发光装置和包括其的电子设备的制作方法

发光装置和包括其的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年1月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0001928号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及发光装置和包括其的电子设备。


背景技术：

4.自发射发光装置可具有宽视角、高对比度、短响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的卓越或适当的特性。
5.在示例发光装置中，第一电极位于基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(比如空穴和电子)可在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁到基态，从而生成光。


技术实现要素：

6.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及具有低驱动电压、高发光效率和/或长寿命的发光装置，以及包括发光装置的电子设备。
7.另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过本公开呈现的实施方式的实践而了解到。
8.本公开的一个或多个实施方式提供了发光装置，其包括：
9.第一电极，
10.面向第一电极的第二电极，以及
11.位于第一电极和第二电极之间的夹层，
12.其中夹层包括发射层和电子传输区，
13.电子传输区位于发射层和第二电极之间，
14.电子传输区包括电子传输层，
15.电子传输层包括第一材料和第二材料，
16.第一材料为由式1表示的杂环化合物，并且
17.第二材料包括第一金属的元素形式的第一金属、第一金属的卤化物、包括第一金属的络合物或其任何组合：
18.式1
[0019][0020][0021]
式2c
[0022][0023]
其中，在式1、式2a、式2b和式2c中，
[0024]
ar1可为由式2a表示的基团、由式2b表示的基团或由式2c表示的基团，
[0025]
x1可为n或c-[(l1)
a1-(r1)
b1
]，且x2可为n或c-[(l2)
a2-(r2)
b2
]，
[0026]
t1和t2可各自独立地为c或n，
[0027]
t3可为n或c(r6)，
[0028]
环cy1可为c
1-c
60
杂环基，
[0029]
l1至l5可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个r
1a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
1a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0030]
a1至a5可各自独立地为选自1至5的整数，
[0031]
r1至r4可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基、由式2a表示的基团、由式2b表示的基团、由式2c表示的基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0032]
r5和r6可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)
或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0033]
b1至b5和c5可各自独立地为选自1至20的整数，
[0034]r1a
与结合r1描述的相同，
[0035]
式2a至式2c中的*指示与相邻原子的结合位点，
[0036]
由式1表示的杂环化合物可满足条件1和2：
[0037]
条件1
[0038]
式1不包括苯并[k]荧蒽基，
[0039]
条件2
[0040]
当式2a和式2b中的环cy1为苯并咪唑基时，x1和x2中的至少一个为n，并且
[0041]r10a
可为：
[0042]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基，
[0043]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任何组合，
[0044]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任何组合，或
[0045]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0046]
其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为氢，氘，-f，-cl，-br，-i，羟基，氰基，硝基，c
7-c
60
芳基烷基，c
2-c
60
杂芳基烷基，c
1-c
60
烷基，c
2-c
60
烯基，c
2-c
60
炔基，c
1-c
60
烷氧基，或各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合。
[0047]
本公开的一个或多个实施方式提供包括发光装置的电子设备。
附图说明
[0048]
本公开的某些实施方式的上述和其他方面、特征和优势将从结合所附附图的描述中变得更加显而易见，在附图中：
[0049]
图1为根据实施方式的发光装置的示意图；并且
[0050]
图2和图3各自为根据实施方式的电子设备的示意图。
具体实施方式
[0051]
现将更详细地参考实施方式，其示例阐释在所附附图中，其中遍及说明书，相同的附图标记指相同的元件，并且可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文阐述的描述。因此，参考附图仅描述实施方式以解释本描述的各方面。如本文使用，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及
本公开，表达“a、b和c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b两者(例如，同时)，a和c两者(例如，同时)，b和c两者(例如，同时)，所有的a、b和c，或其变体。
[0052]
将理解，尽管术语第一、第二等可在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文使用的，单数形式旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
[0053]
如本文使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。将进一步理解，术语“包括(include)”、“包括(including)”、“包含(comprise)”和/或“包含(comprising)”在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
[0054]
如本文使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可视为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。如本文使用的，表述比如
“……
中的至少一个”、
“……
中的一个”和“选自”在要素的列表之前/后时，修饰要素的整个列表，而不修饰列表的单个要素。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。此外，当描述本公开的实施方式时“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。
[0055]
将理解，当元件被称为在另一个元件“上”、“连接到”或“联接到”另一个元件时，其可直接在另一个元件上、直接连接或直接联接到另一个元件，或也可存在一个或多个居间元件。
[0056]
当元件被称为“直接”在另一个元件“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一个元件时，不存在居间元件。
[0057]
根据本公开的实施方式的发光装置可包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及位于第一电极和第二电极之间的夹层。
[0058]
夹层可包括发射层和电子传输区，并且电子传输区可位于发射层和第二电极之间。
[0059]
电子传输区可包括电子传输层。
[0060]
电子传输层可包括第一材料和第二材料。
[0061]
电子传输层中的第一材料可为由式1表示的杂环化合物：
[0062]
式1
[0063][0064]
其中，在式1中，ar1可为由式2a表示的基团、由式2b表示的基团或由式2c表示的基团：
[0065][0066]
式2c
[0067][0068]
式2a至式2c在下面更详细地描述。
[0069]
在式1中，x1可为n或c-[(l1)
a1-(r1)
b1
]，且x2可为n或c-[(l2)
a2-(r2)
b2
]。
[0070]
在实施方式中，在式1中，
[0071]
i)x1可为c-[(l1)
a1-(r1)
b1
]，且x2可为c-[(l2)
a2-(r2)
b2
]；
[0072]
ii)x1可为n，且x2可为c-[(l2)
a2-(r2)
b2
]；
[0073]
iii)x1可为c-[(l1)
a1-(r1)
b1
]，且x2可为n；或
[0074]
iv)x1可为n，且x2可为n。
[0075]
式2a和式2b中的t1和t2可各自独立地为c或n。
[0076]
在实施方式中，式2a和式2b中的t1和t2可各自为c。
[0077]
式2c中的t3可为n或c(r6)。
[0078]
在实施方式中，式2c中的t3可为c(r6)。
[0079]
式2a和式2b中的环cy1可为c
1-c
60
杂环基。
[0080]
在实施方式中，式2a和式2b中的环cy1可为
[0081]
i)第一基团，
[0082]
ii)其中第一基团和至少一个第二基团彼此稠合的稠环基团，
[0083]
iii)其中第一基团和至少一个第三基团彼此稠合的稠环基团，或
[0084]
iv)其中第一基团、至少一个第二基团和至少一个第三基团彼此稠合的稠环基团，
[0085]
其中第一基团可为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基或异噻唑基，各自包括式2a和式2b中的t1和t2作为成环原子，
[0086]
第二基团可为苯基、吡咯基、呋喃基或噻吩基，并且
[0087]
第三基团可为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基或异噻唑基。
[0088]
在实施方式中，式2a和式2b中的环cy1可为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、苯并萘啶基、吡啶并喹啉基(例如，菲咯啉基)、吡啶并异喹啉基、吡啶并喹唑啉基、吡啶并喹喔啉基、吡啶并萘啶基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吡啶并吡唑基、吡啶并咪唑基、吡啶并噁唑基、吡啶并噻唑基、吡啶并吡咯基、吡啶并呋喃基或吡啶并噻吩基。
[0089]
在一个或多个实施方式中，式2a和式2b中的环cy1可为由式2(1)至式2(11)中的一个表示的基团：
[0090][0091]
其中，在式2(1)至式2(11)中，
[0092]
y1至y8可各自独立地为c或n，
[0093]
y9可为o、s或n(r
59
)，
[0094]r59
可与结合r5描述的相同，并且
[0095]
*指示与相邻原子的结合位点。
[0096]
在一些实施方式中，其中式2(1)至式2(11)中的所有的y1至y8为n的情况可以排除。
[0097]
在实施方式中，式2(1)至式2(11)中的所有的y1至y8可(例如，同时)为c。
[0098]
在一个或多个实施方式中，式2(1)和式2(7)至式2(9)中的y1至y4中的一个或两个可为n，式2(2)、式2(3)和式2(10)中的y1至y6中的一个或两个可为n，并且式2(4)至式2(6)和式2(11)中的y1至y8中的一个或两个可为n。
