显示面板、数据处理装置及显示面板的制造方法与流程

1.本发明的一个方式涉及一种显示面板、显示面板的制造方法、数据处理装置或者半导体装置。
2.注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。


背景技术：

3.已知有不用精细金属掩模版也可以形成发光层的有机el显示器的制造方法。作为其一个例子，有一种有机el显示器的制造方法，包括：在形成在绝缘衬底上方的包括第一及第二像素电极的电极阵列的上方沉积包含主体材料和掺杂剂材料的混合物的第一发光性有机材料，来形成第一发光层作为设置在包括电极阵列的显示区域整体上的连续膜的工序；不向第一发光层中位于第一像素电极的上方的部分而向第一发光层中位于第二像素电极的上方的部分照射紫外光的工序；在第一发光层上沉积包含主体材料和掺杂剂材料的混合物并与第一发光性有机材料不同的第二发光性有机材料，来形成第二发光层作为设置在显示区域整体上的连续膜的工序；以及在第二发光层的上方形成对置电极的工序(专利文献1)。
4.此外，已知一种发光器件，其包括阴极与发光层之间的电子注入层，该电子注入层为过渡金属及具有非共用电子对的有机化合物的混合膜，过渡金属原子与该有机化合物形成单占据分子轨道(somo：singly occupied molecular orbital)(专利文献2)。
5.此外，已知一种发光器件，其包括阴极与发光层之间的电子注入层，该电子注入层为金属与具有在3齿或4齿与该金属相互作用的功能的有机化合物的混合膜，金属原子和该有机化合物形成somo。该发光器件的驱动电压低且可靠性高(专利文献3)。
6.[专利文献1]日本专利申请公开第2012-160473号公报[专利文献2]日本专利申请公开第2018-201012号公报[专利文献3]国际专利申请公开wo2019/123190号小册子


技术实现要素：

[0007]
本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。此外，提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。此外，提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的数据处理装置。此外，提供一种新颖的显示面板、新颖的显示面板的制造方法、新颖的数据处理装置或者新颖的半导体装置。
[0008]
注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要
实现所有上述目的。此外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出上述目的以外的目的，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出上述目的以外的目的。
[0009]
(1)本发明的一个方式是一种显示面板，包括第一发光器件、第二发光器件以及分隔壁(具有绝缘性的间隔物)。
[0010]
第一发光器件包括第一电极、第二电极以及第一层。第二电极与第一电极重叠，第一层具有夹在第二电极与第一电极之间的区域。
[0011]
第一层包含第一有机化合物及第一金属，第一有机化合物具有非共用电子对，第一金属属于第5族、第7族、第9族、第11族或第13族。
[0012]
第二发光器件包括第三电极、第四电极以及第二层。第四电极与第三电极重叠，第二层具有夹在第四电极与第三电极之间的区域。
[0013]
第二层包含第一有机化合物及第一金属，并且在第二层与第一层之间有第一间隙。
[0014]
分隔壁包括第一开口部及第二开口部，第一开口部与第一电极重叠，第二开口部与第三电极重叠。此外，分隔壁在第一开口部与第二开口部之间与第一间隙重叠。
[0015]
(2)此外，本发明的一个方式是一种显示面板，包括第一发光器件、第二发光器件以及分隔壁。
[0016]
第一发光器件包括第一电极、第二电极以及第一层。第二电极与第一电极重叠，第一层具有夹在第二电极与第一电极之间的区域。
[0017]
第一层包含第一有机化合物及第一金属，第一有机化合物与第一金属形成somo。此外，第一有机化合物具有非共用电子对，第一金属属于第5族、第7族、第9族、第11族或第13族。
[0018]
第二发光器件包括第三电极、第四电极以及第二层。第四电极与第三电极重叠，第二层具有夹在第四电极与第三电极之间的区域。
[0019]
第二层包含第一有机化合物及第一金属，并且在第二层与第一层之间有第一间隙。
[0020]
分隔壁包括第一开口部及第二开口部，第一开口部与第一电极重叠，第二开口部与第三电极重叠。此外，分隔壁在第一开口部与第二开口部之间与第一间隙重叠。
[0021]
(3)此外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中，第一发光器件包括第一单元及第三层。
[0022]
第一单元具有夹在第一层与第一电极之间的区域，第三层具有夹在第一单元与第一电极之间的区域。
[0023]
第三层包含第一空穴传输性材料及第一受主性物质，第三层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0024]
此外，第二发光器件包括第二单元及第四层，第二单元具有夹在第二层与第三电极之间的区域。
[0025]
第四层具有夹在第二单元与第三电极之间的区域，第四层包含第一空穴传输性材料及第一受主性物质。此外，在第四层与第三层之间有第二间隙，分隔壁在第一开口部与第二开口部之间与第二间隙重叠。
[0026]
(4)此外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中，第一发光器件包括第三单元
及第一中间层。
[0027]
第三单元具有夹在第二电极与第一单元之间的区域，第一中间层具有夹在第三单元与第一单元之间的区域。
[0028]
第一中间层包含第二空穴传输性材料及第二受主性物质，第一中间层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0029]
第二发光器件包括第四单元及第二中间层。第四单元具有夹在第四电极与第二单元之间的区域，第二中间层具有夹在第四单元与第二单元之间的区域。
[0030]
第二中间层包含第二空穴传输性材料及第二受主性物质，并且在第二中间层与第一中间层之间有第三间隙。此外，分隔壁在第一开口部与第二开口部之间与第三间隙重叠。
[0031]
(5)此外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中，第一发光器件包括第五层。
[0032]
第五层具有夹在第一中间层与第一单元之间的区域，第五层包含第二有机化合物及第二金属。此外，第二有机化合物具有非共用电子对，第二金属属于第5族、第7族、第9族、第11族或第13族。
[0033]
第二发光器件包括第六层，第六层具有夹在第二中间层与第二单元之间的区域，第六层包含第二有机化合物及第二金属。此外，在第六层与第五层之间有第四间隙，分隔壁在第一开口部与第二开口部之间与第四间隙重叠。
[0034]
由此，例如，可以抑制显示面板的驱动电压而不将碱金属用于发光器件。此外，当使用蚀刻法时也不会发生碱金属对制造设备的污染。此外，可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，可以抑制电流通过第一中间层及第二中间层流过第一电极与第四电极间的现象。此外，可以抑制电流通过第一中间层及第二中间层流过第三电极与第二电极间的现象。此外，可以抑制发生在第一发光器件与第二发光器件间的串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0035]
(6)此外，本发明的一个方式是一种显示面板，包括第一发光器件、第二发光器件以及分隔壁。
[0036]
第一发光器件包括第一电极、第二电极、第一层以及第二层。此外，第二电极与第一电极重叠。
[0037]
第一层具有夹在第二电极与第一电极之间的区域，第一层包含第一有机化合物及第一金属。此外，第一有机化合物具有非共用电子对，第一金属属于第5族、第7族、第9族、第11族或第13族。
[0038]
第二层具有夹在第二电极与第一层之间的区域，第二层包含第二空穴传输性材料及第二受主性物质。此外，第二层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0039]
第二发光器件包括第三电极、第三层以及第四层。此外，第四层具有夹在第二电极与第三电极之间的区域。
[0040]
第三层具有夹在第四层与第三电极之间的区域，第三层包含第一有机化合物及第一金属。此外，在第三层与第一层之间有第一间隙。
[0041]
第四层包含第二空穴传输性材料及第二受主性物质，并且在第四层与第二层之间有第二间隙。
[0042]
分隔壁包括第一开口部及第二开口部，第一开口部与第一电极重叠，第二开口部
与第三电极重叠。分隔壁在第一开口部与第二开口部之间与第一间隙及第二间隙重叠。
[0043]
(7)此外，本发明的一个方式是一种显示面板，包括第一发光器件、第二发光器件以及分隔壁。
[0044]
第一发光器件包括第一电极、第二电极、第一层以及第二层。此外，第二电极与第一电极重叠。
[0045]
第一层具有夹在第二电极与第一电极之间的区域，第一层包含第一有机化合物及第一金属。此外，第一有机化合物与第一金属形成somo。
[0046]
第二层具有夹在第二电极与第一层之间的区域，第二层包含第二空穴传输性材料及第二受主性物质。此外，第二层具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0047]
第二发光器件包括第三电极、第三层以及第四层。此外，第四层具有夹在第二电极与第三电极之间的区域。
[0048]
第三层具有夹在第四层与第三电极之间的区域，第三层包含第一有机化合物及第一金属。此外，在第三层与第一层之间有第一间隙。
[0049]
第四层包含第二空穴传输性材料及第二受主性物质，并且在第四层与第二层之间有第二间隙。
[0050]
分隔壁包括第一开口部及第二开口部，第一开口部与第一电极重叠，第二开口部与第三电极重叠。分隔壁在第一开口部与第二开口部之间与第一间隙及第二间隙重叠。
[0051]
(8)此外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中，第一发光器件包括第五层。
[0052]
第五层具有第一区域及第二区域，第一区域夹在第二电极与第二层之间，第二区域夹在第二电极与第四层之间。此外，第五层包含第三空穴传输性材料。
[0053]
(9)此外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中，与第一有机化合物的最低未占据分子轨道(lumo：lowest unoccupied molecular orbital)的能级相比，单占据分子轨道(somo)的能级在-1.5ev以上且小于0ev的范围。
[0054]
(10)此外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中，上述第一层所包含的碱金属的浓度低于第一层所包含的第一金属的浓度。
[0055]
(11)此外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中，上述第一有机化合物具有缺π电子杂芳环，第一金属为银。
[0056]
由此，例如，可以抑制显示面板的驱动电压而不将碱金属用于发光器件。此外，可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，当使用蚀刻法时也不会发生碱金属对制造设备的污染。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0057]
(12)此外，本发明的一个方式是上述显示面板，其中，上述第二空穴传输性材料为芳香胺化合物或具有富π电子杂芳环的有机化合物，第二受主性物质为过渡金属氧化物或包含氟或氰基的有机化合物。
[0058]
由此，例如可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，可以抑制蚀刻工序所引起的发光器件的特性变化。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0059]
(13)此外，本发明的一个方式是上述显示面板，包括绝缘膜。
[0060]
绝缘膜填充第一间隙，绝缘膜填充第一单元与第二单元之间处。
[0061]
(14)此外，本发明的一个方式是上述显示面板，包括第一着色层及第二着色层。
[0062]
第一发光器件发射白色光，第二发光器件发射白色光。
[0063]
第一着色层与第一发光器件重叠，第二着色层与第二发光器件重叠，第二着色层透射与第一着色层不同的颜色的光。
[0064]
(15)此外，本发明的一个方式是一种信息处理装置，包括键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、照度传感器、摄像装置、声音输入装置、视线输入装置以及姿态检测装置中的一个以上及上述显示面板。
[0065]
(16)此外，本发明的一个方式是一种显示面板的制造方法，包括如下第一步骤至第十二步骤。
[0066]
在第一步骤中，形成第一电极及第二电极。
[0067]
在第二步骤中，在第一电极与第二电极之间形成分隔壁。
[0068]
在第三步骤中，在第一电极及第二电极上形成包含空穴传输性材料及受主性物质的第一层。
[0069]
在第四步骤中，在第一层上形成第一单元。
[0070]
在第五步骤中，在第一单元上形成包含第一有机化合物及第一金属的第二层。
[0071]
在第六步骤中，在第二层上形成第一导电膜。
[0072]
在第七步骤中，通过使用光蚀刻法，去除第二电极上的第一层、第一单元、第二层以及第一导电膜，由此形成第一发光器件。
[0073]
在第八步骤中，在第一发光器件及第二电极上，形成包含空穴传输性材料及受主性物质的第三层。
[0074]
在第九步骤中，在第三层上形成第二单元。
[0075]
在第十步骤中，在第二单元上形成包含第一有机化合物及第一金属的第四层。
[0076]
在第十一步骤中，在第四层上形成第二导电膜。
[0077]
在第十二步骤中，通过使用光蚀刻法，去除第一发光器件上的第三层、第二单元、第四层以及第二导电膜，由此形成第一发光器件及第二发光器件。
[0078]
(17)此外，本发明的一个方式是一种显示面板的制造方法，包括如下第一步骤至第十步骤。
[0079]
在第一步骤中，形成第一电极及第二电极。
[0080]
在第二步骤中，在第一电极与第二电极之间形成分隔壁。
[0081]
在第三步骤中，在第一电极及第二电极上形成包含第一空穴传输性材料及第一受主性物质的第一层。
[0082]
在第四步骤中，在第一层上形成第一单元。
[0083]
在第五步骤中，在第一单元上形成包含第一有机化合物及第一金属的第二层。
[0084]
在第六步骤中，在第二层上，形成包含第二空穴传输性材料及第二受主性物质的第三层。
[0085]
在第七步骤中，在第三层上形成第二单元。
[0086]
在第八步骤中，在第二单元上形成包含第二有机化合物及第二金属的第四层。
[0087]
在第九步骤中，在第四层上形成导电膜。
[0088]
在第十步骤中，通过使用光蚀刻法，去除分隔壁上的第一层、第一单元、第二层、第
三层、第二单元、第四层以及导电膜，由此形成第一发光器件及第二发光器件。
[0089]
由此，即使不使用金属掩模也可以制造包括多个发光器件的显示面板。此外，例如可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。
[0090]
在本说明书的附图中，根据其功能对构成要素进行分类而示出为彼此独立的方框的方框图，但是，实际上的构成要素难以根据其功能完全划分，而一个构成要素会涉及多个功能。
[0091]
在本说明书中，晶体管所具有的源极和漏极的名称根据晶体管的极性及施加到各端子的电位的高低互相调换。一般而言，在n沟道型晶体管中，将被施加低电位的端子称为源极，而将被施加高电位的端子称为漏极。此外，在p沟道型晶体管中，将被施加低电位的端子称为漏极，而将被施加高电位的端子称为源极。在本说明书中，尽管为方便起见在一些情况下假定源极和漏极是固定的来描述晶体管的连接关系，但是实际上，源极和漏极的名称根据上述电位关系而相互调换。
[0092]
在本说明书中，晶体管的源极是指用作活性层的半导体膜的一部分的源区域或与上述半导体膜连接的源电极。与此同样，晶体管的漏极是指上述半导体膜的一部分的漏区域或与上述半导体膜连接的漏电极。此外，栅极是指栅电极。
[0093]
在本说明书中，晶体管串联连接的状态是指例如第一晶体管的源极和漏极中只有一个只与第二晶体管的源极和漏极中的一个连接的状态。此外，晶体管并联连接的状态是指第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个连接且第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的另一个连接的状态。
[0094]
在本说明书中，连接是指电连接，相当于能够供应或传送电流、电压或电位的状态。因此，连接状态不一定必须是指直接连接的状态，而在其范畴内还包括能够供应或传送电流、电压或电位的通过布线、电阻、二极管、晶体管等的电路元件间接地连接的状态。
[0095]
即使在本说明书中电路图上独立的构成要素彼此连接时，实际上也有一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况，例如布线的一部分用作电极的情况等。本说明书中的连接的范畴内包括这种一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况。
[0096]
此外，在本说明书中，晶体管的第一电极和第二电极中的其中一个是源电极，而另一个是漏电极。
[0097]
根据本发明的一个方式，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。此外，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。此外，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的数据处理装置。此外，可以提供一种新颖的显示面板、新颖的显示面板的制造方法、新颖的数据处理装置或者新颖的半导体装置。
[0098]
注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。注意，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。此外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出上述效果以外的效果，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出上述效果以外的效果。
附图说明
[0099]
图1a及图1b是说明实施方式中的显示面板的结构的图。
图2是说明实施方式中的显示面板的像素的电路图。图3a至图3d是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图4a至图4c是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图5a及图5b是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图6a至图6c是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图7是说明图6a的一部分的图。图8是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图9a及图9b是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图10a及图10b是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图11是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图12a及图12b是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图13a及图13b是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图14是说明图13a的一部分的图。图15是说明实施方式中的显示面板的像素的电路图。图16a及图16b是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图17a及图17b是说明实施方式中的显示面板的结构的图。图18是说明图17a的一部分的图。图19a及图19b是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图20a至图20c是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图21a至图21c是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图22a至图22c是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图23a至图23c是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图24a至图24c是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图25a及图25b是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图26a至图26c是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图27a及图27b是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图28a及图28b是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图29a至图29c是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图30a及图30b是说明实施方式中的显示面板的制造方法的图。图31是说明实施方式中的发光器件的结构的图。图32a及图32b是说明实施方式中的发光器件的结构的图图33a至图33e是说明实施方式中的信息处理装置的结构的图。图34a至图34e是说明实施方式中的信息处理装置的结构的图。图35a及图35b是说明实施方式中的信息处理装置的结构的图。图36是说明实施例中的发光器件的结构的截面图。图37是说明实施例中的发光器件的电流密度-亮度特性的图。图38是说明实施例中的发光器件的亮度-电流效率特性的图。图39是说明实施例中的发光器件的电压-亮度特性的图。图40是说明实施例中的发光器件的电压-电流特性的图。
图41是说明实施例中的发光器件的亮度-外量子效率特性的图，其中假设发光器件的配光特性为朗伯(lambertian)模型，根据在正面观测到的亮度及发射光谱算出外量子效率。图42是说明实施例中的发光器件的发射光谱的图。图43是说明在温度为65℃且湿度为95％的环境下保存48小时之前后的实施例中的发光器件的发光状态的光学照片。
