显示基板及其制造方法、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。


背景技术：

2.柔性多层结构(flexible multi-layer on cell，fmloc)技术是指在显示基板的封装结构上制作触控结构的技术。触控结构通常包括触控电极和触控走线，触控走线用于向触控电极提供触控信号。由于显示基板中通常包括集成栅极驱动(gate on array，goa)电路，goa电路的输入走线、goa电路的输出走线等显示走线中传输的显示信号容易与触控走线中传输的触控信号互相干扰，影响显示基板的触控效果和显示效果。因此，如何屏蔽显示信号与触控信号的互相干扰是亟需解决的问题。


技术实现要素：

3.本技术提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，能够屏蔽显示走线中传输的显示信号与触控走线中传输的触控信号的相互干扰。所述技术方案如下：
4.第一方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括：
5.衬底基板，包括显示区域和至少部分围绕所述显示区域的周边区域；
6.显示走线，位于所述周边区域中且至少部分围绕所述显示区域；
7.屏蔽结构，位于所述显示走线远离所述衬底基板的一侧，所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中；
8.触控走线，位于所述屏蔽结构远离所述衬底基板一侧，所述触控走线在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中且至少部分围绕所述显示区域；
9.其中，所述显示走线、所述屏蔽结构和所述触控走线这三者在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
10.可选的，所述显示区域包括第一边界，所述周边区域包括沿所述第一边界延伸的第一周边区域，所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一周边区域中。
11.可选的，所述屏蔽结构包括第一屏蔽部和第二屏蔽部，所述第一屏蔽部和第二屏蔽部关于所述显示基板的第一截面对称，所述第一截面与所述第一边界垂直。
12.可选的，所述第一截面与所述衬底基板的交线平分所述第一边界。
13.可选的，所述显示区域还包括第二边界和第三边界，所述第二边界和所述第三边界分别与所述第一边界相交，所述第一屏蔽部在所述衬底基板上的正投影靠近所述第一边界与所述第二边界的相交位置，所述第二屏蔽部在所述衬底基板上的正投影靠近所述第一边界与所述第三边界的相交位置。
14.可选的，所述第一屏蔽部与所述第二屏蔽部之间的距离的范围为50毫米～60毫米。
15.可选的，所述显示基板还包括：负电源线，位于所述显示走线远离所述衬底基板的一侧，所述负电源线在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中且至少部分围绕所述
显示区域；所述屏蔽结构位于所述负电源线远离所述衬底基板的一侧，所述屏蔽结构与所述负电源线电连接，所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述负电源线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
16.可选的，所述屏蔽结构与所述负电源线的重叠区域的宽度的范围为50微米～60微米，所述屏蔽结构与所述负电源线的重叠区域为所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述负电源线在所述衬底基板上的正投影的重叠区域。
17.可选的，所述显示基板还包括：阴极，位于所述屏蔽结构远离所述衬底基板的一侧，所述阴极与所述负电源线电连接，所述触控走线位于所述阴极远离所述衬底基板的一侧；所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述阴极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
18.可选的，所述屏蔽结构与所述阴极的重叠区域的宽度的范围为20微米～25微米，所述屏蔽结构与所述阴极的重叠区域为所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述阴极在所述衬底基板上的正投影的重叠区域。
19.可选的，所述显示基板还包括：正电源线，位于所述显示走线远离所述衬底基板的一侧，所述正电源线在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中且至少部分围绕所述显示区域；所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述正电源线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
20.可选的，所述屏蔽结构与所述正电源线的重叠区域的宽度的范围为4微米～6微米，所述屏蔽结构与所述正电源线的重叠区域为所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述正电源线在所述衬底基板上的正投影的重叠区域。
21.可选的，所述负电源线包括第一走线段和第二走线段，所述第一走线段与所述第二走线段电连接，所述屏蔽结构与所述第二走线段电连接；所述正电源线与所述第一走线段位于同一层，所述第二走线段位于所述第一走线段远离所述衬底基板的一侧。
22.可选的，所述显示基板还包括：阻隔挡墙，所述阻隔挡墙在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中且围绕所述显示区域，所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影位于所述显示区域与所述阻隔挡墙在所述衬底基板上的正投影之间；所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述阻隔挡墙在所述衬底基板上的正投影之间的距离的范围为12微米～16微米。
23.可选的，所述显示基板还包括：负电源线和正电源线；
24.所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影位于第一周边区域中，所述负电源线在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第一周边区域中，所述正电源线在所述衬底基板上的正投影至少部分位于所述第一周边区域中；
25.所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影的宽度的范围为105微米～115微米，所述负电源线在所述第一周边区域中的正投影部分的宽度的范围为145微米～155微米，所述正电源线在所述第一周边区域中的正投影部分的宽度的范围为95微米～105微米。
