一种应用于蚀刻机静电吸盘的控制方法及供电电源与流程

1.本发明涉及控制技术领域，特别涉及一种应用于蚀刻机静电吸盘的控制方法及供电电源。


背景技术：

2.目前，在现有技术中，静电吸盘吸附抓取物体时，只是对静电吸盘和被抓物体之间可能存在的摩擦力进行限制消除，从而保证静电吸盘在消除摩擦影响的情况下尽可能的达到最大吸附作用，这种技术存在通过静电吸盘吸附物体不精确的问题，例如在发明cn201510277990-一种控制静电吸盘吸力的方法中和[1]morita y,okumura n,nakanishi t.electrostatic chuck and the method of operating the same[j].us,1998.文献中，存在对晶圆的形变情况进行拟合以此再通过计算从而控制静电吸盘进行吸附操作，但是运用拟合的方法会差生误差，可能存在吸附力计算不准确的情况，因此在本发明中通过调控静电吸盘和晶圆的正负电荷含量值进行适配，同时消除温度对吸附力的影响，通过控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻作业，既可以使得控制静电吸盘的吸附力更精确，也可以保证吸附设备和操作人员的安全。


技术实现要素：

[0003]
本发明提供一种应用于蚀刻机静电吸盘的控制方法及供电电源，以解决上述背景技术出现的问题。
[0004]
本发明提供一种应用于蚀刻机静电吸盘的控制方法，包括：
[0005]
根据晶圆的额定规格数据，进行晶圆电荷检测演示操作，预估晶圆承载负电荷的阈值；
[0006]
基于所述阈值，检测晶圆实际负电荷含量值，通过电荷量分析计算，获取晶圆负电荷产生的吸附力数据；
[0007]
根据所述吸附力数据，提取吸附力控制参数，基于所述吸附力控制参对静电吸盘的正电荷含量值进行调控，获取调控结果；
[0008]
根据所述调控结果，将静电吸盘的正电荷量与晶圆的负电荷量进行等量匹配，控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻作业。
[0009]
作为本技术方案的一种实施例，所述根据晶圆的额定规格数据，进行晶圆电荷检测演示操作，预估晶圆承载负电荷的阈值，包括：
[0010]
基于晶圆的额定规格数据，获取晶圆的导电参数数据；
[0011]
根据所述导电参数数据，对通电电压和电流进行限制，获取晶圆变化的电场强度值；
[0012]
基于所述电场强度值生成静电力，检测所述静电力作用产生的负电荷；
[0013]
通过计算晶圆负电荷含量值，确定合理范围晶圆的静电吸附力值，并获取晶圆静电吸附数据；
[0014]
根据所述晶圆静电吸附数据进行条件限制，通过所述条件限制预估晶圆的负电荷承载阈值。
[0015]
作为本技术方案的一种实施例，所述通过对所述静电吸附力阈值进行条件限制，包括：
[0016]
根据获取的晶圆电场强度，对晶圆的静电力阈值进行预估，获取预估结果；
[0017]
根据所述预估结果，对晶圆的静电力阈值进行条件限制；
[0018]
基于所述条件限制，检测晶圆由静电力产生的负电荷含量值，当所述负电荷含量值超出预设晶圆最大承载值时，对晶圆进行断电处理，获取处理结果；
[0019]
根据所述处理结果，对晶圆静电力进行调控，将晶圆的负电荷含量值调整在预估阈值范围内；
[0020]
基于所述条件限制，当检测晶圆的负电荷含量值低于预设晶圆最小承载值时，对晶圆进行断电处理，获取处理结果；
[0021]
根据所述处理结果，对晶圆静电力进行调控，将晶圆的负电荷含量值调整在预估阈值范围内。
[0022]
作为本技术方案的一种实施例，基于所述阈值，检测晶圆实际负电荷含量值，通过电荷量分析计算，获取晶圆负电荷产生的吸附力数据，包括：
[0023]
基于获取的晶圆负电荷阈值，对晶圆进行通电实验，获取通电后晶圆的静电感应参数；
[0024]
通过所述静电感应参数，实时检测晶圆在不同时间段的负电荷含量值，并对所述负电荷含量值进行分析计算，获取计算结果；
[0025]
