化镓材料体系。
53.本发明实施例中，反射层3对凸起1.1表面的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值。
54.本发明实施例中，反射层3包括单个或具有不同的折射率且交替地堆叠的多个介电层。
55.本发明实施例中，凸起1.1包括台状凸起1.1，反射层3层叠于台状凸起1.1的台面；且反射层3对凸起1.1台面的覆盖面积范围为5％-100％，包括端点值。
56.本发明实施例中，凸起1.1与对应的反射层3层构成一个锥状结构。
57.本发明实施例中，台状凸起1.1包括圆台状凸起1.1、椭圆台状凸起1.1、多棱台状凸起1.1中的一种或多种。
58.本发明实施例中，反射层3包括sio2、sin、al2o3、mgf、aln、tio中的一种或多种。
59.本发明实施例中，在非故意掺杂层与反射层3之间设有缓冲层2，缓冲层2至少覆盖反射层3；且非故意掺杂层覆盖各凸起1.1、反射层3及缓冲层 2。
60.需要说明的是，如图所示，缓冲层2完全覆盖各反射层3及衬底1的裸露部；在本发明的其他实施例中，缓冲层2对覆盖范围可不受限制，只要满足其至少覆盖反射层3即可。
61.本发明还提供了一种发光二极管的外延结构的制备方法，如图2所示，制备方法包括如下步骤：
62.s01、提供一衬底1；
63.s02、在衬底1表面形成反射层3；
64.s03、对沉积有反射层3的衬底1进行匀胶、曝光、显影处理形成掩膜层；
65.s04、将形成有掩膜层的衬底1进行刻蚀，得到具有多个凸起1.1的图形化衬底1，且凸起1.1与反射层3构成锥状结构；
66.s05、在图形化衬底1上生长缓冲层2，缓冲层2至少覆盖反射层3；
67.需要说明的是，如图所示，缓冲层2完全覆盖各反射层3及衬底1的裸露部；在本发明的其他实施例中，缓冲层2对覆盖范围可不受限制，只要满足其至少覆盖反射层3即可。
68.s06、形成非故意掺杂层，非故意掺杂层覆盖各凸起1.1和反射层3；
69.s07、生长发光结构，发光结构层叠于非故意掺杂层背离图形化衬底1 的一侧表面，且发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层5、有源区6以及第二型半导体层7；第一方向垂直于图形化衬底1，并由图形化衬底1指向发光结构。
70.本发明实施例中，凸起1.1包括台状凸起1.1，反射层3层叠于台状凸起1.1的台面；且反射层3对凸起1.1台面的覆盖面积范围为5％-100％，包括端点值。
71.本发明还提供了一种led芯片，包括外延叠层、n型电极及p型电极，外延叠层包括上述任一项的发光二极管的外延结构。
72.经由上述的技术方案可知，本发明提供的发光二极管的外延结构及led 芯片，通过将衬底1设置为表面具有多个凸起1.1的图形化衬底1，且在凸起1.1的表面设有反射层3；有利于增大衬底1的反射出光率，从而进一步提高发光二极管led芯片的发光亮度。进一步地，非故意掺杂层覆盖各凸起 1.1及反射层3，且反射层3对凸起1.1表面的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值；在提高衬底1的反射出光率的同时，可实现非故意掺杂层、反射层3、图形化衬底1三者之间的有效连接，保证其结构稳定性，从而降低衬底1与外延结构之间的
晶格失配，避免图形斜面对外延生长的不利影响，确保了外延结构生长的均匀性。同时，反射层3包括单个或具有不同的折射率且交替地堆叠的多个介电层，在后续发光结构的高温生长过程中，介电层可电离而放出电子的固有属性，从而有利于提高电子浓度，进而提升外延结构的发光亮度。
73.其次，通过：凸起1.1包括台状凸起1.1，反射层3层叠于台状凸起1.1 的台面；且反射层3对凸起1.1台面的覆盖面积范围为5％-100％，包括端点值；凸起1.1与对应的反射层3层构成一个锥状结构的设置。可通过在衬底 1上形成反射层3后，同步刻蚀形成使凸起1.1与反射层3构成锥状结构，在提高衬底1的反射出光率的同时，可减少刻蚀所需的时间。
74.本发明还提供了一种发光二极管的外延结构的制备方法，在实现上述发光二极管的外延结构及led芯片的有益效果的同时，其工艺制作简单便捷，便于生产化。
75.实施例2
76.如图3所示，一种发光二极管的外延结构，包括：
77.图形化衬底1，图形化衬底1的表面具有多个凸起1.1；
78.反射层3，反射层3设置于凸起1.1的水平表面或侧壁；
79.非故意掺杂层，非故意掺杂层设置于反射层3背离图形化衬底1的一侧表面，且非故意掺杂层覆盖各凸起1.1及反射层3；
80.发光结构，发光结构层叠于非故意掺杂层背离图形化衬底1的一侧表面，且发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层5、有源区6以及第二型半导体层7；第一方向垂直于图形化衬底1，并由图形化衬底1指向发光结构。