26.第二方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：
27.提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区域和至少部分围绕所述显示区域的周边区域；
28.在所述衬底基板上依次形成显示走线、屏蔽结构和触控走线，所述显示走线位于
所述周边区域中且至少部分围绕所述显示区域，所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中，所述触控走线在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中且至少部分围绕所述显示区域，所述显示走线、所述屏蔽结构和所述触控走线这三者在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
29.可选的，所述方法还包括：在所述显示走线远离所述衬底基板的一侧形成负电源线，所述负电源线在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中且至少部分围绕所述显示区域，所述屏蔽结构位于所述负电源线远离所述衬底基板的一侧，所述屏蔽结构与所述负电源线电连接，所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述负电源线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
30.可选的，所述方法还包括：在所述屏蔽结构远离所述衬底基板的一侧形成阴极，所述阴极与所述负电源线电连接，所述触控走线位于所述阴极远离所述衬底基板的一侧，所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述阴极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
31.可选的，所述方法还包括：在所述显示走线远离所述衬底基板的一侧形成正电源线，所述正电源线在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中且至少部分围绕所述显示区域，所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述正电源线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
32.第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一方面或第一方面的任一可选实现方式所述的显示基板。
33.本技术提供的技术方案带来的有益效果是：
34.本技术提供的显示基板及其制造方法、显示装置，由于显示基板中包括屏蔽结构、显示走线和触控走线，屏蔽结构位于显示走线远离衬底基板的一侧，触控走线位于屏蔽结构远离衬底基板的一侧(也即是屏蔽结构位于显示走线与触控走线之间)，并且显示走线、屏蔽结构和触控走线这三者在衬底基板上的正投影至少部分重叠。因此，屏蔽结构能够屏蔽显示走线中传输的显示信号与触控走线中传输的触控信号的相互干扰，避免显示信号对触控效果的影响，以及，避免触控信号对显示效果的影响，保证显示基板的显示效果和触控效果。
35.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本技术。
附图说明
36.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
37.图1是本技术实施例提供的一种显示基板的正视图；
38.图2是图1所示的显示基板的a-a部位的截面图；
39.图3是图1所示的显示基板的b-b部位的截面图；
40.图4是本技术实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图；
41.图5是本技术实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图；
42.图6是本技术实施例提供的一种在衬底基板上形成显示走线后的示意图；
43.图7是本技术实施例提供的一种在显示走线远离衬底基板的一侧形成负电源线和正电源线后的示意图；
44.图8是本技术实施例提供的一种在负电源线和正电源线远离衬底基板的一侧形成屏蔽结构后的示意图；
45.图9是本技术实施例提供的一种在屏蔽结构远离衬底基板的一侧形成阴极后的示意图。
46.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。
具体实施方式
47.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
48.随着显示技术的发展，显示装置开始向窄边框、全面屏等方向发展，fmloc技术应运而生。fmloc技术是在显示基板的封装结构上制作触控结构，以在显示基板中集成触控功能的技术。其中，触控结构可以包括触控电极和触控走线，触控走线用于向触控电极提供触控信号。触控走线也被称为fmloc信号线，触控信号也被称为fmloc信号。显示基板中通常还包括goa电路，goa电路的输入走线、goa电路的输出走线等显示走线中传输的显示信号容易与触控走线中传输的触控信号相互干扰，影响显示基板的显示效果和触控效果，因此，如何屏蔽显示信号与触控信号的相互干扰是亟需解决的问题。
49.本技术实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置。该显示基板中包括屏蔽结构、显示走线和触控走线，屏蔽结构位于显示走线和触控走线之间，并且显示走线、屏蔽结构和触控走线这三者在衬底基板上的正投影至少部分重叠。因此，屏蔽结构能够屏蔽显示走线中传输的显示信号与触控走线中传输的触控信号的相互干扰，避免显示信号对触控效果的影响，以及，避免触控信号对显示效果的影响，保证显示基板的显示效果和触控效果。
50.下面结合附图介绍本技术实施例的技术方案。
51.图1是本技术实施例提供的一种显示基板的正视图，图2是图1所示的显示基板的a-a部位的截面图。参见图1和图2，该显示基板包括衬底基板01、位于衬底基板01上的显示走线02、位于显示走线02远离衬底基板01一侧的屏蔽结构03，以及位于屏蔽结构03远离衬底基板01一侧的触控走线04。其中，衬底基板01包括显示区域011和至少部分围绕显示区域011的周边区域012。显示走线02位于周边区域012中且至少部分围绕显示区域011。屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影位于周边区域012中。触控走线04在衬底基板01上的正投影位于周边区域012中且至少部分围绕显示区域011。显示走线02、屏蔽结构03和触控走线04这三者在衬底基板01上的正投影至少部分重叠。
52.由于屏蔽结构03位于显示走线02远离衬底基板01的一侧，触控走线04位于屏蔽结
