显示面板、显示装置及薄膜晶体管的监控方法与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，具体而言，本技术涉及一种显示面板、显示装置及薄膜晶体管的监控方法。


背景技术：

2.tft(thin film transistor，薄膜晶体管)是显示面板技术中的重要器件，它可以实现对屏幕中的各个独立像素进行主动控制，从而精准地实现显示需要的不同颜色及不同灰阶，在显示面板中起着非常关键的作用。tft特性作为衡量一个tft性能好坏的关键参数，是tft器件重要的考察指标，而ion(代表tft的开启电流的好坏，其越高，代表tft的开启特性越好)和ioff(代表tft的漏电流大小，其越低，代表tft的关断特性越好)是tft特性中最重要的两个参数。
3.但由于工艺波动等原因，在实际生产和使用过程中，部分显示面板会出现tft特性较差，tft特性曲线向左偏移，或者向右偏移等，从而造成串扰及启动异常等问题。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种显示面板、显示装置及薄膜晶体管的监控方法，用以解决现有技术因tft特性偏移造成面板出现串扰、启动异常的技术问题。
5.第一方面，本技术实施例提供了一种显示面板，包括多个薄膜晶体管，位于所述显示面板的边框区的导电部和监控薄膜晶体管；所述导电部包括第一导电部和/或第二导电部，所述监控薄膜晶体管包括第一监控薄膜晶体管和/或第二监控薄膜晶体管；所述第一导电部与栅极开启信号输出端连接，所述第二导电部与栅极关断信号输出端连接；
6.所述第一监控薄膜晶体管的开启电压与所述多个薄膜晶体管中第一待监测薄膜晶体管的开启电压相同，所述第二监控薄膜晶体管的关断电压与所述多个薄膜晶体管中第二待监测薄膜晶体管的关断电压相同；
7.所述第一监控薄膜晶体管的栅极与所述第一导电部连接，源极与第一数据线连接，漏极与绑定在所述显示面板的控制芯片连接，用于输出开启反馈电压给所述控制芯片；所述第二监控薄膜晶体管的栅极与所述第二导电部连接，源极与第二数据线连接，漏极与所述控制芯片连接，用于输出关断反馈电压给所述控制芯片；
8.所述第一数据线为所述第一待监测薄膜晶体管源极连接的数据线，所述第二数据线为所述第二待监测薄膜晶体管源极连接的数据线。
9.可选的，所述第一监控薄膜晶体管的关断电压与所述第一待监测薄膜晶体管的关断电压相同；
10.所述第二监控薄膜晶体管的开启电压与所述第二待监测薄膜晶体管的开启电压相同。
11.可选的，若所述第一待监测薄膜晶体管和所述第二待监测薄膜晶体管为同一薄膜晶体管；所述第一数据线和所述第二数据线为位于所述显示面板相同位置处的数据线，同
一所述数据线分别连接所述第一监控薄膜晶体管的源极和所述第二监控薄膜晶体管的源极。
12.可选的，所述第一监控薄膜晶体管包括第一有源层，所述第二监控薄膜晶体管包括第二有源层；
13.所述第一有源层的形状与所述第一待监测薄膜晶体管包括的有源层的形状相同，所述第二有源层的形状与所述第二待监测薄膜晶体管包括的有源层的形状相同；
14.所述第一有源层的材料与所述第一待监测薄膜晶体管包括的有源层的材料相同，所述第二有源层的材料与所述第二待监测薄膜晶体管包括的有源层的材料相同。
15.可选的，所述第一监控薄膜晶体管包括第一栅极和第一源漏极，所述第二监控薄膜晶体管包括第二栅极和第二源漏极；所述第一栅极、所述第二栅极、所述第一待监测薄膜晶体管包括的栅极和所述第二待监测薄膜晶体管包括的栅极同层设置；
16.所述第一源漏极、所述第二源漏极、所述第一待监测薄膜晶体管包括的源漏极和所述第二待监测薄膜晶体管包括的源漏极同层设置；所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一待监测薄膜晶体管包括的有源层和所述第二待监测薄膜晶体管包括的有源层同层设置。
17.在第二方面，本技术提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板、控制芯片和电源管理芯片；
18.所述电源管理芯片和所述控制芯片绑定于所述显示面板的绑定区，所述控制芯片分别与所述电源管理芯片、所述第一监控薄膜晶体管漏极和所述第二薄膜晶体管漏极连接；
19.所述控制芯片用于接收所述开启反馈电压，将所述开启反馈电压与基准开启电压进行比较，根据比较结果确定所述待监测薄膜晶体管开启电压特性是否合格；和/或，
20.所述控制芯片用于接收所述关断反馈电压，将所述关断反馈电压与基准关断电压进行比较，根据比较结果确定所述待监测薄膜晶体管关断电压特性是否合格。
21.可选的，所述控制芯片包括开启电压放大比较器和关断电压放大比较器；所述开启电压放大比较器第一输入端被配置为接收所述基准开启电压，所述开启电压放大比较器第二输入端连接所述第一监控薄膜晶体管漏极，用于放大接收到的所述开启反馈电压，并比较所述开启反馈电压和所述基准开启电压的大小；
22.所述关断电压放大比较器第一输入端被配置为接收所述基准关断电压，所述关断电压放大比较器第二输入端连接所述第二监控薄膜晶体管漏极，用于放大接收到的所述关断反馈电压，并比较所述关断反馈电压和所述基准关断电压的大小。
23.在第三方面，本技术提供了一种薄膜晶体管的监控方法，用于如第二方面所述的显示装置，包括：所述控制芯片接收所述第一监控薄膜晶体管输出的开启反馈电压，将所述开启反馈电压与基准开启电压进行比较，根据比较结果确定所述待监测薄膜晶体管开启电压特性是否合格；
24.和/或，所述控制芯片接收所述第二监控薄膜晶体管输出的关断反馈电压，将所述关断反馈电压与基准关断电压进行比较，根据比较结果确定所述待监测薄膜晶体管关断电压特性是否合格。
25.可选的，所述根据比较结果确定所述待监测薄膜晶开启电压特性是否合格，包括：
将所述开启反馈电压与基准开启电压进行比较，若所述开启反馈电压不小于所述基准开启电压，输出第一栅极开启电压调整信号至所述电源管理芯片，所述电源管理芯片不进行电压调整，确定所述待监测薄膜晶体管开启电压特性合格；
26.若所述开启反馈电压小于所述基准开启电压，输出第二栅极开启电压调整信号至所述电源管理芯片，所述电源管理芯片根据接收的所述第二栅极开启电压调整信号控制所述栅极开启信号输出端输出电压值增大或减小，以对所述第一监控薄膜晶体管进行栅极开启电压调整，所述控制芯片根据调整结果确定所述待监测薄膜晶体管开启电压特性是否合格。
27.可选的，所述控制芯片根据调整结果确定所述待监测薄膜晶体管开启电压特性是否合格，包括：当所述电源管理芯片接收到所述第二栅极开启电压调整信号时，控制所述栅极开启信号输出端输出电压值按照设定步长增大或减小，若再次增大或减小后的输出电压值超出所述电源管理芯片的量程范围，则发出停止电压信号给所述控制芯片；
