显示基板及三维显示装置的制作方法

文档序号:27793311发布日期:2021-12-04 11:09阅读:82来源:国知局
显示基板及三维显示装置的制作方法
显示基板及三维显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本公开要求在2020年12月23日提交中国专利局、申请号为pct/cn2020/138592、申请名称为“一种有机发光显示基板和显示装置”的pct专利申请的优先权,其部分或全部内容通过引用结合在本公开中。
技术领域
3.本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及三维显示装置。


背景技术:

4.裸眼三维(three dimensional,3d的简称)显示技术是一种无须佩戴3d眼镜,即可以使人们观看到形象逼真的立体影像显示技术,它将佩戴者从传统的3d眼镜的束缚中解脱出来,从根本上解决了长时间佩戴3d眼镜所出现的头晕目眩的问题,极大的提高了人们的观看舒适度。
5.根据显示原理的不同,裸眼3d技术可以分为光栅式裸眼3d技术和柱状透镜3d显示技术。通过类似光栅的视差障壁或柱状透镜形成左视图和右视图,由于观看者的两只眼睛所看到的左视图和右视图是具有视差的两幅图像,因此具有视差的左视图和右视图在观看者大脑中叠加重生后,就能够使观看者在裸眼的情况下观看到3d化的显示图像。


技术实现要素:

6.一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,包括:
7.衬底基板,所述衬底基板包括多个亚像素;每个所述亚像素内具有至少两个第一电极、以及位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的发光功能层;所述第一电极包括:层叠设置的透明导电部和反射导电部;
8.绝缘层,位于所述第一电极所在层与所述衬底基板之间;
9.多个反射结构,位于所述绝缘层与所述衬底基板之间;
10.在至少一个所述亚像素内,相邻两个所述第一电极对应设置一个所述反射结构,所述反射结构包括第一部分和第二部分,所述第一部分在衬底基板上的正投影与其中一个所述第一电极在衬底基板上的正投影交叠,所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与另外一个所述第一电极在所述衬底基板上的正投影交叠。
11.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述反射结构还包括第三部分,所述第三部分与所述发光功能层之间在垂直于衬底基板方向上的距离,小于所述第一部分与所述发光功能层之间在垂直于衬底基板方向上的距离,且小于所述第二部分与所述发光功能层之间在垂直于衬底基板方向上的距离。
12.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述第三部分位于所述第一部分和所述第二部分之间。
13.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述反射导电部在所述衬底基
板上的正投影位于所述透明导电部在所述衬底基板上的正投影内。
14.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述透明导电部包括:位于所述反射导电部面向所述衬底基板一侧的第一透明导电部,以及位于所述反射导电部背离所述衬底基板一侧的第二透明导电部;其中,
15.所述第二透明导电部超出所述反射导电部的部分包括:向所述衬底基板倾斜延伸的坡面,以及与所述坡面接触的边缘平坦部。
16.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,还包括:位于所述多个第一电极所在层背离所述衬底基板一侧的多个透明保护电极;
17.所述多个透明保护电极与所述多个第一电极对应设置,且所述透明保护电极在所述衬底基板上的正投影,至少覆盖对应所述第一电极中所述边缘平坦部在所述衬底基板上的正投影。
18.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,在所述亚像素内,所述至少两个第一电极沿第一方向排列并沿第二方向延伸;
19.所述透明保护电极在所述第一方向上的宽度大于或等于对应所述第一电极在所述第一方向上的宽度,所述透明保护电极在所述第二方向上的长度大于或等于对应所述第一电极在所述第二方向上的长度。
20.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,还包括:位于所述衬底基板与所述多个反射结构所在层之间的平坦层;所述反射结构设置于所述平坦层的凹槽内。
21.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,还包括:位于所述衬底基板与所述平坦层之间的多个像素驱动电路;
22.所述像素驱动电路通过贯穿所述无机绝缘层和所述平坦层的过孔与所述第一电极对应电连接。
23.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述过孔沿第一方向依次排列在对应所述第一电极的同一侧边缘处。