构03远离衬底基板01的一侧，因此屏蔽结构03位于显示走线02与触控走线04之间，屏蔽结构03可以阻隔显示走线02中传输的显示信号和触控走线04中传输的触控信号，起到屏蔽显示走线02中传输的显示信号对触控走线04中传输的触控信号的干扰的效果，以及屏蔽触控走线04中传输的触控信号对显示走线02中传输的显示信号的干扰的效果。
53.综上所述，本技术实施例提供的显示基板，由于该显示基板中包括屏蔽结构、显示走线和触控走线，屏蔽结构位于显示走线和触控走线之间，并且显示走线、屏蔽结构和触控走线这三者在衬底基板上的正投影至少部分重叠，因此，屏蔽结构能够屏蔽显示走线中传输的显示信号与触控走线中传输的触控信号的相互干扰，避免显示走线中传输的显示信号影响显示基板的触控效果，以及，避免触控走线中传输的触控信号影响显示基板的显示效果。
54.可选的，如图1所示，显示区域011为矩形区域，显示区域011包括第一边界0111、第二边界0112、第三边界0113和第四边界0114。第一边界0111与第四边界0114相对。第二边界0112与第三边界0113相对。第一边界0111与第二边界0112、第三边界0113分别相交，且第四边界0114与第二边界0112、第三边界0113分别相交(也即，第一边界0111、第二边界0112、第四边界0114和第三边界0113依次连接)。周边区域012沿显示区域011的四个边界延伸。示例的，周边区域012包括沿第一边界0111延伸的第一周边区域0121、沿第二边界0112延伸的第二周边区域0122、沿第三边界0113延伸的第三周边区域0123以及沿第四边界0114延伸的第四周边区域0124。可选的，周边区域012的形状是围绕显示区域011的封闭环形。图1中示出的显示区域011的形状和周边区域012的形状仅仅是示例性的。显示区域011的形状还可以是圆形、椭圆形、五边形、六边形等。相应的，周边区域012的形状可以是围绕显示区域011的圆环形、椭圆环形、五边环形、六边环形等。或者，周边区域012的形状可以是至少部分围绕显示区域011的非封闭环形，本技术实施例不对显示区域011的形状和周边区域012的形状进行限定。
55.可选的，如图1所示，显示走线02围绕显示区域011的第二边界0112、第三边界0113和第四边界0114，并且还围绕显示区域011的第一边界0111的部分。触控走线04在衬底基板01上的正投影围绕显示区域011的第二边界0112、第三边界0113和第四边界0114，并且还围绕显示区域011的第一边界0111的部分。屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影位于第一周边区域0121中，并且屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影沿显示区域011的第一边界0111沿伸。在本技术实施例中，显示基板可以具有绑定侧，该绑定侧指的是该显示基板中用于与电路板绑定的一侧，第一周边区域0121位于显示基板的绑定侧，第一周边区域0121可以对应基于该显示基板的显示装置中的下边框，第一周边区域0121可以称为该显示基板的下边框区域。
56.可选的，如图1所示，屏蔽结构03包括第一屏蔽部031和第二屏蔽部032，第一屏蔽部031和第二屏蔽部032可以关于该显示基板的第一截面x对称。示例的，第一屏蔽部031在衬底基板01上的正投影的形状与第二屏蔽部032在衬底基板01上的正投影的形状相同，并且，第一屏蔽部031在衬底基板01上的正投影的面积与第二屏蔽部032在衬底基板01上的正投影的面积相等。也即是，第一屏蔽部031在衬底基板01上的正投影与第二屏蔽部032在衬底基板01上的正投影全等。其中，第一截面x与显示区域011的第一边界0111垂直，并且，第一截面x与衬底基板01的交线可以平分第一边界0111。也即是，第一截面x与衬底基板01的
交线垂直平分第一边界0111。
57.可选的，如图1所示，第一屏蔽部031在衬底基板01上的正投影靠近第一边界0111与第二边界0112的相交位置。第二屏蔽部032在衬底基板01上的正投影靠近第一边界0111与第三边界0113的相交位置。第一屏蔽部031与第二屏蔽部032之间的距离的范围可以为50毫米～60毫米。例如图1所示，第一屏蔽部031与第二屏蔽部032之间的距离为k，也即是，k的取值范围可以为50毫米～60毫米。示例的，k为54毫米、55毫米、56毫米等。在本技术实施例中，第一屏蔽部031具有靠近第二屏蔽部032的边界(例如称为第一屏蔽边界)，第二屏蔽部032具有靠近第一屏蔽部031的边界(例如称为第二屏蔽边界)，第一屏蔽部031与第二屏蔽部032之间的距离k指的是第一屏蔽边界与第二屏蔽边界之间的距离。换句话说，第一屏蔽部031与第二屏蔽部032之间具有间隙，第一屏蔽部031与第二屏蔽部032之间的距离指的是该间隙的宽度。
58.可选的，如图1和图2所示，该显示基板还包括负电源线05。负电源线05位于显示走线02远离衬底基板01的一侧。负电源线05在衬底基板01上的正投影位于周边区域012中且至少部分围绕显示区域011。例如，负电源线05在衬底基板01上的正投影围绕显示区域011的第一边界0111、第二边界0112、第三边界0113和第四边界0114延伸。屏蔽结构03可以位于负电源线05远离衬底基板01的一侧，并且屏蔽结构03与负电源线05电连接。屏蔽结构03与负电源线05连接位置在衬底基板01上的正投影可以位于第一周边区域0121中。示例的，如图2所示，负电源线05包括第一走线段051和第二走线段052，第二走线段052位于第一走线段051远离衬底基板01的一侧，第一走线段051与第二走线段052电连接，屏蔽结构03与第二走线段052电连接，由此使得屏蔽结构03与负电源线05电连接。其中，屏蔽结构03可以位于第二走线段052远离衬底基板01的一侧，并且屏蔽结构03的部分区域叠加在第二走线段052远离衬底基板01的一面上，使得屏蔽结构03与第二走线段052电连接。第一走线段051和第二走线段052均可以围绕显示区域011，第一走线段051与第二走线段052之间可以具有绝缘层，第二走线段052可以通过贯穿该绝缘层的过孔与第一走线段051电连接。例如，第一走线段051与第二走线段052之间具有钝化(passivation，pvx)层08，第二走线段052通过贯穿pvx层08的过孔与第一走线段051电连接。
59.在本技术实施例中，屏蔽结构03与负电源线05电连接，负电源线05中的负电源信号可以传输至屏蔽结构03。屏蔽结构03可以在负电源信号的作用下隔离显示走线02中传输的显示信号和触控走线04中传输的触控信号，起到屏蔽显示走线02中传输的显示信号对触控走线04中传输的触控信号的干扰的效果，以及屏蔽触控走线04中传输的触控信号对显示走线02中传输的显示信号的干扰的效果。示例的，屏蔽结构03中传输的负电源信号产生的电磁波能够干扰显示信号产生的电磁波的传播，使显示信号产生的电磁波衰减而无法传播到触控走线04，从而可以避免显示走线02中传输的显示信号对触控走线04中传输的触控信号的干扰。同理，屏蔽结构03中传输的负电源信号产生的电磁波能够干扰触控信号产生的电磁波的传播，使触控信号产生的电磁波衰减而无法传播到显示走线02，从而可以避免触控走线04中传输的显示信号对显示走线02中传输的触控信号的干扰。也即是，该负电源信号可以阻隔显示走线02中传输的显示信号与触控走线04中传输的触控信号。此外，由于负电源信号是直流恒压信号，显示走线02中传输的显示信号和触控走线04中传输的触控信号均是交流信号，直流恒压信号的大小恒定，直流恒压信号不会受交流信号的影响，因此负电