28.所述控制芯片在接收到所述停止电压信号前，若所述开启反馈电压不小于所述基准开启电压，确定所述待监测薄膜晶体管开启电压特性合格，所述控制芯片在接收到所述停止电压信号后，确定所述待监测薄膜晶体管开启电压特性不合格。
29.可选的，所述根据比较结果确定所述待监测薄膜是晶体管关断电压特性是否合格，包括：
30.将所述关断反馈电压与所述基准关断电压进行比较，若所述关断反馈电压不大于所述基准关断电压，输出第一栅极关断电压调整信号至所述电源管理芯片，所述电源管理芯片不进行电压调整，确定所述待监测薄膜晶体管关断电压特性合格；
31.若所述关断反馈电压大于所述基准关断电压，输出第二栅极关断电压调整信号至所述电源管理芯片，所述电源管理芯片根据接收的所述第二栅极关断电压调整信号控制所述栅极关断信号输出端输出电压值增大或减小，以对所述第二监控薄膜晶体管进行栅极关断电压调整，所述控制芯片根据调整结果确定所述待监测薄膜晶体管关断电压特性是否合格。
32.可选的，所述控制芯片根据调整结果确定所述待监测薄膜晶体管关断电压特性是否合格，包括：
33.当所述电源管理芯片根据接收到所述第二栅极关断电压调整信号时，控制所述栅极关断信号输出端输出电压值按照设定步长增大或减小，若再次增大或减小后的输出电压值超出所述电源管理芯片的量程范围，则发出停止电压信号给所述控制芯片；
34.所述控制芯片在接收到所述停止电压信号前，若所述关断反馈电压不大于所述基准关断电压，确定所述待监测薄膜晶体管关断电压特性合格，所述控制芯片在接收到所述停止电压信号后，确定所述待监测薄膜晶体管关断电压特性不合格。
35.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
36.本技术实施例提供的显示面板，设置第一监控薄膜晶体管的开启电压与第一待监测薄膜晶体管的开启电压相同，第二监控薄膜晶体管的关断电压与第二待监测薄膜晶体管的关断电压相同；设置第一监控薄膜晶体管的栅极与第一导电部连接，源极与第一数据线连接，漏极与绑定在显示面板的控制芯片连接；设置第二监控薄膜晶体管的栅极与第二导电部连接，源极与第二数据线连接，漏极与控制芯片连接。由于第一导电部与栅极开启信号
输出端连接，第二导电部与栅极关断信号输出端连接，该显示面板绑定如控制芯片等外部器件后，第一监控薄膜晶体管输出开启反馈电压给控制芯片，第二监控薄膜晶体管输出关断反馈电压给控制芯片，在组成显示装置后，能够通过控制芯片接收开启反馈电压和关断反馈电压判断是否需要调整栅极开启电压与栅极关断电压来确定第一待监测薄膜晶体管和/或第二待监测薄膜晶体管是否合格，进而确定显示面板是否合格，在避免不合格品流出的同时能够最大程度的避免由于工艺环境波动造成的不合格品损失，提升产品良率，降低工艺制备难度。
37.上述说明仅是本技术实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术实施例的具体实施方式。
附图说明
38.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
39.图1为薄膜晶体管特性曲线图；
40.图2为本技术实施例提供的一种显示面板结构图；
41.图3为本技术实施例提供的又一种显示面板结构图；
42.图4为本技术实施例提供的又一种显示面板结构图；
43.图5为本技术实施例提供的一种显示面板部分器件结构图；
44.图6为本技术实施例提供的一种显示装置结构图；
45.图7为本技术实施例提供的一种显示装置监控器件结构图；
46.图8为本技术实施例提供的一种显示装置部分监控器件结构图；
47.图9为本技术实施例提供的一种显示装置部分监控器件结构图；
48.图10为本技术实施例提供的一种薄膜晶体管的监控方法流程图；
49.附图标记介绍如下：
50.100-显示面板；111-第一待监测薄膜晶体管；112-第二待监测薄膜晶体管；121-第一导电部；122-第二导电部；131-第一监控薄膜晶体管；132-第二监控薄膜晶体管；1311-第一个第一监控薄膜晶体管；1312-第二个第一监控薄膜晶体管；1321-第一个第二监控薄膜晶体管；1322-第二个第二监控薄膜晶体管；141-gate跳孔；142-sd跳孔；151-sd1测试图形；152-sd2测试图形；200-显示装置；210-控制芯片；220-电源管理芯片，211-开启电压放大比较器；2111-正向开启电压放大比较器；2112负向开启电压放大比较器；212关断电压放大比较器；2121-正向关断电压放大比较器；2122-负向关断电压放大比较器。
具体实施方式
51.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
52.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术
语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
53.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”到另一元件时，它可以直接连接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”可以包括无线连接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
54.由于工艺波动及环境影响，tft特性曲线会出现不同程度的偏移。如图1所示，曲线b为正常情况下的tft特性曲线，当tft特性曲线发生偏移时，会对tft的ion和ioff造成影响。例如：特性曲线左移(如曲线a)造成面板中的tft的ioff增大，而ioff过大会导致面板出现竖向串扰，闪烁等问题；特性曲线右移(如曲线c)则造成了面板中的tft的ion减少，而ion不足则会导致低温启动不良，甚至常温启动不良。这两者的异常都会导致显示面板出现不同程度的显示异常。
55.为了解决上述问题，学者们做了很多研究，其中优化及稳定工艺是主要的方向(如增加tft的宽长比(w/l)，改进工艺条件等)，但都不尽理想，由于环境波动等原因，无法把产品的tft特性均一性问题进行很好的解决。
56.基于现有技术存在的上述问题，本技术提出一种显示面板、显示装置及薄膜晶体管的监控方法，可实现对显示面板中tft开启电压(von)，关断电压(voff)的检测，筛选出不合格产品，并在检测时对因工艺波动或环境影响出现薄膜晶体管特性偏移的显示面板进行栅极开启电压与栅极关断电压调整，在避免不合格品流出的同时能够最大程度的避免由于工艺环境波动造成的不合格品损失，提升产品良率，降低工艺制备难度，同时避免出现竖向串扰，闪烁，低温启动不良等问题。
