半导体发光器件和光学组件的制作方法

文档序号:30089978发布日期:2022-05-18 08:31阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种半导体发光器件,包括:底座,底座的上表面具有导电图案;光调制器,其上电极在光调制器的顶面,下电极在光调制器的底面,其中下电极与所述导电图案相对并结合到所述导电图案;终端电阻器,其与光调制器并联;微带衬底,微带衬底的顶面具有单端传输线,其中单端传输线从微带衬底的第一端部延伸到第二端部,其中微带衬底在微带衬底的底面具有接地平面,接地平面与导电图案相对并结合到导电图案;和导线,其有一对端部,所述一对端部中的一个端部结合到所述光调制器的上电极,并且所述一对端部中的另一个端部结合到所述单端传输线的第二端部,其中:单端传输线包括第一部分和第二部分,其中,第二部分从第一部分延伸并且包括所述第二端部,并且其中,第二部分的特性阻抗低于第一部分,负载电路,其包括所述导线、光调制器和终端电阻器,所述负载电路电连接在第二端部和导电图案之间,并且,所述负载电路的特性阻抗等于或低于第二部分。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中:单端传输线包括连接到第一部分的外部连接部分,并且外部连接部分包括第一端部,并且微带衬底具有在微带衬底的顶面的一对接地导体,其中,所述一对接地导体将单端传输线的外部连接部分夹在中间,并且其中,微带衬底部分构成接地共面线。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件,还包括半导体激光器,其中,光调制器和半导体激光器二者单片集成在光半导体器件中。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述光调制器的顶面在高度上等于所述微带衬底的顶面。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述第一部分以均匀的宽度线性延伸。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述第二部分具有比所述第一部分宽的宽部。7.根据权利要求6所述的半导体发光器件,其中所述宽部具有逐渐增加的宽度。8.根据权利要求6所述的半导体发光器件,其中所述宽部包括所述第二端部。9.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中,所述第一端部和所述第二端部位于沿着所述单端传输线的长度方向的所述微带衬底的相应端部,并且在垂直于所述长度方向的宽度方向上彼此移位。10.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述第一端部位于沿着所述第一部分的长度方向的所述微带衬底的一对端部之一处,并且所述第二端部位于沿着垂直于长度方向的宽度方向的上述微带衬底的一对侧部之一。
11.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述第二部分包括曲线部分。12.根据权利要求11所述的半导体发光器件,其中,所述曲线部分沿着在一个方向上凸起的曲线延伸。13.根据权利要求11所述的半导体发光器件,其中,所述曲线部分沿着在多个方向上凸起的曲线延伸。14.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中,第一部分包括连接到第二部分的第一连接部分,并从第一连接部分沿第一方向延伸,第二部分包括连接到第一部分的第二连接部分,并从第二连接部分沿着与第一方向相交的第二方向延伸,并且第一连接部分和第二连接部分在第一方向上彼此相邻,并且在第二方向上彼此不相邻。15.根据权利要求14所述的半导体发光器件,其中所述单端传输线以直角弯曲。16.根据权利要求14所述的半导体发光器件,其中所述第二连接部分具有比所述第一连接部分窄的部分。17.一种光学组件,包括:半导体发光器件,其包括:底座,底座的上表面具有导电图案;光调制器,其上电极在光调制器的顶面,下电极在光调制器的底面,其中所述下电极与所述导电图案相对并结合到所述导电图案;终端电阻器,与光调制器并联;微带衬底,微带衬底的顶面具有单端传输线,其中,单端传输线从微带衬底的第一端部延伸到第二端部,其中,所述微带衬底在所述微带衬底的底面具有接地平面,并且,接地平面与导电图案相对并结合到导电图案;以及导线,其具有一对端部,所述一对端部中的一个端部结合到所述光调制器的上电极,并且所述一对端部中的另一个端部结合到所述单端传输线的第二端部,其中:单端传输线包括第一部分和第二部分,其中,所述第二部分从所述第一部分延伸并且包括所述第二端部,并且其中,所述第二部分的特性阻抗低于所述第一部分,负载电路,其包括导线、光调制器和终端电阻器,并电连接在第二端部和导电图案之间,并且,负载电路的特性阻抗等于或低于第二部分;和电连接器,其中,所述电连接器电连接到所述单端传输线的第一端部。

技术总结
一种半导体发光器件,包括在顶面上具有单端传输线的微带衬底,其中单端传输线从第一端部延伸到第二端部,微带衬底在底面上具有接地平面,并且接地平面与导电图案相对并结合。单端传输线包括第一部分和第二部分,其中第二部分从第一部分延伸并包括第二端部。第二部分的特性阻抗低于第一部分。包括导线、光调制器和终端电阻器的负载电路电连接在第二端部和导电图案之间。负载电路的特性阻抗等于或低于第二部分。二部分。二部分。


技术研发人员:足立光一朗
受保护的技术使用者:朗美通日本株式会社
技术研发日:2021.11.16
技术公布日:2022/5/17
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