[0099]
在一个或多个实施方式中，式2a和式2b中的环cy1可为由式2-1至式2-67中的一个表示的基团：
[0100]
[0101]
[0102][0103]
其中，在式2-1至式2-67中，
[0104]
y9可为o、s或n(r
59
)，
[0105]r59
可与结合r5描述的相同，并且
[0106]
*指示与相邻原子的结合位点。
[0107]
式1、式2a和式2b中的l1至l5可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个r
1a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
1a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0108]
在实施方式中，l1至l5可各自独立地为：
[0109]
单键；或
[0110]
各自未被取代或被以下取代的苯基、萘基、菲基、芘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、苯并萘啶基、吡啶并喹啉基、吡啶并异喹啉基、吡啶并喹唑啉基、吡啶并喹喔啉基、吡啶并萘啶基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吡啶并吡唑基、吡啶并咪唑基、吡啶并噁唑基、吡啶并噻唑基、吡啶并吡咯基、吡啶并呋喃基或吡啶并噻吩基：氘、c
1-c
20
烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、芘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、苯并萘啶基、吡啶并喹啉基、吡啶并异喹啉基、吡啶并喹唑啉基、吡啶并喹喔啉基、吡啶并萘啶基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吡啶并吡唑基、吡啶并咪唑基、吡啶并噁唑基、吡啶并噻唑基、吡啶并吡咯基、吡啶并呋喃基、吡啶并噻吩基或其任何组合。
[0111]
在一个或多个实施方式中，l1至l5可各自独立地为：
[0112]
单键；或
[0113]
各自未被取代或被以下取代的苯基、萘基、菲基或芘基：氘、c
1-c
20
烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、芘基或其任何组合。
[0114]
式1、式2a和式2b中的a1至a5可分别指示l1至l5的数量，并且可各自独立地为选自1至5的整数(例如，1、2或3)。当a1为2或更大时，两个或更多个l1可彼此相同或不同，当a2为2或更大时，两个或更多个l2可彼此相同或不同，当a3为2或更大时，两个或更多个l3可彼此相同或不同，当a4为2或更大时，两个或更多个l4可彼此相同或不同，且当a5为2或更大时，两个或更多个l5可彼此相同或不同。
[0115]
在式1、式2a、式2b和式2c中，
[0116]
r1至r4可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基、由式2a表示的基团、由式2b表示的基团、由式2c表示的基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，并且
[0117]
r5和r6可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
7-c
60
芳基烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)。q1至q3可与本说明书中描述的相同。
[0118]
在实施方式中，r3和r4可各自独立地为：
[0119]
各自未被取代或被以下取代的苯基、萘基、菲基、芘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、苯并萘啶基、吡啶并喹啉基、吡啶并异喹啉基、吡啶并喹唑啉基、吡啶并喹喔啉基、吡啶并萘啶基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吡啶并吡唑基、吡啶并咪唑基、吡啶并噁唑基、吡啶并噻唑基、吡啶并吡咯基、吡啶并呋喃基或吡啶并噻吩基：氘、c
1-c
20
烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、芘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、苯并萘啶基、吡啶并喹啉基、吡啶并异喹啉基、吡啶并喹唑啉基、吡啶并喹喔啉基、吡啶并萘啶基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吡啶并吡唑基、吡啶并咪唑基、吡啶并噁唑基、吡啶并噻唑基、吡啶并吡咯基、吡啶并呋喃基、吡啶并噻吩基或其任何组合；或
[0120]
由式2a表示的基团、由式2b表示的基团或由式2c表示的基团。
[0121]
在实施方式中，r1、r2、r5和r6可各自独立地为：
[0122]
氢、氘或c
1-c
20
烷基；或
[0123]
各自未被取代或被以下取代的苯基、萘基、菲基、芘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、苯并萘啶基、吡啶并喹啉基、吡啶并异喹啉基、吡啶并喹唑啉基、吡啶并喹喔啉基、吡啶并萘啶基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吡啶并吡唑基、吡啶并咪唑基、吡啶并噁唑基、吡啶并噻唑基、吡啶并吡咯基、吡啶并呋喃基或吡啶并噻吩基：氘、c
1-c
20
烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、芘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、苯并喹啉基、苯并
异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、苯并萘啶基、吡啶并喹啉基、吡啶并异喹啉基、吡啶并喹唑啉基、吡啶并喹喔啉基、吡啶并萘啶基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吡啶并吡唑基、吡啶并咪唑基、吡啶并噁唑基、吡啶并噻唑基、吡啶并吡咯基、吡啶并呋喃基、吡啶并噻吩基或其任何组合。
[0124]
在式1、式2a和式2b中，b1至b5可分别指示r1至r5的数量，c5可指示由*-[(l5)
a5-(r5)
b5
]表示的基团的数量，并且b1至b5和c5可各自独立地为选自1至20的整数(例如0，1、2或3)。当b1为2或更大时，两个或更多个r1可彼此相同或不同，当b2为2或更大时，两个或更多个r2可彼此相同或不同，当b3为2或更大时，两个或更多个r3可彼此相同或不同，当b4为2或更大时，两个或更多个r4可彼此相同或不同，当b5为2或更大时，两个或更多个r5可彼此相同或不同，且当c5为2或更大时，两个或更多个由*-[(l5)
a5-(r5)
b5
]表示的基团可彼此相同或不同。
[0125]
在实施方式中，在式1中，
[0126]
i)l3可为单键，b3可为1，且r3可为由式2a表示的基团、由式2b表示的基团或由式2c表示的基团，
[0127]
ii)l4可为单键，b4可为1，且r4可为由式2a表示的基团、由式2b表示的基团或由式2c表示的基团，或
[0128]
iii)l3和l4可各自为单键，b3和b4可各自为1，且r3和r4可各自独立地为由式2a表示的基团、由式2b表示的基团或由式2c表示的基团。例如，式1可根据上述的情况(i)和/或(ii)来描述。
[0129]r1a
可与结合r1描述的相同。
[0130]
式2a至式2c中的*指示与相邻原子的结合位点。
[0131]
由式1表示的杂环化合物可满足条件1和2：
[0132]
条件1
[0133]
式1不包括苯并[k]荧蒽基
[0134]
条件2
[0135]
当式2a和式2b中的环cy1为苯并咪唑基时，x1和x2中的至少一个为n在实施方式中，第一材料可包括化合物1至74中的一种，或其任何组合：
[0136]
[0137]
[0138]
[0139]
[0140]
[0141]
[0142][0143]
在一个或多个实施方式中，电子传输层中的第二材料可包括第一金属的元素形式的第一金属(例如，元素物质)、第一金属的卤化物、包括第一金属的络合物或其任何组合。
[0144]
包括在第二材料中的第一金属可为碱金属、碱土金属、稀土金属、第3族过渡金属或其任何组合。如本文使用的术语“包括在第二材料中的第一金属”不仅指“第一金属”，而且指包括在第一金属的卤化物中的“第一金属”以及包括在包括第一金属的络合物中的“第一金属”。
[0145]
在实施方式中，包括在第二材料中的第一金属可为锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)、铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)、镭(ra)、钪(sc)、钇(y)、镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)或其任何组合。
[0146]
第一金属的卤化物可包括第一金属的氟化物、第一金属的氯化物、第一金属的溴化物、第一金属的碘化物或其任何组合。
[0147]
在实施方式中，第一金属的卤化物可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi、csi、bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2、bai2、ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3、smi3、scf3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任何组合。
[0148]
包括第一金属的络合物可进一步包括与第一金属键合的数量为n(例如，具有多重
数n)个的配体，其中n可为选自1至6的整数，且数量为n个的配体中的至少一个(例如，n个配体中的至少一个)可为由式3-1或式3-2表示的基团：
[0149][0150]
其中，在式3-1和式3-2中，
[0151]
a1和a2可各自独立地为c或n，
[0152]
a3可为o或s，
[0153]
环cy
11
和环cy
12
可各自独立地为c
5-c
60
碳环基或c
3-c
60
杂环基，
[0154]
z1和z2可各自独立地与结合r1描述的相同，
[0155]
d1和d2可各自独立地为选自0至20的整数，并且
[0156]
*和*'各自指示与第一金属的结合位点。
[0157]
在实施方式中，式3-1和式3-2中的环cy
11
和环cy
12
可各自独立地为苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、苯并咪唑基、苯并噁唑基或苯并噻唑基。
[0158]
在实施方式中，n个配体中的至少一个可为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉或环戊二烯。
[0159]
在实施方式中，包括第一金属的络合物可为化合物m1-1至m1-4中的一种：
[0160][0161]
化合物m1-1至m1-4中的m可为碱金属(例如，li、na、k、rb等)。
[0162]
除了如上所述的第一材料和第二材料之外，电子传输层可进一步包括其中源自第二材料的第一金属和包括在第一材料中的ar1彼此键合的有机金属化合物。术语“源自第二材料的第一金属”不仅指如上所述的“包括在第二材料中的第一金属”，而且指第一金属的离子，与第一金属的卤化物中的卤素离子分离的第一金属(例如，第一金属的离子)，以及与包括第一金属的络合物中的配体分离的第一金属(例如，第一金属的离子)。因此，有机金属化合物可以不是在形成电子传输层时另外使用的材料，而是例如可以在形成电子传输层期间和/或之后源自如本文描述的第一材料和第二材料(例如，第一材料和第二材料的反应产物)。在实施方式中，电子传输层可以通过以下方式形成：1)共沉积第一材料和第二材料，
和/或2)涂覆并烘烤包括第一材料、第二材料和溶剂的混合物。
[0163]