57.下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
58.如图2所示，本技术实施例提供了一种显示面板100，包括多个薄膜晶体管，还包括：位于所述显示面板100的边框区的导电部和监控薄膜晶体管；导电部包括第一导电部121和第二导电部122，监控薄膜晶体管包括第一监控薄膜晶体管131和第二监控薄膜晶体管132。边框区为显示面板100中围绕aa区(active area，显示区)的区域。
59.第一导电部121与栅极开启信号(vgh信号)输出端连接，第二导电部122与栅极关断信号(vgl信号)输出端连接；第一监控薄膜晶体管131的开启电压与多个薄膜晶体管中第一待监测薄膜晶体管111的开启电压相同，第二监控薄膜晶体管132的关断电压与多个薄膜晶体管中第二待监测薄膜晶体管112的关断电压相同。
60.第一监控薄膜晶体管131的栅极与第一导电部121连接，源极与第一数据线sd1连接，漏极与绑定在显示面板的控制芯片210连接，用于输出开启反馈电压(von)给控制芯片210；第二监控薄膜晶体管132的栅极与第二导电部122连接，源极与第二数据线sd2连接，漏
极与控制芯片210连接，用于输出关断反馈电压(voff)给控制芯片210；其中第一数据线sd1为第一待监测薄膜晶体管111源极连接的数据线，第二数据线sd2为第二待监测薄膜晶体管112源极连接的数据线。
61.如图2所示，上述第一导电部121指与vgh信号连接的信号测试图形(pad)，第二导电部122指与vgl信号连接的信号测试图形；信号测试图形一般设计在面板非显示区域，如设计在绑定区的两侧。
62.需要说明的是，开启电压指薄膜晶体管开启状态时漏极输出电压，能够用来表征薄膜晶体管的开启电流ion，关断电压指薄膜晶体管关断状态时漏极输出电压，能够用来表征薄膜晶体管的漏电流ioff；上述第一待监测薄膜晶体管111与第一监控薄膜晶体管131开启电压相同，指第一待监测薄膜晶体管111与第一监控薄膜晶体管131在栅极加载相同的开启电压v1，源极也加载相同的电压v2时，漏极具有相同的输出电压；类似的，上述第二待监测薄膜晶体管112与第二监控薄膜晶体管132关断电压相同，指第二待监测薄膜晶体管112与第二监控薄膜晶体管132在栅极加载相同关断电压v3，源极也加载相同的电压v4时，漏极具有相同的输出电压。即，本技术实施例中对第一待监测薄膜晶体管111的开启电压的检测能够通过检测第一监控薄膜晶体管131的开启电压实现，对第二待监测薄膜晶体管112的关断电压的检测能够通过检测第二监控薄膜晶体管132的关断电压实现。
63.因此，本领域技术人员可以理解，第一监控薄膜晶体管131为开启电流ion监控结构，其漏极输出的开启反馈电压von能够反应第一待监测薄膜晶体管111开启电流ion的好坏；第二监控薄膜晶体管132为漏电流ioff监控结构，其漏极输出的关断反馈电压voff能够反应第二待监测薄膜晶体管112漏电流ioff的好坏。
64.另外，如图2所示，一列的待监测薄膜晶体管连接同一条数据线，因此，上述第一待监测薄膜晶体111指连接数据线sd1的一列薄膜晶体管，即第一监控薄膜晶体管131可以反应一列薄膜晶体管的开启电流ion好坏，类似的，第二监控薄膜晶体管132可以反应一列薄膜晶体管的漏电流ioff的好坏。
65.需要说明的是，在后续的检测阶段，同一条数据线sd1或sd2只加载一个检测电压，该检测电压为sd加载电压的最大值与最小值，如：sd1数据线仅加载+5v电压，sd2数据线仅加载-5v电压，具体情况将在后续监控方法部分详细说明。
66.另外，本领域技术人员可以自由选择通过在显示面板制作goa电路提供行扫描信号或通过绑定栅极驱动芯片(g-ic)提供扫描信号，图2，图3均为设置goa(gate on array或gate driver on array技术，即阵列基板驱动技术)电路的实施例。
67.本技术实施例提供的显示面板100，设置第一监控薄膜晶体管131的开启电压与第一待监测薄膜晶体管111的开启电压相同，第二监控薄膜晶体管132的关断电压与第二待监测薄膜晶体管112的关断电压相同；设置第一监控薄膜晶体管131的栅极与第一导电部121连接，源极与第一数据线连接，漏极与绑定在显示面板100的控制芯片210连接；设置第二监控薄膜晶体管132的栅极与第二导电部122连接，源极与第二数据线连接，漏极与控制芯片210连接。由于第一导电部121与栅极开启信号输出端连接，第二导电部122与栅极关断信号输出端连接，该显示面板100绑定如控制芯片210等外部器件后，第一监控薄膜晶体管131输出开启反馈电压给控制芯片，第二监控薄膜晶体管132输出关断反馈电压给控制芯片，在组成显示装置后，能够通过控制芯片接收开启反馈电压和关断反馈电压判断是否需要调整栅
极开启电压与栅极关断电压及确定第一待监测薄膜晶体管和/或第二待监测薄膜晶体管是否合格，进而确定显示面板是否合格，在避免不合格品流出的同时能够最大程度的避免由于工艺环境波动造成的不合格品损失，提升产品良率，降低工艺制备难度。
68.需要说明的是，本技术实施例中的第一待监测薄膜晶体管111和第二待监测薄膜晶体管112为aa区中设置的薄膜晶体管，具体地，第一待监测薄膜晶体管111和第二待监测薄膜晶体管112一般位于显示区的边缘区域，当然，实际检测时，第一待监测薄膜晶体管111和第二待监测薄膜晶体管112也可以不是位于显示区中的薄膜晶体管，例如可以为goa电路中包括的薄膜晶体管。
69.如图2所示，在一些实施例中，为使监控薄膜晶体管源极能够与待监测薄膜晶体管源极输入相同的源极电压，具体设置监控薄膜晶体管源极与数据线连接时，以第一监控薄膜晶体管131为例，直接从数据驱动芯片(s-ic)进入第一待监测薄膜晶体管111的信号线sd1中引出一条支线与第一监控薄膜晶体管源极连接，直接引出支线能够使得监控薄膜晶体管源极电压环境与待监测薄膜晶体管源极电压环境更加相近，进而输出的开启或关断反馈电压更能表征待监测薄膜晶体管工作时的开启电流ion与漏电流ioff情况。
70.显示面板具体制造时，在vgh、vgl、sd等信号走线进入面板显示区之前，均会引出一些支线，然后做成可供测试用的测试图形(pad)，包括可表征vgh、vgl信号的测试图形，可表征sd1、sd2数据线信号的测试图形。因此如图3所示，在一些实施例中，围绕显示面板显示区的非显示区中设置有sd1测试图形151和sd2测试图形152，sd1测试图形151和sd2测试图形152可以用于点灯检测等显示面板的检测，sd1测试图形151与第一数据线sd1连接，sd2测试图形152与第二数据线sd2连接，为使监控薄膜晶体管源极能够与待监测薄膜晶体管源极输入相同的源极电压，使第一监控薄膜晶体管131源极连接sd1测试图形151，第二监控薄膜晶体管132连接sd2测试图形152，通过sd信号测试图形供给监控薄膜晶体管源极电压，具有工艺简单，减少布线的优点。