源线05中的负电源信号不会受显示走线02中传输的显示信号以及触控走线04中传输的触控信号的干扰。
60.在本技术实施例中，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与负电源线05在衬底基板01上的正投影至少部分重叠。如前所述，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影位于第一周边区域0111中，因此，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与负电源线05在第一周边区域0111中的正投影至少部分重叠。可选的，将屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与负电源线05在衬底基板01上的正投影的重叠区域称为屏蔽结构03与负电源线05的重叠区域。如图1所示，屏蔽结构03与负电源线05的重叠区域的宽度为c，c的范围可以为50微米～60微米。例如，c为54微米、55微米、56微米等。其中，屏蔽结构03与负电源线05的重叠区域的宽度c为该重叠区域在垂直于第一边界0111的方向上的尺寸。本技术实施例将屏蔽结构03与负电源线05的重叠区域的宽度控制在50微米～60微米内，一方面可以减小显示基板的周边区域的厚度，便于实现显示基板的轻薄化，另一方面可以使得屏蔽结构03与负电源线05的重叠区域的宽度较小，便于减小显示基板的下边框区域的宽度，实现显示基板的窄边框。
61.可选的，本技术实施例提供的显示基板可以是有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示基板或量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)显示基板。如图1和图2所示，该显示基板还包括阴极06。阴极06位于屏蔽结构03远离衬底基板01的一侧。阴极06与负电源线05电连接。触控走线04可以位于阴极06远离衬底基板01的一侧。其中，阴极06可以是整层结构或图案化结构，本技术实施例以阴极06是整层结构为例说明。阴极06与负电源线05的连接位置可以有一个或多个，阴极06与负电源线05的连接位置在衬底基板01上的正投影可以位于第二周边区域0122和/或第三周边区域0123中。示例的，阴极06与负电源线05之间具有绝缘层，绝缘层中具有多个连接孔，该多个连接孔在衬底基板01上的正投影位于第二周边区域0122和第三周边区域0123中，阴极06通过该多个连接孔与负电源线05电连接。
62.在本技术实施例中，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与阴极06在衬底基板01上的正投影至少部分重叠。如前所述，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影位于第一周边区域0111中，因此，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与阴极06在第一周边区域0111中的正投影至少部分重叠。可选的，将屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与阴极06在衬底基板01上的正投影的重叠区域称为屏蔽结构03与阴极06的重叠区域。如图1所示，屏蔽结构03与阴极06的重叠区域的宽度为b，b的范围可以为20微米～25微米。例如，b为22微米、23微米、24微米等。其中，屏蔽结构03与阴极06的重叠区域的宽度b为该重叠区域在垂直于第一边界0111的方向上的尺寸。本技术实施例将屏蔽结构03与阴极06的重叠区域的宽度控制在20微米～25微米内，一方面可以减小显示基板的周边区域的厚度，便于实现显示基板的轻薄化，另一方面可以使得屏蔽结构03与负电源线05的重叠区域的宽度较小，便于减小显示基板的下边框区域的宽度，实现显示基板的窄边框。
63.在本技术实施例中，阴极06与负电源线05电连接，因此负电源线05中的负电源信号可以传输至阴极06。由于负电源信号是直流恒压信号，显示走线02中传输的显示信号和触控走线04中传输的触控信号均是交流信号，直流恒压信号的大小恒定，直流恒压信号不会受交流信号的影响，因此阴极06中传输的负电源信号不会受显示走线02中传输的显示信号以及触控走线04中传输的触控信号的干扰。
64.根据上述描述可知，在垂直于显示基板的板面的方向上，负电源线05和阴极06均位于显示走线02与触控走线04之间，并且，负电源线05中的负电源信号和阴极06中的负电源信号均不受显示走线02中的显示信号以及触控走线04中的触控信号的干扰。因此，可以通过设计负电源线05结构、位置以及阴极06的结构、位置，使得负电源线05和/或阴极06在衬底基板01上的正投影与显示走线02在衬底基板01上的正投影以及触控走线04在衬底基板01上的正投影至少部分重叠，这样负电源线05和/或阴极06也能够作为屏蔽结构来屏蔽显示走线02中的显示信号与触控走线04中的触控信号的相互干扰。例如，负电源线05、显示走线02和触控走线04这三者在衬底基板01上的正投影至少部分重叠，并且阴极06、显示走线02和触控走线04这三者在衬底基板01上的正投影至少部分重叠。示例的，如图1所示，负电源线05、显示走线02和触控走线04这三者在第二周边区域0112中的正投影部分重叠，并且阴极06、显示走线02和触控走线04这三者在第二周边区域0112中的正投影部分重叠；负电源线05、显示走线02和触控走线04这三者在第三周边区域0113中的正投影部分重叠，并且阴极06、显示走线02和触控走线04这三者在第三周边区域0113中的正投影部分重叠；负电源线05、显示走线02和触控走线04这三者在第四周边区域0114中的正投影部分重叠，并且阴极06、显示走线02和触控走线04这三者在第四周边区域0114中的正投影部分重叠。在第二周边区域0112、第三周边区域0113和第四周边区域0114，负电源线05和阴极06能够屏蔽显示走线02中的显示信号与触控走线04中的触控信号的相互干扰。在本技术实施例中，负电源线05一方面可以传输负电源信号，另一方面可以起到屏蔽信号干扰的作用，因此实现了负电源线05的复用。同理，阴极06一方面可以传输负电源信号，另一方面可以起到屏蔽信号干扰的作用，因此实现了阴极06的复用。