在实施方式中，包括有机金属化合物中的第一金属的环金属化环可为5元环(见式1a至式1c)。例如，有机金属化合物可包括包含第一金属的原子作为环成员的5元环金属化环。
[0164]
在实施方式中，其中源自第二材料的第一金属和包括在第一材料中的ar1彼此键合的有机金属化合物可包括由式1a表示的有机金属化合物、由式1b表示的有机金属化合物、由式1c表示的有机金属化合物或其任何组合：
[0165]
式1a
[0166][0167]
式1b
[0168][0169]
式1c
[0170][0171]
其中，在式1a至式1c中，
[0172]
m可为源自第二材料的第一金属，
[0173]
x1、x2、t1至t3、环cy1、l1至l5、a1至a5、r1至r5、b1至b5和c5可各自独立地与本说明书中描述的相同。
[0174]
电子传输层中第一材料与第二材料的重量比可在约9.9：0.1至约3：7，例如，约9.9：0.1至约5：5的范围内。当第一材料与第二材料的重量比在该范围内时，电子传输层可
具有卓越的或适当的电子传输特性。
[0175]
在实施方式中，当第二材料为包括第一金属的络合物时，电子传输层中第一材料与第二材料的重量比可在约9.9：0.1至约5：5的范围内(例如，5：5)。
[0176]
在实施方式中，当第二材料为第一金属或第一金属的卤化物时，电子传输层中的第一材料与第二材料的重量比可在约9.9：0.1至约7：3的范围内(例如，9：1)。
[0177]
因为电子传输层包括如本文描述的第一材料和第二材料，所以可获得卓越的或适当的电子传输和电子注入特性。在一个或多个实施方式中，包括在第二材料中的第一金属可在电子传输层中转换成离子形式(例如，可以阳离子、离子络合物和/或金属盐的形式存在)，并且存在第一金属的离子可移动到相邻层(例如，发射层、电子注入层和/或第二电极(阴极))以部分地结合到包含在相邻层中的材料(与包含在相邻层中的材料结合)的风险，导致发光装置的稳定性降低并且其驱动电压增加。然而，因为电子传输层中的第一材料包括如本文描述的“ar
1”，所以可以另外形成有机金属化合物，其中源自第二材料的第一金属和包含在第一材料中的ar1彼此结合(例如，可以反而以更高的反应速率形成)，因此，可以基本上防止或减少第一金属的离子移动到相邻层。结果，可以改善发光装置的稳定性，从而改善发光装置的驱动电压、发光效率和/或寿命。
[0178]
在一个或多个实施方式中，尽管不受本文阐述的任何理论或解释的正确性的限制，i)当由式1表示的杂环化合物满足条件1时，第一材料的空间位阻特性可减少，从而增加第一材料和第二材料之间接触(例如反应)的概率和/或速率，和ii)当由式1表示的杂环化合物满足条件2时，电子传输层可具有更好的电子传输能力。
[0179]
电子传输区可进一步包括位于发射层和电子传输层之间的缓冲层。
[0180]
除了如上所述的电子传输层和缓冲层之外，电子传输区可进一步包括空穴阻挡层、电子控制层、电子注入层或其任何组合。
[0181]
在实施方式中，
[0182]
发光装置的第一电极可为阳极，
[0183]
发光装置的第二电极可为阴极，并且
[0184]
夹层可进一步包括位于第一电极和发射层之间的空穴传输区。空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。
[0185]
在一个或多个实施方式中，发光装置可包括位于第一电极外侧或第二电极外侧的封盖层(例如，在任一电极背对发射层的一侧)。
[0186]
在实施方式中，发光装置可进一步包括位于第一电极外侧的第一封盖层和位于第二电极外侧的第二封盖层中的至少一个，并且由式1表示的杂环化合物可包括在第一封盖层和第二封盖层中的至少一个中。第一封盖层和/或第二封盖层可各自独立地与本说明书中描述的相同。
[0187]
如本文使用的术语“夹层”可指位于发光装置的第一电极和第二电极之间的单层和/或所有多个层。
[0188]
根据本公开的另一方面，提供了包括发光装置的电子设备。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。在一个或多个实施方式中，电子设备可进一步包括包含源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且发光装置的第一电极可电连接到源电极或漏电极。在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。关于电子设备的更
多细节可与本说明书中描述的相同。
[0189]
图1的描述
[0190]
图1为根据实施方式的发光装置10的示意性截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0191]
下文，将结合图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[0192]
第一电极110
[0193]
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极150上方。玻璃基板和/或塑料基板可用作基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的或适当的耐热性和耐久性的塑料(比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任何组合)。
[0194]
第一电极110可通过，例如，在基板上沉积和/或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴注入的高功函数材料。
[0195]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任何组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任何组合可用作用于形成第一电极110的材料。
[0196]
第一电极110可具有由单层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0197]
夹层130
[0198]
夹层130可位于第一电极110上。夹层130可包括发射层。
[0199]
夹层130可进一步包括位于第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及位于发射层和第二电极150之间的电子传输区。
[0200]
除了各种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和/或无机材料(比如量子点)等。
[0201]
在一个或多个实施方式中，夹层130可包括，i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元，和ii)位于两个发射单元之间的电荷生成层。当夹层130包括如上所述的发射单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。
[0202]
夹层130中的空穴传输区
[0203]
空穴传输区可具有：i)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，该单层包括单种材料(例如，由单种材料组成)，ii)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，该单层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同材料。
[0204]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。
[0205]
例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构，空穴注入层/发射辅助层结构，空穴传输层/发射辅助层结构，或空
穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中每个结构的各层从第一电极110依次堆叠。
[0206]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：
[0207]
式201
[0208][0209]
式202
[0210][0211]
其中，在式201和式202中，
[0212]
l
201
至l
204
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0213]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0214]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
[0215]
xa5可为选自1至10的整数，
[0216]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0217]r201
和r
202
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物ht16)，
[0218]r203
和r
204
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，从而可形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0219]
na1可为选自1至4的整数。
[0220]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0221][0222]
式cy201至式cy217中的r
10b
和r
10c
可各自独立地与结合r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被r
10a
取代。
[0223]
在实施方式中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0224]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0225]
在一个或多个实施方式中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至cy217表示的基团中的至少一个。
[0226]
在一个或多个实施方式中，式201中的xa1可为1，r
201
可为由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，xa2可为0，且r
202
可为由式cy204至式cy207中的一个表示的基团。
[0227]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式cy201至式cy203中的一个表示的基团。
[0228]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，并且可包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0229]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式cy201至式cy217中的一个表示的基团。
[0230]
在实施方式中，空穴传输区可包括化合物ht1至ht46中的一种，m-mtdata，tdata，2-tnata，npb(npd)，β-npb，tpd，螺-tpd，螺-npb，甲基化的npb，tapc，hmtpd，4,4’,4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)，聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)，聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)，聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)，聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)，htm2或其任何组合：
[0231]
[0232]
[0233]
[0234]
[0235][0236]