71.可选的，在一些实施例中，设置第一监控薄膜晶体管131的开启电压(von)与多个薄膜晶体管中第一待监测薄膜晶体管111的开启电压(von)相同，且第一监控薄膜晶体管131的关断电压(voff)与第一待监测薄膜晶体管111的关断电压(voff)相同，即第一监控薄膜晶体管131与第一待监测薄膜晶体管111具有相同的伏安特性；类似的，第二监控薄膜晶体管132的关断电压与多个薄膜晶体管中第二待监测薄膜晶体管112的关断电压(voff)相同，且第二监控薄膜晶体管132的开启电压(von)与第二待监测薄膜晶体管112的开启电压(von)相同，即第二监控薄膜晶体管132与第二待监测薄膜晶体管112具有相同的伏安特性。
72.具体实施时，在制作第一待监测薄膜晶体管111时，可以同步制作出第一监控薄膜晶体管131，采用相同工艺制作形成的第一监控薄膜晶体管131和第一待监测薄膜晶体管111具有相同的电学特性；在制作第二待监测薄膜晶体管112时，可以同步制作出第二监控薄膜晶体管132，采用相同工艺制作形成的第二待监测薄膜晶体管112和第二监控薄膜晶体管132具有相同的电学特性。
73.可选的，参考图4所示，在一些实施例中，第一待监测薄膜晶体管111和第二待监测薄膜晶体管112为同一薄膜晶体管；换言之，对于一个待监测薄膜晶体管，既设置开启电流ion监控结构，又设置漏电流ioff监控结构，第一数据线和第二数据线为位于显示面板100相同位置处的数据线，同一数据线分别连接第一监控薄膜晶体管131的源极和第二监控薄
膜晶体管132的源极。
74.参考图4所示，显示面板100设置有两个第一监控薄膜晶体管131，即开启电流ion监控结构，两个第一监控薄膜晶体管131栅极均连接第一导电部121(即vgh信号测试图形)，第一个第一监控薄膜晶体管1311源极连接sd1数据线引出的sd1测试图形151，通过输出第一开启反馈电压(von1)的方式监控与数据线sd1连接的一列待监测薄膜晶体管开启电流ion特性，第二个第一监控薄膜晶体管1312源极连接sd2数据线引出的sd2测试图形152，通过输出第二开启反馈电压(von2)的方式监控与数据线sd2连接的一列待监测薄膜晶体管开启电流ion特性。
75.继续参考图4所示，显示面板100还设置有两个第二监控薄膜晶体管132，即漏电流ioff监控结构，两个第二监控薄膜晶体管132栅极均连接第二导电部122(即vgl信号测试图形)，第一个第二监控薄膜晶体管1321源极连接sd1数据线引出的sd1测试图形151，通过输出第一关断反馈电压(voff1)的方式监控与数据线sd1连接的一列待监测薄膜晶体管漏电流ioff特性，第二个第二监控薄膜晶体管1322源极连接sd2数据线引出的sd2测试图形152，通过输出第二开启反馈电压(voff2)的方式监控与数据线sd2连接的一列待监测薄膜晶体管漏电流ioff特性。
76.具体实施时，参考图4、图5，图5示出了图4中第一个第一监控薄膜晶体管1311及第二个第二监控薄膜晶体管1322的具体设置方式，将第一导电部121(即vgh信号测试图形)通过gate(栅极)跳孔141连接至第一监控薄膜晶体管1311的栅极，sd1测试图形151通过sd(source-drain，源漏极)跳孔142连接至第一监控薄膜晶体管1311的源极，漏极连接在显示面板100绑定的控制芯片210；将第二导电部122(即vgl信号测试图形)通过gate跳孔141连接至第二监控薄膜晶体管1322的栅极，sd2测试图形152通过sd跳孔142连接第二监控薄膜晶体管1322的源极，漏极连接在显示面板100绑定的控制芯片210。
77.需要说明的是，gate跳孔141贯穿的膜层取决于第一导电部121(即vgh信号测试图形)和第二导电部122(即vgl信号测试图形)所在金属层，如vgh信号测试图形、vgl信号测试图形和ito(indium-tin oxide，氧化铟锡)层位于同一层，gate跳孔141即贯穿gate层和ito层，同理sd跳孔142贯穿的膜层取决于sd信号所在膜层，如sd信号测试图形和ito层位于同一层，则sd跳孔142贯穿sd层和ito层。
78.本领域技术人员可以根据实际设计需要设置第一监控薄膜晶体管(即开启电流ion监控结构)的个数与第二监控薄膜晶体管(即漏电流ioff监控结构)的个数，并根据需要监控的待监测薄膜晶体管选择第一监控薄膜晶体管与第二薄膜晶体管连接的源极电压。
79.可选的，参考图4所示，第一监控薄膜晶体管131包括第一有源层，第二监控薄膜晶体管132包括第二有源层；为使得第一监控薄膜晶体管131与第一待监测薄膜晶体管111具有相同的开启电压及关断电压，第二监控薄膜晶体管132与第二待监测薄膜晶体管112具有相同的开启电压及关断电压，以及为了节约制作成本，本技术实施例中设置第一有源层的形状与第一待监测薄膜晶体管包括的有源层的形状相同，第二有源层的形状与第二待监测薄膜晶体管包括的有源层的形状相同，例如：有源层的形状可以为u形、一字型等形状；设置第一有源层的材料与第一待监测薄膜晶体管包括的有源层的材料相同，第二有源层的材料与第二待监测薄膜晶体管包括的有源层的材料相同，例如，有源层的材料可以选择单晶硅、多晶硅或铟稼锌氧化物(igzo)等氧化物半导体材料。
80.可选的，对于一个具体实施例，第一监控薄膜晶体管131包括第一栅极和第一源漏极，第二监控薄膜晶体管132包括第二栅极和第二源漏极；第一栅极、第二栅极、第一待监测薄膜晶体管111包括的栅极和第二待监测薄膜晶体管112包括的栅极同层设置，栅极同层设置，能够通过一次构图工艺制作形成，从而能够节约制作成本；第一源漏极、第二源漏极、第一待监测薄膜晶体管111包括的源漏极和第二待监测薄膜晶体管112包括的源漏极同层设置，源漏极同层设置，能够通过一次构图工艺制作形成，从而能够节约制作成本；第一有源层、第二有源层、第一待监测薄膜晶体管包括的有源层和第二待监测薄膜晶体管包括的有源层同层设置，有源层同层设置，能够通过一次构图工艺制作形成，从而能够节约制作成本。
81.需要说明的是，对于一般的显示面板，其面板内所有的像素薄膜晶体管均是相同的，因此可设置第一监控薄膜晶体管，第二监控薄膜晶体管，第一待监测薄膜晶体管，第二待监测薄膜晶体管均相同。
82.基于同一发明构思，如图6所示，本技术实施例提供了一种显示装置200，包括上述的显示面板100，以及绑定在显示面板的控制芯片210和电源管理芯片220。