81.需要说明的是，衬底1的材料类型在本实施例中不受限制，例如，衬底 1可以是但不限于蓝宝石衬底1、硅衬底1等。另外，发光结构的第一型半导体层5、有源区6以及第二型半导体层7的类型在本实施例中也可以不受限制，可以是但不限于氮化镓材料体系。
82.本发明实施例中，反射层3对凸起1.1表面的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值。
83.本发明实施例中，反射层3包括单个或具有不同的折射率且交替地堆叠的多个介电层。
84.本发明实施例中，凸起1.1包括台状凸起1.1，反射层3层叠于台状凸起1.1的侧壁；且反射层3对凸起1.1台面的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值。
85.本发明实施例中，台状凸起1.1包括圆台状凸起1.1、椭圆台状凸起1.1、多棱台状凸起1.1中的一种或多种。
86.本发明实施例中，反射层3包括sio2、sin、al2o3、mgf、aln、tio中的一种或多种。
87.本发明实施例中，在非故意掺杂层与反射层3之间设有缓冲层2，缓冲层2至少覆盖反射层3；且非故意掺杂层覆盖各凸起1.1、反射层3及缓冲层 2。
88.需要说明的是，如图所示，缓冲层2完全覆盖衬底1的裸露部；在本发明的其他实施例中，缓冲层2对覆盖范围可不受限制，只要满足其至少覆盖反射层3即可。
89.本发明还提供了一种发光二极管的外延结构的制备方法，如图4所示，制备方法包括如下步骤：
90.a01、提供一图形化衬底1，图形化衬底1的表面具有多个凸起1.1，且凸起1.1包括台状凸起1.1；
91.a02、在衬底1表面形成反射层3；
92.a03、对沉积有反射层3的衬底1进行匀胶、曝光、显影处理形成掩膜层；
93.a04、将形成有掩膜层的衬底1进行刻蚀，使反射层3仅保留于台状凸起 1.1的侧壁；
94.a05、在图形化衬底1上生长缓冲层2，缓冲层2至少覆盖反射层3；
95.需要说明的是，如图所示，缓冲层2完全覆盖各反射层3及衬底1的裸露部；在本发明的其他实施例中，缓冲层2对覆盖范围可不受限制，只要满足其至少覆盖反射层3即可。
96.a06、形成非故意掺杂层，非故意掺杂层覆盖各凸起1.1和反射层3；
97.a07、生长发光结构，发光结构层叠于非故意掺杂层背离图形化衬底1 的一侧表面，且发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层5、有源区6以及第二型半导体层7；第一方向垂直于图形化衬底1，并由图形化衬底1指向发光结构。
98.本发明实施例中，反射层3层叠于台状凸起1.1的侧壁；且反射层3对凸起1.1台面的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值。
99.本发明还提供了一种led芯片，包括外延叠层、n型电极及p型电极，外延叠层包括上述任一项的发光二极管的外延结构。
100.经由上述的技术方案可知，本发明提供的发光二极管的外延结构及led 芯片，通过将衬底1设置为表面具有多个凸起1.1的图形化衬底1，且在凸起1.1的表面设有反射层3；有利于增大衬底1的反射出光率，从而进一步提高发光二极管led芯片的发光亮度。进一步地，非故意掺杂层覆盖各凸起 1.1及反射层3，且反射层3对凸起1.1表面的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值；在提高衬底1的反射出光率的同时，可实现非故意掺杂层、反射层3、图形化衬底1三者之间的有效连接，保证其结构稳定性，从而降低衬底1与外延结构之间的晶格失配，避免图形斜面对外延生长的不利影响，确保了外延结构生长的均匀性。同时，反射层3包括单个或具有不同的折射率且交替地堆叠的多个介电层，在后续发光结构的高温生长过程中，介电层可电离而放出电子的固有属性，从而有利于提高电子浓度，进而提升外延结构的发光亮度。
101.然后，由于反射材料的应力大，通过：凸起1.1包括台状凸起1.1，反射层3附着于台状凸起1.1的侧壁；且反射层3对凸起1.1侧壁的覆盖面积范围为5％-95％的设置。将反射层3镀在凸起1.1的侧壁，可增大反射层3与衬底1的接触面积，保证其结构稳定性，使反射层3不易脱落。
102.本发明实施例还提供了一种发光二极管的外延结构的制备方法，在实现上述发光二极管的外延结构及led芯片的有益效果的同时，其工艺制作简单便捷，便于生产化。
103.实施例3
104.如图5所示，一种发光二极管的外延结构，包括：
105.图形化衬底1，图形化衬底1的表面具有多个凸起1.1，凸起1.1包括锥状凸起；
106.反射层3，反射层3设置于凸起1.1的水平表面或侧壁；
107.非故意掺杂层，非故意掺杂层设置于反射层3背离图形化衬底1的一侧表面，且非故意掺杂层覆盖各凸起1.1及反射层3；
108.发光结构，发光结构层叠于非故意掺杂层背离图形化衬底1的一侧表面，且发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层5、有源区6以及第二型半导体层7；第一