空穴传输区的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
[0237]
发射辅助层可通过补偿由发射层发射的光的波长的光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少电子从发射层泄漏到空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和/或电子阻挡层中。
[0238]
p-掺杂剂
[0239]
除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电性质的电荷生成材料。电荷生成材料可基本上均匀或非均匀分散于空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单层的形式)。
[0240]
电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。
[0241]
在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为-3.5ev或更小。
[0242]
在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其任何组合。
[0243]
醌衍生物的实例可包括tcnq、f4-tcnq等。
[0244]
含氰基化合物的实例可包括hat-cn和由式221表示的化合物：
[0245][0246]
在式221中，
[0247]r221
至r
223
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，并且
[0248]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或其任何组合取代的c
1-c
20
烷基；或其任何组合。
[0249]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素el2可为非金属、准金属或其任何组合。
[0250]
金属的实例可包括碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；和镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0251]
准金属的实例可包括硅(si)、锑(sb)和碲(te)。
[0252]
非金属的实例可包括氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0253]
在一个或多个实施方式中，含有元素el1和元素el2的化合物的实例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。
[0254]
金属氧化物的实例可包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和铼氧化物(例如，reo3等)。
[0255]
金属卤化物的实例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过
渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0256]
碱金属卤化物的实例可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0257]
碱土金属卤化物的实例可包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0258]
过渡金属卤化物的实例可包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0259]
后过渡金属卤化物的实例可包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和锡卤化物(例如，sni2等)。
[0260]
镧系金属卤化物的实例可包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0261]
准金属卤化物的实例可包括锑卤化物(例如，sbcl5等)。
[0262]
金属碲化物的实例可包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0263]
夹层130中的发射层
[0264]
当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层可彼此接触或可彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。
[0265]
发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。
[0266]
基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。
[0267]
在一个或多个实施方式中，发射层可包括量子点。
[0268]
在一些实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。
[0269]
发射层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当发射层的厚度在该范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得卓越的或适当的光发射特性。
[0270]
主体
[0271]
主体可包括由式301表示的化合物：
[0272]
式301
[0273]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
，
[0274]
其中，在式301中，
[0275]
ar
301
和l
301
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0276]
xb11可为1、2或3，
[0277]
xb1可为选自0至5的整数，
[0278]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0279]
xb21可为选自1至5的整数，并且
[0280]q301
至q
303
可各自独立地与结合q1描述的相同。
[0281]
例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar
301
可经由单键彼此连接。
[0282]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：
[0283]
式301-1
[0284][0285]
式301-2
[0286][0287]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0288]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0289]
x
301
可为o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0290]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0291]
l
301
、xb1和r
301
可各自独立地与本说明书中描述的相同，
[0292]
l
302
至l
304
可各自独立地与结合l
301
描述的相同，
[0293]
xb2至xb4可各自独立地与结合xb1描述的相同，并且
[0294]r302
至r
305
和r
311
至r
314
可各自独立地与结合r
301
描述的相同。
[0295]
在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其任何组合。在一个或多个实施方式中，主体可包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其任何组合。
[0296]
在实施方式中，主体可包括化合物h1至h124中的一种，9,10-二(2-萘基)蒽(adn)，2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)，9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)，4,4
’‑
双(n-咔唑基)-1,1
’‑
联苯(cbp)，1,3-二(9-咔唑基)苯(mcp)，1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)，ph2或其任何组合：
[0297]
[0298]
[0299]
[0300]
[0301]
[0302]
[0303][0304]
磷光掺杂剂
[0305]
磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。
[0306]
磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。
[0307]
磷光掺杂剂可为电中性的。
[0308]
例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
[0309]
式401
[0310]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
，
[0311]
其中，在式401中，
[0312]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0313]
l
401
可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
可彼此相同或不同，
[0314]
式402
[0315][0316]
l
402
可为有机配体，且xc2可为0、1、2、3或4，并且当xc2为2或更大时，两个或更多个l
402
可彼此相同或不同，
[0317]
在式402中，
[0318]
x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0319]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基，
[0320]
t
401
可为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0321]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0322]q411
至q
414
可各自独立地与结合q1描述的相同，
[0323]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0324]q401
至q
403
可各自独立地与结合q1描述的相同，
[0325]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，
[0326]
式402中的*和*’各自指示与式401中的m结合位点。
[0327]
例如，在式402中，i)x
401
可为氮，且x
402
可为碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个可(例如，同时)为氮。
[0328]
在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
中的
两个环a
401
可任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，并且两个环a
402
可任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(见化合物pd1至pd4和pd7)。t
402
和t
403
可各自独立地与结合t
401
描述的相同。
[0329]
式401中的l
402
可为有机配体。例如，l
402