基于所述计算结果，提取电荷数据值，根据所述电荷数据值获取晶圆负电荷产生静电库仑力数据值；
[0026]
根据所述静电库仑力数据值，通过合力方程进行数据计算，获取晶圆负电荷产生的吸附力数据。
[0027]
作为本技术方案的一种实施例，所述实时检测晶圆在不同时间段的负电荷含量值，并对所述负电荷含量值进行分析计算，获取计算结果，包括：
[0028]
检测晶圆通电后不同时间段中负电荷的含量值，获取时间-负电荷含量对应数据值；
[0029]
根据固定时间段和对应时间段晶圆吸附的电荷量的数据值，生成电荷量随时间变化的曲线图；
[0030]
通过所述曲线图对晶圆的负电荷进行时间校验，获取电荷变化参数，并对所述电荷变化参数进行存储，获取存储数据；
[0031]
基于所述存储数据，进行晶圆负电荷含量值分析计算处理，获取计算结果；
[0032]
根据所述结果，获取晶圆负电荷产生的静电力数据。
[0033]
作为本技术方案的一种实施例，基于所述吸附力控制参对静电吸盘的正电荷含量值进行调控，获取调控结果，包括：
[0034]
根据晶圆负电荷产生的吸附力数据，提取吸附力控制参数；
[0035]
基于所述吸附力控制参数，对静电吸盘的正电荷进行调控处理，获取处理结果；
[0036]
根据所述处理结果，判断静电吸盘正电荷调控方式是否合理，获取判断结果；
[0037]
当所述判断结果为不合理时，切断静电吸盘电源，并进行告警显示；
[0038]
当所述判断结果为合理时，提取静电吸盘调控参数，并对所述静电吸盘调控参数进行数据存储；
[0039]
基于存储的数据，通过计算分析静电吸盘的正电荷产生的静电力，获取静电吸盘对应的吸附力值。
[0040]
作为本技术方案的一种实施例，所述进行告警显示，包括：
[0041]
告警显示分为调控异常告警、温度异常告警和漏电告警；
[0042]
当出现调控异常告警时，进行调控异常语音告警提示，并生成告警记录，将所述告警记录在数据库中进行存储；
[0043]
当出现温度异常告警时，进行温度异常led闪灯告警提示，并生成告警记录，将所述告警记录在数据库中进行存储；
[0044]
当出现漏电告警时，进行漏电语音告警和闪灯告警交替提示，并生成告警记录，将所述告警记录在数据库中进行存储。
[0045]
作为本技术方案的一种实施例，根据所述调控结果，将静电吸盘的正电荷量与晶圆的负电荷量进行等量匹配，控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻作业，包括：
[0046]
基于的获取静电吸盘吸附力和晶圆的吸附力，制定静电吸盘和晶圆吸附力控制规则；
[0047]
根据所述控制规则，对静电吸盘和晶圆进行吸附时的温度进行检测，并获取温度检测结果；
[0048]
基于所述温度检测结果，对静电吸盘和晶圆进行调控处理，消除温度误差对静电吸盘和晶圆吸附力的影响；
[0049]
通过对温度误差的消除，将静电吸盘的正电荷量与晶圆的负电荷量进行等量匹配，获取静电吸盘和晶圆准确的吸附力；
[0050]
根据所述吸附力，控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻作业。
[0051]
作为本技术方案的一种实施例，所述获取温度检测结果，包括：
[0052]
当所述检测结果显示为正常状态时，存储检测到的温度数据，并根据所述温度数据生成温度变化曲线；
[0053]
当所述检测结果显示为异常状态时，进行温度异常告警；
[0054]
基于所述温度异常报警，进行温度异常分析，制定温度异常解决方案；
[0055]
根据所述温度异常解决方案，对静电吸盘和晶圆进行降温绝缘处理，并获取处理结果；
[0056]
基于所述处理结果，进行处理结果反馈，获取反馈结果。
[0057]
作为本技术方案的一种实施例，所述供电电源包括稳压电源和变频电源组成；其中，
[0058]
所述稳压电源用于对静电吸盘进行电压输送，并对电压出现波动的状态时进行电压补偿输送；
[0059]
所述变频电源用于调整电路中的电压频率，根据静电吸盘与晶圆进行吸附时电压需求，通过变频电源对电路电压进行调控处理；