24.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述反射导电部的厚度大于或等于且小于或等于
25.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,在邻近所述反射导电部的一侧,所述坡面与所述衬底基板之间的夹角大于或等于30
°
且小于或等于60
°

26.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,在每个所述亚像素内,所述第一部分与所述第二部分之间的最大距离大于2μm且小于或等于5μm,所述第一部分与所述第二部分之间的最小距离大于1μm且小于或等于2μm,所述透明保护电极之间的间隙大于0且小于或等于2μm。
27.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述绝缘层的材料为无机绝缘层。
28.另一方面,本公开实施例还提供了一种三维显示装置,包括上述显示基板,以及位于所述显示基板显示侧的分光组件。
29.另一方面,本公开实施例还提供了一种上述显示基板的制作方法,包括:
30.提供一个衬底基板;
31.在所述衬底基板上形成多个反射结构;
32.在所述多个反射结构所在层上形成绝缘层;
33.在所述绝缘层上形成多个亚像素,其中,每个所述亚像素内具有至少两个第一电极、以及位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的发光功能层;所述第一电极包括:层叠设置的透明导电部和反射导电部;
34.在至少一个所述亚像素内,相邻两个所述第一电极对应设置一个所述反射结构,所述反射结构包括第一部分和第二部分,所述第一部分在衬底基板上的正投影与其中一个所述第一电极在衬底基板上的正投影交叠,所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与另外一个所述第一电极在所述衬底基板上的正投影交叠。
35.可选地,在本公开实施例提供的上述制作方法中,形成多个第一电极,具体包括:
36.在所述绝缘层上依次形成第一透明导电材料层、反射导电材料层和第二透明导电材料层;
37.采用同一道刻蚀工艺对所述第一透明导电材料层、所述反射导电材料层和所述第二透明导电材料层进行刻蚀,形成包括第一透明导电部、反射导电部和第二透明导电部的多个第一电极;其中,所述第二透明导电部超出所述反射导电部的部分包括:向所述衬底基板倾斜延伸的坡面,以及与所述坡面、所述第一透明导电部接触的边缘平坦部;同一所述亚像素内,各所述第一电极沿第一方向排列并沿第二方向延伸。
38.可选地,在本公开实施例提供的上述制作方法中,在形成多个第一电极之后,且在形成发光功能层之前,还包括:
39.在所述第一电极所在层背离所述衬底基板一侧形成多个透明保护电极;其中,所述多个透明保护电极与所述多个第一电极对应设置,所述透明保护电极在所述第一方向上的宽度大于对应所述第一电极在所述第一方向上的宽度,所述透明保护电极在所述第二方向上的长度大于对应所述第一电极在所述第二方向上的长度。
附图说明
40.图1为相关技术中单层阳极结构的示意图;
41.图2为图1所示单层阳极的摩尔纹效应示意图;
42.图3为本公开实施例提供的显示基板的一种结构示意图;
43.图4为本公开实施例提供的显示基板的又一种结构示意图;
44.图5为本公开实施例提供的显示基板的又一种结构示意图;
45.图6为本公开实施例提供的显示基板的又一种结构示意图;
46.图7为本公开实施例提供的显示基板的制作方法的流程图;
47.图8至图22分别为本公开实施例提供的显示基板在制作过程中的结构示意图;
48.图23为本公开实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
49.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。需要注意的是,附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。显然,所描述的实施例是本
公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本公开保护的范围。
50.除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
51.现有中大尺寸裸眼3d技术,分辨率较低,无法达到高清晰、高亮度及高对比度显示。为提高3d观看效果,需要增加视点数量,独立控制的子像素数量越多,3d显示分辨率越高,显示效果越好。
52.在一些实施例中,如图1所示,可以在亚像素基础上,将亚像素的阳极再次精细图案(pattern)化为相互独立的多个子阳极,并通过连接独立的像素驱动电路和补偿电路分别实现对子阳极全灰阶的显示和控制,从而提高了3d显示分辨率,增加了视角数量,不同视角的跳变更平滑,提升了裸眼3d的观看体验。然而,本公开发现,亚像素的阳极进行分割后,相邻子阳极间隙(space)处没有金属电极产生的平行电场驱动载流子移动耦合发光(即space处不发光),会出现3d显示摩尔纹不良,space越大,不发光的区域越宽,3d显示摩尔纹越严重,如图2所示。