65.可选的，如图1和图2所示，该显示基板还包括正电源线07。正电源线07位于显示走线02远离衬底基板01的一侧，正电源线07在衬底基板01上的正投影位于周边区域012中且至少部分围绕显示区域011。例如，正电源线07与负电源线05的第一走线段051位于同一层，正电源线07在衬底基板01上的正投影位于第一周边区域0121中。其中，显示基板中包括位于显示区域011中的子像素，正电源线07可以与子像素电连接，以向子像素施加正电源信号。
66.在本技术实施例中，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与正电源线07在衬底基板01上的正投影至少部分重叠。如前所述，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影位于第一周边区域0111中，因此，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与正电源线07在第一周边区域0111中的正投影至少部分重叠。可选的，将屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与正电源线07在衬底基板01上的正投影称为屏蔽结构03与正电源线07的重叠区域。如图1所示，屏蔽结构03与正电源线07的重叠区域的宽度为a，a的范围可以为4微米～6微米。例如，a为4.5微米、5微米、5.5微米等。其中，屏蔽结构03与正电源线07的重叠区域的宽度a为该重叠区域在垂直于第一边界0111的方向上的尺寸。本技术实施例将屏蔽结构03与正电源线07的重叠区域的宽度控制在4微米～6微米内，一方面可以较小显示基板的厚度，便于实现显示基板的轻薄化，另一方面可以使得屏蔽结构03与正电源线07的重叠区域的宽度较小，便于减小显示基板的下边框区域的宽度，实现显示基板的窄边框。
67.在本技术实施例中，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影位于第一周边区域0121中，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影的宽度d的范围可以为105微米～115微米，例如d
是108微米、110微米、112微米等。负电源线05在衬底基板01上的正投影至少部分位于第一周边区域0121中，负电源线05在第一周边区域0121中的正投影部分的宽度的范围可以为145微米～155微米，例如是148微米、150微米、152微米等。正电源线07在衬底基板01上的正投影至少部分位于第一周边区域0121中，正电源线07在第一周边区域0121中的正投影部分的宽度的范围可以为95微米～105微米，例如是98微米、100微米、102微米等。其中，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影的宽度为该正投影在垂直于第一边界0111的方向上的尺寸。负电源线05在第一周边区域0121中的正投影部分的宽度为该正投影在垂直于第一边界0111的方向上的尺寸。正电源线07在第一周边区域0121中的正投影部分的宽度为该正投影在垂直于第一边界0111的方向上的尺寸。本技术实施例将屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影的宽度控制在105微米～115微米内，将负电源线05在第一周边区域0121中的正投影部分的宽度控制在145微米～155微米内，将正电源线07在第一周边区域0121中的正投影部分的宽度控制在95微米～105微米内，便于减小显示基板的下边框区域的宽度，实现显示基板的窄边框。此外，设置正电源线07在第一周边区域0121中的正投影部分的宽度大于95微米，可以使得正电源线07的阻抗较小，正电源线07传输正电源信号的损耗较小，提高正电源线07传输正电源信号的能力，有助于保证显示基板所显示的画面亮度的均匀性。
68.可选的，本技术实施例提供的显示基板还包括阻隔挡墙。阻隔挡墙在衬底基板01上的正投影可以位于周边区域012中且围绕显示区域011。屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影可以位于显示区域011与阻隔挡墙在衬底基板01上的正投影之间。其中，阻隔挡墙用于阻挡外部水氧进入显示基板，防止显示基板内的子像素中的发光单元与水氧发生反应而被腐蚀。
69.在本技术实施例中，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与阻隔挡墙在衬底基板01上的正投影之间的距离的范围可以为12微米～16微米。例如，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与阻隔挡墙在衬底基板01上的正投影之间的距离为13微米、14微米或15微米。可选的，显示基板中包括多个阻隔挡墙，该多个阻隔挡墙可以沿远离显示区域011的方向围绕显示区域011分布。在这种情况下，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影可以位于显示区域011与距离显示区域011最近的阻隔挡墙在衬底基板01上的正投影之间，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与距离显示区域011最近的阻隔挡墙在衬底基板01上的正投影之间的距离的范围为12微米～16微米。示例的，如图2所示，该显示基板包括第一阻隔挡墙091和第二阻隔挡墙092，第一阻隔挡墙091和第二阻隔挡墙092可以沿远离显示区域011的方向围绕显示区域011分布，第二阻隔挡墙092在衬底基板01上的正投影位于第一阻隔挡墙091在衬底基板01上的正投影与显示基板的边缘之间。也即，第一阻隔挡墙091是距离显示区域011最近的阻隔挡墙。屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影位于显示区域011与第一阻隔挡墙091在衬底基板01上的正投影之间，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与第一阻隔挡墙091在衬底基板01上的正投影之间的距离的范围为12微米～16微米。本技术实施例将屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与阻隔挡墙在衬底基板01上的正投影之间的距离控制在12微米～16微米内，可以便于减小显示基板的下边框区域的宽度，实现显示基板的窄边框。
70.图3是图1所示的显示基板的b-b部位的截面图，如图3所示，显示基板中还包括多个子像素10，以用于实现显示基板的显示功能。子像素10可以包括开关单元101和发光单元102。开关单元101用于控制发光单元102发光。开关单元101可以包括栅极1011、有源层