[0060]
基于所述调控处理，获取静电吸盘吸附晶圆进行蚀刻所需电压；
[0061]
将所述稳压电源和所述变频电源进行组合封装，生成静电吸盘的供电电源。
[0062]
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0063]
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
[0064]
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
[0065]
图1为本发明实施例中一种应用于蚀刻机静电吸盘的控制方法及供电电源流程图；
[0066]
图2为本发明实施例中一种应用于蚀刻机静电吸盘的控制方法及供电电源中静电吸盘外观图；
[0067]
图3为本发明实施例中一种应用于蚀刻机静电吸盘的控制方法及供电电源告警流程图。
具体实施方式
[0068]
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
[0069]
在图1中是通过对晶圆的负电荷进行检测，然后通过计算得出负电荷在晶圆上的吸附力值，在根据上述技术数据对静电吸盘也进行了计算，使得将静电吸盘上的正电荷含量与晶圆上的负电荷含量值进行适配，可以更精确是控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻工作；图2是静电吸盘的外观图，通过图2可以清楚直观的看出静电吸盘的外观模型，便于为之后的计算操作提供示例；图3是告警流程图，告警功能是现有技术中所没有涉及的，通过图3的流程操作可以在控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻的过程中如果出现异常情况，可以及时的进行报警提示。
[0070]
实施例1：
[0071]
根据图1所示，本发明实施例提供了一种应用于蚀刻机静电吸盘的控制方法，包括：
[0072]
根据晶圆的额定规格数据，进行晶圆电荷检测演示操作，预估晶圆承载负电荷的阈值；
[0073]
基于所述阈值，检测晶圆实际负电荷含量值，通过电荷量分析计算，获取晶圆负电荷产生的吸附力数据；
[0074]
根据所述吸附力数据，提取吸附力控制参数，基于所述吸附力控制参对静电吸盘的正电荷含量值进行调控，获取调控结果；
[0075]
根据所述调控结果，将静电吸盘的正电荷量与晶圆的负电荷量进行等量匹配，控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻作业；
[0076]
上述技术方案的工作原理为：在现有技术中，例如静电吸盘吸附抓取物体时，只是对静电吸盘和被抓物体之间可能存在的摩擦力进行限制消除，从而保证静电吸盘在消除摩
擦影响的情况下尽可能的达到最大吸附作用；而本技术主要是通过计算静电吸盘和晶圆在相互吸附作用的过程中电荷量的变化，从而生成变化的电场，然后产生静电力，调控静电吸盘的正电荷的含量和晶圆的负电荷的含量值相匹配，然后将二者进行吸附连接，根据吸附产生的吸附力控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻作用，这样就保证了吸附抓取任务的准确完成，也不会造成设备损坏；
[0077]
上述技术方案的有益效果为：对晶圆进行通电连接后，检测晶圆的负电荷含量阈值，然后根据这些阈值数据可以进行计算，便于掌握晶圆的吸附能力，这些数据对调控静电吸盘的正电荷含量值具有参考作用，从而可以更易掌握静电吸盘的执行操作方法。
[0078]
实施例2：
[0079]
在一个具体的实施例中，所述根据晶圆的额定规格数据，进行晶圆电荷检测演示操作，预估晶圆承载负电荷的阈值，包括：
[0080]
基于晶圆的额定规格数据，获取晶圆的导电参数数据；
[0081]
根据所述导电参数数据，对通电电压和电流进行限制，获取晶圆变化的电场强度值；
[0082]
基于所述电场强度值生成静电力，检测所述静电力作用产生的负电荷；