具体实施方式
[0100]
本发明的一个方式的显示面板包括第一发光器件、第二发光器件以及分隔壁。第一发光器件包括第一电极、第二电极以及第一层，第二电极与第一电极重叠，第一层具有夹在第二电极与第一电极之间的区域，第一层包含第一有机化合物及第一金属，第一有机化合物具有非共用电子对，第一金属属于第5族、第7族、第9族、第11族或第13族。此外，第二发光器件包括第三电极、第四电极以及第二层，第四电极与第三电极重叠，第二层具有夹在第四电极与第三电极之间的区域。第二层包含第一有机化合物及第一金属，并且在第二层与第一层之间有第一间隙。分隔壁包括第一开口部及第二开口部，分隔壁在第一开口部与第二开口部之间与第一间隙重叠。
[0101]
由此，例如，可以抑制显示面板的驱动电压而不将碱金属用于发光器件。此外，可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，当使用蚀刻法时也不会发生碱金属对制造设备的污染。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0102]
参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的符号来显示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。
[0103]
实施方式1在本实施方式中，参照图1a至图14说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0104]
图1a及图1b是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的俯视图。图1a是说明本发明的一个方式的显示面板的俯视图，图1b是说明显示面板的一部分的俯视图。
[0105]
图2是说明本发明的一个方式的显示面板的像素的电路图。
[0106]
图3a至图3c是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的截面图。图3a是说明图1a所示的截断线x1-x2处、截断线x3-x4处以及一组像素703(i，j)的截面的图。图3b是说明可用于本发明的一个方式的显示面板的晶体管的截面图。图3c是说明图1b所示的截断线a-b处的截面及本发明的一个方式的显示面板所发射的光的方向的截面图，图3d是说明与使用图3c说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板所发射的光的方向的截面图。
[0107]
图4a至图4c是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图4a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图4b是图4a所示的像素的立体图，图4c是图4a所示的像素的俯视图。此外，图4b及图4c中为了避免繁杂省略绝缘膜。
[0108]
图5a及图5b是说明与参照图4a至图4c说明的本发明的一个方式的显示面板不同
的本发明的一个方式的显示面板的截面图。图5a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图5b是说明图5a所示的发光器件(也称为发光元件)的结构的截面图。
[0109]
图6a至图6c是说明与参照图4a至图5b说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的图。图6a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图6b是图6a所示的像素的立体图，图6c是图6a所示的像素的俯视图。此外，图6b及图6c中为了避免繁杂省略绝缘膜。
[0110]
图7是说明参照图6a至图6c说明的本发明的一个方式的显示面板的一部分的图。
[0111]
图8是说明与参照图4a至图7说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的截面图。
[0112]
图9a及图9b是说明与参照图4a至图8说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的截面图。图9a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图9b是说明图9a的一部分的图。
[0113]
图10a及图10b是说明与参照图4a至图9b说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的截面图。图10a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图10b是说明图10a的一部分的图。
[0114]
图11是说明与参照图4a至图10b说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的截面图。
[0115]
图12a及图12b是说明与参照图4a至图11说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的图。图12a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图12b是图12a所示的像素的俯视图。
[0116]
图13a及图13b是说明与参照图4a至图12b说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的图。图13a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图13b是图13a所示的像素的俯视图。
[0117]
图14是说明参照图13a说明的本发明的一个方式的显示面板的一部分的图。
[0118]
在本说明书等中，有时将使用金属掩模或fmm(fine metal mask，高精细金属掩模版)而制造的器件称为具有mm(metal mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，将不使用金属掩模或fmm而制造的器件称为具有mml(metal mask less)结构的器件。
[0119]
此外，在本说明书等中，有时将在各颜色的发光器件(这里为蓝色(b)、绿色(g)及红色(r))中分别形成发光层或分别涂布发光层的结构称为sbs(side by side)结构。此外，在本说明书等中，有时将可发射白色光的发光器件称为白色发光器件。白色发光器件通过与着色层(例如，滤色片)组合可以用作以全彩色显示的发光器件。
[0120]
此外，发光器件大致可以分为单结构和串联结构。单结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括一个发光单元，而且该发光单元包括一个以上的发光层。为了得到白色发光，以两个以上的发光层的各发光处于补色关系的方式选择发光层即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光器件整体上以白色发光的结构。此外，包括三个以上的发光层的发光器件也是同样的。
[0121]
串联结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括两个以上的多个发光单元，而且各发光单元包括一个以上的发光层。为了得到白色发光，采用组合从多个发光单元的发光层发射的光来得到白色发光的结构即可。注意，得到白色发光的结构与单结构中的
结构同样。此外，在串联结构的器件中，优选在多个发光单元间设置电荷产生层等中间层。
[0122]
此外，在对上述白色发光器件(单结构或串联结构)和sbs结构的发光器件进行比较的情况下，可以使sbs结构的发光器件的功耗比白色发光器件低。想要降低功耗的器件优选采用sbs结构的发光器件。另一方面，白色发光器件的制造工序比sbs结构的发光器件简单，由此可以降低制造成本或者提高制造成品率，所以是优选的。
[0123]
注意，在本说明书中，有时将取1以上的整数作为值的变数用于符号。例如，有时将包含取1以上的整数作为值的变数p的(p)用于指定最大为p个构成要素中的任一个的符号的一部分。此外，例如，有时将包含取1以上的整数作为值的变数m及变数n的(m，n)用于指定最大为m
×
n个构成要素中的任一个的符号的一部分。
[0124]
《显示面板700的结构例子1》显示面板700具有显示区域231，显示区域231包括一组像素703(i，j)(参照图1a)。此外，显示区域231还包括与一组像素703(i，j)相邻的一组像素703(i+1，j)(参照图1b)。
[0125]
《《像素703(i，j)的结构例子》》可以将多个像素用于像素703(i，j)(参照图1b)。例如，可以使用显示色相不同的颜色的多个像素。此外，也可以将多个像素的每一个称为子像素。此外，也可以以多个子像素为一组而将其称为像素。
[0126]
由此，可以对该多个像素所显示的颜色进行加法混色或减法混色。此外，可以显示不能由各个像素显示的色相的颜色。
[0127]
具体而言，可以将显示蓝色的像素702b(i，j)、显示绿色的像素702g(i，j)及显示红色的像素702r(i，j)用于像素703(i，j)。
[0128]
此外，例如，可以对上述一组追加显示白色等的像素等而将其用于像素703(i，j)。此外，可以将显示青色的像素、显示品红色的像素及显示黄色的像素用于像素703(i，j)。
[0129]
此外，例如，可以对上述一组追加发射红外线的像素而将其用于像素703(i，j)。具体而言，可以将发射如下光的像素用于像素703(i，j)，该光包含具有650nm以上且1000nm以下的波长的光。
[0130]
《显示面板700的结构例子2》在本实施方式中说明的显示面板包括驱动电路gd及驱动电路sd(参照图1a及图3a)。此外，还包括端子519b。端子519b例如可以与柔性印刷电路fpc1电连接。
[0131]
《《驱动电路gd的结构例子》》驱动电路gd具有供应第一选择信号及第二选择信号的功能。例如，驱动电路gd与导电膜g1(i)及导电膜g2(i)电连接并分别供应第一选择信号及第二选择信号(参照图2)。
[0132]
《《驱动电路sd的结构例子》》驱动电路sd具有供应图像信号及控制信号的功能，控制信号具有第一电平及第二电平。例如，驱动电路sd与导电膜s1g(j)及导电膜s2g(j)电连接并分别供应图像信号及控制信号。
[0133]
《显示面板700的结构例子3》显示面板700包括基材510、基材770及功能层520(参照图3a)。功能层520夹在基材770与基材510之间。此外，显示面板700包括绝缘膜705，绝缘膜705具有贴合基材770与功能层520的功能。
[0134]
功能层520包括像素电路530b(i，j)、像素电路530g(i，j)以及驱动电路gd。像素电路530b(i，j)通过开口部591b与发光器件550b(i，j)电连接，像素电路530g(i，j)通过开口部591g与发光器件550g(i，j)电连接。
[0135]
此外，显示面板通过基材770显示信息(参照图3c)。换言之，发光器件550b(i，j)向没有配置功能层520的方向发射光。此外，可以将发光器件550b(i，j)称为顶部发射型发光器件。
[0136]
此外，可以将以矩阵状包括触摸传感器的基材用作基材770。例如，可以将静电电容式触摸传感器或者光学式触摸传感器用作基材770。由此，可以将本发明的一个方式的显示面板用作触摸面板。
[0137]
《显示面板700的结构例子4》显示面板700包括基材510、基材770及功能层520(参照图3d)。注意，与参照图3c说明的显示面板不同，参照图3d说明的显示面板通过基材510进行显示。换言之，发光器件550b(i，j)向功能层520发射光。此外，功能层520包括像素电路530b(i，j)及具有透光性的区域520t，发光器件550b(i，j)与像素电路530b(i，j)电连接，发光器件550b(i，j)向具有透光性的区域520t发射光。此外，可以将发光器件550b(i，j)称为底部发射型发光器件。
[0138]
《显示面板700的结构例子5》显示面板700包括像素702g(i，j)、导电膜g1(i)、导电膜g2(i)、导电膜s1g(j)、导电膜s2g(j)、导电膜ano以及导电膜vcom2(参照图1a、图1b以及图2)。
[0139]
例如，导电膜g1(i)被供应第一选择信号，导电膜g2(i)被供应第二选择信号，导电膜s1g(j)被供应图像信号，导电膜s2g(j)被供应控制信号。
[0140]
像素702g(i，j)包括像素电路530g(i，j)及发光器件550g(i，j)。
[0141]
《《像素702g(i，j)的结构例子》》像素702g(i，j)包括像素电路530g(i，j)及发光器件550g(i，j)(参照图2)。
[0142]
《《像素电路530g(i，j)的结构例子1》》像素电路530g(i，j)被供应第一选择信号，像素电路530g(i，j)根据第一选择信号取得图像信号。例如，可以使用导电膜g1(i)供应第一选择信号(参照图2)。此外，可以使用导电膜s1g(j)供应图像信号。注意，可以将供应第一选择信号且使像素电路530g(i，j)取得图像信号的工作称为“写入”。
[0143]
《《像素电路530g(i，j)的结构例子2》》像素电路530g(i，j)包括开关sw21、开关sw22、晶体管m21、电容器c21及节点n21(参照图2)。此外，像素电路530g(i，j)包括节点n22、电容器c22及开关sw23。
[0144]
晶体管m21包括与节点n21电连接的栅电极、与发光器件550g(i，j)电连接的第一电极、与导电膜ano电连接的第二电极。
[0145]
开关sw21具有根据与节点n21电连接的第一端子、与导电膜s1g(j)电连接的第二端子、导电膜g1(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能。
[0146]
开关sw22具有根据与导电膜s2g(j)电连接的第一端子、导电膜g2(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能。
[0147]
电容器c21包括与节点n21电连接的导电膜、与开关sw22的第二电极电连接的导电膜。
[0148]
由此，可以将图像信号储存在节点n21中。此外，可以使用开关sw22改变节点n21的电位。此外，可以使用节点n21的电位控制发光器件550g(i，j)所发射的光的强度。
[0149]
《《晶体管m21的结构例子》》可以将底栅型晶体管或顶栅型晶体管等用于功能层520。具体而言，可以将晶体管用作开关。
[0150]
晶体管包括半导体膜508、导电膜504、导电膜512a及导电膜512b(参照图3b)。晶体管例如形成在绝缘膜501c上。
[0151]
半导体膜508包括与导电膜512a电连接的区域508a及与导电膜512b电连接的区域508b。半导体膜508包括区域508a和区域508b之间的区域508c。
[0152]
导电膜504包括与区域508c重叠的区域，导电膜504具有栅电极的功能。
[0153]
绝缘膜506包括夹在半导体膜508与导电膜504之间的区域。绝缘膜506具有栅极绝缘膜的功能。
[0154]
导电膜512a具有源电极的功能和漏电极的功能中的一个，导电膜512b具有源电极的功能和漏电极的功能中的另一个。
[0155]
此外，可以将导电膜524用于晶体管。导电膜524包括在其与导电膜504之间夹着半导体膜508的区域。导电膜524具有第二栅电极的功能。绝缘膜501d夹在半导体膜508与导电膜524之间，并具有第二栅极绝缘膜的功能。此外，有时将使用导电膜524的晶体管称为双栅晶体管，并且将不使用导电膜524的晶体管称为单栅晶体管。这些晶体管都可以用于功能层520。
[0156]
在形成用于像素电路的晶体管的半导体膜的工序中，可以形成用于驱动电路的晶体管的半导体膜。例如，可以将半导体膜用于驱动电路，该半导体膜具有与像素电路的晶体管中的半导体膜相同的组成。
[0157]
《《半导体膜508的结构例子1》》例如，可以将包含第14族元素的半导体用于半导体膜508。具体而言，可以将包含硅的半导体用于半导体膜508。
[0158]
[氢化非晶硅]例如，可以将氢化非晶硅用于半导体膜508。此外，可以将微晶硅等用于半导体膜508。由此，例如，可以提供与将多晶硅用于半导体膜508的功能面板相比显示不均匀较少的功能面板。此外，容易实现功能面板的大型化。
[0159]
[多晶硅]例如，可以将多晶硅用于半导体膜508。由此，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的场效应迁移率。此外，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的驱动能力。此外，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的像素开口率。
[0160]
此外，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的晶体管高的可靠性。
[0161]
此外，例如，可以使制造晶体管时需要的温度比使用单晶硅的晶体管低。
[0162]
此外，可以通过同一工序形成用于驱动电路的晶体管的半导体膜及用于像素电路的晶体管的半导体膜。此外，可以在与形成有像素电路的衬底同一衬底上形成驱动电路。此外，可以减少构成电子设备的构件数量。
[0163]
[单晶硅]例如，可以将单晶硅用于半导体膜508。由此，例如，可以实现比将氢化非晶硅用于半导体膜508的功能面板高的清晰度。此外，例如，可以提供与将多晶硅用于半导体膜508的功能面板相比显示不均匀较少的功能面板。此外，例如，可以提供智能眼镜或头戴显示器。
[0164]
《《半导体膜508的结构例子2》》例如，可以将金属氧化物用于半导体膜508。由此，与利用将非晶硅用于半导体膜的晶体管的像素电路相比，可以延长像素电路能够保持图像信号的时间。具体而言，可以抑制闪烁的发生，并以低于30hz、优选为低于1hz、更优选为低于1次/分的频率供应选择信号。其结果是，可以降低数据处理装置的使用者的眼睛疲劳。此外，可以降低用于驱动的功耗。
[0165]
例如，可以利用使用氧化物半导体的晶体管。具体而言，可以将包含铟的氧化物半导体、包含铟、镓及锌的氧化物半导体或包含铟、镓、锌及锡的氧化物半导体用于半导体膜。
[0166]
例如，可以使用关闭状态时的泄漏电流比将非晶硅用于半导体膜的晶体管小的晶体管。具体而言，可以将在半导体膜中使用氧化物半导体的晶体管用作开关等。由此，与将使用非晶硅的晶体管用作开关的电路相比，可以以更长的时间保持浮动节点的电位。
[0167]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子1》》发光器件550g(i，j)与像素电路530g(i，j)电连接(参照图2)。此外，发光器件550g(i，j)包括电极551g(i，j)及电极552(j)。电极551g(i，j)与像素电路530g(i，j)电连接，电极552(j)与导电膜vcom2电连接(参照图2及图4a)。此外，发光器件550g(i，j)根据节点n21的电位进行工作。
[0168]
例如，可以将有机电致发光元件、无机电致发光元件、发光二极管或qdled(quantum dot led：量子点发光二极管)等用于发光器件550g(i，j)。
[0169]
《显示面板700的结构例子6》在本实施方式中说明的显示面板700包括发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)以及分隔壁528(参照图4a)。此外，还包括发光器件550r(i，j)。
[0170]
《《发光器件550b(i，j)的结构例子1》》发光器件550b(i，j)包括电极551b(i，j)、电极552b(j)以及层105b(j)。此外，电极552b(j)与电极551b(i，j)重叠。
[0171]
此外，发光器件550b(i，j)包括单元103b(j)以及层104b(j)。
[0172]
单元103b(j)具有夹在层105b(j)与电极551b(i，j)之间的区域。单元103b(j)包括发光层，并具有发射光的功能。例如，单元103b(j)能够发射蓝色光。
[0173]
此外，例如，可以将选自空穴传输层、电子传输层以及载流子阻挡层等中的层用于单元103b(j)。此外，例如，可以将高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)、中分子化合物(介于低分子与高分子之间的化合物：分子量为400以上且4000以下)、低分子化合物等用于单元103b(j)。此外，可以使用真空蒸镀装置、喷墨装置、如旋涂机等涂敷装置、凹版印刷装置、胶版印刷装置、丝网印刷装置等制造单元103b(j)。
[0174]
《《层105b(j)的结构例子》》层105b(j)具有夹在电极552b(j)与电极551b(i，j)之间的区域。例如，层105b(j)被夹在电极552b(j)与单元103b(j)之间，层105b(j)与电极552b(j)接触。此外，层105b(j)例如可以用于电子注入层。
[0175]
层105b(j)包含第一有机化合物及第一金属。此外，第一有机化合物与第一金属形成somo。例如，与第一有机化合物的lumo的能级相比，somo的能级在-1.5ev以上且小于0ev的范围。
[0176]
例如，可以将包含具有非共用电子对的第一有机化合物及第一金属的复合材料用于层105b(j)。此外，第一有机化合物的电子数与第一金属的电子数的总和优选为奇数。此外，相对于第一有机化合物1摩尔的第一金属的摩尔比率优选为0.1以上且10以下，更优选为0.2以上且2以下，进一步优选为0.2以上且0.8以下。
[0177]
由此，具有非共用电子对的第一有机化合物与第一金属相互起作用，从而可以形成somo。此外，在将电子从电极552b(j)注入到层105b(j)的情况下，可以降低两者之间存在的势垒。此外，第一金属与水或氧之间的反应性较弱，由此可以提高发光器件550b(i，j)的抗湿性。
[0178]
此外，可以在层105b(j)中使用一种复合材料，其中通过电子自旋共振(esr：electron spin resonance)测量的层105b(j)的自旋密度优选为1
×
10
16
spins/cm3以上，更优选为5
×
10
16
spins/cm3以上，进一步优选为1
×
10
17
spins/cm3以上。
[0179]
此外，层105b(j)所包含的碱金属的浓度优选低于层105b(j)所包含的第一金属的浓度。例如，锂、钠、钾、铷、铯等为碱金属。此外，层105b(j)所包含的碱金属的浓度及第一金属的浓度可以通过二次离子质谱分析法等检出。
[0180]
[第一有机化合物]例如，可以将电子传输性材料用于具有非共用电子对的有机化合物。例如，可以使用具有缺π电子杂芳环的化合物。具体而言，可以使用具有吡啶环、二嗪环(嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环)以及三嗪环中的至少一个的化合物。由此，可以降低发光器件550b(i，j)的驱动电压。
[0181]