可包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮基团)、羧酸基团(例如，吡啶羧酸基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn基团、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸盐基团等)或其任何组合。
[0330]
磷光掺杂剂可包括，例如，化合物pd1至pd25中的一种或其任何组合：
[0331][0332][0333]
荧光掺杂剂
[0334]
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。
[0335]
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0336]
式501
[0337][0338]
其中，在式501中，
[0339]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0340]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0341]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0342]
在一个或多个实施方式中，式501中的ar
501
可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
[0343]
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0344]
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物fd1至fd36中的一种；dpvbi；dpavbi；或其任何组合：
[0345]
[0346]
[0347][0348]
延迟荧光材料
[0349]
发射层可包括延迟荧光材料。
[0350]
在本说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。
[0351]
包括在发射层中的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层中的其他材料的类型或功能。
[0352]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可大于或等于0ev且小于或等于0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足上述范围时，延迟荧光材料的三重态(例如，三重态激子)到单重态(例如，单重态激子)的上转换可以有效地发生，因此，可以改善发光装置10的发射效率。
[0353]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼(b)的同时稠合的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0354]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料可包括化合物df1至df9中的至少一种：
[0355][0356]
量子点
[0357]
发射层可包括量子点。
[0358]
在本说明书中，术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射一个或多个适当的发射波长的光的任何材料。
[0359]
量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。
[0360]
量子点可通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何适当工艺来合成。
[0361]
根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以使量子点颗粒晶体生长。当晶体生长时，有机溶剂自然充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(比如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))更容易进行并且需要低成本的工艺来控制或选择。
[0362]
量子点可包括第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、第iv族元素或化合物或其任何组合。
[0363]
第ii-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse和/或mgs)；三元化合物(比如cdses、cdsete、cdste、znses、
znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse和/或mgzns)；四元化合物(比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete和/或hgznste)；和/或其任何组合。
[0364]
第iii-v族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas和/或insb等)；三元化合物(比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas和/或inpsb等)；四元化合物(比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas和/或inalpsb等)；和/或其任何组合。在一些实施方式中，第iii-v族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的实例可包括inznp、ingaznp、inalznp等。
[0365]
第iii-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3和/或inte)；三元化合物(比如ingas3和/或ingase
3)
；及其任何组合。
[0366]
第i-iii-vi族半导体化合物的实例可包括三元化合物(比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2和/或agalo2)。
[0367]
第iv-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如sns、snse、snte、pbs、pbse和/或pbte等)；三元化合物(比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse和/或snpbte等)；四元化合物(比如snpbsse、snpbsete和/或snpbste等)；及其任何组合。
[0368]
第iv族元素或化合物可包括单元素(例如，元素材料，比如si和/或ge)；二元化合物(比如sic和/或sige)；及其任何组合。
[0369]
多元素化合物(比如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物)中包含的每种元素可以以基本均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以不均匀的浓度(例如，具有浓度或组成梯度)存在。
[0370]
在一些实施方式中，量子点可具有单一结构或核壳双重结构。在具有单一结构的量子点的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度基本上是均匀的。在一个或多个实施方式中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0371]
量子点的壳可充当保护层来防止或减少核的化学退化以保持半导体特性，和/或充当充电层来赋予量子点电泳特性。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的元素的浓度朝向中心减小的浓度梯度。
[0372]
量子点的壳的实例可包括金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物，及其任何组合。金属、准金属或非金属的氧化物的实例可包括二元化合物(比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio)；三元化合物(比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4)；及其任何组合。半导体化合物的实例可包括如本文描述的第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；及其任何组合。在一些实施方式中，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、
hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任何组合。
[0373]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加颜色纯度和/或色域。在一些实施方式中，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善宽视角。
[0374]
量子点可为球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板。
[0375]
因为能带隙可以通过控制或选择量子点的尺寸来调节或选择，所以可以从量子点发射层获得具有一个或多个适当波长带的光。因此，通过利用不同尺寸的量子点，可以实施发射一种或多种适当波长的光的发光装置。在一个或多个实施方式中，可以选择量子点的尺寸来发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方式中，装置可以被配置为通过组合一个或多个适当尺寸的量子点来发射一种或多种适当颜色的光，从而发射白光。
[0376]
夹层130中的电子传输区
[0377]
电子传输区可包括如本文描述的电子传输层。对电子传输层的详细描述可与本说明书中描述的相同。
[0378]
除了电子传输层之外，电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子注入层或其任何组合。
[0379]
在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构，空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，电子控制层/电子传输层/电子注入层结构，或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每个结构的构成层从发射层依次堆叠。
[0380]
电子传输层可包括如本文描述的第一材料和第二材料。
[0381]
在一个或多个实施方式中，除了本文描述的第一材料和第二材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层)可进一步包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0382]
在实施方式中，电子传输区可进一步包括由式601表示的化合物：
[0383]
式601
[0384]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0385]
其中，在式601中，
[0386]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0387]
xe11可为1、2或3，
[0388]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0389]r601
可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0390]q601
至q
603
可各自独立地与结合q1描述的相同，
[0391]
xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0392]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0393]
