技术特征：
1.一种半导体器件，包括：支撑基底；导电引线，围绕所述支撑基底布置，所述导电引线包括面向所述支撑基底的相应近侧部分以及背向所述支撑基底的相应远侧部分；半导体管芯，被布置在所述支撑基底上并且被布置在所述导电引线中的一个或多个导电引线的所述近侧部分上，所述半导体管芯包括在所述半导体管芯的、与所述支撑基底相对的前表面处的一组接合焊盘；模制到所述半导体管芯和所述导电引线上的激光可激活材料层；以及导电结构，其中所述导电结构包括：i)第一导电过孔，在所述半导体管芯的所述前表面处的所述一组接合焊盘与所述激光可激活材料层的前表面之间延伸；ii)第二导电过孔，在所述导电引线的所述远侧部分与所述激光可激活材料层的所述前表面之间延伸，其中所述第二导电过孔具有细长横截面，所述细长横截面具有次轴线和主轴线，所述次轴线在垂直于所述半导体管芯的相应侧壁的方向上延伸，所述主轴线在平行于所述半导体管芯的所述相应侧壁以及所述半导体管芯的所述前表面的方向上延伸；以及iii)导电线，在所述激光可激活材料层的所述前表面处延伸并且将所选择的第一导电过孔连接到所选择的第二导电过孔。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电过孔和所述第二导电过孔具有等于至少30μm的较小尺寸的横截面。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述次轴线的长度等于至少30μm。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述激光可激活材料层具有厚度t，并且其中所述主轴线的长度等于至少0.8*t。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述厚度t等于至少100μm。6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述导电引线具有宽度w，并且其中所述主轴线的长度等于所述宽度w减去在10μm至20μm的范围内的值。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电过孔与所述半导体管芯的相应侧壁之间的距离等于至少10μm。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电过孔与所述激光可激活材料层的相应侧壁之间的距离等于至少10μm。9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述激光可激活材料层的所述前表面上的包封材料层，以用于包封所述导电线。10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括非导电管芯附接材料层，所述非导电管芯附接材料层将所述半导体管芯附接到所述支撑基底上并且附接到所述导电引线中的一个或多个导电引线的所述近侧部分上。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述非导电管芯附接材料层包括管芯附接膜。12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中布置在所述支撑基底上的所述半导体管芯大于所述支撑基底的对应尺寸。
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑基底包括金属引线框的管芯焊盘。14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电结构包括金属材料。15.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将半导体管芯布置到支撑基底上以及布置在围绕所述支撑基底布置的一个或多个导电引线的近侧部分上，使得所述导电引线具有面向所述支撑基底的相应近侧部分和背向所述支撑基底的相应远侧部分，其中所述半导体管芯包括在所述半导体管芯的、与所述支撑基底相对的前表面处的一组接合焊盘；在所述半导体管芯和所述导电引线上形成激光可激活材料层；将激光辐射引导到所述激光可激活材料层上以图案化一组经激光激活的结构，其中对所述一组经激光激活的结构进行图案化包括：i)图案化第一经激光激活的过孔，所述第一经激光激活的过孔在所述半导体管芯的所述前表面处的所述一组接合焊盘与所述激光可激活材料的层的前表面之间延伸，ii)图案化第二经激光激活的过孔，所述第二经激光激活的过孔在所述导电引线的所述远侧部分与所述激光可激活材料的层的所述前表面之间延伸，以及iii)图案化经激光激活的线，所述经激光激活的线在所述激光可激活材料层的所述前表面处延伸并且将所选择的第一经激光激活的过孔连接到所选择的第二经激光激活的过孔；以及将金属层沉积到所述第一经激光激活的过孔、所述第二经激光激活的过孔以及所述经激光激活的线上，以提供相应的第一导电过孔、第二导电过孔和导电线。16.根据权利要求15所述的方法，还包括将包封材料层沉积到所述激光可激活材料层的所述前表面上，从而包封所述导电线。17.根据权利要求15所述的方法，还包括使用非导电管芯附接材料层来将所述半导体管芯附接到所述支撑基底上并且附接到所述导电引线中的一个或多个导电引线的所述近侧部分上。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述非导电管芯附接材料层包括管芯附接膜。
技术总结
本公开的各实施例涉及引线上芯片半导体器件及引线上芯片半导体器件制造方法。半导体器件包括：具有围绕其布置的引线的支撑基底；在支撑基底上的半导体管芯；和模制到管芯和引线上的激光可激活材料层。引线包括面向支撑基底的近侧部分和背向支撑基底的远侧部分。半导体管芯包括在其与支撑基底相对的前表面处的接合焊盘，并且被布置到引线的近侧部分上。半导体器件具有在激光可激活材料的选定位置经激光结构化的导电结构。导电结构包括在接合焊盘与激光可激活材料的前表面之间延伸的第一过孔、在引线的远侧部分与激光可激活材料的前表面之间延伸的第二过孔、以及在激光可激活材料的前表面处延伸并且将所选择的第一过孔连接到所选择的第二过孔的线。接到所选择的第二过孔的线。接到所选择的第二过孔的线。
技术研发人员：M
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/6/21