此外，具有非共用电子对的有机化合物的最低未占据分子轨道(lumo：lowest unoccupied molecular orbital)优选为-3.6ev以上且-2.3ev以下。一般来说，可以使用cv(循环伏安法)、光电子能谱法、光吸收能谱法、逆光电子能谱法等估计有机化合物的最高占据分子轨道(homo：highest occupied molecular orbital)能级及lumo能级。
[0182]
例如，作为具有非共用电子对的有机化合物，可以使用4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：bphen)、2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：nbphen)、二喹喔啉并[2，3-a：2’，3
’‑
c]吩嗪(简称：hatna)、2，4，6-三[3
’‑
(吡啶-3-基)联苯基-3-基]-1，3，5-三嗪(简称：tmpppytz)等。此外，与bphen相比，nbphen具有高玻璃化转变温度(tg)，从而具有高耐热性。
[0183]
[化学式1]
[0184]
此外，例如，作为具有非共用电子对的有机化合物，可以使用铜酞菁。铜酞菁的电子数为奇数。
[0185]
[第一金属]例如，在具有非共用电子对的有机化合物的电子数为偶数的情况下，可以将属于元素周期表中的奇数族的第一金属及第一有机化合物的复合材料用于层105b(j)。
[0186]
例如，第7族金属的锰(mn)、第9族金属的钴(co)、第11族金属的铜(cu)、银(ag)、金(au)、第13族金属的铝(al)、铟(in)都属于元素周期表中的奇数族。此外，与第7族或第9族元素相比，第11族元素具有低熔点，适合用于真空蒸镀。尤其是，ag的熔点低，因此这是优选的。
[0187]
通过将ag用于电极552b(j)及层105b(j)，可以提高层105b(j)与电极552b(j)的贴紧性。
[0188]
此外，在具有非共用电子对的第一有机化合物的电子数为奇数的情况下，可以将属于元素周期表中的偶数族的第一金属及第一有机化合物的复合材料用于层105b(j)。例如，第8族金属的铁(fe)属于元素周期表中的偶数族。
[0189]
由此，例如，可以抑制显示面板的驱动电压而不将碱金属用于发光器件。此外，可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，当使用蚀刻法时也不会发生碱金属对制造设备的污染。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0190]
《《层104b(j)的结构例子1》》层104b(j)具有夹在单元103b(j)与电极551b(i，j)之间的区域(参照图4a)。此外，层104b(j)例如可以用于空穴注入层。
[0191]
层104b(j)包含复合材料。复合材料包含空穴传输性材料及受主性物质，层104b(j)具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0192]
由此，可以在制造工序中在表面配置包含空穴传输性材料及受主性物质且具有抗氧化性的层。此外，可以在表面配置有化学稳定的层的状态下进行蚀刻工序。此外，例如可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，可以抑制蚀刻工序所引起的发光器件的特性变化。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
联苯)苯并[b]萘并[1，2-d]呋喃-8-胺(简称：bbabnf(8))、n，n-双(4-联苯)苯并[b]萘并[2，3-d]呋喃-4-胺(简称：bbabnf(ii)(4))、n，n-双[4-(二苯并呋喃-4-基)苯基]-4-氨基-对三联苯基(简称：dbfbb1tp)、n-[4-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-n-苯基-4-联苯胺(简称：thba1bp)、4-(2-萘基)-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnb)、4-[4-(2-萘基)苯基]-4’，4
”‑
二苯基三苯基胺(简称：bbaβnbi)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(6；1
’‑
联萘基-2-基)三苯基胺(简称：bbaαnβnb)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(7；1
’‑
联萘基-2-基)三苯基胺(简称：bbaαnβnb-03)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(7-苯基)萘基-2-基三苯基胺(简称：bbapβnb-03)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(6；2
’‑
联萘基-2-基)三苯基胺(简称：bba(βn2)b)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(7；2
’‑
联萘基-2-基)-三苯基胺(简称：bba(βn2)b-03)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(4；2
’‑
联萘基-1-基)三苯基胺(简称：bbaβnαnb)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(5；2
’‑
联萘基-1-基)三苯基胺(简称：bbaβnαnb-02)、4-(4-联苯基)-4
’‑
(2-萘基)-4
”‑
苯基三苯基胺(简称：tpbiaβnb)、4-(3-联苯基)-4
’‑
[4-(2-萘基)苯基]-4
”‑
苯基三苯基胺(简称：mtpbiaβnbi)、4-(4-联苯基)-4
’‑
[4-(2-萘基)苯基]-4
”‑
苯基三苯基胺(简称：tpbiaβnbi)、4-苯基-4
’‑
(1-萘基)三苯基胺(简称：αnba1bp)、4，4
’‑
双(1-萘基)三苯基胺(简称：αnbb1bp)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
[4
’‑
(咔唑-9-基)联苯-4-基]三苯基胺(简称：ygtbi1bp)、4
’‑
[4-(3-苯基-9h-咔唑-9-基)苯基]三(1，1
’‑
联苯-4-基)胺(简称：ygtbi1bp-02)、4-[4
’‑
(咔唑-9-基)联苯基-4-基]-4
’‑
(2-萘基)-4
”‑
苯基三苯基胺(简称：ygtbiβnb)、n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]-n-[4-(1-萘基)苯基]-9，9'-螺双[9h-芴]-2-胺(简称：pcbnbsf)、n，n-双([1，1
’‑
联苯]-4-基)-9，9
’‑
螺双[9h-芴]-2-胺(简称：bbasf)、n，n-双([1，1
’‑
联苯]-4-基)-9，9
’‑
螺双[9h-芴]-4-胺(简称：bbasf(4))、n-(1，1
’‑
联苯-2-基)-n-(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双(9h-芴)-4-胺(简称：ofbisf)、n-(4-联苯)-n-(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)二苯并呋喃-4-胺(简称：frbif)、n-[4-(1-萘基)苯基]-n-[3-(6-苯基二苯并呋喃-4-基)苯基]-1-萘基胺(简称：mpdbfbnbn)、4-苯基-4
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：bpaflp)、4-苯基-3
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：mbpaflp)、4-苯基-4
’‑
[4-(9-苯基芴-9-基)苯基]三苯基胺(简称：bpaflbi)、4-苯基-4
’‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：pcba1bp)、4，4
’‑
二苯基-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：pcbbi1bp)、4-(1-萘基)-4
’‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：pcbanb)、4，4
’‑
二(1-萘基)-4
”‑
(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯基胺(简称：pcbnbb)、n-苯基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9
’‑
二芴-2-胺(简称：pcbasf)、n-(1，1
’‑
联苯-4-基)-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9h-芴-2-胺(简称：pcbbif)、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-4-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-3-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-2-胺、n，n-双(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-9，9
’‑
螺双-9h-芴-1-胺等。
[0202]
[受主性物质]例如，可以将过渡金属氧化物或包含氟或氰基的有机化合物用于受主性物质。受主性物质借助于施加电场而能够从相邻的空穴传输层或空穴传输性材料抽出电子。此外，受主性有机化合物可以利用蒸镀容易地形成。因此，可以提高发光器件的生产率。
[0203]
具体而言，可以使用7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：f
4-tcnq)、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮杂三亚苯(简称：hat-cn)、1，3，4，5，7，8-六氟四氰(hexafluorotetracyano)-萘醌二甲烷(naphthoquinodimethane)(简称：f6-tcnnq)、
2-(7-二氰基亚甲基-1，3，4，5，6，8，9，10-八氟-7h-芘-2-亚基)丙二腈等。
[0204]
尤其是，hat-cn这样的吸电子基团键合于具有多个杂原子的稠合芳香环的化合物热稳定，所以是优选的。
[0205]
此外，包括吸电子基团(尤其是如氟基等卤基或氰基)的[3]轴烯衍生物的电子接收性非常高，所以是优选的。
[0206]
具体而言，可以使用α，α’，α
”‑
1，2，3-环烷三亚基(ylidene)三[4-氰-2，3，5，6-四氟苯乙腈]、α，α’，α
”‑
1，2，3-环丙三亚基三[2，6-二氯-3，5-二氟-4-(三氟甲基)苯乙腈]、α，α’，α
”‑
1，2，3-环烷三亚基三[2，3，4，5，6-五氟苯乙腈]等。
[0207]
此外，可以将钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等用于受主性物质。像钼氧化物那样的金属氧化物在大气中稳定，并具有低吸湿性，由此可以抑制由于在工序中单元103b(j)及层105b(j)被氧化导致的劣化或者由水导致的劣化。
[0208]
此外，可以使用酞菁类配合物化合物如酞菁(简称：h2pc)、铜酞菁(cupc)等；具有芳香胺骨架的化合物如4，4
’‑
双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]联苯(简称：dpab)、n，n'-双{4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基}-n，n'-二苯基-(1，1'-联苯)-4，4'-二胺(简称：dntpd)等。
[0209]
此外，可以使用聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(pedot/pss)等高分子等。
[0210]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子2》》发光器件550g(i，j)包括电极551g(i，j)、电极552g(j)以及层105g(j)(参照图4a)。此外，电极552g(j)与电极551g(i，j)重叠。
[0211]
此外，发光器件550g(i，j)包括单元103g(j)以及层104g(j)。
[0212]
单元103g(j)具有夹在层105g(j)与电极551g(i，j)之间的区域。单元103g(j)包括发光层，并具有发射光的功能。例如，单元103g(j)能够发射绿色光。
[0213]
此外，例如，可以将选自空穴传输层、电子传输层以及载流子阻挡层等中的层用于单元103g(j)。
[0214]
《《层105g(j)的结构例子》》层105g(j)具有夹在电极552g(j)与电极551g(i，j)之间的区域。例如，层105g(j)被夹在电极552g(j)与单元103g(j)之间，层105g(j)与电极552g(j)接触。此外，层105g(j)例如可以用于电子注入层。
[0215]
层105g(j)包含第一有机化合物及第一金属，在层105g(j)与层105b(j)之间有间隙105s(j)。
[0216]
《《层104g(j)的结构例子1》》层104g(j)具有夹在单元103g(j)与电极551g(i，j)之间的区域。层104g(j)例如可以用于空穴注入层。
[0217]
层104g(j)包含与层104b(j)相同的空穴传输性材料及受主性物质。
[0218]
层104g(j)与层104b(j)之间有间隙104s(j)。由于层104b(j)及层104g(j)具有导电性，因此间隙104s(j)具有防止层104b(j)与层104g(j)之间的电导通的功能。
[0219]
在超过1000ppi的高清晰显示面板中，若层104b(j)与层104g(j)间有电导通则发生串扰现象，显示面板可显示的色域变窄。通过在超过1000ppi，优选为超过2000ppi，更优
选为超过5000ppi的超高清晰显示面板中设置间隙104s(j)，可以提供能够显示鲜明色彩的显示面板。
[0220]
由此，可以从正极一侧向阴极一侧供应空穴。此外，发光器件550g(i，j)的层104g(j)与发光器件550b(i，j)的层104b(j)分离，由此可以抑制串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0221]
此外，层104g(j)与层104b(j)可以具有连接区域。换言之，只要使用间隙104s(j)电分离层104g(j)与层104b(j)即可。
[0222]
在层104g(j)与层104b(j)具有连接区域的情况下，层104b(j)为在设置有间隙104s(j)的层中与电极551b(i，j)重叠的区域，层104g(j)为在该层中与电极551g(i，j)重叠的区域。此外，在层104g(j)与层104b(j)之间有间隙554s(j)，并且在俯视图上从电极551g(i,j)向电极551b(i,j)划的直线横跨间隙104s(j)的几率为横跨连接区域的几率以上。
[0223]
《《分隔壁528的结构例子1》》分隔壁528包括开口部528b(i，j)及开口部528g(i，j)(参照图4c)。开口部528b(i，j)与电极551b(i，j)重叠，开口部528g(i，j)与电极551g(i，j)重叠。
[0224]
分隔壁528在开口部528b(i，j)与开口部528g(i，j)之间与间隙105s(j)重叠(参照图4a)。
[0225]
此外，分隔壁528在开口部528b(i，j)与开口部528g(i，j)之间与间隙104s(j)重叠。
[0226]
可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等用于分隔壁528。具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜、无机氧氮化物膜等或层叠有选自这些膜中的多个膜的叠层材料用于分隔壁528。例如，可以将氧化硅膜、包含丙烯酸树脂的膜或包含聚酰亚胺的膜等用于分隔壁528。
[0227]
《《发光器件550r(i，j)的结构例子1》》发光器件550r(i，j)包括电极551r(i，j)、电极552r(j)以及层105r(j)(参照图4a)。此外，层105r(j)例如可以用于电子注入层。
[0228]
此外，发光器件550r(i，j)还包括单元103r(j)及层104r(j)。此外，电极552r(j)与电极551r(i，j)重叠。此外，层104r(j)例如可以用于空穴注入层。
[0229]
单元103r(j)具有夹在层105r(j)与电极551r(i，j)之间的区域。单元103r(j)包括发光层，具有发射光的功能。例如，能够发射红色光。
[0230]
例如，可以将选自空穴传输层、电子传输层、载流子阻挡层等中的层用于单元103r(j)。
[0231]
例如，可以将蓝色的发光材料、绿色的发光材料、红色的发光材料分别用于单元103b(j)、单元103g(j)、单元103r(j)。由此，可以提高各发光器件的发光效率。此外，可以高效地利用发光器件所发射的光。
[0232]
此外，当使用蚀刻法时也不会发生碱金属对制造设备的污染。此外，可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，可以防止层104b(j)与层104g(j)之间的电导通。此外，可以抑制电流通过层104b(j)及层104g(j)流过电极551b(i，j)与电极552g(j)间的现象。此外，可以抑制电流通过层104b(j)及层104g(j)流过电极551g(i，j)与电极552b(j)间的现象。此外，可以抑制发生在发光器件550b(i，j)与发光器件550g(i，j)间的串扰现象。结果，可以提
供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0233]
《《绝缘膜573的结构例子1》》绝缘膜573与电极551b(i，j)之间夹持电极552b(j)，并与电极551g(i，j)之间夹持电极552g(j)(参照图4a)。
[0234]
例如，可以将绝缘膜573a和绝缘膜573b层叠而成的膜用作绝缘膜573。
[0235]
例如，可以将氧化铝、氧化镁、氧化铪、氧化镓、铟镓锌氧化物、氮化硅或氮氧化硅等用于绝缘膜573。
[0236]
此外，可以抑制发光器件550b(i，j)周围的杂质扩散到发光器件550b(i，j)。此外，可以抑制发光器件550g(i，j)周围的杂质扩散到发光器件550g(i，j)。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0237]
《显示面板700的结构例子7》参照图5a及图5b说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0238]
注意，与参照图4a说明的显示面板不同，发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)都发射白色光。
[0239]
此外，与参照图4a说明的显示面板不同，显示面板包括着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)(参照图5a)。在此，对不同之处进行详细说明，而关于能够使用与上述结构相同的结构的部分援用上述说明。
[0240]
《《单元103b(j)的结构例子1》》例如，可以将发射蓝色光el(1)的层111b、发射绿色光el(2)的层111g及发射红色光el(3)的层111r用于一个单元103b(j)(参照图5b)。由此，能够发射白色光。
[0241]
具体而言，可以将层叠包含蓝色发光性材料的层111b、包含绿色发光性材料的层111g和包含红色发光性材料的层111r的结构用于单元103b(j)。
[0242]
此外，可以将包含空穴传输性材料的层、包含电子传输性材料的层、包含双极性材料的层用于单元103b(j)。例如，可以将空穴传输性材料用于层112(1)。此外，可以将电子传输性材料用于层113。此外，可以将双极性材料用于层112(2)。
[0243]
此外，可以将用于单元103b(j)的结构用于单元103g(j)及单元103r(j)。
[0244]
《《着色层的结构例子1》》着色层cfb(j)、着色层cfg(j)分别与发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)重叠，并且着色层cfg(j)透过与着色层cfb(j)不同颜色的光。此外，着色层cfr(j)与发光器件550r(i，j)重叠，并透过与着色层cfb(j)及着色层cfg(j)不同颜色的光。
[0245]
例如，可以将优先透射蓝色光的材料用于着色层cfb(j)。由此，可以从白色光取出蓝色光。
[0246]
例如，可以将优先透射绿色光的材料用于着色层cfg(j)。由此，可以从白色光取出绿色光。
[0247]
例如，可以将优先透射红色光的材料用于着色层cfr(j)。由此，可以从白色光取出红色光。
[0248]
《《单元103b(j)的结构例子2》》例如，可以将蓝色发光性材料用于单元103b(j)、单元103g(j)及单元103r(j)。由此，发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)都能够发射蓝色光。
[0249]
此外，也可以使用颜色转换层代替着色层。例如，可以将纳米粒子、量子点等用于颜色转换层。
[0250]
例如，可以使用将蓝色光转换为绿色光的颜色转换层代替着色层cfg(j)。此外，可以使用将蓝色光转换为红色光的颜色转换层代替着色层cfr(j)。由此，可以将发光器件550g(i，j)所发射的蓝色光转换为绿色光。由此，可以将发光器件550r(i，j)所发射的蓝色光转换为红色光。
[0251]
由此，例如可以在形成发光器件550b(i，j)的工序中还形成发光器件550g(i，j)。此外，可以使用发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)改变色相。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0252]
《显示面板700的结构例子8》参照图6a至图6c及图7说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0253]
注意，参照图6a至图6c及图7说明的显示面板的与参照图4a说明的显示面板不同之处是：发光器件550b(i，j)包括单元103b2(j)、层106b(j)以及层105b2(j)；以及发光器件550g(i，j)包括单元103g2(j)、层106g(j)以及层105g2(j)。此外，发光器件550r(i，j)包括单元103r2(j)、层106r(j)以及层105r2(j)。此外，有时将层106r(j)称为中间层。
[0254]
在此，对不同之处进行详细说明，而关于能够使用与上述结构相同的结构的部分援用上述说明。
[0255]
《《发光器件550b(i，j)的结构例子2》》发光器件550b(i，j)包括单元103b2(j)、层106b(j)以及层105b2(j)(参照图6a)。