在实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
可经由单键连
接。
[0394]
在一个或多个实施方式中，式601中的ar
601
可为取代的或未取代的蒽基。
[0395]
在一个或多个实施方式中，电子传输区可进一步包括由式601-1表示的化合物：
[0396]
式601-1
[0397][0398]
其中，在式601-1中，
[0399]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0400]
l
611
至l
613
可各自独立地与结合l
601
描述的相同，
[0401]
xe611至xe613可各自独立地与结合xe1描述的相同，
[0402]r611
至r
613
可各自独立地与结合r
601
描述的相同，并且
[0403]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0404]
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0405]
电子传输区可进一步包括化合物et1至et45中的一种，2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)，alq3，balq，taz，ntaz或其任何组合：
[0406]
[0407]
[0408]
[0409][0410]
电子传输区的厚度可为约至约例如，约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地为约至约例如，约至约并且电子传输层的厚度可为约至约例如，约例如，约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得令人满意的电子传输特性。
[0411]
电子传输区可包括利于电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。
[0412]
电子注入层可具有：i)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，该单层包括单种材料(例如，由单种材料组成)，ii)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，该单层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)，或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括不同材料。
[0413]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。
[0414]
碱金属可包括li、na、k、rb、cs或其任何组合。碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或其任何组合。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任何组合。
[0415]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可各自独立地为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物，或其任何组合。
[0416]
含碱金属化合物可包括碱金属氧化物(比如li2o、cs2o和/或k2o)、碱金属卤化物(比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi和/或ki)或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物(比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)和/或ba
x
ca
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)等)。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任何组合。在一个或多个实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0417]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)作为与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。
[0418]
电子注入层可包括(例如，由以下组成)如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、
含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0419]
在一个或多个实施方式中，电子注入层可包括(例如，由以下组成)i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，和/或b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可为ki:yb共沉积层和/或rbi:yb共沉积层等。
[0420]
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其组合可基本上均匀地或非均匀地分散于包含有机材料的基质中。
[0421]
电子注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可在驱动电压没有显著增加的情况下具有令人满意的电子注入特性。
[0422]
第二电极150
[0423]
第二电极150可位于具有此类结构的夹层130上。第二电极150可为阴极(其为电子注入电极)，并且各自具有低功函数的金属、合金、电导性化合物或其任何组合可用作用于第二电极150的材料。
[0424]
在一个或多个实施方式中，第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0425]
第二电极150可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
[0426]
封盖层
[0427]
第一封盖层可位于第一电极110外侧，和/或第二封盖层可位于第二电极150外侧(例如，在任一电极的与发射层相对的一侧)。更详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该陈述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该陈述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该陈述的顺序依次堆叠的结构。
[0428]
发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可通过第一电极110(其可为半透射电极或透射电极)和第一封盖层朝向外侧提取，或者发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层朝向外侧提取。
[0429]
根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可增加发光装置10的外部发射效率。因此，可增加发光装置10的光提取效率，从而可改善发光装置10的发射效率。
[0430]
第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括具有1.6或更大的折射率(在589nm处)的材料。
[0431]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。
[0432]
选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有o、n、s、se、
si、f、cl、br、i或其任何组合的取代基取代。在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0433]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。
[0434]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物ht28至ht33中的一种，化合物cp1至cp6中的一种，β-npb或其任何组合：
[0435][0436]
电子设备
[0437]
发光装置可包括在各种适当的电子设备中。在一个或多个实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。
[0438]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于(例如，交叉或拦截)从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在一个或多个实施方式中，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置可以与如上所述的相同。在一个或多个实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可以是例如本文描述的量子点。
[0439]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0440]
像素限定层可位于多个子像素区域之中(例如，之间)以限定多个子像素区域中的
每一个。
[0441]
滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之中的遮光图案，并且颜色转换层可包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之中的遮光图案。
[0442]
滤色器区域(和/或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域，和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在一个或多个实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在一个或多个实施方式中，滤色器区域(和/或颜色转换区域)可包括量子点。更详细地，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点可与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自独立地包括散射体。
[0443]
在一个或多个实施方式中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可具有不同的最大发射波长。更详细地，第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光。
[0444]
除了如上所述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任何一个可电连接到发光装置的第一电极和第二电极中的任何一个。
[0445]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘膜等。
[0446]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。
[0447]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可置于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分可允许来自发光装置的光被提取到外侧，同时(例如，同步)防止或减少环境空气和/或水分渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0448]