53.针对相关技术中存在的上述问题,本公开实施例提供了一种显示基板,如图3至图5所示,可以包括:
54.衬底基板101,衬底基板101包括多个亚像素p;多个亚像素p可以包括但不限于红光亚像素、绿光亚像素、蓝光亚像素、白光亚像素;每个亚像素p内具有至少两个第一电极102、以及位于第一电极102背离衬底基板101一侧的发光功能层103;第一电极102包括:层叠设置的反射导电部1021和透明导电部1022;在一些实施例中,衬底基板101上设置有包括多个开口的像素界定层(pdl),每个开口对应一个亚像素p,一个开口暴露出的第一电极102属于一个亚像素p;其中每个开口可以暴露每个第一电极102的全部,也可以仅暴露每个第一电极102的一部分;
55.绝缘层104,位于多个第一电极102所在层与衬底基板101之间;
56.多个反射结构105,位于绝缘层104与衬底基板101之间;
57.在至少一个亚像素p内,相邻两个第一电极102对应设置一个反射结构105,反射结构105包括第一部分1051和第二部分1052,第一部分1051在衬底基板101上的正投影与其中一个第一电极102在衬底基板101上的正投影交叠,第二部分1052在衬底基板101上的正投影与另外一个第一电极102在衬底基板101上的正投影交叠。
58.在本公开实施例提供的上述显示基板中,通过设置反射结构105,并利用绝缘层104实现第一电极102和反射结构105的相互绝缘,且可通过调节绝缘层104的厚度实现间隙处发光器件最佳的微腔(由反射结构105与第二电极106围成)增益,以提升间隙处发光亮度,解决了刻蚀间隙偏大造成的摩尔纹不良。
59.在一些实施例中,绝缘层104的厚度与反射结构105的反射率呈负相关的关系。换
句话说,在达到相同微腔增益效果的条件下,反射结构105的反射率越大,绝缘层104的厚度越小。为了实现产品轻薄化设计,可采用高反射率(例如反射率大于90%)的铝、银等金属制作反射结构105。另外,绝缘层104的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等无机绝缘材料。
60.在一些实施例中,第一电极102可以为阳极,第二电极106可以为阴极;或者,第一电极102可以为阴极,第二电极106可以为阳极。在一些实施例中,多个亚像素p包括多种发光颜色,此时每个亚像素p内的发光功能层103可以为一体结构;在一些实施例中,全部亚像素p具有同一种发光颜色(例如白色),则全部亚像素p内的发光功能层103可以为一体结构。发光功能层103可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层等。
61.另外,在本公开中,反射导电部1021指具有反射功能的导电部件,例如反射率较高铝、银等金属或合金材料;透明导电部1022指具有透射功能的导电部件,例如氧化铟锡等金属氧化物或厚度减薄后可以透光的金属材料。
62.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图3至图5所示,反射结构105还可以包括第三部分1053,第三部分1053与发光功能层103之间在垂直于衬底基板101方向上的距离,小于第一部分1051与发光功能层103之间在垂直于衬底基板101方向上的距离,且小于第二部分1052与发光功能层103之间在垂直于衬底基板101方向上的距离,第三部分1053可以位于第一部分1051和第二部分1052之间。这样设置,可以使得反射结构105在衬底基板101上的正投影与反射导电部1021之间的间隙大致重合,从而尽可能减小了反射结构105与反射导电部1021之间交叠而产生耦合电容。
63.需要说明的是,在实际工艺中,由于工艺条件的限制或其他因素,上述“大致重合”可能会完全重合,也可能会有一些偏差,因此上述特征之间“大致重合”的关系只要满足误差允许即可,均属于本公开的保护范围。
64.在一些实施例中,第一部分1051、第二部分1052和第三部分1053三者可以为同层设置的一体结构,也可以为异层设置的三个相互独立的部分。优选地,为了提高后续第一电极102的平坦性,第一部分1051、第二部分1052和第三部分1053同层设置为一体结构。
65.需要说明的是,在本公开中,“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于制作特定图形的膜层,然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask,也称光罩)。根据特定图形的不同,一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺,而所形成层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的,这些特定图形可能处于相同的高度或者具有相同的厚度、也可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