[0256]
《《单元103b2(j)的结构例子1》》单元103b2(j)具有夹在层105b(j)与单元103b(j)间的区域。
[0257]
例如，可以将与单元103b(j)不同的发光颜色的结构用于单元103b2(j)。具体而言，可以使用发射红色光及绿色光的单元103b(j)和发射蓝色光的单元103b2(j)。由此，可以提供一种发射所希望的颜色的光的发光器件。例如可以提供一种发射白色光的发光器件。
[0258]
此外，例如，单元103b(j)和单元103b2(j)的发光颜色可以为相同。具体而言，可以使用发射蓝色光的单元103b(j)及发射蓝色光的单元103b2(j)。由此，可以在抑制功耗的同时得到亮度较高的发光。
[0259]
《《层106b(j)的结构例子1》》层106b(j)具有夹在单元103b2(j)与单元103b(j)间的区域。层106b(j)例如可以用于电荷产生层。层106b(j)具有通过施加电压来向阳极一侧供应电子并向阴极一侧供应空穴的功能。此外，有时将层106b(j)称为中间层。
[0260]
层106b(j)包含复合材料。复合材料包含空穴传输性材料及受主性物质，并具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。此外，可以将可用于层104b(j)的复合材料用于层106b(j)。
[0261]
《《层105b2(j)的结构例子1》》层105b2(j)具有夹在单元106b(j)与单元103b(j)间的区域。此外，层105b2(j)例如可以用于电子注入层。
[0262]
层105b2(j)包含第二有机化合物及第二金属。例如，可以将可用于层105b(j)的第
一有机化合物用作第二有机化合物。此外，可以将可用于层105b(j)的第一金属用作第二金属。此外，第二有机化合物与第二金属形成somo。
[0263]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子3》》发光器件550g(i，j)包括单元103g2(j)、层106g(j)以及层105g2(j)。
[0264]
《《单元103g2(j)的结构例子》》单元103g2(j)具有夹在单元105g(j)与单元103g(j)间的区域。
[0265]
《《层106g(j)的结构例子》》层106g(j)具有夹在单元103g2(j)与单元103g(j)间的区域。
[0266]
层106g(j)包含与层106b(j)相同的空穴传输性材料及受主性物质。此外，在层106g(j)与层106b(j)之间有间隙106s(j)(参照图6a及图7)。由于层106b(j)及层106g(j)具有导电性，因此间隙106s(j)具有防止层106b(j)与层106g(j)之间的电导通的功能。此外，有时将层106g(j)称为中间层。
[0267]
《《分隔壁528的结构例子2》》分隔壁528在开口部528b(i，j)与开口部528g(i，j)之间与间隙106s(j)重叠。
[0268]
由此，可以抑制电流通过层104b(j)及层104g(j)或者层106b(j)及层106g(j)流过电极551b(i，j)与电极552g(j)之间的现象。此外，可以抑制电流通过层104b(j)及层104g(j)流过电极551g(i，j)与电极552b(j)间的现象。此外，可以抑制发生在发光器件550b(i，j)与发光器件550g(i，j)间的串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0269]
《《层104b(j)及层104g(j)的结构例子》》层104b(j)包括第一侧壁wl1，且层104g(j)包括第二侧壁wl2(参照图7)。
[0270]
第二侧壁wl2与第一侧壁wl1相对，并与第一侧壁wl1间夹持间隙104s(j)。
[0271]
《《层105g2(j)的结构例子》》层105g2(j)具有夹在层106g(j)与单元103g(j)之间的区域(参照图6a)。此外，层105g2(j)例如可以用于电子注入层。
[0272]
层105g2(j)包含第二有机化合物及第二金属。
[0273]
此外，在层105g2(j)与层105b2(j)之间有间隙(参照图6a及图7)。
[0274]
此外，当使用蚀刻法时也不会发生碱金属对制造设备的污染。此外，可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，可以抑制电流通过层106b(j)及层106g(j)流过电极551b(i，j)与电极552g(j)间的现象。此外，可以抑制电流通过层106b(j)及层106g(j)流过电极551g(i，j)与电极552b(j)间的现象。此外，可以抑制发生在发光器件550b(i，j)与发光器件550g(i，j)间的串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0275]
《《绝缘膜573的结构例子2》》绝缘膜573与第一侧壁wl1及第二侧壁wl2接触。此外，绝缘膜573填充间隙104s(j)。
[0276]
《《绝缘膜573的结构例子3》》此外，绝缘膜573与分隔壁528接触(参照图7)。
[0277]
《《绝缘膜573的结构例子4》》绝缘膜573包括绝缘膜573a及绝缘膜573b。
[0278]
绝缘膜573a夹在绝缘膜573b与电极552b(j)之间，并夹在绝缘膜573b与电极552g(i，j)之间。
[0279]
《《分隔壁528的结构例子3》》分隔壁528与绝缘膜573a接触，并例如包含氮化硅。
[0280]
可以将抑制水等杂质的扩散的能力较高的绝缘膜用作分隔壁528。例如，优选使用与绝缘膜573b同样的结构。由此，分隔壁528在不与发光器件550g(i，j)重叠的区域与绝缘膜573a接触。换言之，可以由绝缘膜573a、绝缘膜573b及分隔壁528密封发光器件550g(i，j)。
[0281]
由此，可以抑制水从绝缘膜573b及分隔壁528的外部扩散到发光器件550g(i，j)的现象。此外，可以俘获或固定绝缘膜573b及分隔壁528的内部的水。此外，可以降低发光器件550g(i，j)的水的浓度。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0282]
《显示面板700的结构例子9》在本实施方式中说明的显示面板包括绝缘膜705(参照图6a)。
[0283]
《《绝缘膜705的结构例子》》绝缘膜705填充单元103b(j)与单元103g(j)之间处。此外，有时不是绝缘膜573而是绝缘膜705填充间隙104s(j)。
[0284]
绝缘膜705包括夹在功能层520与基材770之间的区域，并具有贴合功能层520与基材770的功能。
[0285]
可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等用于绝缘膜705。
[0286]
具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜、无机氧氮化物膜等或层叠有选自这些膜中的多个膜的叠层材料用于绝缘膜705。
[0287]
例如，可以将包含氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等或层叠有选自这些膜中的多个材料的叠层材料的膜用于绝缘膜705。氮化硅膜是致密的膜，具有优良的抑制杂质扩散的功能。
[0288]
例如，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚硅氧烷或丙烯酸树脂等或选自上述树脂中的多个树脂的叠层材料或复合材料等用于绝缘膜705。
[0289]
例如，可以将反应固化型粘合剂、光固化型粘合剂、热固化型粘合剂或/及厌氧型粘合剂等有机材料用于绝缘膜705。
[0290]
由此，可以抑制杂质扩散到发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)的现象。此外，可以提高发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)的可靠性。其结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0291]
《显示面板700的结构例子10》参照图8说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0292]
注意，与参照图6a至图6c说明的显示面板不同，参照图8说明的显示面板中的绝缘膜573填充间隙104s(j)，并且着色层cfb(j)、着色层cfg(j)以及着色层cfr(j)与绝缘膜573接触。
[0293]
《《着色层的结构例子2》》例如，可以将使用彩色光阻而形成的与绝缘膜573接触的着色膜用于着色层cfb
(j)、着色层cfg(j)以及着色层cfr(j)(参照图8)。
[0294]
《《绝缘膜573的结构例子5》》绝缘膜573包括夹在着色层cfb(j)与发光器件550b(i，j)之间的区域，绝缘膜573包括夹在着色层cfg(j)与发光器件550g(i，j)之间的区域，并且绝缘膜573包括夹在着色层cfr(j)与发光器件550r(i，j)之间的区域。
[0295]
此外，绝缘膜573与电极551b(i，j)之间夹持电极552b(j)，与电极551g(i，j)之间夹持电极552g(j)，并与电极551r(i，j)之间夹持电极552r(j)。
[0296]
例如，可以将层叠有机材料和无机材料的叠层膜用作绝缘膜573。由此，可以形成缺陷少的高质量绝缘膜573。此外，在形成着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)的工序中，例如，绝缘膜573可以保护夹在绝缘膜573与电极551b(i，j)之间的结构。此外，可以抑制杂质扩散到发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)的现象。
[0297]
《显示面板700的结构例子11》将参照图9a及图9b说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0298]
注意，该显示面板包括保护层554b(j)、保护层554g(j)以及保护层554r(j)，这一点与参照图6a至图6c说明的显示面板不同。
[0299]
保护层554b(j)与发光器件550b(i，j)重叠，电极552b(j)具有夹在保护层554b(j)与层105b(j)之间的区域(参照图9a及图9b)。
[0300]
保护层554g(j)与发光器件550g(i，j)重叠，电极552g(j)具有夹在保护层554g(j)与层105g(j)之间的区域。此外，在保护层554g(j)与保护层554b(j)之间有间隙554s(j)。间隙554s(j)与间隙106s(j)、间隙104s(j)以及分隔壁528重叠。
[0301]
例如，可以将氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等或包含选自这些膜中的多个层叠而成的叠层材料的膜用于保护层554b(j)、保护层554g(j)以及保护层554r(j)。此外，氮化硅膜是致密的膜并具有优良的抑制杂质扩散的功能。此外，氧化铝膜例如可以使用原子层沉积(ald：atomic layer deposition)法而形成。
[0302]
《显示面板700的结构例子12》将参照图10a及图10b说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0303]
注意，该显示面板没有分隔壁528，并且该显示面板包括保护层554b(j)、保护层554g(j)以及保护层554r(j)，这两点与参照图6a至图6c说明的显示面板不同。
[0304]
在电极551g(i，j)与电极551b(i，j)之间有间隙551s(j)(参照图10b)。间隙551s(j)与间隙104s(j)、间隙106s(j)以及间隙554s(j)重叠。
[0305]
例如，与参照图9a说明的显示面板同样，可以将氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等或包含选自这些膜中的多个层叠而成的叠层材料的膜用于保护层554b(j)、保护层554g(j)以及保护层554r(j)。
[0306]
《显示面板700的结构例子13》将参照图11说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0307]
注意，显示面板700包括电极552代替电极552b(j)、电极552g(j)以及电极552r(j)，并且电极552被用作发光器件550g(i，j)、发光器件550b(i，j)以及发光器件550r(i，j)的公共电极，这两点与参照图6a至图6c说明的显示面板不同。
[0308]
此外，显示面板700包括层105代替层105b(j)、层105g(j)以及层105r(j)，并且层
105被用作发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)以及发光器件550r(i，j)的公共电子注入层，这两点与参照图6a至图6c说明的显示面板不同。
[0309]
此外，显示面板700包括单元1032代替单元103b2(j)、单元103g2(j)以及单元103r2(j)，并且单元1032被用作发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)以及发光器件550r(i，j)的公共单元，这两点与参照图6a至图6c说明的显示面板不同。
[0310]
《显示面板700的结构例子14》将参照图12a及图12b说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0311]
注意，显示面板700包括电极552代替电极552b(j)、电极552g(j)以及电极552r(j)，并且电极552被用作发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)以及发光器件550r(i，j)的公共电极，这两点与参照图4a至图4c说明的显示面板不同。
[0312]
此外，显示面板700包括层107，这一点与参照图4a至图4c说明的显示面板不同。
[0313]
此外，发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)以及发光器件550r(i，j)分别包括层106b2(i，j)、层106g2(i，j)以及层106r2(i，j)，这一点与参照图4a至图4c说明的显示面板不同。
[0314]
此外，发光器件550b(i，j)包括层104b(i，j)代替层104b(j)，发光器件550b(i，j)包括单元103b(i，j)代替单元103b(j)，并且发光器件550b(i，j)包括层105b(i，j)代替层105b(j)，这三点与参照图4a至图4c说明的显示面板不同。
[0315]
此外，图4a所示的层104b(j)、单元103b(j)以及层105b(j)如图4c中的虚线所示那样都具有在x方向上延伸的带形状。此外，图12a所示的层104b(i，j)、单元103b(i，j)、层105b(i，j)以及层106b2(i，j)如图12b中的虚线所示那样都具有岛形状，从而与相邻的其他发光器件之间都没有共享任何层。
[0316]
此外，关于发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)，也可以参照上述不同点同样说明。
[0317]
在此，对不同之处进行详细说明，而关于可以使用与上述结构相同的结构的部分援用上述说明。
[0318]
本发明的一个方式的显示面板包括发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)以及分隔壁528(参照图12a)。此外，还包括发光器件550r(i，j)。
[0319]
《《发光器件550b(i，j)的结构例子3》》发光器件550b(i，j)包括电极551b(i，j)、电极552、层105b(i，j)以及层106b2(i，j)。此外，电极552与电极551b(i，j)重叠。
[0320]
《《层105b(i，j)的结构例子1》》层105b(i，j)具有夹在电极552与电极551b(i，j)之间的区域。
[0321]
层105b(i，j)包括第一有机化合物及第一金属。
[0322]
例如，可以将具有非共用电子对的有机化合物用作第一有机化合物。此外，可以将第5族、第7族、第9族、第11族或第13族的金属用作第一金属。
[0323]
此外，第一有机化合物与第一金属形成somo。
[0324]
例如，可以将可以用于参照图4a说明的显示面板中的层105b(j)的结构用于层105b(i，j)。
[0325]
《《层106b2(i，j)的结构例子1》》
层106b2(i，j)具有夹在电极552与层105b(i，j)之间的区域。
[0326]
层106b2(i，j)包含复合材料。复合材料包含空穴传输性材料及受主性物质，层106b2(i，j)具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0327]
例如，可以将可以用于参照图4a说明的显示面板中的层104b(j)的结构用于层106b2(i，j)。
[0328]
层106b2(i，j)可以通过被施加电压而将电子和空穴分别供应到阳极一侧和阴极一侧。具体而言，可以将电子供应到配置在阳极一侧的单元103b(i，j)，并可以将空穴供应到配置在阴极一侧的层107。此外，可以将层106b2(i，j)称为电荷产生层。此外，有时将层106b3(i，j)称为中间层。
[0329]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子4》》发光器件550g(i，j)包括电极551g(i，j)、层105g(i，j)以及层106g2(i，j)(参照图12a)。此外，层106g2(i，j)与电极551g(i，j)重叠。
[0330]
《《层105g(i，j)的结构例子》》层105g(i，j)具有夹在层106g2(i，j)与电极551g(i，j)之间的区域。
[0331]
层105g(i，j)包含第一有机化合物及第一金属。
[0332]
此外，在层105g(i，j)与层105b(i，j)之间有间隙105s(j)。
[0333]
《《层106g2(i，j)的结构例子》》层106g2(i，j)包含复合材料。复合材料包含空穴传输性材料及受主性物质，层106g2(i，j)具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。此外，在层106g2(i，j)与层106b2(i，j)之间有间隙106s2(j)。此外，有时将层106g3(i，j)称为中间层。
[0334]
《《分隔壁528的结构例子4》》分隔壁528包括开口部528b(i，j)及开口部528g(i，j)。开口部528b(i，j)与电极551b(i，j)重叠，开口部528g(i，j)与电极551g(i，j)重叠。
[0335]
分隔壁528在开口部528b(i，j)与开口部528g(i，j)之间与间隙105s(j)重叠。
[0336]
《显示面板700的结构例子15》此外，本发明的一个方式的显示面板包括层107(参照图12a)。层107具有夹在电极552与层106b2(i，j)之间的区域、夹在电极552与层106g2(i，j)之间的区域以及夹在电极552与层106r2(i，j)之间的区域。
[0337]
《《层107的结构例子1》》例如，可以将空穴传输性材料用于层107。由此，可以将从层106b2(i，j)接收的空穴传输到电极552。此外，可以将从层106g2(i，j)接收的空穴传输到电极552。此外，可以将从层106r2(i，j)接收的空穴传输到电极552。
[0338]
《显示面板700的结构例子16》将参照图13及图14说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0339]
注意，显示面板700包括电极552代替电极552b(j)、电极552g(j)以及电极552r(j)，并且电极552被用作发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)以及发光器件550r(i，j)的公共电极，这两点与参照图6a至图6c说明的显示面板不同。
[0340]
此外，显示面板700包括层107，这一点与参照图6a至图6c说明的显示面板不同。
[0341]
此外，发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)以及发光器件550r(i，j)分别包括
层106b2(i，j)、层106g2(i，j)以及层106r2(i，j)，这一点与参照图6a至图6c说明的显示面板不同。
[0342]
此外，发光器件550b(i，j)包括层104b(i，j)代替层104b(j)，包括单元103b(i，j)代替单元103b(j)，包括层105b(i，j)代替层105b(j)，包括层106b(i，j)代替层106b(j)，包括单元103b2(i，j)代替单元103b2(j)，并且包括105b2(i，j)代替层105b2(j)，这六点与参照图6a至图6c说明的显示面板不同。
[0343]
此外，图6a所示的层104b(j)、单元103b(j)、层105b(j)、层106b(j)、单元103b2(j)以及层105b2(j)如图6c中的虚线所示那样都具有在x方向上延伸的带形状。此外，图13a所示的层104b(i，j)、单元103b(i，j)、层105b(i，j)、层106b(i，j)、单元103b2(i，j)以及层105b2(i，j)如图13b中的虚线所示那样都具有岛形状，与相邻的其他发光器件之间都没有共享任何层。
[0344]
此外，关于发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)，也可以参照上述不同点同样说明。
[0345]
在此，对不同之处进行详细说明，而关于可以使用与上述结构相同的结构的部分援用上述说明。
[0346]
本发明的一个方式的显示面板包括发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)以及分隔壁528(参照图13a)。此外，还包括发光器件550r(i，j)。
[0347]
《《发光器件550b(i，j)的结构例子4》》发光器件550b(i，j)包括电极551b(i，j)、电极552、层105b2(i，j)以及层106b2(i，j)。此外，电极552与电极551b(i，j)重叠。
[0348]
《《层105b2(i，j)的结构例子1》》层105b2(i，j)具有夹在层106b(i，j)与单元103b(i，j)之间的区域。
[0349]
层105b2(i，j)包含第二有机化合物及第二金属。
[0350]
例如，可以将具有非共用电子对的有机化合物用作第二有机化合物。此外，可以将第5族、第7族、第9族、第11族或第13族的金属用作第二金属。
[0351]
此外，第二有机化合物与第二金属形成somo。
[0352]
例如，可以将可以用于参照图4a说明的显示面板的层105b(j)的结构用于层105b2(i，j)。
[0353]
《《层106b2(i，j)的结构例子2》》层106b2(i，j)具有夹在电极552与层105b(i，j)之间的区域。
[0354]