[0083]
通过计算晶圆负电荷含量值，确定合理范围晶圆的静电吸附力值，并获取晶圆静电吸附数据；
[0084]
根据所述晶圆静电吸附数据进行条件限制，通过所述条件限制预估晶圆的负电荷承载阈值；
[0085]
上述技术方案的工作原理为：在现有技术中，通过在晶圆工艺前，对晶圆设定初始吸力，然后在吸力的作用下，使得晶圆被静电吸盘吸附，然后在晶圆工艺过程中，对晶圆弯曲度的变化程度进行拟合工艺时间的函数，然后在根据的到函数进行计算，使得晶圆在工艺过程中保持刚好被静电吸盘吸附，此技术过于繁琐，且对晶圆的弯曲度进行拟合不是很准确的；但是本发明上述技术是通过在获取晶圆的导电参数后，根据参数进行通电电流和电压限制，然后对晶圆所产生的负电荷进行检测，对于检测到的电荷值进行计算，对晶圆的负电荷承载能力进行预估，判断使用的静电吸盘的吸附力能力大致范围，例如：计算晶圆的电荷量数据值，通过这些数据值可以对晶圆的吸附力进行限制，首先计算出晶圆上的吸附力值，然后在对吸附力进行优化计算，可以得到更精确的吸附力值，并对优化后的吸附力值进行条件限制，然后预估出晶圆的负电荷承载阈值；
[0086]
上述技术方案的有益效果为：根据得到晶圆的导电参数，然后在根据通电后检测由变化的电荷量引起的电场的变化，从而就可以通过计算获取晶圆的吸附力数据，通过对吸附力数据的计算可以为之后调控静电吸盘的吸附力提供数据基础。
[0087]
实施例3：
[0088]
在本发明的一个具体实施例中，通过对晶圆和静电吸盘的负电荷和正电荷进行适配吸附，需要通过电荷检测以及通过计算得出控制参数和调控参数，然后根据参数和存储的数据进行计算，先计算出晶圆的吸附力值，然后再根据晶圆的吸附力值对其的所能承载的负电荷值进行预估，然后根据预估得到的晶圆负电荷承载阈值对静电吸盘的电荷进行调控，设吸附力为f(x)，
[0089][0090]
其中，k为静电常数；q1为1号点电荷；q2为2号点电荷；r为q1和q2之间的距离；f
x
为电荷在晶圆上收到的合力；xe(i)为n个电荷中第i个电荷产生的电场强度；表示对第i个电荷的所收到的电场进行叠加；
[0091]
然后对吸附力进行优化计算：
[0092][0093]
x表示不同分力的取值；b表示最大分力取值；a表示最小分力取值；表示对合力中的分力进行积分计算，可以优化合力的值；
[0094]
通过对电荷受到的场强进行叠加计算可以获取电荷在晶圆上实际受到的电场的影响，然后通过计算得到晶圆的吸附力，然后对吸附力的优化值进行限制：
[0095][0096]fmin估
表示预估的最小吸附力；f
max估
表示预估的最大吸附力，通过对吸附力的限制可以保证在合理安全的吸附阈值内完成操作晶圆进行蚀刻工作，根据上式对吸附力的限制，可与预估出晶圆的负电荷承载阈值，通过上述技术方案，预估出晶圆的负电荷承载值可以作为调控静电吸盘正电荷与之适配的数据基础；
[0097]
实施例4：
[0098]
在一个具体的实施例中，所述通过对所述静电吸附力阈值进行条件限制，包括：
[0099]
根据获取的晶圆电场强度，对晶圆的静电力阈值进行预估，获取预估结果；
[0100]
根据所述预估结果，对晶圆的静电力阈值进行条件限制；
[0101]
基于所述条件限制，检测晶圆由静电力产生的负电荷含量值，当所述负电荷含量值超出预设晶圆最大承载值时，对晶圆进行断电处理，获取处理结果；
[0102]
根据所述处理结果，对晶圆静电力进行调控，将晶圆的负电荷含量值调整在预估阈值范围内；
[0103]
基于所述条件限制，当检测晶圆的负电荷含量值低于预设晶圆最小承载值时，对晶圆进行断电处理，获取处理结果；
[0104]
根据所述处理结果，对晶圆静电力进行调控，将晶圆的负电荷含量值调整在预估阈值范围内；
[0105]
上述技术方案的工作原理为：在现有技术中，没有涉及对静电吸盘吸附力的设置，因此在使用现有静电吸盘的过程中，可能会出现因超出静电吸盘的吸附能力后出现吸附物体脱离，可能会造成设备的损坏，在物体脱离后还可能对操作人员造成的伤害，因此现有静电吸盘技术存在缺陷；但是在本发明的相应技术就可以解决这一问题，本技术是通过对晶