1012、源极1013和漏极1014。发光单元102可以包括依次叠加的阳极1021、发光层1022和阴极06。开关单元101的漏极1014与发光单元102的阳极1021电连接，开关单元101的源极1013可以与正电源线07电连接。其中，负电源线05的第一走线段051、正电源线07、源极1013和漏极1014可以位于同一层。在本技术实施例中，显示走线02是指向子像素10提供显示信号的走线，显示走线02可以包括直接与子像素10连接的信号线，也可以包括间接与子像素10连接的信号线。例如，显示基板中包括goa电路，显示走线02可以包括goa电路的输入走线，goa电路的输出走线等。其中，goa电路的输入走线、goa电路的输出走线均可以与栅极1011位于同一层。goa电路的输入走线可以用于goa电路接收时序控制信号，goa电路的输出走线可以用于goa电路向开关单元101提供栅极驱动信号，该时序控制信号和该栅极驱动信号都可以是本技术实施例中所述的显示信号。本技术实施例以显示走线02为goa电路的输入走线或goa电路的输出走线为例说明，结合图2和图3，显示走线02与栅极1011位于同一层。显示走线02还可以包括用于向子像素10提供显示信号的其他走线，本技术实施例对此不作限定。
71.可选的实施例中，如图2和图3所示，本技术实施例提供的显示基板还包括第一平坦(planarization，pln)层11，第一pln层11位于第二走线段052远离衬底基板01的一侧。通常情况下，pln层会延伸至衬底基板的边缘并与衬底基板的侧面平齐，但是这容易导致显示基板的周边区域的厚度较大。在本技术实施例中，制造第一pln层11时，可以对第一pln层11进行图案化处理，以去除第一pln层11中位于周边区域012中的部分。例如，去除第一pln层11中位于第一周边区域0121中的至少部分，使负电源线05的第二走线段052露出，这样一方面可以减小显示基板的周边区域的厚度，另一方面可以使得屏蔽结构03的至少部分区域直接叠加在第二走线段052远离衬底基板01的一面上，实现屏蔽结构03与第二走线段052电连接。例如图2所示，第一pln层11的边缘在衬底基板01上的正投影位于衬底基板01内，第一pln层11在衬底基板10上的正投影与第二走线段052在衬底基板10上的正投影至少部分不重叠，屏蔽结构03的部分区域叠加在第二走线段052远离衬底基板01的一面。
72.可选的实施例中，如图2和图3所示，显示基板中还包括栅绝缘(gate insulator，gi)层12、层间介质(inter-layer dielectric，ild)层13、第二pln层14、像素定义层(pixel definition layer，pdl)15和阴极保护层(cathode protection layer，cpl)16。gi层12位于栅极1011与有源层1012之间。ild层13可以位于有源层1012与源漏极层(指的是源极1013和漏极1014所在的层)之间。第二pln层14位于ild层13远离衬底基板01的一侧。屏蔽结构03位于第一pln层11与第二pln层14之间，第二pln层14一方面可以起到平坦化的作用，另一个方面可以对屏蔽结构03进行保护，使屏蔽结构03与其他导电结构绝缘。pdl 15位于第二pln层14远离衬底基板01的一侧，pdl 15中可以包括像素开口，发光单元102可以位于像素开口中，cpl 16位于阴极06远离衬底基板01的一侧，用于保护阴极06。
73.可选的实施例中，如图3所示，该显示基板还包括触控电极17，触控电极17与触控走线04电连接，触控走线04用于向触控电极17提供触控信号，以使得触控电极17能够实现触控功能。其中，触控电极17与触控走线04可以位于同一层，也可以位于不同层。示例的，当触控物(例如手指)触摸显示基板时，施加在触控电极17上的触控信号会发生变化，可以根据触控信号的变化来确定触摸位置，以实现显示基板的触控功能。
74.可选的，如图2和图3所示，该显示基板还包括封装结构18。封装结构18位于cpl 16远离衬底基板01的一侧，触控走线04位于封装结构18远离衬底基板01的一侧。封装结构18
用于对显示区域011中的发光单元102进行封装，避免外界水氧进入显示基板的内部侵蚀发光单元102。封装结构18可以是薄膜封装结构，封装结构18包括交替叠加的无机层和有机层。例如图2和图3所示，封装结构18包括沿远离衬底基板01的方向依次叠加的第一无机层181、有机层182和第二无机层183。第一无机层181覆盖在cpl 16远离衬底基板01的一面上。有机层182位于第一无机层181远离衬底基板01的一面上。有机层182在衬底基板01上的正投影位于第一无机层181在衬底基板01上的正投影内。第二无机层183覆盖有机层182和第一无机层181中未被有机层182覆盖的部分。
75.在本技术实施例中，第二阻隔挡墙092的高度可以大于第一阻隔挡墙091的高度，以保证第一阻隔挡墙091和第二阻隔挡墙092的水氧阻隔效果。示例的，第一阻隔挡墙091和第二阻隔挡墙092均位于第二走线段052远离衬底基板01的一侧，并且第一阻隔挡墙091和第二阻隔挡墙092均是多层结构。例如，第一阻隔挡墙091由沿远离衬底基板01的方向叠加的第一阻隔子层、第二阻隔子层和第三阻隔子层构成，第二阻隔挡墙092由沿远离衬底基板01的方向叠加的第四阻隔子层、第五阻隔子层、第六阻隔子层和第七阻隔子层构成。其中，第一阻隔子层和第四阻隔子层可以与pdl 15位于同一层，第二阻隔子层和六阻隔子层可以与第一无机层181位于同一层，第三阻隔子层和第七阻隔子层可以与第二无机层183位于同一层。
76.图1至图3仅示例性的示出了显示基板的结构，除图1至图3示出的结构外，该显示基板还可以包括其他结构。例如，显示基板还包括位于衬底基板01与显示走线02之间的聚酰亚胺(polyimide，pi)层，以及位于pi层与显示走线02之间的缓冲(buffer)层等，本技术实施例不对显示基板的结构进行限定。
77.综上所述，本技术实施例提供的显示基板，由于该显示基板中包括屏蔽结构、显示走线和触控走线，屏蔽结构位于显示走线和触控走线之间，并且显示走线、屏蔽结构和触控走线这三者在衬底基板上的正投影至少部分重叠，因此，屏蔽结构能够屏蔽显示走线中传输的显示信号与触控走线中传输的触控信号的相互干扰，避免显示走线中传输的显示信号影响显示基板的触控效果，以及，避免触控走线中传输的触控信号影响显示基板的显示效果。
78.以上是本技术的显示基板实施例的介绍，下面介绍显示基板的制造方法。显示基板的制造方法和制造原理可以参见下文各实施例中的描述。
79.请参考图4，其示出了本技术实施例提供的一种显示基板的制造方法的流程图。该显示基板的制造方法可以用于制造上述显示基板。该方法包括如下步骤：
80.在s401中，提供衬底基板，该衬底基板包括显示区域和至少部分围绕该显示区域的周边区域。
81.在s402中，在衬底基板上依次形成显示走线、屏蔽结构和触控走线，该显示走线位于周边区域中且至少部分围绕显示区域，该屏蔽结构在衬底基板上的正投影位于周边区域中，该触控走线在衬底基板上的正投影位于周边区域中且至少部分围绕显示区域，该显示走线、该屏蔽结构和该触控走线这三者在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