83.参考图6所示显示装置200，电源管理芯片220和控制芯片210绑定于显示面板100的绑定区，控制芯片210分别与电源管理芯片220、第一监控薄膜晶体管131和第二薄膜晶体管132连接。控制芯片210用于接收开启反馈电压von，根据开启反馈电压von确定待监测薄膜晶体管开启电压特性是否合格；和/或，用于接收关断反馈电压voff，根据关断反馈电压voff确定待监测薄膜晶体管关断电压特性是否合格。
84.本技术实施例提供的显示装置，能够通过控制芯片接收开启反馈电压和关断反馈电压判断是否需要调整栅极开启电压与栅极关断电压及确定第一待监测薄膜晶体管和/或第二待监测薄膜晶体管是否合格，进而确定显示面板是否合格，在避免不合格品流出的同时能够最大程度的避免由于工艺环境波动造成的不合格品损失，提升产品良率，降低工艺制备难度。
85.可选的，在一些实施例中，参考图7所示，控制芯片210包括开启电压放大比较器211和关断电压放大比较器212。开启电压放大比较器211第一输入端被配置为接收基准开启电压von ref，开启电压放大比较器211第二输入端连接第一监控薄膜晶体管131漏极，用于放大接收到的开启反馈电压von，并比较开启反馈电压von和基准开启电压von ref的大小；关断电压放大比较器212第一输入端被配置为接收基准关断电压voff ref，关断电压放大比较器212第二输入端连接第二监控薄膜晶体管132漏极，用于放大接收到的关断反馈电压voff，并比较关断反馈电压voff和基准关断电压voff ref的大小。实际设计时，控制芯片不限于图7所示结构，可以选择其它能够达到相同功能的控制器件。
86.需要说明的是，基准反馈开启电压von ref的值为待测薄膜晶体管加载检测电压，tft打开时允许的最小的开启电压值，例如源极输入端(sd1)输入5v，在vgh 15v栅极打开状态下，最少要保证的漏极输出端达到4.9v，它是一个略低于源极的电压。一般同一款面板产品，它所有的像素tft的设计都是一样的，在这个前提下，von ref的值只有一个，但他有正负之分。类似的，基准关断电压voff ref的值为待测薄膜晶体管加载检测电压，tft正常关闭时，需要保证的最高漏极输出电压，理论上是需要保证它在0v左右的。例如源极输入端(sd1)输入5v，在栅极关闭状态下，最高不能让漏极电压超过0.1v。同样地，同一个款面板产
品，也只有一个voff ref值，只有正负之分。
87.在一个具体实施例中，参考图6、图8所示，假设sd1数据线加载正向检测电压，sd2数据线加载负向检测电压，那么第一监控薄膜晶体管131漏极将输出两种不同极性的开启反馈电压von；显示面板100设置有两个第一监控薄膜晶体管131，两个第一监控薄膜晶体管131栅极均连接第一导电部121(即vgh信号测试图形)，第一个第一监控薄膜晶体管1311源极连接sd1数据线引出的sd1测试图形151，因此将输出一个正向开启反馈电压von+给控制芯片210，第二个第一监控薄膜晶体管1312源极连接sd2数据线引出的sd2测试图形152，因此将输出一个负向开启反馈电压von-给控制芯片210。
88.可选的，参考图8所示，开启电压放大比较器211包括正向开启电压放大比较器2111、负向开启电压放大比较器2112，正向开启电压放大比较器2111正向输入端连接第一个第一监控薄膜晶体管1311漏极，负向输入端被配置为接收正向基准开启电压von ref+，用于将第一个第一监控薄膜晶体管1311漏极输出的正向开启反馈电压von+与von ref+进行比较，并根据比较结果输出栅极开启电压调整信号r给电源管理芯片220，若von+的值不小于von ref+，则输出第一栅极开启电压调整信号r1给电源管理芯片220，若von+的值小于von ref+，则输出第二栅极开启电压调整信号r2给电源管理芯片220。
89.负向开启电压放大比较器2112负向输入端连接第二个第一监控薄膜晶体管1312漏极，正向输入端被配置为接收负向基准开启电压信号von ref-，用于将第二个第一监控薄膜晶体管1312漏极输出的负向开启反馈电压von-与von ref-进行比较，并根据比较结果输出栅极开启电压调整信号r给电源管理芯片220，若von-的值不小于von ref-，则输出第一栅极开启电压调整信号r1给电源管理芯片220，若von-的值小于von ref-，则输出第二栅极开启电压调整信号r2给电源管理芯片220。
90.类似的，参考图9所示，关断电压放大比较器212包括正向关断电压放大比较器2121、负向关断电压放大比较器2122，正向关断电压放大比较器2121正向输入端连接第一个第二监控薄膜晶体管1321漏极，负向输入端被配置为接收正向基准关断电压信号voff ref+，用于将第一个第二监控薄膜晶体管1321漏极输出的正向关断反馈电压voff+与voff ref+进行比较，并根据比较结果输出栅极关断电压调整信号y给电源管理芯片220，若voff+的值不大于voff ref+，则输出第一栅极关断电压调整信号y1给电源管理芯片220，若voff+的值大于voff ref+，则输出第二栅极关断电压调整信号y2给电源管理芯片220。
91.负向关断电压放大比较器2122负向输入端连接第二个第二监控薄膜晶体管1322漏极，正向输入端被配置为接收负向基准开启电压信号voff ref-，用于将第二个第二监控薄膜晶体管1322漏极输出的负向关断反馈电压voff-与voff ref-进行比较，并根据比较结果输出栅极关断电压调整信号y给电源管理芯片220，若voff-的值不大于voff ref-，则输出第一栅极关断电压调整信号y1给电源管理芯片220，若von-的值大于von ref-，则输出第二栅极关断电压调整信号y2给电源管理芯片220。
92.可选的，具体实施时，第一栅极开启电压调整信号r1为数据电压“0”，第二栅极开启电压调整信号r2为数据电压“1”；第一栅极关断电压调整信号y1为数据电压“0”，第二栅极关断电压调整信号y2为数据电压“1”。
93.参考图6所示，电源管理芯片220包括栅极开启电压调整信号接收端a，栅极关断电压调整信号接收端b，停止信号输出端c，栅极开启信号输出端e、栅极关断信号输出端f；停
止信号输出端c用于在栅极开启电压vgh或栅极关闭电压vgl被调节至最大量程时，输出停止电压信号s。