层106b2(i，j)包含复合材料。复合材料包含空穴传输性材料及受主性物质，层106b2(i，j)具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0355]
例如，可以将可以用于参照图4a说明的显示面板中的层104b(j)的结构用于层106b2(i，j)。
[0356]
层106b2(i，j)可以通过被施加电压而将电子和空穴分别供应到阳极一侧和阴极一侧。具体而言，可以将电子供应到配置在阳极一侧的单元103b2(i，j)，并可以将空穴供应到配置在阴极一侧的层107。此外，可以将层106b2(i，j)称为电荷产生层。
[0357]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子5》》发光器件550g(i，j)包括电极551g(i，j)、层105g2(i，j)以及层106g2(i，j)。此外，
层106g2(i，j)与电极551g(i，j)重叠。
[0358]
《《层105g2(i，j)的结构例子》》层105g2(i，j)具有夹在层106g(i，j)与单元103g(i，j)之间的区域。
[0359]
层105g2(i，j)包含第二有机化合物及第二金属。
[0360]
此外，在层105g2(i，j)与层105b2(i，j)之间有间隙(参照图图13a至图14)。
[0361]
《《层106g2(i，j)的结构例子2》》层106g2(i，j)包含复合材料。复合材料包含空穴传输性材料及受主性物质，并具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。此外，在层106g2(i，j)与层106b2(i，j)之间有间隙106s2(j)。
[0362]
《《分隔壁528的结构例子5》》分隔壁528包括开口部528b(i，j)及开口部528g(i，j)。开口部528b(i，j)与电极551b(i，j)重叠，开口部528g(i，j)与电极551g(i，j)重叠。
[0363]
分隔壁528在开口部528b(i，j)与开口部528g(i，j)之间与间隙105s(j)重叠。
[0364]
《显示面板700的结构例子17》此外，本发明的一个方式的显示面板包括层107(参照图13a)。层107具有夹在电极552与层106b2(i，j)之间的区域、夹在电极552与层106g2(i，j)之间的区域以及夹在电极552与层106r2(i，j)之间的区域。
[0365]
《《层107的结构例子2》》例如，可以将空穴传输性材料用于层107。由此，可以将从层106b2(i，j)接收的空穴传输到电极552。此外，可以将从层106g2(i，j)接收的空穴传输到电极552。此外，可以将从层106r2(i，j)接收的空穴传输到电极552。
[0366]
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0367]
实施方式2在本实施方式中，参照图15至图18说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0368]
图15是说明本发明的一个方式的显示面板的像素的电路图。
[0369]
图16a及图16b是说明本发明的一个方式的显示面板的结构的图。图16a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图16b是图16a所示的像素的俯视图。
[0370]
图17a及图17b是说明与参照图16a及图16b说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的图。图17a是本发明的一个方式的显示面板的像素的截面图，图17b是说明图17a所示的像素的俯视图。
[0371]
图18是说明参照图17a及图17b说明的本发明的一个方式的显示面板的一部分的图。
[0372]
《显示面板700的结构例子1》显示面板700包括像素702g(i，j)、导电膜g1(i)、导电膜g2(i)、导电膜s1g(j)、导电膜s2g(j)、导电膜ano以及导电膜vcom2(参照图1a、图1b以及图15)。
[0373]
例如，导电膜g1(i)被供应第一选择信号，导电膜g2(i)被供应第二选择信号，导电膜s1g(j)被供应图像信号，导电膜s2g(j)被供应控制信号。
[0374]
像素702g(i，j)包括像素电路530g(i，j)及发光器件550g(i，j)。
[0375]
注意，在实施方式2所示的显示面板中，像素电路530g(i，j)与导电膜vcom2电连
接，像素电路530g(i，j)与发光器件550g(i，j)的电极552g(i，j)电连接，并且发光器件550g(i，j)的电极551与导电膜ano电连接，例如，电流从发光器件550g(i，j)流过像素电路530g(i，j)，这三点与实施方式1所示的显示面板不同。
[0376]
在此，对不同之处进行详细说明，而关于可以使用与上述结构相同的结构的部分援用上述说明。
[0377]
《《像素702g(i，j)的结构例子》》像素702g(i，j)包括像素电路530g(i，j)及发光器件550g(i，j)(参照图15)。
[0378]
《《像素电路530g(i，j)的结构例子1》》像素电路530g(i，j)被供应第一选择信号，像素电路530g(i，j)根据第一选择信号取得图像信号。例如，可以使用导电膜g1(i)供应第一选择信号(参照图15)。或者，可以使用导电膜s1g(j)供应图像信号。注意，可以将供应第一选择信号且使像素电路530g(i，j)取得图像信号的工作称为“写入”。
[0379]
《《像素电路530g(i，j)的结构例子2》》像素电路530g(i，j)包括开关sw21、开关sw22、晶体管m21、电容器c21及节点n21(参照图15)。此外，像素电路530g(i，j)包括节点n22、电容器c22及开关sw23。
[0380]
晶体管m21包括与节点n21电连接的栅电极、与发光器件550g(i，j)电连接的第一电极、与导电膜vcom2电连接的第二电极。
[0381]
开关sw21具有根据与节点n21电连接的第一端子、与导电膜s1g(j)电连接的第二端子、导电膜g1(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能。
[0382]
开关sw22具有根据与导电膜s2g(j)电连接的第一端子、导电膜g2(i)的电位控制导通状态或非导通状态的功能。
[0383]
电容器c21包括与节点n21电连接的导电膜、与开关sw22的第二电极电连接的导电膜。
[0384]
由此，可以将图像信号储存在节点n21中。此外，可以使用开关sw22改变节点n21的电位。此外，可以使用节点n21的电位控制发光器件550g(i，j)所发射的光的强度。
[0385]
《显示面板700的结构例子2》在本实施方式中说明的显示面板700包括发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)以及分隔壁528(参照图16a)。此外，还包括发光器件550r(i，j)。
[0386]
《《发光器件550b(i，j)的结构例子1》》发光器件550b(i，j)包括电极552b(i，j)、电极551以及层105b(i，j)。此外，电极551与电极552b(i，j)重叠。
[0387]
《《层105b(i，j)的结构例子》》层105b(i，j)具有夹在电极552b(i，j)与电极551之间的区域。例如，层105b(i，j)被夹在电极552b(i，j)与单元103b(i，j)之间，层105b(i，j)与电极552b(i，j)接触。此外，层105b(i，j)例如可以用于电子注入层。
[0388]
层105b(i，j)包含第一有机化合物及第一金属。此外，第一有机化合物与第一金属形成somo。例如，与第一有机化合物的lumo的能级相比，somo的能级在-1.5ev以上且小于0ev的范围。
[0389]
例如，可以将包含具有非共用电子对的第一有机化合物及第一金属的复合材料用
于层105b(i，j)。此外，第一有机化合物的电子数与第一金属的电子数的总和优选为奇数。此外，相对于第一有机化合物1摩尔的第一金属的摩尔比率优选为0.1以上且10以下，更优选为0.2以上且2以下，进一步优选为0.2以上且0.8以下。
[0390]
由此，具有非共用电子对的第一有机化合物与第一金属相互起作用，从而可以形成somo。此外，在将电子从电极552b(i，j)注入到层105b(j)的情况下，可以降低两者之间存在的势垒。此外，第一金属与水或氧之间的反应性较弱，由此可以提高发光器件550b(i，j)的抗湿性。
[0391]
此外，可以在层105中使用一种复合材料，其中通过电子自旋共振(esr：electron spin resonance)测量的层105b(j)的自旋密度优选为1
×
10
16
spins/cm3以上，更优选为5
×
10
16
spins/cm3以上，进一步优选为1
×
10
17
spins/cm3以上。
[0392]
此外，层105b(i，j)所包含的碱金属的浓度优选低于层105b(i，j)所包含的第一金属的浓度。例如，锂、钠、钾、铷、铯、钫等为碱金属。此外，层105b(i，j)所包含的碱金属的浓度及第一金属的浓度可以通过二次离子质谱分析法等检出。
[0393]
[第一有机化合物]例如，可以将具有非共用电子对的有机化合物用作第一有机化合物。具体而言，可以使用实施方式1所示的可用于层105b(j)的有机化合物。例如，可以使用具有缺π电子杂芳环的化合物。
[0394]
[第一金属]此外，可以将第5族、第7族、第9族、第11族或第13族的金属用作第一金属。具体而言，可以使用实施方式1所示的可用于层105b(j)的金属。例如，可以使用银(ag)。
[0395]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子1》》发光器件550g(i，j)包括电极552g(i，j)、电极551以及层105g(i，j)(参照图16a)。此外，电极551与电极552g(i，j)重叠。
[0396]
《《层105g(i，j)的结构例子》》层105g(i，j)具有夹在电极552g(i，j)与电极551之间的区域。例如，层105g(i，j)被夹在电极552g(i，j)与单元103g(i，j)之间，层105g(i，j)与电极552g(i，j)接触。此外，层105g(i，j)例如可以用于电子注入层。
[0397]
层105g(i，j)包含第一有机化合物及第一金属。此外，在层105g(i，j)与层105b(i，j)之间有间隙105s(j)。
[0398]
《《分隔壁528的结构例子1》》分隔壁528包括开口部528b(i，j)及开口部528g(i，j)(参照图16b)。开口部528b(i，j)与电极552b(i，j)重叠，开口部528g(i，j)与电极552g(i，j)重叠。
[0399]
分隔壁528在开口部528b(i，j)与开口部528g(i，j)之间与间隙105s(j)重叠(参照图16a)。
[0400]
此外，分隔壁528与层105b(j)及层105g(j)接触。
[0401]
例如，可以采用实施方式1所示的可用于分隔壁528的结构。
[0402]
由此，例如，可以抑制显示面板的驱动电压而不将碱金属用于发光器件。此外，可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，当使用蚀刻法时也不会发生碱金属对制造设备的污染。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0403]
《《发光器件550b(i，j)的结构例子2》》发光器件550b(i，j)包括单元103b(i，j)及层104b(i，j)(参照图16a)。
[0404]
《《单元103b(i，j)的结构例子1》》单元103b(i，j)具有夹在层105b(i，j)与电极551之间的区域。单元103b(i，j)包括发光层，并具有发射光的功能。例如，单元103b(j)能够发射蓝色光。
[0405]
例如，可以将选自空穴传输层、电子传输层、载流子阻挡层等功能层中的层用于单元103b(i，j)。
[0406]
《《层104b(i，j)的结构例子1》》层104b(i，j)具有夹在单元103b(i，j)与电极551之间的区域。层104b(i，j)例如可以用于空穴注入层。
[0407]
层104b(i，j)包含复合材料。复合材料包含第一空穴传输性材料及第一受主性物质。此外，层104b(i，j)具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。
[0408]
[第一空穴传输性材料]例如，可以将芳香胺化合物或具有富π电子杂芳环的有机化合物用于空穴传输性材料。具体而言，可以使用实施方式1所示的可用于层104b(j)的空穴传输性材料。
[0409]
[受主性物质]例如，可以将过渡金属氧化物或包含氟或氰基的有机化合物用于受主性物质。具体而言，可以使用实施方式1所示的可用于层104b(j)的受主性物质。
[0410]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子2》》发光器件550g(i，j)包括单元103g(i，j)以及层104g(i，j)(参照图16a)。
[0411]
《《单元103g(i，j)的结构例子1》》单元103g(i，j)具有夹在层105g(i，j)与电极551之间的区域。单元103g(i，j)包括发光层，并具有发射光的功能。例如，单元103g(j)能够发射绿色光。
[0412]
此外，例如，可以将选自空穴传输层、电子传输层以及载流子阻挡层等功能层中的层用于单元103g(i，j)。
[0413]
《《层104g(i，j)的结构例子1》》层104g(i，j)具有夹在单元103g(i，j)与电极551之间的区域。层104g(i，j)例如可以用于空穴注入层。
[0414]
层104g(i，j)包含与层104b(i，j)相同的空穴传输性材料及与层104b(i，j)相同的受主性物质。
[0415]
层104g(i，j)与层104b(i，j)之间有间隙104s(j)。由于层104b(i，j)及层104g(i，j)具有导电性，因此间隙104s(j)具有防止层104b(i，j)与层104g(i，j)之间的电导通的功能。
[0416]
《《分隔壁528的结构例子1》》分隔壁528在开口部528b(i，j)与开口部528g(i，j)之间与间隙104s(j)重叠。
[0417]
由此，例如可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。此外，可以抑制蚀刻工序所引起的发光器件的特性变化。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0418]
《显示面板700的结构例子3》
此外，本发明的一个方式的显示面板包括层107(参照图16a)。层107具有夹在电极551与层104b(i，j)之间的区域、夹在电极551与层104g(i，j)之间的区域以及夹在电极551与层104r(i，j)之间的区域。
[0419]
《《层107的结构例子1》》例如，可以将空穴传输性材料用于层107。由此，可以将从电极551接收的空穴传输到层104b(i，j)。此外，可以将从电极551接收的空穴传输到层104g(i，j)。此外，可以将从电极551接收的空穴传输到层104r(i，j)。
[0420]
《显示面板700的结构例子4》将参照图17a、图17b以及图18说明本发明的一个方式的显示面板的结构。
[0421]
此外，与参照图16a及图16b说明的显示面板不同，显示面板包括着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)(参照图17a)。
[0422]
注意，与参照图16a及图16b说明的显示面板不同，发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)都发射白色光。
[0423]
此外，参照图17a及图17b说明的显示面板的与参照图16a及图16b说明的显示面板不同之处是：发光器件550b(i，j)包括单元103b2(i，j)、层106b(i，j)以及层105b2(i，j)；以及发光器件550g(i，j)包括单元103g2(i，j)、层106g(i，j)以及层105g2(i，j)。此外，发光器件550r(i，j)包括单元103r2(i，j)、层106r(i，j)以及层105r2(i，j)。此外，有时将层106r(i，j)称为中间层。
[0424]
在此，对不同之处进行详细说明，而关于能够使用与上述结构相同的结构的部分援用上述说明。
[0425]
《《着色层的结构例子1》》着色层cfb(j)与发光器件550b(i，j)重叠(参照图17a)。例如，可以将优先透射蓝色光的材料用于着色层cfb(j)。由此，可以从白色光取出蓝色光。
[0426]
着色层cfg(j)与发光器件550g(i，j)重叠，并透射与着色层cfb(j)不同的颜色的光。例如，可以将优先透射绿色光的材料用于着色层cfg(j)。由此，可以从白色光取出绿色光。
[0427]
着色层cfr(j)与发光器件550r(i，j)重叠，并透射与着色层cfb(j)及着色层cfg(j)不同的颜色的光。例如，可以将优先透射红色光的材料用于着色层cfr(j)。由此，可以从白色光取出红色光。
[0428]
《《发光器件550b(i，j)的结构例子3》》发光器件550b(i，j)包括单元103b2(i，j)、层106b(i，j)以及层105b2(i，j)(参照图17a)。
[0429]
《《单元103b2(i，j)的结构例子1》》单元103b2(i，j)具有夹在层104b(i，j)与单元103b(i，j)间的区域。
[0430]
例如，可以将与单元103b(i，j)不同的发光颜色的结构用于单元103b2(i，j)。由此，可以提供一种发射所希望的颜色的光的发光器件。具体而言，可以将发射红色光及绿色光的结构用于单元103b(i，j)，并将发射蓝色光的的结构用于单元103b2(i，j)。由此，例如可以提供一种发射白色光的发光器件。
[0431]
《《层106b(i，j)的结构例子1》》
层106b(i，j)具有夹在单元103b2(i，j)与单元103b(i，j)间的区域。层106b(i，j)例如可以用于电荷产生层。层106b(i，j)具有通过施加电压来向阳极一侧供应电子并向阴极一侧供应空穴的功能。
[0432]
层106b(i，j)包含复合材料。复合材料包含空穴传输性材料及受主性物质，并具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。此外，可以将可用于层104b(i，j)的复合材料用于层106b(i，j)。
[0433]
《《层105b2(i，j)的结构例子》》层105b2(i，j)具有夹在单元103b2(i，j)与层106b间的区域。此外，层105b2(i，j)例如可以用于电子注入层。
[0434]
层105b2(i，j)包含第二有机化合物及第二金属。例如，可以将可用于层105b(i，j)的第一有机化合物用作第二有机化合物。此外，可以将可用于层105b(i，j)的第一金属用作第二金属。此外，第二有机化合物与第二金属形成somo。
[0435]
《《发光器件550g(i，j)的结构例子3》》发光器件550g(i，j)包括单元103g2(i，j)、层106g(i，j)以及层105g2(i，j)(参照图17a)。
[0436]
《《单元103g2(i，j)的结构例子1》》单元103g2(i，j)具有夹在层104g(i，j)与单元103g(i，j)间的区域。单元103g2(i，j)包括发光层，并具有发射光的功能。
[0437]
《《层106g(i，j)的结构例子1》》层106g(i，j)具有夹在单元103g2(i，j)与单元103g(i，j)间的区域。层106g(i，j)例如可以用于电荷产生层。层106g(i，j)具有通过施加电压来向阳极一侧供应电子并向阴极一侧供应空穴的功能。
[0438]
层106g(i，j)包含复合材料。复合材料包含空穴传输性材料及受主性物质，并具有1
×
102[ω
·
cm]以上且1
×
108[ω
·
cm]以下的电阻率。此外，可以将可用于层104g(i，j)的复合材料用于层106g(i，j)。
[0439]
此外，在层106g(i，j)与层106b(i，j)之间有间隙106s(j)(参照图17a及图18)。由于层106b(i，j)及层106g(i，j)具有导电性，因此间隙106s(j)具有防止层106b(i，j)与层106g(i，j)之间的电导通的功能。
[0440]
《《层105g2(i，j)的结构例子》》层105g2(i，j)具有夹在单元103g2(i，j)与层106g之间的区域。此外，层105g2(i，j)例如可以用于电子注入层。
[0441]
层105g2(i，j)包含第二有机化合物及第二金属。例如，可以将可用于层105g(i，j)的第一有机化合物用作第二有机化合物。此外，可以将可用于层层105g(i，j)的第一金属用作第二金属。此外，第二有机化合物与第二金属形成somo。
[0442]
《《分隔壁528的结构例子2》》分隔壁528在开口部528b(i，j)与开口部528g(i，j)之间与间隙106s(j)重叠。
[0443]
由此，可以抑制电流流过层106b(i，j)与层106g(i，j)之间的现象。此外，可以抑制发生在发光器件550b(i，j)与发光器件550g(i，j)间的串扰现象。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板。
[0444]
《显示面板700的结构例子5》此外，本发明的一个方式的显示面板包括层107(参照图17a)。层107具有夹在电极551与层104b(i，j)之间的区域、夹在电极551与层104g(i，j)之间的区域以及夹在电极551与层104r(i，j)之间的区域。
[0445]
《《层107的结构例子2》》例如，可以将空穴传输性材料用于层107。由此，可以将从电极551接收的空穴传输到层104b(i，j)。此外，可以将从电极551接收的空穴传输到层104g(i，j)。此外，可以将从电极551接收的空穴传输到层104r(i，j)。
[0446]
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0447]
实施方式3在本实施方式中，参照图19a至图30b说明本发明的一个方式的显示面板的制造方法。
[0448]
图19a及图19b是说明本发明的一个方式的显示面板的制造方法的图。
[0449]
图20a至图22c是说明本发明的一个方式的显示面板的制造方法的图。
[0450]
图23a至图23c是说明与参照图20a至图22c说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的制造方法的图。
[0451]
图24a至图25b是说明与参照图20a至图23c说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的制造方法的图。
[0452]
图26a至图27b是说明与参照图20a至图24c说明的本发明的一个方式的显示面板不同的本发明的一个方式的显示面板的制造方法的图。
[0453]
图28a至图30b是说明本发明的一个方式的显示面板的制造方法的图。
[0454]
《显示面板的制造方法例子1》本发明的一个方式的显示面板的制造方法包括以下第一步骤至第十五步骤。例如，可以制造参照图4a至图4c说明的本发明的一个方式的显示面板700。
[0455]