方向垂直于图形化衬底1，并由图形化衬底1指向发光结构。
109.需要说明的是，衬底1的材料类型在本实施例中不受限制，例如，衬底 1可以是但不限于蓝宝石衬底1、硅衬底1等。另外，发光结构的第一型半导体层5、有源区6以及第二型半导体层7的类型在本实施例中也可以不受限制，可以是但不限于氮化镓材料体系。
110.本发明实施例中，反射层3对凸起1.1表面的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值。
111.本发明实施例中，反射层3包括单个或具有不同的折射率且交替地堆叠的多个介电层。
112.本发明实施例中，凸起1.1包括锥状凸起1.1，反射层3附着于凸起1.1 的侧壁；且反射层3对凸起1.1侧壁的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值。
113.本发明实施例中，锥状凸起1.1包括圆锥状凸起1.1、椭圆锥状凸起1.1、多棱锥状凸起1.1中的一种或多种。
114.本发明实施例中，反射层3包括sio2、sin、al2o3、mgf、aln、tio中的一种或多种。
115.本发明实施例中，在非故意掺杂层与反射层3之间设有缓冲层2，缓冲层2至少覆盖反射层3；且非故意掺杂层覆盖各凸起1.1、反射层3及缓冲层 2。
116.需要说明的是，如图所示，缓冲层2完全覆盖各反射层3及衬底1的裸露部；在本发明的其他实施例中，缓冲层2对覆盖范围可不受限制，只要满足其至少覆盖反射层3即可。
117.本发明还提供了一种发光二极管的外延结构的制备方法，如图6所示，制备方法包括如下步骤：
118.s01、提供一图形化衬底1，图形化衬底1的表面具有多个凸起1.1，且凸起1.1包括锥状凸起1.1；
119.s02、在衬底1表面形成反射层3；
120.s03、对沉积有反射层3的衬底1进行匀胶、曝光、显影处理形成掩膜层；
121.s04、将形成有掩膜层的衬底1进行刻蚀，使反射层3仅保留于锥状凸起 1.1的侧壁；
122.s05、在图形化衬底1上生长缓冲层2，缓冲层2至少覆盖反射层3；
123.需要说明的是，如图所示，缓冲层2完全覆盖各反射层3及衬底1的裸露部；在本发明的其他实施例中，缓冲层2对覆盖范围可不受限制，只要满足其至少覆盖反射层3即可。
124.s06、形成非故意掺杂层，非故意掺杂层覆盖各凸起1.1和反射层3；
125.s07、生长发光结构，发光结构层叠于非故意掺杂层背离图形化衬底1 的一侧表面，且发光结构至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层5、有源区6以及第二型半导体层7；第一方向垂直于图形化衬底1，并由图形化衬底1指向发光结构。
126.本发明实施例中，反射层3附着于锥状凸起1.1的侧壁，且反射层3对凸起1.1侧壁的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值。
127.本发明还提供了一种led芯片，包括外延叠层、n型电极及p型电极，外延叠层包括上述任一项的发光二极管的外延结构。
128.经由上述的技术方案可知，本发明提供的发光二极管的外延结构及led 芯片，通过将衬底1设置为表面具有多个凸起1.1的图形化衬底1，且在凸起1.1的表面设有反射层3；有利于增大衬底1的反射出光率，从而进一步提高发光二极管led芯片的发光亮度。进一步
地，非故意掺杂层覆盖各凸起 1.1及反射层3，且反射层3对凸起1.1表面的覆盖面积范围为5％-95％，包括端点值；在提高衬底1的反射出光率的同时，可实现非故意掺杂层、反射层3、图形化衬底1三者之间的有效连接，保证其结构稳定性，从而降低衬底1与外延结构之间的晶格失配，避免图形斜面对外延生长的不利影响，确保了外延结构生长的均匀性。同时，反射层3包括单个或具有不同的折射率且交替地堆叠的多个介电层，在后续发光结构的高温生长过程中，介电层可电离而放出电子的固有属性，从而有利于提高电子浓度，进而提升外延结构的发光亮度。
129.然后，由于反射材料的应力大，通过：凸起1.1包括锥状凸起1.1，反射层3附着于锥状凸起1.1的侧壁；且反射层3对凸起1.1侧壁的覆盖面积范围为5％-95％的设置。将反射层3镀在凸起1.1的侧壁，可增大反射层3与衬底1的接触面积，保证其结构稳定性，使反射层3不易脱落。
130.本发明实施例还提供了一种发光二极管的外延结构的制备方法，在实现上述发光二极管的外延结构及led芯片的有益效果的同时，其工艺制作简单便捷，便于生产化。
131.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
132.还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
133.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。