94.继续参考图6所示，控制芯片210绑定于显示面板100的绑定区，分别与栅极开启电压调整信号接收端a、栅极关断电压调整信号接收端b、停止信号输出端c、第一监控薄膜晶体管131漏极、第二监控薄膜晶体管132漏极连接，用于接收开启反馈电压von，将开启反馈电压von与基准开启电压进行比较，根据比较结果输出栅极开启电压调整信号r给栅极开启电压调整信号接收端a，并接收停止信号输出端c输出的停止电压信号s，确定待监测的薄膜晶体管是否合格；以及接收第二监控薄膜晶体管132输出的关断反馈电压voff，将关断反馈电压voff与基准关断电压进行比较，根据比较结果输出栅极关断电压调整信号y给栅极关断电压调整信号接收端b，并接受停止信号输出端c输出的停止电压信号s，确定待监测的薄膜晶体管是否合格。
95.在一些具体实施例中，显示装置包括栅极驱动电路，栅极驱动电路可以为goa电路或栅极驱动芯片g-ic，如图6所示显示装置，栅极驱动电路为goa电路；电源管理芯片220栅极开启信号(vgh)输出端e、栅极关断信号(vgl)输出端f连接栅极驱动电路(goa电路)，电源管理芯片220栅极开启电压调整信号接收端a，栅极关断电压调整信号接收端b，停止信号输出端c连接控制芯片210。
96.电源管理芯片220具有如下功能：接收控制芯片210输出的栅极开启电压调整信号r，在接收到的栅极开启电压调整信号r为第一栅极开启电压调整信号r1时不进行电压调整，在接收到的栅极开启电压调整信号r为第二栅极开启电压调整信号r2时调整栅极开启电压(vgh)；接收控制芯片210输出的栅极关断电压调整信号y，在接收到的栅极关断电压调整信号y为第一栅极开启电压调整信号y1时不进行电压调整，在接收到的栅极开启电压调整信号y为第二栅极开启电压调整信号y2时调整栅极关断电压(vgl)；在栅极开启电压(vgh)或栅极关断电压(vgl)调至最大量程时，停止信号输出端c输出停止电压信号s至控制芯片210。
97.基于同一发明构思，本技术提供了一种基于上述显示装置的薄膜晶体管特性的监控方法，参考图10所示，包括：
98.s100：控制芯片接收第一监控薄膜晶体管输出的开启反馈电压，将开启反馈电压与基准开启电压进行比较，根据比较结果确定待监测薄膜晶体管开启电压特性是否合格。
99.s200：控制芯片接收第二监控薄膜晶体管输出的关断反馈电压，将关断反馈电压与基准关断电压进行比较，根据比较结果确定待监测薄膜晶体管关断电压特性是否合格。
100.需要说明的是，上述s100和上述s200并不代表步骤的先后顺序，实际的薄膜晶体管特性的监控方法中，可以仅执行s100，也可以仅执行s200，还可以同时执行s100和s200，当同时执行s100和s200时，s100和s200的先后顺序也可以互换。
101.在一个具体实施例中，根据开启反馈电压von与基准开启电压比较结果确定待测薄膜晶体管开启电压特性是否合格的具体实施例中，参考图6所示，当控制芯片210接收第一监控薄膜晶体管131输出的开启反馈电压von时，将开启反馈电压von与基准开启电压vonref进行比较，根据比较结果确定待监测薄膜晶体管开启电压特性是否合格，具体的步骤如下：
102.s110：若开启反馈电压von不小于基准开启电压von ref，控制芯片210输出第一栅
极开启电压调整信号r1给电源管理芯片220，电源管理芯片220不进行电压调整，确定待监测薄膜晶体管开启电压特性合格。
103.s120：若开启反馈电压von小于基准开启电压von ref，控制芯片210输出第二栅极开启电压调整信号r2至电源管理芯片220，电源管理芯片220根据接收的第二栅极开启电压调整信号r2控制栅极开启信号输出端e输出栅极开启电压值(vgh)增大或减小，对第一监控薄膜晶体管131进行栅极开启电压调整，并根据调整结果确定待监测薄膜晶体管开启电压特性是否合格。
104.进一步的，一个具体实施例中，继续参考图6所示，控制芯片210根据调整结果确定待监测薄膜晶体管开启电压特性是否合格，具体判断流程如下：
105.s121：当电源管理芯片220接收到第二栅极开启电压调整信号r2时，控制栅极开启信号输出端e输出电压值(vgh)按照设定步长增大或减小，若再次增大或减小后的输出电压值超出所述电源管理芯片的量程范围，则发出停止电压信号s给控制芯片210。
106.s122：控制芯片210在接收到停止电压信号s前，若开启反馈电压von不小于基准开启电压von ref，确定待监测薄膜晶体管开启电压特性合格，控制芯片210输出第一栅极开启电压调整信号r1至电源管理芯片220，电源管理芯片220确定当前栅极开启信号端e输出的栅极开启电压为待监测薄膜晶体管的栅极开启电压；控制芯片210在接收到停止电压信号s后，确定待监测薄膜晶体管开启电压特性不合格。
107.具体实施时，参考图6，图8所示，假设显示装置设置两个第一监控薄膜晶体管，第一个第一监控薄膜晶体管1311，栅极连接第一导电部121(即vgh信号测试图形)，源极连接sd1信号测试图形；第二个第一监控薄膜晶体管1312，栅极连接第一导电部121(即vgh信号测试图形)，源极连接sd2信号测试图形。
108.加载正向检测电压时，假设sd1数据线加载电压为5v，栅极开启电压(vgh)为15v，此时第一个第一监控薄膜晶体管1311漏极会产生一个正向的开启反馈电压，如von+为4.5v，正向开启电压放大比较器2111接收von+，并将其与正向基准开启电压von ref+进行比较，假设正向基准开启电压von ref+的值为4.9v，von+电压值小于von ref+电压值，因此确定需要进行调整，正向开启电压放大比较器2111输出第二栅极开启电压调整信号r2给电源管理芯片220。
109.假设电源管理芯片220输出栅极开启电压(vgh)的量程为15
±
10v，接收第二栅极开启电压调整信号r2后，电源管理芯片220开始以0.1v的步长提升栅极开启电压(vgh)，因栅极开启电压增大，开启反馈电压von+的值也会同步增大，正向开启电压放大比较器2111继续接收增大后的正向开启反馈电压，将其与正向基准开启电压von ref+进行比较，根据比较结果确定输出栅极开启电压调整信号r为第一栅极开启电压调整信号r1还是第二栅极开启电压调整信号r2；假设当栅极开启电压(vgh)增大到20v时，在电源管理芯片220栅极开启电压量程之内，电源管理芯片220未输出停止信号s，出现正向开启反馈电压von+的值为4.9v，正向开启反馈电压von+的值不小于正向基准开启电压von ref+的值，正向开启电压放大比较器2111输出的栅极开启电压调整信号r由第二栅极开启电压调整信号r2变为第一栅极开启电压调整信号r1，控制芯片210确定调整成功，即确定待监测薄膜晶体管开启电压特性合格，假设不存在其他的开启反馈电压von的值小于基准开启电压von ref的值，则确定此时电源管理芯片220输出的栅极开启电压20v为显示装置使用时加载的电压。