《《第一步骤》》在第一步骤中，形成电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)(参照图19a)。例如，在形成在基材510上的功能层520上形成导电膜，并利用光刻法将该导电膜加工为规定形状。例如，将该导电膜加工为岛形状。
[0456]
《《第二步骤》》在第二步骤中，在电极551b(i，j)与电极551g(i，j)之间形成分隔壁528(参照图19b)。例如，在形成覆盖电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)的绝缘膜之后利用光刻法形成开口部，以使电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)露出。
[0457]
《《第三步骤》》在第三步骤中，在电极551b(i，j)及电极551g(i，j)上形成包含空穴传输性材料及受主性物质的层104b(参照图20a)。例如，利用真空蒸镀法在电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)上以覆盖上述电极的方式形成层104b。具体而言，使用共蒸镀法形成层104b。
[0458]
《《第四步骤》》在第四步骤中，在层104b上形成单元103b。例如，利用真空蒸镀法形成单元103b。
[0459]
《《第五步骤》》在第五步骤中，在单元103b上形成包含第一有机化合物及第一金属的层105b。例如，利用真空蒸镀法形成层105b。具体而言，使用共蒸镀法形成层105b。
[0460]
《《第六步骤》》在第六步骤中，在层105b上形成电极552b(参照图20a)。例如，利用真空蒸镀法形成电极552b。
[0461]
此外，在电极552b上形成抗蚀剂res(参照图20b)。例如，抗蚀剂res形成在与电极551b(i，j)重叠的位置。
[0462]
《《第七步骤》》在第七步骤中，将层104b、单元103b、层105b以及电极552b加工为规定形状(参照图20c)。例如，通过使用光蚀刻法去除电极551g(i，j)上的层104b、单元103b、层105b以及电极552b，将它们加工为在与纸面交叉的方向上延伸的带形状。由此，形成发光器件550b(i，j)。
[0463]
具体而言，通过使用抗蚀剂res及蚀刻法，去除与分隔壁528重叠的部分等。此外，可以将分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0464]
《《第八步骤》》在第八步骤中，在发光器件550b(i，j)及电极551g(i，j)上形成包含空穴传输性材料及受主性物质的层104g(参照图21a)。例如，利用真空蒸镀法在电极551g(i，j)及电极551r(i，j)上以覆盖上述电极的方式形成层104g。具体而言，使用共蒸镀法形成层104g。
[0465]
《《第九步骤》》在第九步骤中，在层104g上形成单元103g。例如，利用真空蒸镀法形成单元103g。
[0466]
《《第十步骤》》在第十步骤中，在单元103g上形成包含第一有机化合物及第一金属的层105g。例如，利用真空蒸镀法形成层105g。具体而言，使用共蒸镀法形成层105g。
[0467]
《《第十一步骤》》在第十一步骤中，在层105g上形成电极552g(参照图21a)。例如，利用真空蒸镀法形成电极552g。
[0468]
此外，在电极552g上形成抗蚀剂res(参照图21b)。例如，抗蚀剂res形成在与电极551g(i，j)重叠的位置。
[0469]
《《第十二步骤》》在第十二步骤中，将层104g、单元103g、层105g以及电极552g加工为规定形状(参照图21c)。例如，通过使用光蚀刻法去除发光器件550b(i，j)上的层104g、单元103g、层105g以及电极552g，将它们加工为在与纸面交叉的方向上延伸的带形状，以从发光器件550b(i，j)分离它们。由此，形成发光器件550g(i，j)。
[0470]
具体而言，通过使用抗蚀剂res及蚀刻法，去除与分隔壁528重叠的部分等。此外，可以将发光器件552b(j)及分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0471]
《《第十三步骤》》在第十三步骤中，在电极552g(j)及电极551r(i，j)上依次形成层104r、单元103r、层105r以及电极552r。例如，利用真空蒸镀法以覆盖电极551r(i，j)的方式形成层104r、单
元103r、层105r以及电极552r(参照图22a)。
[0472]
此外，在电极552r上形成抗蚀剂res(参照图22b)。例如，抗蚀剂res形成在与电极551r(i，j)重叠的位置。
[0473]
《《第十四步骤》》在第十四步骤中，将层104r、单元103r、层105r以及电极552r加工为规定形状(参照图22c)。例如，将它们加工为在与纸面交叉的方向上延伸的带形状。
[0474]
具体而言，通过使用抗蚀剂res及蚀刻法，去除与分隔壁528重叠的部分等。此外，可以将电极552b(j)、电极552g(j)以及分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0475]
通过上述工序，可以形成发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)及发光器件550r(i，j)。
[0476]
《《第十五步骤》》此外，在第十五步骤中，形成接触分隔壁528的绝缘膜573来覆盖发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)(参照图22c)。通过上述工序，可以使用绝缘膜573保护发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)。
[0477]
《显示面板的制造方法例子2》本发明的一个方式的显示面板的制造方法包括以下第一步骤至第十一步骤。例如，可以制造参照图6a至图6c说明的本发明的一个方式的显示面板700。
[0478]
《《第一步骤》》在第一步骤中，形成电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)(参照图19a)。例如，在形成在基材510上的功能层520上形成导电膜，并利用光刻法将该导电膜加工为规定形状。例如，将该导电膜加工为岛形状。
[0479]
《《第二步骤》》在第二步骤中，在电极551b(i，j)与电极551g(i，j)之间形成分隔壁528(参照图19b)。例如，在形成覆盖电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)的绝缘膜之后利用光刻法形成开口部，以使电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)露出。
[0480]
《《第三步骤》》在第三步骤中，在电极551b(i，j)及电极551g(i，j)上形成包含空穴传输性材料及受主性物质的层104(参照图23a)。例如，利用真空蒸镀法在电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)上以覆盖上述电极的方式形成层104。具体而言，使用共蒸镀法形成层104。
[0481]
《《第四步骤》》在第四步骤中，在层104上形成单元103。例如，利用真空蒸镀法形成单元103。
[0482]
《《第五步骤》》在第五步骤中，在单元103上形成包含第一有机化合物及第一金属的层1052。例如，利用真空蒸镀法形成层1052。具体而言，使用共蒸镀法形成层1052。
[0483]
《《第六步骤》》在第六步骤中，在层1052上形成包含空穴传输性材料及受主性物质的层106。例如，利用真空蒸镀法形成层106。具体而言，使用共蒸镀法形成层106。
[0484]
《《第七步骤》》
在第七步骤中，在层106上形成单元1032。例如，利用真空蒸镀法形成单元1032。
[0485]
《《第八步骤》》在第八步骤中，在单元1032上形成包含第一有机化合物及第一金属的层105。例如，利用真空蒸镀法形成层105。具体而言，使用共蒸镀法形成层105。
[0486]
《《第九步骤》》在第九步骤中，在层105上形成电极552(参照图23a)。例如，利用真空蒸镀法形成电极552。
[0487]
此外，在电极552上形成抗蚀剂res(参照图23b)。例如，抗蚀剂res形成在与电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)重叠的位置。
[0488]
《《第十步骤》》在第十步骤中，将层104、单元103、层1052、层106、单元1032、层105以及电极552加工为规定形状(参照图23c)。例如，将它们加工为在与纸面交叉的方向上延伸的带形状。
[0489]
具体而言，通过使用抗蚀剂res及蚀刻法，去除与分隔壁528重叠的部分等。此外，可以将分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0490]
层104被加工为层104b(j)、层104g(j)以及层104r(j)。单元103被加工为单元103b(j)、单元103g(j)以及单元103r(j)。层1052被加工为层105b2(j)、层105g2(j)以及层105r2(j)。层106被加工为层106b(j)、层106g(j)以及层106r(j)。单元1032被加工为单元103b2(j)、单元103g2(j)以及单元103r2(j)。层105被加工为层105b(j)、层105g(j)以及层105r(j)。电极552被加工为电极552b(j)、电极552g(j)以及电极552r(j)。
[0491]
例如，形成间隙104s(j)，该间隙104s(j)防止层104b(i，j)与层104g(i，j)之间的电导通。例如，形成间隙106s(j)，该间隙106s(j)防止层106b(i，j)与层106g(i，j)之间的电导通。
[0492]
通过上述工序，可以分离发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)。此外，可以形成发光器件550r(i，j)。
[0493]
《《第十一步骤》》在第十一步骤中，在电极552b(j)、电极552g(j)以及电极552r(j)上形成接触分隔壁528的绝缘膜573来覆盖发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)。例如，层叠平坦的绝缘膜573a和致密的绝缘膜573b形成绝缘膜573。具体而言，利用涂敷法形成平坦膜，并在平坦膜上利用化学气相沉积法或原子层沉积法等层叠致密膜。由此，可以形成缺陷少的高质量绝缘膜573。通过上述工序，可以使用绝缘膜573保护发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)。
[0494]
《显示面板的制造方法例子3》本发明的一个方式的显示面板的制造方法包括以下第一步骤至第六步骤。例如，可以制造参照图11说明的本发明的一个方式的显示面板700。
[0495]
《《第一步骤》》在第一步骤中，形成电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)(参照图19a)。例如，在形成在基材510上的功能层520上形成导电膜，并利用光刻法将该导电膜加工为规定形状。例如，将该导电膜加工为岛形状。
[0496]
《《第二步骤》》
在第二步骤中，形成分隔壁528。例如，在形成覆盖电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)的绝缘膜之后利用光刻法形成开口部，以使电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)露出(参照图19b)。
[0497]
《《第三步骤》》在第三步骤中，在电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)上依次形成层104、单元103、层105以及层106(参照图24a)。例如，利用真空蒸镀法在电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)上以覆盖上述电极的方式形成层104、单元103、层105以及层106。
[0498]
此外，在层106上形成抗蚀剂res(参照图24b)。例如，抗蚀剂res形成在与电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)重叠的位置。
[0499]
《《第四步骤》》在第四步骤中，将层104、单元103、层105以及层106加工为规定形状(参照图24c)。例如，将它们加工为与电极551b(i，j)重叠的岛形状、与电极551g(i，j)重叠的岛形状以及与电极551r(i，j)重叠的岛形状。此外，也可以将它们加工为在与纸面交叉的方向上延伸的带形状。
[0500]
具体而言，通过使用抗蚀剂res及蚀刻法，去除与分隔壁528重叠的部分。此外，可以将分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0501]
层104被加工为层104b(i，j)、层104g(i，j)以及层104r(i，j)。单元103被加工为单元103b(i，j)、单元103g(i，j)以及单元103r(i，j)。层105被加工为层105b(i，j)、层105g(i，j)以及层105r(i，j)。层106被加工为层106b(i，j)、层106g(i，j)以及层106r(i，j)。
[0502]
例如，间隙104s(j)防止层104b(i，j)与层104g(i，j)之间的电导通。例如，间隙106s(j)防止层106b(i，j)与层106g(i，j)之间的电导通。
[0503]
《《第五步骤》》在第五步骤中，依次形成单元1032、层105及电极552(参照图25a)。例如，利用真空蒸镀法以覆盖层106b(i，j)、层106g(i，j)及层106r(i，j)的方式形成单元1032、层105及电极552。
[0504]
通过上述工序，可以形成发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)。此外，可以形成发光器件550r(i，j)。
[0505]
《《第六步骤》》在第六步骤中，形成绝缘膜573(参照图25b)。此外，在绝缘膜573上形成着色层cfb(j)、着色层cfg(j)以及着色层cfr(j)。
[0506]
例如，层叠平坦膜和致密膜形成绝缘膜573。具体而言，利用涂敷法形成平坦膜，并在平坦膜上利用化学气相沉积法或原子层沉积法等层叠致密膜。由此，可以形成缺陷少的高质量绝缘膜573。
[0507]
例如，使用彩色抗蚀剂将着色层cfb(j)、着色层cfg(j)及着色层cfr(j)加工为规定形状。注意，以在分隔壁528上着色层cfr(j)与着色层cfb(j)重叠的方式进行加工。由此，可以抑制相邻的发光器件所发射的光进入到着色层的现象。
[0508]
《显示面板的制造方法例子4》本发明的一个方式的显示面板的制造方法包括以下第一步骤至第十三步骤。例
如，可以制造参照图13a及图13b说明的本发明的一个方式的显示面板700。
[0509]
《《第一步骤》》在第一步骤中，形成电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)(参照图19a)。例如，在形成在基材510上的功能层520上形成导电膜，并利用光刻法将该导电膜加工为规定形状。例如，将该导电膜加工为岛形状。
[0510]
《《第二步骤》》在第二步骤中，在电极551b(i，j)与电极551g(i，j)之间形成分隔壁528(参照图19b)。例如，在形成覆盖电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)的绝缘膜之后利用光刻法形成开口部，以使电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)露出。
[0511]
《《第三步骤》》在第三步骤中，在电极551b(i，j)及电极551g(i，j)上形成包含空穴传输性材料及受主性物质的层104(参照图26a)。例如，利用真空蒸镀法在电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)上以覆盖上述电极的方式形成层104。具体而言，使用共蒸镀法形成层104。
[0512]
《《第四步骤》》在第四步骤中，在层104上形成单元103。例如，利用真空蒸镀法形成单元103。
[0513]
《《第五步骤》》在第五步骤中，在单元103上形成包含第二有机化合物及第二金属的层1052。例如，利用真空蒸镀法形成层1052。具体而言，使用共蒸镀法形成层1052。
[0514]
《《第六步骤》》在第六步骤中，在层1052上形成包含空穴传输性材料及受主性物质的层106。例如，利用真空蒸镀法形成层106。具体而言，使用共蒸镀法形成层106。
[0515]
《《第七步骤》》在第七步骤中，在层106上形成单元1032。例如，利用真空蒸镀法形成单元1032。
[0516]
《《第八步骤》》在第八步骤中，在单元1032上形成包含第一有机化合物及第一金属的层105。例如，利用真空蒸镀法形成层105。具体而言，使用共蒸镀法形成层105。
[0517]
《《第九步骤》》在第九步骤中，在层105上形成包含空穴传输性材料及受主性物质的层1062(参照图26a)。例如，利用真空蒸镀法形成层1062。具体而言，使用共蒸镀法形成层1062。
[0518]
此外，在层1062上形成抗蚀剂res(参照图26b)。例如，抗蚀剂res形成在与电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)重叠的位置。
[0519]
《《第十步骤》》在第十步骤中，将层104、单元103、层1052、层106、单元1032、层105以及层1062加工为规定形状(参照图26c)。此外，包含空穴传输性材料及受主性物质的层1062具有抗氧化性，由此层1062位于表面的状态是化学稳定的。此外，因为在包含空穴传输性材料及受主性物质的层1062位于表面的状态下进行第十步骤的蚀刻工序，所以可以抑制蚀刻工序所引起的发光器件的特性变化。
[0520]
例如，通过使用光蚀刻法去除分隔壁528上的层104、单元103、层1052、层106、单元
1032、层105以及层1062，将它们加工为规定形状。此外，可以将分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0521]
具体而言，将它们加工为与电极551b(i，j)重叠的岛形状、与电极551g(i，j)重叠的岛形状以及与电极551r(i，j)重叠的岛形状。或者，也可以将它们加工为在与纸面交叉的方向上延伸的带形状。
[0522]
《《第十一步骤》》在第十一步骤中，在层106b2(i，j)、层106g2(i，j)以及层106r2(i，j)上形成层107(参照图27a)。例如，利用真空蒸镀法以覆盖层106b2(i，j)、层106g2(i，j)以及层106r2(i，j)的方式形成层107。
[0523]
《《第十二步骤》》在第十二步骤中，在层107上形成电极552，由此形成发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)(参照图27a)。此外，形成发光器件550r(i，j)。
[0524]
《《第十三步骤》》在第十三步骤中，在电极552上形成绝缘膜573来覆盖发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)(参照图27b)。例如，层叠平坦的绝缘膜573a和致密的绝缘膜573b形成绝缘膜573。具体而言，利用涂敷法形成平坦膜，并在平坦膜上利用化学气相沉积法或原子层沉积法等层叠致密膜。由此，可以形成缺陷少的高质量绝缘膜573。通过上述工序，可以使用绝缘膜573保护发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)。
[0525]
由此，例如可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。由此，可以在制造工序中在表面配置包含空穴传输性材料及受主性物质且具有抗氧化性的层1062。此外，可以在表面配置有化学稳定的层的状态下进行蚀刻工序。此外，因为在包含空穴传输性材料及受主性物质的层1062位于表面的状态下进行第十步骤的蚀刻工序，所以可以抑制蚀刻工序所引起的发光器件的特性变化。此外，即使不使用金属掩模也可以制造包括多个发光器件的显示面板。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。
[0526]
《显示面板的制造方法例子5》本发明的一个方式的显示面板的制造方法包括以下第一步骤至第十二步骤。例如，可以制造参照图17a及图17b说明的本发明的一个方式的显示面板700。
[0527]
《《第一步骤》》在第一步骤中，形成电极552b(i，j)、电极552g(i，j)以及电极552r(i，j)(参照图28a)。例如，在形成在基材510上的功能层520上形成导电膜，并利用光刻法将该导电膜加工为规定形状。例如，将该导电膜加工为岛形状。
[0528]
《《第二步骤》》在第二步骤中，在电极552b(i，j)与电极552g(i，j)之间形成分隔壁528(参照图28b)。例如，在形成覆盖电极552b(i，j)、电极552g(i，j)以及电极552r(i，j)的绝缘膜之后利用光刻法形成开口部，以使电极552b(i，j)、电极552g(i，j)以及电极552r(i，j)露出。
[0529]
《《第三步骤》》在第三步骤中，在电极552b(i，j)及电极552g(i，j)上形成包含第一有机化合物及第一金属的层105(参照图29a)。例如，利用真空蒸镀法形成层105。具体而言，使用共蒸镀法形成层105。
[0530]
《《第四步骤》》
在第四步骤中，在层105上形成单元103。例如，利用真空蒸镀法形成单元103。
[0531]
《《第五步骤》》在第五步骤中，在单元103上形成包含空穴传输性材料及受主性物质的层106。例如，利用真空蒸镀法形成层106。具体而言，使用共蒸镀法形成层106。
[0532]
《《第六步骤》》在第六步骤中，在层106上形成包含第二有机化合物及第二金属的层1052。例如，利用真空蒸镀法形成层1052。具体而言，使用共蒸镀法形成层1052。
[0533]
《《第七步骤》》在第七步骤中，在层1052上形成单元1032。例如，利用真空蒸镀法形成单元1032。
[0534]
《《第八步骤》》在第八步骤中，在单元1032上形成包含空穴传输性材料及受主性物质的层104(参照图29a)。例如，利用真空蒸镀法以覆盖电极551b(i，j)、电极551g(i，j)以及电极551r(i，j)的方式形成层104。具体而言，使用共蒸镀法形成层104。
[0535]
此外，在层104上形成抗蚀剂res(参照图29b)。例如，抗蚀剂res形成在与电极552b(i，j)、电极552g(i，j)以及电极552r(i，j)重叠的位置。
[0536]
《《第九步骤》》在第九步骤中，将层105、单元103、层106、层1052、单元1032以及层104加工为规定形状(参照图29c)。此外，包含空穴传输性材料及受主性物质的层104具有抗氧化性，由此层104位于表面的状态是化学稳定的。此外，因为在包含空穴传输性材料及受主性物质的层104位于表面的状态下进行第九步骤的蚀刻工序，所以可以抑制蚀刻工序所引起的发光器件的特性变化。
