技术特征：
1.一种电阻式衰减器，包括基底，所述基底上设有中间微带线以及关于中间微带线对称布置在基底两侧的第一微带线、第二微带线；其特征在于，所述第一微带线、第二微带线都分为间断的三段，其中第一段、第三段关于中间的第二段对称，且每一段的第一微带线、第二微带线之间均设有薄膜电阻块，分别为薄膜电阻块一、薄膜电阻块二与薄膜电阻块三，所述中间微带线被薄膜电阻块一、二、三间断为不连续的四段，薄膜电阻块一、薄膜电阻块二及薄膜电阻块三通过激光工艺调节阻值。2.根据权利要求1所述的电阻式衰减器，其特征在于，所述第一微带线的三段依次分为段一、段二、段三，第二微带线的三段依次分为段八、段九、段十，中间微带线的四段依次分为段四、段五、段六、段七，所述薄膜电阻块二与段二、段九处于同一对称轴上，段五与段二、段九之间的阻值以及段六与段二、段九之间的阻值均相等。3.根据权利要求2所述的电阻式衰减器，其特征在于，所述薄膜电阻块一、薄膜电阻块三关于薄膜电阻块二对称布置，所述段四、段五之间的阻值与段六、段七之间的阻值相等，段四与段一、段八之间的电阻阻值、段五与段一、段八之间的电阻阻值、段六与段三、段十之间的电阻阻值以及段七与段三、段十之间的电阻阻值均相等。4.根据权利要求1或2或3所述的电阻式衰减器，其特征在于，所述电阻式衰减器通过以下方法步骤制备：步骤1：以陶瓷基片作为基底，采用电子清洗剂对陶瓷基片进行清洗；步骤2：采用真空镀膜工艺在陶瓷基片上溅射金层；步骤3：采用电镀金工艺对金层进行加厚；步骤4：采用光刻工艺在金层上规划出第一微带线、第二微带线、中间微带线对应的微带图形区域以及薄膜电阻块一、二、三对应的电阻图形区域；步骤5：采用腐蚀工艺在金层上按照规划的微带图形区域、电阻图形区域腐蚀出微带图形与电阻图形，形成第一微带线、第二微带线及中间微带线；然后采用剥离工艺去除步骤4中光刻工艺在金层上的残留；步骤6：采用光刻工艺在电阻图形之外的区域上制作出光刻胶膜层；步骤7：采用真空镀膜工艺在陶瓷基片上溅射一层氮化钽，形成氮化钽电阻层；步骤8：采用剥离工艺去除陶瓷基片上电阻图形之外的区域中的氮化钽电阻层及光刻胶膜层，保留形成薄膜电阻块一、薄膜电阻块二、薄膜电阻块三；步骤9：采用激光工艺对薄膜电阻块一、二、三分别进行阻值调整。5.根据权利要求4所述的电阻式衰减器，其特征在于，所述步骤3中，金层厚度为5～7μm。
技术总结
本发明公开了电阻式衰减器领域的一种电阻式衰减器，包括基底，基底上设有中间微带线以及关于中间微带线对称布置在基底两侧的第一微带线、第二微带线；第一微带线、第二微带线都分为间断的三段，其中第一段、第三段关于中间的第二段对称，且每一段的第一微带线、第二微带线之间均设有薄膜电阻块，分别为薄膜电阻块一、薄膜电阻块二与薄膜电阻块三，中间微带线被薄膜电阻块一、二、三间断为不连续的四段，薄膜电阻块一、薄膜电阻块二及薄膜电阻块三通过激光工艺调节阻值。本发明采用多节电阻结构，可对每节电阻单独调阻，该结构可以有效提高衰减器的平均耐受功率，并可以对每节电阻的阻值通过激光进行精确控制。阻值通过激光进行精确控制。阻值通过激光进行精确控制。
技术研发人员：刘牛 丁小聪 马涛 汪涛 徐浩然
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十三研究所
技术研发日：2021.11.29
技术公布日：2022/3/4