技术特征：
1.一种反应腔清洁方法，所述反应腔用于对各批次晶圆进行处理工艺，一批次晶圆中包括多组晶圆，每组晶圆中包括多片晶圆；所述反应腔对同一批次晶圆中各片晶圆的处理工艺相同，其特征在于，所述反应腔清洁方法包括：一批次晶圆进行所述处理工艺前，对所述反应腔进行聚合物预处理工艺，清除在前批次晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物；对一组晶圆中的各片晶圆进行所述处理工艺前，清除前片晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物；一组晶圆中的所有晶圆完成所述处理工艺后，清除前组所有晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物，并抽离掉落在所述反应腔中的聚合物。2.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述一批次晶圆进行所述处理工艺前，对所述反应腔进行聚合物预处理工艺，清除在前批次晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物的步骤，包括：判断所述反应腔对所述批次晶圆的处理工艺，是否为对有机物层的刻蚀处理工艺；确定所述反应腔对所述批次晶圆的处理工艺为对有机物层的刻蚀处理工艺后，在所述反应腔对所述批次晶圆进行所述刻蚀处理工艺前，使得所述反应腔进行聚合物预处理强化工艺，对所述反应腔中积累的聚合物进行清理。3.如权利要求2所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述聚合物预处理强化工艺包括以下依次进行的：向所述反应腔中通入氧气，所述氧气与有机聚合反应，清除有机聚合物；向所述反应腔中通入三氟化氮和氧气的混合气体，使得所述混合气体与有机聚合物和无机聚合物反应，清除有机聚合物和无机聚合物反应。4.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述对一组晶圆中的各片晶圆进行所述处理工艺前，清除前片晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物的步骤包括：提高所述反应腔的工作功率；向所述反应腔的连通孔中通入氧气，清除前片晶圆处理工艺结束后，积累在反应腔连通孔中的有机聚合物；向所述反应腔中通入三氟化氮气体，清除积累在所述反应腔中的无机聚合物。5.如权利要求4所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述向所述反应腔的连通孔中通入氧气，清除前片晶圆处理工艺结束后，积累在反应腔连通孔中的聚合物的步骤，包括：向所述反应腔的连通孔中，持续20s至40s的时间通入40sccm至60sccm流量的氧气，清除前片晶圆处理工艺结束后，积累在反应腔连通孔中的聚合物。6.如权利要求1所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述一组晶圆中的所有晶圆完成所述处理工艺后，清除前组所有晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物，并抽离掉落在所述反应腔中的聚合物的步骤，包括：向所述反应腔的连通孔中，持续20s至40s的时间，通入40sccm至60sccm流量的氧气，清除前组所有晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的有机聚合物。7.如权利要求6所述的反应腔清洁方法，其特征在于，所述一组晶圆中的所有晶圆完成
所述处理工艺后，清除前组所有晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物，并抽离掉落在所述反应腔中的聚合物的步骤，还包括：向所述反应腔的连通孔中，持续20s至40s的时间，通入40sccm至60sccm流量的三氟化氮气体，清除前组所有晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的无机聚合物；向所述反应腔的连通孔中，持续20s至40s的时间，通入40sccm至60sccm流量的氩气，使得被清除的聚合物松动掉落在所述反应腔中；将掉落在所述反应腔中的聚合物抽离。
技术总结
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种反应腔清洁方法。所述反应腔用于对各批次晶圆进行处理工艺，一批次晶圆中包括多组晶圆，每组晶圆中包括多片晶圆；所述反应腔对同一批次晶圆中各片晶圆的处理工艺相同，所述反应腔清洁方法包括：一批次晶圆进行所述处理工艺前，对所述反应腔进行聚合物预处理工艺，清除在前批次晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物；对一组晶圆中的各片晶圆进行所述处理工艺前，清除前片晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物；一组晶圆中的所有晶圆完成所述处理工艺后，清除前组所有晶圆处理工艺结束后积累在所述反应腔中的聚合物，并抽离掉落在所述反应腔中的聚合物。并抽离掉落在所述反应腔中的聚合物。并抽离掉落在所述反应腔中的聚合物。
技术研发人员：陈林 吴长明 冯大贵 王玉新 余鹏 樊士文
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/4/5