[0537]
例如，通过使用光蚀刻法去除分隔壁528上的层105、单元103、层106、层1052、单元1032以及层104，将它们加工为规定形状。此外，可以将分隔壁528用作蚀刻停止层。
[0538]
具体而言，将它们加工为与电极552b(i，j)重叠的岛形状、与电极552g(i，j)重叠的岛形状以及与电极552r(i，j)重叠的岛形状。或者，也可以将它们加工为在与纸面交叉的方向上延伸的带形状。
[0539]
《《第十步骤》》在第十步骤中，在层104b(i，j)、层104g(i，j)以及层104r(i，j)上形成层107(参照图30a)。例如，利用真空蒸镀法以覆盖层104b(i，j)、层104g(i，j)以及层104r(i，j)的方式形成层107。
[0540]
《《第十一步骤》》在第十一步骤中，在层107上形成电极551，由此形成发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)(参照图30a)。此外，形成发光器件550r(i，j)。
[0541]
《《第十二步骤》》在第十二步骤中，在电极551上形成绝缘膜573来覆盖发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)(参照图30b)。例如，层叠平坦的绝缘膜573a和致密的绝缘膜573b形成绝缘膜573。具体而言，利用涂敷法形成平坦膜，并在平坦膜上利用化学气相沉积法或原子层沉积法等层叠致密膜。由此，可以形成缺陷少的高质量绝缘膜573。通过上述工序，可以使用绝缘膜573保护发光器件550b(i，j)及发光器件550g(i，j)。
[0542]
由此，例如可以使用蚀刻法分离相邻的发光器件。由此，可以在制造工序中在表面配置包含空穴传输性材料及受主性物质且具有抗氧化性的层104。此外，可以在表面配置有化学稳定的层的状态下进行蚀刻工序。此外，因为在包含空穴传输性材料及受主性物质的层104位于表面的状态下进行第九步骤的蚀刻工序，所以可以抑制蚀刻工序所引起的发光器件的特性变化。此外，即使不使用金属掩模也可以制造包括多个发光器件的显示面板。结果，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示面板的制造方法。
[0543]
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0544]
实施方式4在本实施方式中，参照图31说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件150的结构。可用于发光器件150的结构例如可以用于在实施方式1中说明的发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)或发光器件550r(i，j)。
[0545]
《发光器件150的结构例子》在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102及单元103。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。可用于单元103的结构例如可以用于在实施方式1或实施方式2中说明的单元103b(j)、单元103g(j)或单元103r(j)。
[0546]
《单元103的结构例子》单元103具有单层结构或叠层结构。例如，单元103包括层111、层112及层113(参照图31)。单元103具有发射光el1的功能。
[0547]
层111具有夹在层112与层113间的区域，层112具有夹在电极101与层111间的区域，层113具有夹在电极102与层111间的区域。
[0548]
例如，可以将选自发光层、空穴传输层、电子传输层、载流子阻挡层等中的层用于单元103。此外，可以将选自空穴注入层、电子注入层、激子阻挡层及电荷产生层等中的层用于单元103。
[0549]
《《层112的结构例子》》例如，可以将空穴传输性材料用于层112。此外，可以将层112称为空穴传输层。注意，优选将其带隙大于层111中的发光性材料的材料用于层112。因此，可以抑制从层111所产生的激子向层112的能量转移。
[0550]
[空穴传输性材料]可以将空穴迁移率为1
×
10-6
cm2/vs以上的材料适合用于空穴传输性材料。
[0551]
例如，可以将胺化合物或具有富π电子杂芳环骨架的有机化合物用于空穴传输性材料。具体而言，可以使用具有芳香胺骨架的化合物、具有咔唑骨架的化合物、具有噻吩骨架的化合物、具有呋喃骨架的化合物等。尤其是，具有芳香胺骨架的化合物或具有咔唑骨架的化合物具有良好的可靠性和高空穴传输性并有助于降低驱动电压，所以是优选的。
[0552]
《《层113的结构例子》》例如，可以将电子传输性材料、具有蒽骨架的材料及混合材料等用于层113。此外，可以将层113称为电子传输层。注意，优选将其带隙大于层111中的发光性材料的材料用于层113。因此，可以抑制从层111所产生的激子向层113的能量转移。
[0553]
[电子传输性材料]
例如，可以将金属配合物或具有缺π电子杂芳环骨架的有机化合物用于电子传输性材料。
[0554]
可以将如下材料适合用于电子传输性材料：在电场强度[v/cm]的平方根为600的条件下，电子迁移率为1
×
10-7
cm2/vs以上且5
×
10-5
cm2/vs以下的材料。由此，可以控制电子传输层中的电子的传输性。此外，可以控制向发光层的电子注入量。此外，可以防止发光层成为电子过多的状态。
[0555]
作为包括缺π电子型杂芳环骨架的有机化合物，例如可以使用具有聚唑(polyazole)骨架的杂环化合物、具有二嗪骨架的杂环化合物、具有吡啶骨架的杂环化合物、具有三嗪骨架的杂环化合物等。尤其是，具有二嗪骨架的杂环化合物或具有吡啶骨架的杂环化合物具有良好的可靠性，所以是优选的。此外，具有二嗪(嘧啶或吡嗪)骨架的杂环化合物具有高电子传输性，而可以降低驱动电压。
[0556]
[具有蒽骨架的材料]可以将具有蒽骨架的有机化合物用于层113。尤其是，可以适合使用具有蒽骨架和杂环骨架的双方的有机化合物。
[0557]
例如，可以使用具有蒽骨架及含氮五元环骨架的双方的有机化合物。此外，可以使用环中包含两个杂原子的含氮五元环骨架和蒽骨架的双方的有机化合物。具体而言，可以将吡唑环、咪唑环、恶唑环、噻唑环等适合用于该杂环骨架。
[0558]
例如，可以使用具有蒽骨架及含氮六元环骨架的双方的有机化合物。此外，可以使用环中包含两个杂原子的含氮六元环骨架和蒽骨架的双方的有机化合物。具体而言，可以将吡嗪环、吡啶环、哒嗪环等适合用于该杂环骨架。
[0559]
《《层111的结构例子1》》例如，可以将发光性材料或者发光性材料及主体材料用于层111。此外，可以将层111称为发光层。优选在空穴与电子再结合的区域中配置层111。由此，可以高效地将载流子复合所产生的能量作为光发射。
[0560]
此外，优选从用于电极等的金属远离的方式配置层111。因此，可以抑制用于电极等的金属发生猝灭现象。
[0561]
此外，优选调节从具有反射性的电极等到层111的距离，以在对应于发光波长的合适位置配置层111。由此，通过利用电极等所反射的光与层111所发射的光的干涉现象，可以相互加强振幅。此外，可以加强规定波长的光来使光谱谱线变窄。此外，可以以较高光强度得到鲜明的发光颜色。换言之，通过在电极等之间的合适位置配置层111，可以获得微腔结构。
[0562]
例如，可以将荧光发光物质、磷光发光物质或呈现热活化延迟荧光(tadf：thermally activated delayed fluorescence)的物质(也被称为tadf材料)用于发光性材料。由此，可以将因载流子的复合而产生的能量从发光性材料作为光el1射出(参照图31)。
[0563]
[荧光发光物质]可以将荧光发光物质用于层111。例如，可以将下述荧光发光物质用于层111。注意，荧光发光物质不局限于此，可以将各种已知的荧光发光物质用于层111。
[0564]
尤其是，以1，6flpaprn、1，6mmemflpaprn、1，6bnfaprn-03等芘二胺化合物为代表的稠合芳族二胺化合物具有高空穴俘获性和良好的发光效率或可靠性，所以是优选的。
[0565]
[磷光发光物质]可以将磷光发光物质用于层111。例如，可以将下述磷光发光物质用于层111。注意，磷光发光物质不局限于此，可以将各种已知的磷光发光物质用于层111。
[0566]
例如，可以将如下材料用于层111：具有4h-三唑骨架的有机金属铱配合物、具有1h-三唑骨架的有机金属铱配合物、具有咪唑骨架的有机金属铱配合物、具有吸电子基团且以苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物、具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物、具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物、具有吡啶骨架的有机金属铱配合物、稀土金属配合物、铂配合物等。
[0567]
[呈现热活化延迟荧光(tadf)的物质]可以将tadf材料用于层111。例如，可以将以下所示的tadf材料用于发光性材料。注意，不局限于此，可以将各种已知的tadf材料用于发光性材料。
[0568]
由于tadf材料中s1能级与t1能级之差小而可以利用少量热能量将三重激发态反系间窜跃(上转换)为单重激发态。由此，可以高效地从三重激发态生成单重激发态。此外，可以将三重激发态转换成发光。
[0569]
以两种物质形成激发态的激基复合物(exciplex)因s1能级和t1能级之差极小而具有将三重激发能转换为单重激发能的tadf材料的功能。
[0570]
注意，作为t1能级的指标，可以使用在低温(例如，10k至77k)下观察到的磷光光谱。关于tadf材料，优选的是，当以通过在荧光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为s1能级并以通过在磷光光谱的短波长侧的尾处引切线得到的外推线的波长能量为t1能级时，s1与t1之差为0.3ev以下，更优选为0.2ev以下。
[0571]
此外，当使用tadf材料作为发光物质时，主体材料的s1能级优选比tadf材料的s1能级高。此外，主体材料的t1能级优选比tadf材料的t1能级高。
[0572]
例如，可以将富勒烯及其衍生物、吖啶及其衍生物以及伊红衍生物等用于tadf材料。此外，可以将包含镁(mg)、锌(zn)、镉(cd)、锡(sn)、铂(pt)、铟(in)或钯(pd)等的含金属卟啉用于tadf材料。
[0573]
此外，例如可以将具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环的一方或双方的杂环化合物用于tadf材料。
[0574]
此外，该杂环化合物具有富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环，电子传输性和空穴传输性都高，所以是优选的。尤其是，在具有缺π电子杂芳环的骨架中，吡啶骨架、二嗪骨架(嘧啶骨架、吡嗪骨架、哒嗪骨架)及三嗪骨架稳定且可靠性良好，所以是优选的。尤其是，苯并呋喃并嘧啶骨架、苯并噻吩并嘧啶骨架、苯并呋喃并吡嗪骨架、苯并噻吩并吡嗪骨架的受主性高且可靠性良好，所以是优选的。
[0575]
此外，在具有富π电子型杂芳环的骨架中，吖啶骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架、呋喃骨架、噻吩骨架及吡咯骨架稳定且可靠性良好，所以优选具有上述骨架中的至少一个。此外，作为呋喃骨架优选使用二苯并呋喃骨架，作为噻吩骨架优选使用二苯并噻吩骨架。作为吡咯骨架，特别优选使用吲哚骨架、咔唑骨架、吲哚咔唑骨架、联咔唑骨架、3-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)-9h-咔唑骨架。
[0576]
在富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环直接键合的物质中，富π电子杂芳环的电子供给性和缺π电子型杂芳环的电子接受性都高而s1能级与t1能级之间的能量差变小，可
以高效地获得热活化延迟荧光，所以是特别优选的。此外，也可以使用键合有如氰基等吸电子基团的芳香环代替缺π电子型杂芳环。此外，作为富π电子骨架，可以使用芳香胺骨架、吩嗪骨架等。
[0577]
此外，作为缺π电子骨架，可以使用氧杂蒽骨架、二氧化噻吨(thioxanthene dioxide)骨架、噁二唑骨架、三唑骨架、咪唑骨架、蒽醌骨架、苯基硼烷或boranthrene等含硼骨架、苯甲腈或氰苯等具有腈基或氰基的芳香环或杂芳环、二苯甲酮等羰骨架、氧化膦骨架、砜骨架等。
[0578]
如此，可以使用缺π电子骨架及富π电子骨架代替缺π电子杂芳环和富π电子杂芳环中的至少一个。
[0579]
《《层111的结构例子2》》可以将具有载流子传输性的材料用于主体材料。例如，可以将空穴传输性材料、电子传输性材料、呈现热活化延迟荧光的物质、具有蒽骨架的材料及混合材料等用于主体材料。注意，优选将其带隙大于层111中的发光性材料的材料用于主体材料。因此，可以抑制从层111所产生的激子向主体材料的能量转移。
[0580]
[空穴传输性材料]可以将空穴迁移率为1
×
10-6
cm2/vs以上的材料适合用于空穴传输性材料。
[0581]
例如，可以将可用于层112的空穴传输性材料用于层111。具体而言，可以将可用于空穴传输层的空穴传输性材料用于层111。
[0582]
[电子传输性材料]例如，可以将可用于层113的电子传输性材料用于层111。具体而言，可以将可用于电子传输层的电子传输性材料用于层111。
[0583]
[具有蒽骨架的材料]可以将具有蒽骨架的有机化合物用于主体材料。尤其是，在作为发光物质使用荧光发光物质时，具有蒽骨架的有机化合物很合适。由此，可以实现发光效率及耐久性良好的发光器件。
[0584]
作为具有蒽骨架的有机化合物，具有二苯基蒽骨架，尤其是具有9，10-二苯基蒽骨架的有机化合物在化学上稳定，所以是优选的。此外，在主体材料具有咔唑骨架时，空穴的注入及传输性提高，所以是优选的。尤其是，在主体材料具有二苯并咔唑骨架的情况下，其homo能级比咔唑浅0.1ev左右，不仅空穴容易注入，而且空穴传输性及耐热性也得到提高，所以是优选的。注意，从上述空穴注入及传输性的观点来看，也可以使用苯并芴骨架或二苯并芴骨架代替咔唑骨架。
[0585]
因此，作为主体材料优选使用具有9，10-二苯基蒽骨架和咔唑骨架的物质、具有9，10-二苯基蒽骨架和苯并咔唑骨架的物质、具有9，10-二苯基蒽骨架和二苯并咔唑骨架的物质。
[0586]
[呈现热活化延迟荧光(tadf)的物质]可以将tadf材料用于主体材料。在将tadf材料用于主体材料时，可以通过反系间窜跃将在tadf材料中生成的三重态激发能转换为单重态激发能。此外，可以将激发能转移到发光物质。换言之，tadf材料被用作能量供体，发光物质被用作能量受体。由此，可以提高发光器件的发光效率。
[0587]
当上述发光物质为荧光发光物质时这是非常有效的。此外，此时，为了得到高发光效率，tadf材料的s1能级优选比荧光发光物的s1能级高。此外，tadf材料的t1能级优选比荧光发光物质的s1能级高。因此，tadf材料的t1能级优选比荧光发光物质的t1能级高。
[0588]
此外，优选使用呈现与荧光发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的发光的tadf材料。由此，激发能顺利地从tadf材料转移到荧光发光物质，可以高效地得到发光，所以是优选的。
[0589]
为了高效地从三重激发能通过反系间窜跃生成单重激发能，优选在tadf材料中产生载流子的复合。此外，优选的是在tadf材料中生成的三重激发能不转移到荧光发光物质的三重激发能。为此，荧光发光物质优选在荧光发光物质所具有的发光体(成为发光的原因的骨架)的周围具有保护基。作为该保护基，优选为不具有π键的取代基，优选为饱和烃，具体而言，可以举出碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基、碳原子数为3以上且10以下的三烷基硅基，更优选具有多个保护基。不具有π键的取代基由于几乎没有传输载流子的功能，所以对载流子传输或载流子复合几乎没有影响，可以使tadf材料与荧光发光物质的发光体彼此远离。
[0590]
在此，发光体是指在荧光发光物质中成为发光的原因的原子团(骨架)。发光体优选为具有π键的骨架，优选包含芳香环，并优选具有稠合芳香环或稠合杂芳环。
[0591]
作为稠合芳香环或稠合杂芳环，可以举出菲骨架、二苯乙烯骨架、吖啶酮骨架、吩恶嗪骨架、吩噻嗪骨架等。尤其是，具有萘骨架、蒽骨架、芴骨架、骨架、三亚苯骨架、并四苯骨架、芘骨架、苝骨架、香豆素骨架、喹吖啶酮骨架、萘并双苯并呋喃骨架的荧光发光物质具有高荧光量子产率，所以是优选的。
[0592]
例如，可以将可用于发光性材料的tadf材料用于主体材料。
[0593]
[混合材料的结构例子1]此外，可以将混合多种物质的材料用于主体材料。例如，可以将混合电子传输性材料和空穴传输性材料用于混合材料。混合的材料中的空穴传输性材料和电子传输性材料的重量比的值为(空穴传输性材料/电子传输性材料)＝(1/19)以上且(19/1)以下即可。由此，可以容易调整层111的载流子传输性。此外，可以更简便地进行复合区域的控制。
[0594]
[混合材料的结构例子2]可以将混合磷光发光物质的材料用于主体材料。磷光发光物质在作为发光物质使用荧光发光物质时可以被用作对荧光发光物质供应激发能的能量供体。
[0595]
此外，可以将包含形成激基复合物的材料的混合材料用于主体材料。例如，可以将所形成的激基复合物的发射光谱与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的材料用于主体材料。因此，可以使能量转移变得顺利，从而提高发光效率。此外，可以抑制驱动电压。
[0596]
可以将磷光发光物质用于形成激基复合物的材料的至少一个。由此，可以利用反系间窜跃。或者，可以高效地将三种激发能转换为单重激发能。
[0597]
作为形成激基复合物的材料的组合，空穴传输性材料的homo能级优选为电子传输性材料的homo能级以上。或者，空穴传输性材料的lumo能级优选为电子传输性材料的lumo能级以上。由此，可以高效地形成激基复合物。此外，材料的lumo能级及homo能级可以从电化学特性(还原电位及氧化电位)求出。具体而言，可以利用循环伏安法(cv)测定法测量还
原电位及氧化电位。
[0598]
注意，激基复合物的形成例如可以通过如下方法确认：对空穴传输性材料的发射光谱、电子传输性材料的发射光谱及混合这些材料而成的混合膜的发射光谱进行比较，当观察到混合膜的发射光谱比各材料的发射光谱向长波长一侧漂移(或者在长波长一侧具有新的峰值)的现象时说明形成有激基复合物。或者，对空穴传输性材料的瞬态光致发光(pl)、电子传输性材料的瞬态pl及混合这些材料而成的混合膜的瞬态pl进行比较，当观察到混合膜的瞬态pl寿命与各材料的瞬态pl寿命相比具有长寿命成分或者延迟成分的比率变大等瞬态响应不同时说明形成有激基复合物。此外，可以将上述瞬态pl称为瞬态电致发光(el)。换言之，与对空穴传输性材料的瞬态el、电子传输性材料的瞬态el及这些材料的混合膜的瞬态el进行比较，观察瞬态响应的不同，可以确认激基复合物的形成。
[0599]
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0600]
实施方式5在本实施方式中，参照图31说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件150的结构。可用于发光器件150的结构例如可以用于在实施方式1中说明的发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)或发光器件550r(i，j)。
[0601]
《发光器件150的结构例子》在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103以及层104。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。此外，层104具有夹在电极101与单元103间的区域。此外，例如可以将实施方式4所说明的结构用于单元103。此外，可用于电极101的结构例如可以用于在实施方式1中说明的电极551b(i，j)、电极551g(i，j)或电极551r(i，j)。此外，可用于电极101的结构例如可以用于在实施方式2中说明的电极551b(j)、电极551g(j)或电极551r(j)。此外，可用于层104的材料例如可以用于在实施方式1或实施方式2中说明的层104b(j)、层104g(j)或层104r(j)。
[0602]
《电极101的结构例子》例如，可以将导电材料用于电极101。具体而言，可以将包含金属、合金或导电化合物的膜的单层或叠层用于电极101。
[0603]
例如，可以将高效地反射光的膜用于电极101。具体而言，可以将包含银及铜等的合金、包含银及钯等的合金或铝等金属膜用于电极101。
[0604]
此外，例如可以将使光的一部分透过并反射光的其他部分的金属膜用于电极101。由此，可以使发光器件150具有微腔结构。此外，与其他的光相比可以更高效地取出规定波长的光。此外，可以取出光谱的半宽窄的光。此外，可以取出鲜明的颜色的光。
[0605]
此外，例如可以将对可见光具有透光性的膜用于电极101。具体而言，可以将薄到透射光的程度的金属膜、合金膜或导电氧化物膜的单层或叠层用于电极101。
[0606]
尤其是，优选将具有4.0ev以上的功函数的材料用于电极101。
[0607]
例如，可以使用包含铟的导电氧化物。具体而言，可以使用氧化铟、氧化铟-氧化锡(简称：ito)、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡(简称：itso)、氧化铟-氧化锌、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(简称：iwzo)等。
[0608]
此外，例如可以使用包含锌的导电氧化物。具体而言，可以使用氧化锌、添加有镓的氧化锌、添加有铝的氧化锌等。
[0609]
此外，例如可以使用金(au)、铂(pt)、镍(ni)、钨(w)、铬(cr)、钼(mo)、铁(fe)、钴(co)、铜(cu)、钯(pd)或金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。此外，可以使用石墨烯。
[0610]
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0611]
实施方式6在本实施方式中，参照图31说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件150的结构。可用于发光器件150的结构例如可以用于在实施方式1中说明的发光器件550b(i，j)、发光器件550g(i，j)或发光器件550r(i，j)。
[0612]
《发光器件150的结构例子》在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103以及层105。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。此外，层105具有夹在单元103与电极102间的区域。此外，例如可以将实施方式4所说明的结构用于单元103。此外，可用于电极102的结构例如可以用于在实施方式1中说明的电极552b(j)、电极552g(j)或电极552r(j)。此外，可用于电极102的结构例如可以用于在实施方式2中说明的电极552b(i，j)、电极552g(i，j)或电极552r(i，j)。此外，可用于层105的材料例如可以用于在实施方式1或实施方式2中说明的层105b(j)、层105g(j)或层105r(j)。