除了滤色器和/或颜色转换层之外，根据电子设备的期望用途，各种功能层可另外位于密封部分上。功能层可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过利用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。
[0449]
除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[0450]
电子设备可适用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子体温计，血压计、血糖计、脉冲测量装置、脉冲波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、航空器和船只的仪表)和/或投影仪等。
[0451]
图2和图3的描述
[0452]
图2为根据本公开的实施方式的发光设备的截面图。
[0453]
图2的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和用于密封发光装置的封装部分300。
[0454]
基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可形成于基板100上。缓冲层210可防止或减少杂质通过基板100，并且可在基板100上提供平坦的表面。
[0455]
tft可位于缓冲层210上。tft可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0456]
有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
[0457]
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可位于有源层220上，并且栅电极240可位于栅绝缘膜230上。
[0458]
夹层绝缘膜250位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可置于栅电极240和源电极260之间以将栅电极240与源电极260绝缘，并且可置于栅电极240和漏电极270之间以将栅电极240与漏电极270绝缘。
[0459]
源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0460]
tft电连接到发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0461]
第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110连接到漏电极270的暴露部分。
[0462]
含有绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区，并且夹层130可形成于第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。在一些实施方式中，夹层130的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部从而以公共层的形式布置。
[0463]
第二电极150可位于夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0464]
封装部分300可位于封盖层170上。封装部分300可位于发光装置上以保护发光装置免受水分和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，该无机膜包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，该有机膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油醚(age)等)或其组合；或无机膜和有机膜的组合。
[0465]
图3为根据本公开的实施方式的发光设备的截面图。
[0466]
图3的发光设备与图2的发光设备基本上相同，不同的是遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为：i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多个实施方式中，包括在图3的发光设备中的发光装置可为串联发光装置。
[0467]
制造方法
[0468]
包括在空穴传输区中的各个层、发射层和包括在电子传输区中的各个层可通过利用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导
热成像中的一个或多个适当的方法形成于设定或预定区中。
[0469]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约至约的沉积速度下进行，这取决于待包括的材料和待形成的层的结构。
[0470]
术语的定义
[0471]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由作为成环原子的碳组成且具有3至60个碳原子的环状基团，例如c
5-c
60
碳环基，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指具有1至60个碳原子且除碳之外进一步具有杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可各自为包括一个环(例如，由一个环组成)的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基可具有3至61个成环原子。
[0472]
如本文使用的术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0473]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子且包括*-n＝*’作为成环部分的杂环基。
[0474]
例如，
[0475]c3-c
60
碳环基可为i)(下面定义的)基团t1，或ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，
[0476]c1-c
60
杂环基可为i)(下面定义的)基团t2，ii)其中两个或更多个基团t2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0477]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为i)基团t1，ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团，iii)(下面定义的)基团t3，iv)其中两个或更多个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，c
3-c
60
碳环基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑
基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，
[0478]
缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团可为i)(下面定义的)基团t4，ii)其中两个或更多个基团t4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0479]
其中基团t1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0480]
基团t2可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
[0481]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0482]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0483]
如本文使用的术语比如“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”和/或“缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”指根据用对应术语描述的式的结构，与环状基团稠合(例如，结合在一起)的单价或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在一个或多个实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基和/或亚苯基等，这可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构来容易理解。
[0484]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的实例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，且二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的实例为c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
[0485]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，例如，c
1-c
20
烷基，且其实例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲
己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指与c
1-c
60
烷基具有基本上相同的结构的二价基团。
[0486]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，且其实例可包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指与c
2-c
60
烯基具有基本上相同的结构的二价基团。
[0487]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，且其实例可包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指与c
2-c
60
炔基具有基本上相同的结构的二价基团。
[0488]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)表示的单价基团，且其实例可包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0489]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，且其实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指与c
3-c
10
环烷基具有基本上相同的结构的二价基团。
[0490]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指除碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子且具有1至10个碳原子的单价环状基团，且其实例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指与c
1-c
10
杂环烷基具有基本上相同的结构的二价基团。
[0491]
本文使用的术语c
3-c
10
环烯基指具有3至10个碳原子，在其环中具有至少一个碳-碳双键，且无芳香性的单价环状基团，且其实例可包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指与c
3-c
10
环烯基具有基本上相同的结构的二价基团。