圆的吸附力进行调整，使其吸附力达到合理的吸附阈值内，并且在调整晶圆的吸附力后，对其吸附力进行了限制，这样通过限制就可以确保精准的完成蚀刻作用；在本发明中条件限制就是对晶圆的静电力阈值的极限值进行限制，也就是晶圆中电荷的的最大承载值。
[0106]
上述技术方案的有益效果为：通过对晶圆的吸附力阈值进行条件限制，可以确保在超出或低于晶圆预估吸附范围时，避免造成设备损坏或人员受伤。
[0107]
实施例5：
[0108]
在一个具体的实施例中，基于所述阈值，检测晶圆实际负电荷含量值，通过电荷量分析计算，获取晶圆负电荷产生的吸附力数据，包括：
[0109]
基于获取的晶圆负电荷阈值，对晶圆进行通电实验，获取通电后晶圆的静电感应参数；
[0110]
通过所述静电感应参数，实时检测晶圆在不同时间段的负电荷含量值，并对所述负电荷含量值进行分析计算，获取计算结果；
[0111]
基于所述计算结果，提取电荷数据值，根据所述电荷数据值获取晶圆负电荷产生静电库仑力数据值；
[0112]
根据所述静电库仑力数据值，通过合力方程进行数据计算，获取晶圆负电荷产生的吸附力数据；
[0113]
上述技术方案的工作原理为：通过对现有技术的了解，可以看出现有的静电吸盘的技术是根据其横截面和吸盘材料的弹性模量的相互模拟计算来实现对设备的搬运；本发明的技术是通过库伦静电力的计算公式，计算出晶圆上负电荷产生的静电力，首先是对晶圆上的负电荷值进行检测，然后根据检测结果进行计算，通过合力方程得到晶圆吸附力数据值；
[0114]
上述技术方案的有益效果为：通过得到的晶圆的吸附数据，然后对晶圆在不同时间段对应的电荷量进行分析计算，这样细化了负电荷所得到的吸附力，然后在得出晶圆的吸附力值，这样就可以为静电吸盘的吸附力的计算提供了计算方法。
[0115]
实施例6：
[0116]
在一个具体的实施例中，所述实时检测晶圆在不同时间段的负电荷含量值，并对所述负电荷含量值进行分析计算，获取计算结果，包括：
[0117]
检测晶圆通电后不同时间段中负电荷的含量值，获取时间-负电荷含量对应数据值；
[0118]
根据固定时间段和对应时间段晶圆吸附的电荷量的数据值，生成电荷量随时间变化的曲线图；
[0119]
通过所述曲线图对晶圆的负电荷进行时间校验，获取电荷变化参数，并对所述电荷变化参数进行存储，获取存储数据；
[0120]
基于所述存储数据，进行晶圆负电荷含量值分析计算处理，获取计算结果；
[0121]
根据所述结果，获取晶圆负电荷产生的静电力数据。
[0122]
上述技术方案的工作原理为：通过对检测不同时间段中晶圆负电荷的变化值，然后根据时间和电荷量的变化值生成曲线记录，这样可以清楚直观的观察晶圆电荷的情况，避免重复检测的同时可以节省资源的浪费，然后对晶圆电荷量的进行校验，并对校验后的数据进行存储，然后根据存储的数据进行计算，因此获得计算的结果；
[0123]
上述技术方案的有益效果为：对晶圆不同时间段的电荷量进行实时检测是为了能够在得到电荷随时间变化的曲线图，通过直观的曲线图可以清楚明白的反映晶圆上负电荷量的变化，这样既可以节省时间消耗，还可以为之后的计算提供数据变化参考。
[0124]
实施例7：
[0125]
在一个具体的实施例中，基于所述吸附力控制参对静电吸盘的正电荷含量值进行调控，获取调控结果，包括：
[0126]
根据晶圆负电荷产生的吸附力数据，提取吸附力控制参数；
[0127]
基于所述吸附力控制参数，对静电吸盘的正电荷进行调控处理，获取处理结果；
[0128]
根据所述处理结果，判断静电吸盘正电荷调控方式是否合理，获取判断结果；
[0129]
当所述判断结果为不合理时，切断静电吸盘电源，并进行告警显示；
[0130]
当所述判断结果为合理时，提取静电吸盘调控参数，并对所述静电吸盘调控参数进行数据存储；
[0131]
基于存储的数据，通过计算分析静电吸盘的正电荷产生的静电力，获取静电吸盘对应的吸附力值；
[0132]
