超薄型LED元件、包含此的喷墨用墨水及光源

技术特征：
1.一种超薄型led元件，至少包括：第一导电性半导体层、光活性层及第二导电性半导体层，作为层的层叠方向的厚度和垂直于所述层叠方向的横截面中的长轴的长度之间的比例为1：0.5～1.5。2.根据权利要求1所述的超薄型led元件，其特征在于，所述第一导电性半导体层及所述第二导电性半导体层中任意一个为n型iii族氮化物半导体层，而另一个为p型iii族氮化物半导体层。3.根据权利要求1所述的超薄型led元件，其特征在于，超薄型led元件最大面积为16μm2以下；所述最大面积是指垂直投影led元件的面积中的最大值。4.根据权利要求1所述的超薄型led元件，其特征在于，所述超薄型led元件的厚度为2.7μm以下。5.根据权利要求1所述的超薄型led元件，其特征在于，所述第一导电性半导体层为n型iii族氮化物半导体层，在第一导电性半导体层下部还包括电子延迟层，以使在所述光活性层复合的电子和空穴的数量达到平衡。6.根据权利要求5所述的超薄型led元件，其特征在于，所述电子延迟层包含从由cds、gas、zns、cdse、case、znse、cdte、gate、sic、zno、znmgo、sno2、tio2、in2o3、ga2o3、si、聚对苯撑乙烯撑及其衍生物、聚苯胺、聚(3-烷基噻吩)及聚对苯撑组成的群组中选择的一种以上。7.根据权利要求5所述的超薄型led元件，其特征在于，所述第一导电性半导体层为掺杂的n型iii族氮化物半导体层，所述电子延迟层为掺杂浓度低于所述第一导电性半导体层的掺杂浓度的iii族氮化物半导体。8.根据权利要求1所述的超薄型led元件，其特征在于，还包括：保护膜，包围超薄型led元件的暴露的侧面。9.根据权利要求1所述的超薄型led元件，其特征在于，所述第一导电性半导体层为n型iii族氮化物半导体层，所述第二导电性半导体层为p型iii族氮化物半导体层，所述超薄型led元件还包括空穴推膜及电子推膜中的至少一种膜，所述空穴推膜包围第二导电性半导体层的暴露的侧面或者第二导电性半导体层的暴露的侧面和光活性层至少一部分的暴露的侧面以向中心侧移动暴露的侧面表面侧的空穴；所述电子推膜包围所述第一导电性半导体层的暴露的侧面以向中心侧移动暴露的侧面表面侧的电子。10.根据权利要求9所述的超薄型led元件，其特征在于，将所述空穴推膜和电子推膜全部包括，所述电子推膜设置为最外层膜，所述最外层膜包围第一导电性半导体层、光活性层及第二导电性半导体层的侧面。11.根据权利要求9所述的超薄型led元件，其特征在于，所述空穴推膜包含从由aln
x
、zro2、moo、sc2o3、la2o3、mgo、y2o3、al2o3、ga2o3、tio2、zns、ta2o5及n-mos2组成的群组中选择的一种以上。12.根据权利要求9所述的超薄型led元件，其特征在于，所述电子推膜包含从由al2o3、hfo2、sin
x
、sio2、zro2、sc2o3、aln
x
及ga2o3组成的群组中选
择的一种以上。13.根据权利要求1所述的超薄型led元件，其特征在于，超薄型led元件还包括：第二电极层，配置在第一导电性半导体层上；第一电极层，配置在第二导电性半导体层上。14.根据权利要求1所述的超薄型led元件，其特征在于，在超薄型led元件的最上部层或者最下部层上还包括选择性结合层，所述选择性结合层用于在驱动电极的目标位置以厚度方向竖立超薄型led元件来进行组装；所述选择性结合层为磁性层或者化学键诱导层。15.一种喷墨用墨水组合物，包含多个权利要求1至14中的任意一项所述的超薄型led元件。16.一种光源，安装有权利要求1至14中的任意一项所述的超薄型led元件。

技术总结
本发明涉及LED元件，更详细地说，涉及超薄型LED元件、包含此的喷墨用墨水及光源。包含此的喷墨用墨水及光源。包含此的喷墨用墨水及光源。


技术研发人员：都永洛
受保护的技术使用者：国民大学校产学协力团
技术研发日：2021.12.28
技术公布日：2022/6/30