82.综上所述，本技术提供的显示基板的制造方法，由于该方法制造的显示基板中包括屏蔽结构、显示走线和触控走线，屏蔽结构位于显示走线和触控走线之间，并且显示走线、屏蔽结构和触控走线这三者在衬底基板上的正投影至少部分重叠。因此，屏蔽结构能够
屏蔽显示走线中传输的显示信号与触控走线中传输的触控信号的相互干扰，避免显示走线中传输的显示信号影响显示基板的触控效果，以及，避免触控走线中传输的触控信号影响显示基板的显示效果。
83.请参考图5，其示出了本技术实施例提供的另一种显示基板的制造方法的流程图。该显示基板的制造方法可以用于制造上述显示基板。如图5所示，该方法包括如下步骤s501至s506。在图5所示实施例中，为了简洁仅示出了周边区域(例如第一周边区域)部分的相关附图。
84.在s501中，提供衬底基板，该衬底基板包括显示区域和至少部分围绕该显示区域的周边区域。
85.其中，该衬底基板可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的材料制成的刚性基板，例如衬底基板是环氧树脂基板。或者，衬底基板可以是采用聚酰亚胺(英文：polyimide；简称：pi)等柔性材料制成的柔性基板。
86.如图1所示，衬底基板01包括显示区域011和围绕显示区域011的周边区域012。显示区域011包括第一边界0111、第二边界0112、第三边界0113和第四边界0114。周边区域012包括沿第一边界0111延伸的第一周边区域0121、沿第二边界0112延伸的第二周边区域0122、沿第三边界0113延伸的第三周边区域0123以及沿第四边界0114延伸的第四周边区域0124。
87.在s502中，在衬底基板上形成显示走线，显示走线位于周边区域中且至少部分围绕显示区域。
88.图6是本技术实施例提供的一种在衬底基板01上形成显示走线02后的示意图。显示走线02可以位于衬底基板01的周边区域012中且至少部分围绕显示区域011。例如，显示走线02围绕显示区域011的第二边界0112、第三边界0113和第四边界0114，并且还围绕显示区域011的第一边界0111的部分。
89.其中，显示走线02的材料可以为金属。示例的，在衬底基板01上形成形成金属材质层，通过一次构图工艺对金属材质层进行处理得到显示走线02。
90.在本技术实施例中，开关单元101中的栅极1011与显示走线02可以位于同一层，在周边区域012中形成显示走线02的同时，还可以在显示区域011中形成栅极1011，本技术实施例对此不作限定。
91.在s503中，在显示走线远离衬底基板的一侧形成负电源线和正电源线，负电源线在衬底基板上的正投影位于周边区域中且至少部分围绕显示区域，正电源线在衬底基板上的正投影位于周边区域中且至少部分围绕显示区域。
92.图7是本技术实施例提供的一种在显示走线02远离衬底基板01的一侧形成负电源线05和正电源线07后的示意图。负电源线05在衬底基板01上的正投影位于周边区域012中且至少部分围绕显示区域011。正电源线07在衬底基板01上的正投影位于周边区域012中且至少部分围绕显示区域011。例如，负电源线05在衬底基板01上的正投影围绕显示区域011的第一边界0111、第二边界0112、第三边界0113和第四边界0114延伸。正电源线07在衬底基板01上的正投影位于第一周边区域0121中。如图7所示，负电源线05包括第一走线段051和第二走线段052。第二走线段052位于第一走线段051远离衬底基板01的一侧，第一走线段051与第二走线段052之间具有pvx层08，第二走线段052通过pvx层08中的过孔与第一走线
段051电连接。正电源线07与第一走线段051位于同一层。
93.其中，负电源线05的材料和正电源线07的材料均可以为金属。示例的，在显示走线02远离衬底基板01的一侧形成负电源线05和正电源线07包括：在显示走线02远离衬底基板01的一侧依次形成第一金属层、pvx层08和第二金属层。第一金属层中包括第一走线段051和正电源线07。第二金属层中包括第二走线段052。pvx层08中具有过孔，第二走线段052通过该过孔与第一走线段051电连接，第一走线段051与第二走线段052构成负电源线05。
94.在本技术实施例中，开关单元101中的源极1013和漏极1014与第一走线段051可以位于同一层，在周边区域012中形成第一走线段051和正电源线07的同时，还可以在显示区域011中形成源极1013和漏极1014。例如，第一金属层中还包括源极1013和漏极1014。此外，子像素10中还可以包括用于连接开关单元101与发光单元102的连接电极，连接电极与第二走线段052可以位于同一层，在周边区域012中形成第二走线段052的同时，还可以在显示区域011中形成连接电极。例如，第二金属层中还包括连接电极。
95.结合图2、图3和图7所示，显示基板还包括沿远离衬底基板10的方向依次位于显示走线02所在层与第一走线段051所在层之间的gi层12、有源层1012和ild层13。在执行s503之前，可以在显示走线02远离衬底基板01的一侧依次形成gi层12、有源层1012和ild层13。然后，在ild层13远离衬底基板01的一侧形成负电源线05和正电源线07，本技术实施例对此不作限定。
96.在s504中，在负电源线和正电源线远离衬底基板的一侧形成屏蔽结构，屏蔽结构在衬底基板上的正投影位于周边区域中，屏蔽结构与负电源线电连接。
97.图8是本技术实施例提供的一种在负电源线05和正电源线07远离衬底基板01的一侧形成屏蔽结构03后的示意图。屏蔽结构03在衬底基板10上的正投影位于周边区域012中。例如，屏蔽结构03在衬底基板10上的正投影位于第一周边区域0121中。在本技术实施例中，屏蔽结构03包括第一屏蔽部031和第二屏蔽部032，第一屏蔽部031在衬底基板01上的正投影靠近第一边界0111与第二边界0112的相交位置。第二屏蔽部032在衬底基板01上的正投影靠近第一边界0111与第三边界0113的相交位置。第一屏蔽部031和第二屏蔽部032均与负电源线05电连接。例如，第一屏蔽部031和第二屏蔽部032分别叠加在负电源线05的第二走线段051远离衬底基板01的一面上。
98.其中，屏蔽结构03的材料是金属材料或金属氧化物材料，例如屏蔽结构03的材料为氧化铟锡(indium tin oxide，ito)。示例的，在负电源线05和正电源线07远离衬底基板01的一侧(例如在第二金属层远离衬底基板10的一侧)形成ito材质层，通过一次构图工艺对ito层进行处理得到第一屏蔽部031和第二屏蔽部032，第一屏蔽部031和第二屏蔽部032分别叠加在第二走线段051远离衬底基板01的一面上，第一屏蔽部031和第二屏蔽部032构成屏蔽结构03。
99.结合图2、图3和图8所示，显示基板还包括位于第二金属层与屏蔽结构03之间的第一pln层11。在执行s504之前，可以在第二金属层远离衬底基板01的一侧形成第一pln层11。然后，在第一pln层11远离衬底基板01的一侧形成屏蔽结构03，本技术实施例对此不作限定。
100.在s505中，在屏蔽结构远离衬底基板的一侧形成阴极，阴极与负电源线电连接，屏蔽结构在衬底基板上的正投影与阴极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