上述技术方案的工作原理为：在现有技术中，没有涉及根据晶圆的负电荷含量值对静电吸盘的正电荷含量值进行调控的技术，并且也没有在调控后进一步对调控方式进行合理性判断，这是现有技术所缺乏的特征，但是在本发明的技术中，是通过根据晶圆产生的负电荷的含量值作为之后吸附力的计算依据，然后根据计算得到的吸附力数据，从数据中提取晶圆控制参数，然后根据晶圆的控制参数对应调控静电吸盘的正电荷含量值，当调控操作合理时提取静电吸盘调控参数，然后对调控参数进行误差消除，通过消除误差影响，可以获得准确的调控参数，然后根据计算得到的调控参数进行数据存储，之后从存储的数据中再次进行分析计算，得到静电吸盘的吸附力，本技术方案既能在对消除；
[0133]
第上述技术方案的有益效果为：通过根据晶圆的控制参数，然后对静电吸盘的正电荷进行对应调控处理，然后计算提取静电吸盘的调控参数进行计算得到静电吸盘适配与晶圆的吸附力，这样操作可以使得控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻更加精确。
[0134]
实施例8：
[0135]
在一个具体的实施例中，在对静电吸盘的正电荷进行适配调控的时候，会对调控方式进行判断，然后根据判断结果进行处理，在判断结果为合理的时候提取调控参数，调控参数具体计算方式如下所示：
[0136][0137]
其中，r
(x)
表示调控参数；b
(x)
表示晶圆控制参数；γ
(x)
表示吸附力参量；x为晶圆控制总变量；xi为当共n个变量中第i个控制变量；表示对控制总变量与第i个控制变量的差进行求积运算；θ表示电荷作用量；δ表示静电吸盘吸附力参数；f(x)表示静电吸盘吸附力；
[0138]
根据计算得到的调控参数进行误差消除计算，对调控参数进行误差消除可以使得调控参数更加准确，然后根据调控参数对后续的静电吸盘上正电荷含量的计算具有精确调控作用，具体对调控参数消除误差如下所示：
[0139][0140]
其中，σ为误差因子；β
(0)
为静电吸盘调控过程的误差值；通过消除误差影响，可以获得准确的调控参数，然后根据计算得到的调控参数进行数据存储，之后从存储的数据中再次进行分析计算，得到静电吸盘的吸附力。
[0141]
实施例9：
[0142]
在一个具体的实施例中，所述进行告警显示，包括：
[0143]
告警显示分为调控异常告警、温度异常告警和漏电告警；
[0144]
当出现调控异常告警时，进行调控异常语音告警提示，并生成告警记录，将所述告警记录在数据库中进行存储；
[0145]
当出现温度异常告警时，进行温度异常led闪灯告警提示，并生成告警记录，将所述告警记录在数据库中进行存储；
[0146]
当出现漏电告警时，进行漏电语音告警和闪灯告警交替提示，并生成告警记录，将所述告警记录在数据库中进行存储；
[0147]
上述技术方案的工作原理为：在现有技术中静电吸盘没有涉及告警提示的方法，在静电吸盘出现故障的时候不能及时的发现问题，因此可能对静电吸盘以及其吸附抓取的设备造成损坏，从而造成资源的浪费；在本技术中通过对静电吸盘可能出现温度异常、漏电、调控异常的问题进行对应方式告警提示操作，既可以便于操作人员及时的发现问题，并对上述问题进行检测维修处理，不同的问题设置不同的告警提示方式可以便于操作人员对问题的分辨，从而尽可能的避免设备资源的损失，这是现有技术无法达到的风险预警；
[0148]
上述技术方案的有益效果为：告警显示可以及时的对静电吸盘控制的过程中出现的异常情况进行告警显示，以此能够尽快地对异常问题进行处理，减少因异常问题而造成设备损失。
[0149]
实施例10：
[0150]
在一个具体的实施例中，根据所述调控结果，将静电吸盘的正电荷量与晶圆的负电荷量进行等量匹配，控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻作业，包括：
[0151]
基于的获取静电吸盘吸附力和晶圆的吸附力，制定静电吸盘和晶圆吸附力控制规则；
[0152]
根据所述控制规则，对静电吸盘和晶圆进行吸附时的温度进行检测，并获取温度检测结果；
[0153]