110.假设当栅极开启电压增大到25v时，达到电源管理芯片220输出栅极开启电压最大量程，电源管理芯片220输出停止信号s至控制芯片210，控制芯片210停止输出栅极开启电压调整信号r，此时开启反馈电压von+为4.8v，开启反馈电压von+的值仍小于基准开启电压von ref+的值，控制芯片210确定调整失败，确定待监测薄膜晶体管开启电压特性不合格。
111.类似的，加载负向检测电压时，假设sd2数据线加载电压为-5v，栅极开启电压(vgh)为15v，此时第二个第一监控薄膜晶体管1312漏极会产生一个负向的开启反馈电压，如von-为-4.5v，负向开启电压放大比较器2121接收von-，并将其与负向基准开启电压von ref-进行比较，假设负向基准开启电压von ref-的值为-4.9v，von-电压值小于von ref-电压值，因此确定需要进行调整，负向开启电压放大比较器2112输出第二栅极开启电压调整信号r2给电源管理芯片220。
112.假设电源管理芯片220输出栅极开启电压(vgh)的量程为15
±
10v，接收第二栅极开启电压调整信号r2后，电源管理芯片220开始以0.1v的步长提升栅极开启电压(vgh)，因栅极开启电压增大，开启反馈电压von-的值也会同步增大，负向开启电压放大比较器2112继续接收增大后的负向开启反馈电压，将其与负向基准开启电压von ref-进行比较，根据比较结果确定输出栅极开启电压调整信号r为第一栅极开启电压调整信号r1还是第二栅极开启电压调整信号r2；假设当栅极开启电压(vgh)增大到20v时，在电源管理芯片220栅极开启电压量程之内，电源管理芯片220未输出停止信号s，出现负向开启反馈电压von-的值为-4.9v，负向开启反馈电压von-的值不小于负向基准开启电压von ref-的值，负向开启电压放大比较器2112输出的栅极开启电压调整信号r由第二栅极开启电压调整信号r2变为第一栅极开启电压调整信号r1，控制芯片210确定调整成功，即确定待监测薄膜晶体管开启电压特性合格，假设不存在其他的开启反馈电压von的值小于基准开启电压von ref，则确定此时电源管理芯片220输出的栅极开启电压20v为显示装置使用时加载的电压。
113.假设当栅极开启电压增大到25v时，达到电源管理芯片220输出栅极开启电压最大量程，电源管理芯片220输出停止信号s至控制芯片210，控制芯片210停止输出栅极开启电压调整信号r，此时开启反馈电压von-为-4.8v，开启反馈电压von-的值仍小于基准开启电压von ref-的值，控制芯片210确定调整失败，确定待监测薄膜晶体管开启电压特性不合格。
114.本领域技术人员可以理解，控制芯片210能够同时接收多个正向和负向开启反馈电压von+和von-，并根据von+和von-确定输出的栅极开启电压调整信号r，当存在开启电压放大比较器211输出第二栅极开启电压调整信号r2时，电源管理芯片220即调整栅极开启输出端电压值(vgh)进行调整，并根据上述调整方法确定待监测薄膜晶体管开启电压特性是否合格。
115.在一个具体实施例中，根据关断反馈电压voff与基准关断电压比较结果确定待测薄膜晶体管关断电压特性是否合格的具体实施例中，参考图6所示，当控制芯片210接收第二监控薄膜晶体管132输出的关断反馈电压voff时，将关断反馈电压voff与基准关断电压voff ref进行比较，根据比较结果确定是否需要进行栅极关断电压调整及待监测薄膜晶体管关断电压特性是否合格，具体的步骤如下：
116.s210：若关断反馈电压voff不大于基准关断电压voff ref，控制芯片210输出第一栅极关断电压调整信号y1给电源管理芯片220，电源管理芯片220不进行电压调整，确定待
监测薄膜晶体管关断电压特性合格。
117.s220：若关断反馈电压voff大于基准关断电压voff ref，控制芯片210确定需要进行栅极关断电压调整，控制芯片210输出第二栅极关断电压调整信号y2至电源管理芯片220，电源管理芯片220根据接收的第二栅极关断电压调整信号y2控制栅极关断信号输出端f输出栅极关断电压值(vgl)增大或减小，对第二监控薄膜晶体管132进行栅极关断电压调整，并根据调整结果确定待监测薄膜晶体管关断电压特性是否合格。
118.进一步的，一个具体实施例中，继续参考图6所示，控制芯片210根据调整结果确定待监测薄膜晶体管关断电压特性是否合格，具体判断流程如下：
119.s221：当电源管理芯片220根据接收到第二栅极关断电压调整信号y2时，控制栅极关断信号输出端f输出电压值(vgl)按照设定步长增大或减小，若再次增大或减小后的输出电压值超出电源管理芯片220的量程范围，则发出停止电压信号s给控制芯片210。
120.s222：控制芯片210在接收到停止电压信号s前，若关断反馈电压voff不大于基准关断电压voff ref，确定待监测薄膜晶体管关断电压特性合格，控制芯片210输出第一栅极关断电压调整信号y1至电源管理芯片220，电源管理芯片220确定当前栅极关断信号端f输出的栅极关断电压为待监测薄膜晶体管的栅极关断电压；控制芯片210在接收到停止电压信号s后，确定待监测薄膜晶体管关断电压特性不合格。
121.具体实施时，参考图6，图9所示，假设显示装置设置两个第二监控薄膜晶体管，第一个第二监控薄膜晶体管1321，栅极连接第一导电部122(即vgl信号测试图形)，源极连接(sd1信号测试图形)；第二个第二监控薄膜晶体管1322，栅极连接第一导电部122(即vgl信号测试图形)，源极连接(sd2信号测试图形)。
122.加载正向检测电压时，假设sd1数据线加载电压为5v，栅极关断电压(vgl)为-15v，此时第一个第二监控薄膜晶体管1321漏极会产生一个正向的关断反馈电压，如voff+为0.3v，控制芯片210接收voff+，并将其与正向基准关断电压voff ref+进行比较，假设正向基准关断电压voff ref+的值为0.1v，voff+电压值大于voff ref+电压值，因此确定需要进行调整，正向关断电压放大比较器2121输出第二栅极关断电压调整信号y2给电源管理芯片220。
123.假设电源管理芯片220输出栅极关断电压(vgl)的量程为-15
±