[0492]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指除碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子，具有1至10个碳原子，以及在其环结构中具有至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的实例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指与c
1-c
10
杂环烯基具有基本上相同的结构的二价基团。
[0493]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有碳环芳族系统(具有6至60个碳原子)的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有碳环芳族系统(具有6至60个碳原子)的二价基团。c
6-c
60
芳基的实例可包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。
[0494]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。
[0495]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的实例可包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指与单价非芳族稠合多环基团具有基本上相同结构的二价基团。
[0496]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，至少一个除碳原子之外的杂原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的实例可包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指与单价非芳族稠合杂多环基团具有基本上相同结构的二价基团。
[0497]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指示-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指示-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0498]
如本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基”指-a
104a105
(其中a
104
可为c
1-c
54
亚烷基，并且a
105
可为c
6-c
59
芳基)，并且本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基”指-a
106a107
(其中a
106
可为c
1-c
59
亚烷基，并且a
107
可为c
1-c
59
杂芳基)。
[0499]
如本文使用的术语“r
10a”指：
[0500]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0501]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任何组合；
[0502]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任何组合；或
[0503]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0504]
本文使用的q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
7-c
60
芳基烷基；c
2-c
60
杂芳基烷基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合。
[0505]
如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子之外的任何原子。杂原子的实例可包括o、s、n、p、si、b、ge、se及其任何组合。
[0506]
本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)、金(au)等。
[0507]
本文使用的术语“第3族过渡金属”包括钪(sc)、钇(y)等。
[0508]
如本文使用的术语“ph”指苯基，如本文使用的术语“me”指甲基，如本文使用的术语“et”指乙基，如本文使用的术语“tert-bu”或“bu
t”指叔丁基，并且如本文使用的术语“ome”指甲氧基。
[0509]
如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0510]
如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0511]
除非另外定义，否则如本文使用的*和*'各自指与相应的式或部分中的相邻原子的结合位点。
[0512]
下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方式的发光装置。
[0513]
实施例
[0514]
比较例和实施例中使用的化合物
[0515]
比较例和实施例中使用的化合物如下：
[0516]
[0517][0518]
比较例(r)-1
[0519]
将包括15ω/cm2(120nm)ito电极(阳极)的玻璃基板(康宁公司的产品)切成50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸，用异丙基醇和纯水各自超声5分钟，然后通过暴露于紫外线和臭氧进行清洁30分钟。然后，将ito玻璃基板提供给真空沉积设备。
[0520]
将htm1沉积在ito电极上以形成厚度为110nm的空穴传输层，并且将htm2沉积在空穴传输层上以形成厚度为10nm的发射辅助层。
[0521]
然后，将主体(以5：5的重量比包括第一主体(ph1)和第二主体(ph2))和掺杂剂(rd1)以90：10的重量比共沉积在发射辅助层上以形成厚度为30nm的发射层。
[0522]
其后，将etm1沉积在发射层上以形成厚度为10nm的缓冲层，将示于表1中的第一材料和第二材料以示于表1中的重量比共沉积在缓冲层上以形成厚度为20nm的电子传输层，将lif沉积在电子传输层上以形成厚度为1nm的电子注入层，并将al沉积在电子注入层上以形成厚度为30nm的阴极，从而完成具有ito(120nm)/htm1(110nm)/htm2(10nm)/ph1+ph2(5：5)：rd1(10重量％)(30nm)/etm1(10nm)/etm3：liq(5：5)(20nm)/lif(1nm)/al(30nm)的结构的有机发光装置的制造。
[0523]
比较例(r)-2和(r)-3以及实施例(r)-1至(r)-24
[0524]
另外的有机发光装置以与比较例(r)-1中基本上相同的方式制造，不同的是在电子传输层中，第一材料、第二材料和第一材料与第二材料的重量比如表1中所示改变。
[0525]
评估例1
[0526]
根据比较例(r)-1至(r)-3和实施例(r)-1至(r)-24制造的有机发光装置在1,000cd/m2下的驱动电压(v)、发光效率(cd/a)和寿命(t
97
)通过利用keithley mu 236和亮度计pr650来测量，且其结果示于表1中。在表1中，寿命(t
97
)被评估为亮度达到初始亮度的
97％所花费的时间(小时)，并且被表示为相对值(％)。
[0527]
表1
[0528][0529][0530]
从表1确认，与比较例(r)-1至(r)-3的有机发光装置比较，实施例(r)-1至(r)-24的有机发光装置在驱动电压、发光效率和/或寿命方面具有卓越的或适当的特性。
[0531]
比较例(g)-1
[0532]
具有ito(120nm)/htm1(110nm)/htm2(10nm)/ph1+ph2(5：5)：gd1(8重量％)(30nm)/etm1(10nm)/etm3：liq(5：5)(20nm)/lif(1nm)/al(30nm)的结构的有机发光装置以与比较例(r)-1中基本上相同的方式制造，不同的是在发射层中，使用gd1作为掺杂剂代替rd1，并且主体和掺杂剂的重量比变为92：8的重量比。
[0533]
比较例(g)-2和(g)-3以及实施例(g)-1至(g)-24
[0534]
有机发光装置以与比较例(g)-1中基本上相同的方式制造，不同的是在电子传输层中，第一材料、第二材料和第一材料与第二材料的重量比如表2中所示改变。
[0535]
评估例2
[0536]
根据比较例(g)-1至(g)-3和实施例(g)-1至(g)-24制造的有机发光装置在1,000cd/m2下的驱动电压(v)、发光效率(cd/a)和寿命(t
97
)与评估例1中基本上相同的方式测量，且其结果示于表2中。在表2中，寿命(t
97
)被评估为亮度达到初始亮度的97％所花费的时间(小时)，并且被表示为相对值(％)。
[0537]
表2
[0538]
[0539][0540]
从表2确认，与比较例(g)-1至(g)-3的有机发光装置比较，实施例(g)-1至(g)-24的有机发光装置在驱动电压、发光效率和/或寿命方面具有卓越的或适当的特性。
[0541]
比较例(b)-1
[0542]
具有ito(120nm)/htm1(110nm)/htm2(10nm)/bh1：bd1(2重量％)(30nm)/etm1(10nm)/etm3：liq(5：5)(20nm)/lif(1nm)/al(30nm)的结构的有机发光装置以与比较例(r)-1中基本上相同的方式制造，不同的是在发射层中，主体和掺杂剂分别变为bh1和bd1，并且主体和掺杂剂的重量比变为98：2的重量比。
[0543]
比较例(b)-2和(b)-3以及实施例(b)-1至(b)-24
[0544]
有机发光装置以与比较例(b)-1中基本上相同的方式制造，不同的是在电子传输层中，第一材料、第二材料和第一材料与第二材料的重量比如表3中所示改变。
[0545]
评估例3
[0546]
根据比较例(b)-1至(b)-3和实施例(b)-1至(b)-24制造的有机发光装置在1,000cd/m2下的驱动电压(v)、发光效率(cd/a)和寿命(t
97
)与评估例1中基本上相同的方式测量，且其结果示于表3中。在表3中，寿命(t
97
)被评估为亮度达到初始亮度的97％所花费的时间(小时)，并且被表示为相对值(％)。
[0547]
表3
[0548]
[0549][0550]
从表3确认，与比较例(b)-1至(b)-3的有机发光装置比较，实施例(b)-1至(b)-24的有机发光装置在驱动电压、发光效率和/或寿命方面具有卓越的或适当的特性。
[0551]
发光装置具有低驱动电压、高发光效率和长寿命，并且因此，可用于制造高质量电子设备。
[0552]
如本文使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似的术语，而不是程度的术语，并且旨在说明本领域普通技术人员会认识到的测量值或计算值的固有偏差。如本文使用的，“约”或“近似”包括陈述值并且意指在本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在陈述值的一个或多个标准偏差之内，或者在陈述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％之内。
[0553]
本文叙述的任何数值范围旨在包括落入叙述范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括叙述的最小值1.0和叙述的最大值10.0之间(并且包括1.0和10.0)，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。本文叙述的任何最大数值界限旨在包括落入其中的所有较低数值限制。并且本说明书中叙述的任何最小数值限制旨在包括落入其中的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确地叙述落入本文中明确地叙述的范围内的任何子范围。
[0554]
应理解，本文描述的实施方式应仅被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种适当改变。