66.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图3和图4所示,反射导电部1021在衬底基板101上的正投影位于透明导电部1022在衬底基板101上的正投影内,以通过透明导电部1022保护反射导电部1021免受水氧等的腐蚀。
67.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图3和图4所示,透明导电部1022可以包括:位于反射导电部1021面向衬底基板101一侧的第一透明导电部1022a,以及位于反射导电部1021背离衬底基板101一侧的第二透明导电部1022b;其中,
68.第二透明导电部1022b超出反射导电部1021的部分包括:向衬底基板101倾斜延伸
的坡面,以及与坡面接触的边缘平坦部。
69.如图3和图4所示,在形成发光器件的发光功能层103时,由于第一透明导电部1021的坡面相对平缓,无垂直断差,因此发光功能层103在间隙处不会断裂。在发光器件中第一电极102(例如阳极)的空穴和第二电极106(例如阴极)的电子传输到发光层复合发光,因为第一电极102对应的发光层中的载流子浓度高于间隙处载流子浓度,所以载流子会由高浓度向低浓度横向扩散,从而利用发光器件的本征串扰,增加间隙处的发光亮度,由此实现了同一亚像素p内的连续发光,进一步减轻了摩尔纹现象。
70.在一些实施例中,第一透明导电部1022a和第二透明导电部1022b的材料可以为氧化铟锡(ito),反射导电部1021的材料可以为银(ag),即第一电极102具有ito/ag/ito叠层结构。相较于al/ito、alnd/ito等叠层结构,ito/ag/ito叠层结构的阳极反射率较高,对应发光器件的电流效率更高,寿命更长。
71.在一些实施例中,第二透明导电部1022b的坡面可以与第一透明导电部1022a接触,并且第二透明导电部1022b的边缘平坦部可以与第一透明导电部1022a相互交叠。在另一些实施例中,第一透明导电部1022a位于第二透明导电部1022b的正投影内,且第二透明导电部1022b的边缘平坦部与绝缘层104接触。
72.在本公开中,如图6所示,在相邻亚像素p之间设置有像素界定层107,而为了实现连续发光,相邻第一电极102的间隙处不能设置像素界定层107。由于第一透明导电部1022a和第二透明导电部1022b为两个独立的膜层,二者之间存在一定程度上的缝隙,后续在制作像素界定层107的过程中,固化(curing)工艺(230℃/1hour)容易造成水氧等经该缝隙进入第一电极102内部,腐蚀银材质的反射导电部1021边缘,产生边缘毛刺,造成发光器件漏电严重。
73.基于此,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图3和图4所示,还可以包括:位于多个第一电极102所在层背离衬底基板101一侧的多个透明保护电极108;
74.多个透明保护电极108与多个第一电极102对应设置,且透明保护电极108在衬底基板101上的正投影,至少覆盖对应第一电极101中第二透明导电部1022b的边缘平坦部在衬底基板101上的正投影。
75.第一透明导电部1021a的边缘平坦部与第二透明导电部1022b的边缘搭接,通过设置覆盖该边缘平坦部的透明保护电极108,避免了水氧等通过第一透明导电部1021a和第二透明导电部1022b边缘处的缝隙进入第一电极102内部,从而可保证后续制作像素界定层107的过程中反射导电部1021的边缘不被腐蚀,提高了发光器件的稳定性。在一些实施例中,透明保护电极108的材料可以为氧化铟锡等。
76.需要说明的是,在透明保护电极108导电且直接包裹第一电极102的情况下,为了避免不同第一电极102上加载驱动信号串扰,可以设置透明保护电极108一一对应包裹第一电极102;在透明保护电极108绝缘、或者透明保护电极108与第一电极102之间具有绝缘层的情况下,可以设置一个透明保护电极108对应覆盖多个第一电极102。
77.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图5所示,在亚像素p内,至少两个第一电极102沿第一方向x排列并沿第二方向y延伸;透明保护电极108在第一方向x上的宽度w1大于或等于对应第一电极102在第一方向上x的宽度w2,透明保护电极108在第二方向y上的长度l1大于或等于对应第一电极102在第二方向y上的长度l2,以更好地保护第一电
极102,同时也利于实现后续发光功能层103的膜层连续性。
78.具体地,在本公开中,第一电极102在第一方向上x的宽度w2是第一透明导电部1021a、第二透明导电部1022b和反射导电部1021中的最大宽度值。例如,第一方向上x,第一透明导电部1021a的宽度大于第二透明导电部1022b的宽度,且大于反射导电部1021的宽度,则第一电极102在第一方向上x的宽度w2指第一透明导电部1021a的宽度。同理,第一电极102在第二方向y上的长度l2是第一透明导电部1021a、第二透明导电部1022b和反射导电部1021中的最大长度值。
79.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图4所示,还可以包括:位于衬底基板101与多个反射结构105所在层之间的平坦层109;平坦层109具有多个凹槽,反射结构105设置于平坦层109的凹槽内,以提升第一电极102边缘的平坦性。