基于所述温度检测结果，对静电吸盘和晶圆进行调控处理，消除温度误差对静电吸盘和晶圆吸附力的影响；
[0154]
通过对温度误差的消除，将静电吸盘的正电荷量与晶圆的负电荷量进行等量匹配，获取静电吸盘和晶圆准确的吸附力；
[0155]
根据所述吸附力，控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻作业；
[0156]
上述技术方案的工作原理为：现有技术是通过静电吸盘和直流电极进行组合连接并根据初始吸力和晶圆20工艺过程中产生的形变，通过计算克服晶圆20形变所需要的静电吸力，然后对吸力的方向进行判断，从而进行对静电吸盘的控制，此技术会因为对形变量的
不易获取，而造成对静电吸盘的控制不准确；然而在本技术中，通过制定静电吸盘和晶圆的吸附力规则，进一步的对静电吸盘的吸附力在吸附过程中的温度变化进行检测，根据对应的吸附力规则，消除因温度影响产生的吸附误差，从而控制静电吸盘操作晶圆完成蚀刻任务；
[0157]
上述技术方案的有益效果为：通过对因温度影响使得静电吸盘和晶圆之间的吸附力五误差进行消除，这样可以保证精确的的完成吸附蚀刻任务，也能保证控制静电吸盘和晶圆在作业的过程是安全的。
[0158]
实施例11：
[0159]
在一个具体的实施例中，所述获取温度检测结果，包括：
[0160]
当所述检测结果显示为正常状态时，存储检测到的温度数据，并根据所述温度数据生成温度变化曲线；
[0161]
当所述检测结果显示为异常状态时，进行温度异常告警；
[0162]
基于所述温度异常报警，进行温度异常分析，制定温度异常解决方案；
[0163]
根据所述温度异常解决方案，对静电吸盘和晶圆进行降温绝缘处理，并获取处理结果；
[0164]
基于所述处理结果，进行处理结果反馈，获取反馈结果；
[0165]
上述技术方案的工作原理为：本技术通过对静电吸盘和晶圆进行温度检测，可以快速的得出静电吸盘和晶圆在吸附的过程中温度的变化情况，例如根据得到的变化温度可以判断静电吸盘和晶圆是否在正常工作状态下进行工作，当检测到的温度高于正常状态时静电吸盘和晶圆的温度值，可以对静电吸盘和晶圆进行断电处理，检测造成温度异常的原因，并对这一问题进行处理，同时在检测到温度异常的同时发生告警提示，根据处理的结果进行反馈，便于后续对这一问题的处理进行意见参考；
[0166]
上述技术方案的有益效果为：在使用静电吸盘操作晶圆进行蚀刻的过程中对静电吸盘和晶圆的温度进行监测，由于静电吸盘和晶圆是通过电荷量的转移吸引作用产生的静电力，在产生电荷得过程中会发生能量转化产生热能，从而导致控制静电吸盘操作晶圆进行蚀刻的准确度收到温度的影响，因此对静电吸盘进行温度检测可以随时掌握静电吸盘的温度变化情况，根据所述变化情况及时的对温度进行调控处理，从而减少因温度过高造成的损失。
[0167]
实施例12：
[0168]
在一个具体的实施例中，所述供电电源包括稳压电源和变频电源组成；其中，
[0169]
所述稳压电源用于对静电吸盘进行电压输送，并对电压出现波动的状态时进行电压补偿输送；
[0170]
所述变频电源用于调整电路中的电压频率，根据静电吸盘与晶圆进行吸附时电压需求，通过变频电源对电路电压进行调控处理；
[0171]
基于所述调控处理，获取静电吸盘吸附晶圆进行蚀刻所需电压；
[0172]
将所述稳压电源和所述变频电源进行组合封装，生成静电吸盘的供电电源；
[0173]
上述技术方案的工作原理为：上述技术是通过将稳压电源和变频电源进行组合封装构成静电吸盘的供电电源，然后通过控制静电吸盘操作晶圆完成蚀刻工作；
[0174]
上述技术方案的有益效果为：在电力配置老化或者电路县衙不稳定的情况下，使
用稳压电源可以弥补因电压不稳定带来的资源浪费的问题，同时也防止了因电压不稳可能造成的安全事故的发生；变频电源是为静电吸盘和晶圆的吸附作用提供最合适的电压，保证静电吸盘和晶圆可以稳定的工作，提高了其工作效率。
[0175]
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。