101.图9是本技术实施例提供的一种在屏蔽结构03远离衬底基板01的一侧形成阴极06后的示意图。阴极06与负电源线05电连接。阴极06与负电源线05的连接位置在衬底基板01上的正投影可以位于第二周边区域0122和/或第三周边区域0123中。屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与阴极06在衬底基板01上的正投影至少部分重叠。例如，屏蔽结构03在衬底基板01上的正投影与阴极06在第一周边区域0111上的正投影至少部分重叠。
102.其中，阴极06的材料可以是透明导电材料，例如阴极的材料是ito。示例的，在屏蔽结构03远离衬底基板01的一侧形成ito材质层，通过一次构图工艺对ito层进行处理得到阴极06。
103.结合图2、图3和图9所示，显示基板还包括位于屏蔽结构03所在层与阴极06之间的第二pln层14、阳极1021、pdl 15和发光层1022。在执行s505之前，可以在屏蔽结构03远离衬底基板01的一侧依次形成第二pln层14、阳极1021、pdl 15和发光层1022。然后，在发光层1022远离衬底基板01的一侧形成阴极06，本技术实施例对此不作限定。
104.在s506中，在阴极远离衬底基板的一侧形成触控走线，触控走线在衬底基板上的正投影位于周边区域中且至少部分围绕显示区域。其中，显示走线、屏蔽结构和触控走线这三者在衬底基板上的正投影至少部分重叠。
105.在阴极06远离衬底基板01的一侧形成触控走线04后的示意图可以参考图2。触控走线04在衬底基板01上的正投影位于周边区域012中且至少部分围绕显示区域011。显示走线02、屏蔽结构03和触控走线04这三者在衬底基板01上的正投影至少部分重叠。例如，触控走线04在衬底基板01上的正投影围绕显示区域011的第二边界0112、第三边界0113和第四边界0114，并且还围绕显示区域011的第一边界0111的部分。显示走线02、屏蔽结构03和触控走线04这三者在衬底基板01的第一周边区域0111上的正投影部分重叠。
106.其中，触控走线04的材料可以是透明导电材料，例如，触控走线04的材料是ito。示例的，在阴极06远离衬底基板01的一侧形成ito材质层，通过一次构图工艺对ito材质层进行处理得到触控走线04。
107.在本技术实施例中，显示基板中的触控电极17与触控走线04可以位于同一层，在周边区域012中形成触控走线04的同时，还可以在显示区域011中形成触控电极17，本技术实施例对此不作限定。
108.如图2和图3所示，显示基板还包括沿远离衬底基板10的方向依次位于阴极06与触控走线04所在层之间的cpl 16和封装结构18。在执行s506之前，可以在阴极06远离衬底基板01的一侧依次形成cpl 16和封装结构18。然后，在封装结构18远离衬底基板01的一侧形成触控走线04。
109.本技术实施例中，在制造显示基板的过程中，还可以形成阻隔挡墙，阻隔挡墙在衬底基板01上的正投影位于衬底基板01的周边区域012中且围绕显示区域011。例如，在制造显示基板的过程中形成第一阻隔挡墙091和第二阻隔挡墙092，第二阻隔挡墙092在衬底基板01上的正投影位于第一阻隔挡墙091在衬底基板01上的正投影与显示基板的边缘之间。其中，第一阻隔挡墙091由沿远离衬底基板01分别叠加的第一阻隔子层、第二阻隔子层和第三阻隔子层构成。第二阻隔挡墙092由沿远离衬底基板01分别叠加的第四阻隔子层、第五阻隔子层、第六阻隔子层和第七阻隔子层构成。第一阻隔子层和第四阻隔子层可以与pdl 15位于同一层。第二阻隔子层和第六阻隔子层可以与封装结构18的第一无机层181位于同一
层，第三阻隔子层和第七阻隔子层可以与封装结构18的第二无机层183位于同一层，本技术实施例对此不作限定。
110.综上所述，本技术提供的显示基板的制造方法，由于该方法制造的显示基板中包括屏蔽结构、显示走线和触控走线，屏蔽结构位于显示走线和触控走线之间，并且显示走线、屏蔽结构和触控走线这三者在衬底基板上的正投影至少部分重叠。因此，屏蔽结构能够屏蔽显示走线中传输的显示信号与触控走线中传输的触控信号的相互干扰，避免显示走线中传输的显示信号影响显示基板的触控效果，以及，避免触控走线中传输的触控信号影响显示基板的显示效果。
111.在本技术实施例中，形成材质层的工艺可以是沉积、磁控溅射、热蒸发等工艺，例如是等离子体增强化学气相沉积法(英文：plasma enhanced chemical vapor deposition；简称：pecvd)工艺。例如，在步骤s502中，可以通过沉积、磁控溅射、热蒸发等工艺在衬底基板01上形成金属材质层。此外，本技术实施例所涉及的一次构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，通过一次构图工艺对材质层(例如金属材质层)进行处理包括：在材质层(例如金属材质层)上涂覆一层光刻胶形成光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使得光刻胶层形成完全曝光区和非曝光区，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区的光刻胶被完全去除，非曝光区的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对材质层(例如金属材质层)上完全曝光区对应的区域进行刻蚀，最后剥离非曝光区的光刻胶得到相应的结构(例如显示走线02)。这里是以光刻胶为正性光刻胶为例进行说明的，当光刻胶为负性光刻胶时，一次构图工艺的过程可以参考本段的描述，本技术实施例在此不再赘述。
112.本技术实施例提供的显示基板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本技术的保护范围之内，因此不再赘述。
113.本技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的显示基板，该显示装置可以为智能手机、平板电脑、智能手环、智能手表、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
114.在本技术中，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“至少一个”指一个或多个，“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定，术语“至少一种”与此同理。术语“电连接”指连接并且可以传输电荷，而不限定必须有电荷传输，例如a和b电连接指a和b连接且a和b之间可以传输电荷，不限定a和b之间一定有电荷传输。
115.需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。
116.以上该仅为本技术的示例性实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。