[0613]
《电极102的结构例子》例如，可以将导电材料用于电极102。具体而言，可以将包含金属、合金或导电化合物的材料的单层或叠层用于电极102。
[0614]
例如，可以将实施方式5中说明的可用于电极101的材料用于电极102。尤其是，优选将功函数小于电极101的材料用于电极102。具体而言，可以使用具有3.8ev以下的功函数的材料。
[0615]
例如，可以将属于元素周期表中的第2族的元素、稀土金属及包含它们的合金用于电极102。
[0616]
具体而言，可以将镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)等、铕(eu)、镱(yb)等及包含它们的合金(mgag、alli)用于电极102。此外，可以将包含它们的合金和导电氧化物的叠层材料用于电极102。具体而言，可以将mgag和ito的叠层材料用于电极102。
[0617]
《《层105的结构例子》》例如，可以将具有电子注入性的材料用于层105。此外，可以将层105称为电子注入层。
[0618]
具体而言，可以将施主性物质用于层105。或者，可以将施主性物质及电子传输性材料的复合材料用于层105。或者，可以将包含具有非共用电子对的第一有机化合物及第一金属的复合材料用于层105。或者，可以将电子化合物用于层105。由此，例如可以从电极102容易注入电子。或者，除了功函数较小的材料以外，还可以将功函数较大的材料用于电极102。或者，不依赖于功函数，可以从宽范围的材料中选择用于电极102的材料。具体而言，可以将al、ag、ito、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡等用于电极102。此外，可以降低发光器件的驱动电压。
[0619]
[施主性物质]例如，可以将碱土金属、稀土金属或它们的化合物(氧化物、卤化物、碳酸盐等)用于施主性物质。此外，可以将四硫并四苯(tetrathianaphthacene)(简称：ttn)、二茂镍、十
甲基二茂镍等有机化合物用于施主性物质。
[0620]
[复合材料的结构例子]此外，可以将复合多种物质的材料用于具有电子注入性材料。例如，可以将施主性物质及电子传输性材料用于复合材料。
[0621]
[电子传输性材料]例如，可以将金属配合物或具有缺π电子杂芳环骨架的有机化合物用于电子传输性材料。
[0622]
例如，可以将可用于单元103的电子传输性材料用于复合材料。
[0623]
[电子化合物]例如，可以将对钙和铝的混合氧化物以高浓度添加电子的物质等用于具有电子注入性的材料。
[0624]
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0625]
实施方式7在本实施方式中，参照图32a说明本发明的一个方式的发光器件150的结构。
[0626]
图32a是说明可用于本发明的一个方式的发光器件的结构的截面图。
[0627]
《发光器件150的结构例子》在本实施方式中说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103及层106(参照图32a)。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域。层106具有夹在单元103与电极102间的区域。
[0628]
《《层106的结构例子》》层106包括层106(1)及层106(2)。层106(2)具有夹在层106(1)与电极102间的区域。
[0629]
《《层106(1)的结构例子》》例如，可以将电子传输性材料用于层106(1)。此外，可以将层106(1)称为电子中继层。通过使用层106(1)，可以使接触于层106(1)的阳极侧的层远离接触于层106(1)的阴极侧的层。此外，可以减轻接触于层106(1)的阳极侧的层和接触于层106(1)的阴极侧的层间的相互作用。由此，可以向接触于层106(1)的阳极侧的层顺利地供应电子。
[0630]
可以将如下物质适合用于层106(1)，即其lumo能级位于接触于层106(1)的阳极侧的层中的受主性物质的lumo能级与接触于层106(1)的阴极侧的层中的物质的lumo能级间的物质。
[0631]
例如，可以将如下物质用于层106(1)，即在-5.0ev以上，优选在-5.0ev以上且-3.0ev以下的范围内具有lumo能级的材料。
[0632]
具体而言，可以将酞菁类材料用于层106(1)。此外，可以将具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物用于层106(1)。
[0633]
《《层106(2)的结构例子》》例如，可以将如下材料用于层106(2)，即通过施加电压可以对阳极侧供应电子且对阴极侧供应空穴的材料。具体而言，可以对配置在阳极侧的单元103供应电子。此外，可以将层106(2)称为电荷产生层。
[0634]
具体而言，可以将可用于层104的具有空穴注入性的材料用于层106(2)。例如，可
以将复合材料用于层106(2)。此外，例如可以将层叠有包含该复合材料的膜与包含空穴传输性材料的膜的叠层膜用于层106(2)。
[0635]
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0636]
实施方式8在本实施方式中，参照图32b说明可用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件150的结构。
[0637]
图32b是说明发光器件的截面图，该发光器件可用于具有与图32a所示的结构不同的结构的本发明的一个方式的显示面板。
[0638]
《发光器件150的结构例子》本实施方式所说明的发光器件150包括电极101、电极102、单元103、层106及单元103(12)(参照图32b)。电极102具有与电极101重叠的区域，单元103具有夹在电极101与电极102间的区域，层106具有夹在单元103与电极102间的区域。此外，单元103(12)具有夹在层106与电极102间的区域，并具有发射光el1(2)的功能。
[0639]
此外，有时将包括层106及多个单元的结构称为叠层型发光器件或串联型发光器件。因此，能够在将电流密度保持为低的同时获得高亮度发光。此外，可以提高可靠性。此外，可以降低在以同一亮度进行比较时的驱动电压。此外，可以抑制功耗。
[0640]
《《单元103(12)的结构例子》》可以将可用于单元103的结构用于单元103(12)。换言之，发光器件150包括层叠的多个单元。注意，层叠的多个单元不局限于两个单元，可以层叠三个以上的单元。
[0641]
可以将与单元103同一结构用于单元103(12)。此外，可以将与单元103不同结构用于单元103(12)。
[0642]
例如，可以将与单元103不同的发光颜色的结构用于单元103(12)。具体而言，可以使用发射红色光及绿色光的单元103和发射蓝色光的单元103(12)。由此，可以提供一种发射所希望的颜色的光的发光器件。例如可以提供一种发射白色光的发光器件。
[0643]
《《层106的结构例子》》层106具有向单元103和单元103(12)中的一个供应电子并向其中另一个供应空穴的功能。例如，可以使用实施方式7所说明的层106。
[0644]
《发光器件150的制造方法》例如，可以通过干法、湿法、蒸镀法、液滴喷射法、涂敷法或印刷法等形成电极101、电极102、单元103、层106及单元103(12)的各层。此外，可以通过不同方法形成各构成要素。
[0645]
具体而言，可以使用真空蒸镀装置、喷墨装置、涂敷装置如旋涂机等、凹版印刷装置、胶版印刷装置、丝网印刷装置等制造发光器件150。
[0646]
电极例如可以通过利用金属材料的膏剂的湿法或溶胶-凝胶法形成。此外，可以使用相对于氧化铟添加有1wt％以上且20wt％以下的氧化锌的靶材通过溅射法形成氧化铟-氧化锌膜。此外，可以使用相对于氧化铟添加有0.5wt％以上且5wt％以下的氧化钨和0.1wt％以上且1wt％以下的氧化锌的靶材通过溅射法形成包含氧化钨及氧化锌的氧化铟(iwzo)膜。
[0647]
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0648]
实施方式9
在本实施方式中，参照附图说明本发明的一个方式的数据处理装置的结构。
[0649]
图33a至图35b是说明本发明的一个方式的数据处理装置的结构的图。图33a是数据处理装置的方框图，图33b至图33e是说明数据处理装置的结构的立体图。此外，图34a至图34e是说明数据处理装置的结构的立体图。此外，图35a及图35b是说明数据处理装置的结构的立体图。
[0650]
《数据处理装置》在本实施方式中说明的数据处理装置5200b包括运算装置5210及输入/输出装置5220(参照图33a)。
[0651]
运算装置5210具有被供应操作数据的功能，并具有根据操作数据供应图像数据的功能。
[0652]
输入/输出装置5220包括显示部5230、输入部5240、检测部5250及通信部5290，并具有供应操作数据的功能及被供应图像数据的功能。此外，输入/输出装置5220具有供应检测数据的功能、供应通信数据的功能及被供应通信数据的功能。
[0653]
输入部5240具有供应操作数据的功能。例如，输入部5240根据数据处理装置5200b的使用者的操作供应操作数据。
[0654]
具体而言，可以将键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、照度传感器、摄像装置、音频输入装置、视线输入装置、姿态检测装置等用于输入部5240。
[0655]
显示部5230包括显示面板并具有显示图像数据的功能。例如，可以将在实施方式1中说明的显示面板用于显示部5230。
[0656]
检测部5250具有供应检测数据的功能。例如，具有使用检测数据处理装置的周围的环境而供应检测数据的功能。
[0657]
具体地，可以将照度传感器、摄像装置、姿态检测装置、压力传感器、人体感应传感器等用于检测部5250。
[0658]
通信部5290具有被供应通信数据的功能及供应通信数据的功能。例如，具有以无线通信或有线通信与其他电子设备或通信网连接的功能。具体而言，具有无线局域网通信、电话通信、近距离无线通信等的功能。
[0659]
《《数据处理装置的结构例子1》》例如，可以将沿着圆筒状的柱子等的外形用于显示部5230(参照图33b)。此外，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。此外，具有检测人的存在而改变显示内容的功能。因此，例如可以设置在建筑物的柱子上。或者，能够显示广告或指南等。或者，可以用于数字标牌等。
[0660]
《《数据处理装置的结构例子2》》例如，具有根据使用者所使用的指示物的轨迹生成图像数据的功能(参照图33c)。具体而言，可以使用对角线的长度为20英寸以上、优选为40英寸以上，更优选为55英寸以上的显示面板。或者，可以将多个显示面板排列而用作一个显示区域。或者，可以将多个显示面板排列而用作多屏幕显示面板。因此，例如可以用于电子黑板、电子留言板、数字标牌等。
[0661]
《《数据处理装置的结构例子3》》可以从其他装置接收数据且将其显示在显示部5230上(参照图33d)。此外，可以显示几个选择项。此外，使用者可以从选择项选择几个项且将其回复至该数据的发信者。例
如，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。由此，例如可以降低智能手表的功耗。此外，例如以即使在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用智能手表的方式将图像显示在智能手表上。
[0662]
《《数据处理装置的结构例子4》》显示部5230例如具有沿着框体的侧面缓慢地弯曲的曲面(参照图33e)。或者，显示部5230包括显示面板，显示面板例如具有在其前面、侧面、顶面及背面进行显示的功能。由此，例如可以将数据不仅显示于移动电话的前面，而且显示于移动电话的侧面、顶面及背面。
[0663]
《《数据处理装置的结构例子5》》例如，可以从因特网接收数据且在显示部5230上显示该数据(参照图34a)。此外，可以在显示部5230上确认所制作的通知。此外，可以将所制作的通知发送到其他装置。此外，例如，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。由此，可以降低智能手机的功耗。此外，例如以即使在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用智能手机的方式将图像显示在智能手机上。
[0664]
《《数据处理装置的结构例子6》》可以将遥控器用作输入部5240(参照图34b)。此外，例如，可以从广播电台或因特网接收数据且将其显示在显示部5230上。此外，可以使用检测部5250拍摄使用者。此外，可以发送使用者的图像。此外，可以取得使用者的收看履历且将其提供给云服务。此外，可以从云服务取得推荐数据其将其显示在显示部5230上。此外，可以根据推荐数据显示节目或动态图像。此外，例如，具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。由此，以即使在晴天射入户内的外光强的环境下也能够适宜地使用电视系统的方式将影像显示在电视系统上。
[0665]
《《数据处理装置的结构例子7》》例如，可以从因特网接收教材且将其显示在显示部5230上(参照图34c)。此外，可以使用输入部5240输入报告且将其发送到因特网。此外，可以从云服务取得报告的批改结果或评价且将其显示在显示部5230上。此外，可以根据评价选择适当的教材且将其显示在显示部5230上。
[0666]
例如，可以从其他数据处理装置接收图像信号且将其显示在显示部5230上。此外，可以将显示部5230靠在支架等上且将显示部5230用作副显示器。由此，例如以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用平板电脑的方式将图像显示在平板电脑上。
[0667]
《《数据处理装置的结构例子8》》数据处理装置例如包括多个显示部5230(参照图34d)。例如，可以在显示部5230上显示使用检测部5250进行拍摄的图像。此外，可以在检测部上显示所拍摄的图像。此外，可以使用输入部5240进行所拍摄的图像的修饰。此外，可以对所拍摄的图像添加文字。此外，可以将其发送到因特网。此外，具有根据使用环境的照度改变拍摄条件的功能。由此，例如可以以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地看到图像的方式将被摄体显示在数码相机上。
[0668]
《《数据处理装置的结构例子9》》例如,可以通过使用其他数据处理装置作为从(slave)且使用本实施方式的数据处理装置作为主(master)控制其他数据处理装置(参照图34e)。此外，例如，可以将图像数
据的一部分显示在显示部5230上且将图像数据的其他一部分显示在其他数据处理装置的显示部上。此外，可以对其他数据处理装置供应图像信号。此外，可以使用通信部5290取得从其他数据处理装置的输入部写入的数据。由此，例如，可以使用可携带的个人计算机利用较大的显示区域。
[0669]
《《数据处理装置的结构例子10》》数据处理装置例如包括检测加速度或方位的检测部5250(参照图35a)。此外，检测部5250可以供应使用者的位置或使用者朝向的方向的数据。此外，数据处理装置可以根据使用者的位置或使用者朝向的方向生成右眼用图像数据及左眼用图像数据。此外，显示部5230包括右眼用显示区域及左眼用显示区域。由此，例如，可以将能够得到逼真感的虚拟现实空间图像显示在护目镜型数据处理装置。
[0670]
《《数据处理装置的结构例子11》》数据处理装置例如包括摄像装置、检测加速度或方位的检测部5250(参照图35b)。此外，检测部5250可以供应使用者的位置或使用者朝向的方向的数据。此外，数据处理装置可以根据使用者的位置或使用者朝向的方向生成图像数据。由此，例如，可以对现实风景添加数据而显示。此外，可以将增强现实空间的图像显示在眼镜型数据处理装置。
[0671]
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。实施例1
[0672]
在本实施例中，参照图36至图43说明发光器件1的结构、制造方法以及特性。
[0673]
图36是说明所制造的发光器件的结构的截面图。
[0674]
图37是说明发光器件1的电流密度-亮度特性的图。
[0675]
图38是说明发光器件1的亮度-电流效率特性的图。
[0676]
图39是说明发光器件1的电压-亮度特性的图。
[0677]
图40是说明发光器件1的电压-电流特性的图。
[0678]
图41是说明发光器件1的亮度-外量子效率特性的图。此外，假设发光器件的配光特性为朗伯模型，根据在正面观测到的亮度及发射光谱算出外量子效率。
[0679]
图42是说明以1000cd/m2的亮度点亮发光器件1时的发射光谱的图。
[0680]
图43是说明在温度为65℃且湿度为95％的环境下保存48小时之前后的发光器件1的发光状态的光学照片。
[0681]
《《发光器件1的结构》》表1示出发光器件1的结构。此外，以下示出用于在本实施例中说明的发光器件的材料的结构式。
[0682]
[表1]
[0683]
[化学式2]
[0684]
《《发光器件1的制造方法》》通过包括下述步骤的方法制造在本实施例中说明的发光器件1。
[0685]
[第一步骤]在第一步骤中，形成电极101。具体而言，作为靶材使用含有硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡(简称：itso)，利用溅射法形成上述电极101。
[0686]
电极101包含itso且厚度为70nm，面积为4mm2(2mm
×
2mm)。
[0687]
接着，用水对形成有电极101的基材进行洗涤，以200℃焙烧1小时，然后进行uv臭氧处理370秒。然后，将衬底放入其内部被减压到10-4
pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室中，在170℃的温度下进行真空焙烧30分钟。然后，将衬底冷却30分钟左右。
[0688]
[第二步骤]在第二步骤中，在电极101上形成层104。具体而言，利用电阻加热法共蒸镀材料。
[0689]
注意，层104包含9-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)-苯基]菲(简称：pcppn)及三氧化钼(简称：moox)，其中pcppn：moox＝1：0.5(重量比)且厚度为70nm。
[0690]
[第三步骤]在第三步骤中，在层104上形成层112。具体而言，利用电阻加热法蒸镀材料。
[0691]
此外，层112包含4-苯基-4
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：bpaflp)且厚度为20nm。
[0692]
[第四步骤]在第四步骤中，在层112上形成层111。具体而言，利用电阻加热法共蒸镀材料。
[0693]
此外，层111包含2-[3-(3
×‑
二苯并噻吩-4-基)联苯]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbqii)、n-(1，1
’‑
联苯-4-基)-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9h-芴-2-胺(简称：pcbbif)以及双[2-(5-(2，6-二甲基苯基)-3-(3，5-二甲基苯基)-2-吡嗪基-κn)-4，6-二甲基苯基-κc](2，2’，6，6
’‑
四甲基-3，5-庚二酮-κ2o，o’)铱(iii)(简称：ir(dmdppr-dmp)2dpm)，其中2mdbtbpdbqii：pcbbif：ir(dmdppr-dmp)2dpm＝0.75：0.25：0.06(重量比)且厚度为40nm。
[0694]
[第五步骤]在第五步骤中，在层111上形成层113a。具体而言，利用电阻加热法蒸镀材料。
[0695]
层113a包含2mdbtbpdbqii且厚度为20nm。
[0696]
[第六步骤]在第六步骤中，在层113a上形成层113b。具体而言，利用电阻加热法蒸镀材料。
[0697]
层113b包含4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：bphen)且厚度为10nm。
[0698]
[第七步骤]在第七步骤中，在层113b上形成层105。具体而言，利用电阻加热法共蒸镀材料。
[0699]
层105包含bphen及ag，其中bphen：ag＝1：0.66(重量比)且厚度为10nm。
[0700]
[第八步骤]在第八步骤中，在层105上形成电极102。具体而言，利用电阻加热法蒸镀材料。
[0701]
电极102包含al且厚度为200nm。
[0702]
《《发光器件1的工作特性》》发光器件1在被供应电力时发射光el1(参照图36)。测量发光器件1的工作特性(参照图37至图42)。在亮度及cie色度的测量中利用色彩亮度计(由拓普康公司制造的bm-5a)，并且作为电致发射光谱的测量，利用多通道光谱分析仪(由日本滨松光子学株式会社制造的pma-11)在室温下测量。
[0703]
表2示出以1000cd/m2左右的亮度点亮发光器件1时的主要初始特性。注意，表2还
示出另一发光器件的初始特性，在后面说明其结构。
[0704]
[表2]
[0705]
此外，在温度为65℃且湿度为95％的环境下，发光器件1被保存48小时。在保存期间，发光器件1的电极102暴露于环境气氛。以光学照片记录保存前后的发光状态，并根据发光面积占比以数值表示在保存前后发生的发光面积变化(参照图43)。
[0706]
可知：在初始状态下，发光器件1呈现良好特性；发光器件1呈现比得上对比发光器件1的特性；在温度为65℃且湿度为95％的环境下，发光器件1的保存稳定性优越于对比发光器件。
[0707]
(参考例1)在本实施例中说明的所制造的对比发光器件1与发光器件1的不同之处在于层105的结构。具体而言，作为对比发光器件1的层105，使用包含bphen的层及包含lif的层的叠层结构代替包含bphen及ag的层。具体而言，层叠厚度为10nm的包含bphen的层及厚度为1nm的包含lif的层，以在包含bphen的层与电极102之间配置包含lif的层。
[0708]
《《对比发光器件1的制造方法》》通过包括下述步骤的方法制造对比发光器件1。
[0709]
对比发光器件1的制造方法与发光器件1的制造方法的不同之处在于形成层105的步骤，其中层叠包含bphen的层及包含氟化锂(简称：lif)的层，而不使用包含bphen及ag的层。在此，仅对不同之处进行详细的说明，而关于使用相同方法的部分，援用上述说明。
[0710]
[第七步骤]在第七步骤中，在层113b上形成层105。具体而言，利用电阻加热法共蒸镀材料。
[0711]
层105具有厚度为10nm的包含bphen的层及厚度为1nm的包含lif的层的叠层结构。
[0712]
表2示出对比发光器件1的主要初始特性。