10v，接收第二栅极关断电压调整信号y2后，电源管理芯片220开始以0.1v的步长减小栅极关断电压(vgl)(从-15v向-25v调节)，因栅极关断电压减小，关断反馈电压voff+的值也会同步减小，正向关断电压放大比较器2121继续接收减小后的关断反馈电压，将其与正向基准关断电压voff ref+进行比较，根据比较结果确定输出栅极关断电压调整信号y为第一栅极关断电压调整信号y1还是第二栅极关断电压调整信号y2；假设当栅极关断电压(vgl)减小到-20v时，在电源管理芯片220栅极关断电压量程之内，电源管理芯片220未输出停止信号s，出现正向关断反馈电压voff+的值为0.1v，正向关断反馈电压voff+的值不大于正向基准关断电压voff ref+，正向关断电压放大比较器2121输出的栅极关断电压调整信号y由第二栅极关断电压调整信号y2变为第一栅极关断电压调整信号y1，控制芯片210确定调整成功，即确定待监测薄膜晶体管关断电压特性合格，假设不存在其他的关断反馈电压voff的值大于基准关断电压voff ref的值，则确定此时电源管理芯片220输出的栅极关断电压-20v为显示装置使用时加载的电压。
124.假设当栅极关断电压减小到-25v时，达到电源管理芯片220输出栅极关断电压最大量程，电源管理芯片220输出停止信号s至控制芯片210，控制芯片210停止输出栅极关断电压调整信号r，此时关断反馈电压voff为0.2v，关断反馈电压voff+的值仍大于基准关断电压voff ref+的值，控制芯片210确定调整失败，确定待监测薄膜晶体管关断电压特性不合格。
125.类似的，加载负向检测检测电压时，假设sd2数据线加载电压为-5v，栅极关断电压(vgl)为-15v，此时第二个第二监控薄膜晶体管1322漏极会产生一个负向的关断反馈电压，如voff-为-0.3v，负向关断电压放大比较器2122接收voff-，并将其与负向基准关断电压voff ref-进行比较，假设负向基准关断电压voff ref-的值为-0.1v，voff-电压值大于voff ref-电压值，因此确定需要进行调整，负向关断电压放大比较器2122输出第二栅极关断电压调整信号y2给电源管理芯片220。
126.假设电源管理芯片220输出栅极关断电压(vgl)的量程为15
±
10v，接收第二栅极关断电压调整信号y2后，电源管理芯片220开始以0.1v的步长减小栅极关断电压(vgl)，因栅极关断电压减小，关断反馈电压voff-的值也会同步减小，负向关断电压放大比较器2122继续接收减小后的负向关断反馈电压，将其与负向基准关断电压voff ref-进行比较，根据比较结果确定输出栅极关断电压调整信号y为第一栅极关断电压调整信号y1还是第二栅极关断电压调整信号y2；假设当栅极关断电压(vgl)增长到20v时，在电源管理芯片220栅极关断电压量程之内，电源管理芯片220未输出停止信号s，出现负向关断反馈电压voff-的值为-0.1v，负向关断反馈电压voff-的值不大于负向基准关断电压voff ref-的值，负向关断电压放大比较器2122输出的栅极关断电压调整信号y由第二栅极关断电压调整信号y2变为第一栅极关断电压调整信号y1，控制芯片210确定调整成功，即确定待监测薄膜晶体管关断电压特性合格，假设不存在其他的关断反馈电压voff的值大于基准关断电压voff ref的值，则确定此时电源管理芯片220输出的栅极关断电压20v为显示装置使用时加载的电压。
127.假设当栅极关断电压增长到25v时，达到电源管理芯片220输出栅极关断电压最大量程，电源管理芯片220输出停止信号s至控制芯片210，控制芯片210停止输出栅极关断电压调整信号r，此时关断反馈电压voff-为-0.2v，关断反馈电压voff-的值仍大于基准关断电压voff ref-的值，控制芯片210确定调整失败，确定待监测薄膜晶体管关断电压特性不合格。
128.本领域技术人员可以理解，控制芯片210能够同时接收多个正向和负向关断反馈电压voff+和voff-，并根据voff+和voff-确定输出的栅极关断电压调整信号r，当存在关断电压放大比较器212输出第二栅极关断电压调整信号y2时，电源管理芯片220即调整栅极关断输出端电压值(vgl)进行调整，并根据上述调整方法确定待监测薄膜晶体管关断电压特性是否合格。
129.另外，对于同时设置第一监控薄膜晶体管以及第二监控薄膜晶体管的显示装置，如图6所示，控制芯片210可同时检测调整待监测薄膜晶体管的开启电压特性与关断电压特性，并根据检测结果确定显示装置是否合格，避免不合格品流出，具体流程如下：
130.s301：控制芯片确定待监测薄膜晶体管关断电压特性及开启电压特性均合格，输出合格指令；
131.s302：控制芯片确定待监测薄膜晶体管关断电压特性及开启电压特性任一出现不
合格，或均不合格，输出不合格指令。
132.类似的，对于仅包括第一监控薄膜的显示装置，控制芯片确定待监测薄膜晶体管开启电压特性合格，输出合格指令；否则输出不合格指令；对于仅包括第二监控薄膜的显示装置，控制芯片确定待监测薄膜晶体管关断电压特性合格，输出合格指令；否则输出不合格指令。
133.本领域技术人员可以理解，控制芯片输出合格指令可以具有多种表现形式，如连接指示灯，外接检测器件等等，能够使得检测人员分辨是否显示装置是否为不合格品即可。
134.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
135.本技术实施例提供的显示面板及显示装置，设置第一监控薄膜晶体管的开启电压与第一待监测薄膜晶体管的开启电压相同，第二监控薄膜晶体管的关断电压与第二待监测薄膜晶体管的关断电压相同；设置第一监控薄膜晶体管的栅极与第一导电部连接，源极与第一数据线连接，漏极与绑定在显示面板的控制芯片连接；设置第二监控薄膜晶体管的栅极与第二导电部连接，源极与第二数据线连接，漏极与控制芯片连接。该显示面板绑定如控制芯片等外部器件后，能够通过控制芯片接收开启反馈电压和关断反馈电压判断显示面板是否合格，避免不合格品流出，能够通过控制芯片接收开启反馈电压和关断反馈电压判断是否需要调整栅极开启电压与栅极关断电压及确定第一待监测薄膜晶体管和/或第二待监测薄膜晶体管是否合格，进而确定显示面板是否合格，在避免不合格品流出的同时能够最大程度的避免由于工艺环境波动造成的不合格品损失，提升产品良率，降低工艺制备难度。
136.本技术领域技术人员可以理解，本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
137.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
138.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
139.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
140.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
141.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。