80.在一些实施例中,为了有效提高第一电极102边缘的平坦性,解决第一电极102表面不平整造成的出光方向异常问题,如图4所示,可以设置平坦层109的凹槽的上表面与衬底基板101之间的距离,等于反射结构105的上表面与衬底基板101之间的距离,即反射结构105可以刚好内嵌入平坦层109的凹槽内。
81.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图3和图4所示,还可以包括:位于衬底基板101与平坦层109之间的多个像素驱动电路110;像素驱动电路110(具体可以为像素驱动电路110中驱动晶体管的源/漏极111),通过贯穿绝缘层104和平坦层109的过孔h与第一电极102对应电连接。如此,则可以通过像素驱动电路110独立驱动对应第一电极102所属发光器件发光。在一些实施例中,为了提高3d显示的分辨率,可以设置每个像素驱动电路110与一个第一电极102对应电连接。
82.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图5所示,为了简化制作工艺,可以设置过孔h沿第一方向x依次排列在对应第一电极102的同一侧边缘处。
83.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,可通过调节反射导电部1021的厚度来改变第二透明导电部1022b的坡面倾斜度,在一些实施例中,在垂直于衬底基板101的方向上,反射导电部1021的厚度可以大于或等于且小于或等于
84.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图3所示,在邻近反射导电部1021的一侧,坡面与衬底基板101之间的夹角λ可以大于或等于30
°
且小于或等于60
°
。这样设置,通过更好地利用倾斜的坡面实现对发光器件出光方向的调节,从而基于相邻发光器件的光学串扰实现“假”连续发光。
85.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图3至图5所示,在每个亚像素p内,第一部分1051与第二部分1052之间的最大距离d1(即反射导电部1021之间的间隙)大于2μm且小于或等于5μm,第一部分1051与第二部分1052之间的最小距离d2(即透明导电部1022之间的间隙)大于1μm且小于或等于2μm,透明保护电极108之间的间隙大于0且小于或等于2μm。
86.在一些实施例中,如图5所示,在一个亚像素p内设置了一行第一电极102,在这种情况下,上述d1、d2和d3具体指在第一方向x上的尺寸;在一些实施例中,一个亚像素p内还可以设置多行多列第一电极102,在这种情况下,上述d1、d2和d3具体指在第一方向x和第二方向y上的尺寸。
87.可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,如图3和图4所示,还可以包括封
装层112等。在一些实施例中,封装层112可以包括层叠设置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。对于显示基板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本公开的限制。
88.基于同一实用新型构思,本公开实施例还提供了一种上述显示基板的制作方法,由于该制作方法解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似,因此,本公开实施例提供的该制作方法的实施可以参见本公开实施例提供的上述显示基板的实施,重复之处不再赘述。
89.具体地,本公开实施例提供的一种上述显示基板的制作方法,如图7所示,可以包括以下步骤:
90.s701、提供一个衬底基板;
91.s702、在衬底基板上形成多个反射结构;
92.s703、在多个反射结构所在层上形成绝缘层;
93.s704、在绝缘层上形成多个亚像素,其中,每个亚像素内具有至少两个第一电极、以及位于第一电极背离衬底基板一侧的发光功能层;第一电极包括:层叠设置的透明导电部和反射导电部;
94.在至少一个亚像素内,相邻两个第一电极对应设置一个反射结构,反射结构包括第一部分和第二部分,第一部分在衬底基板上的正投影与其中一个第一电极在衬底基板上的正投影交叠,第二部分在衬底基板上的正投影与另外一个第一电极在衬底基板上的正投影交叠。
95.为更好地理解本公开制作方法的技术方案,下面以一个具体的实施例进行详细说明。
96.第一步,在衬底基板101上依次形成像素多个像素驱动电路110和平坦层109;其中,像素驱动电路110中驱动晶体管具有源/漏极111,平坦层109具有多个凹槽c和过孔h,如图8和图9所示。
97.第二步,在平坦层109的凹槽c内一一对应形成反射结构105,如图10和图11所示。
98.第三步,在反射结构105背离衬底基板101的一侧形成绝缘层104,并构图形成贯穿绝缘层104和平坦层109的过孔h,如图12和图13所示。
99.第四步,在绝缘层104上形成第一透明导电材料层1022a’、反射导电材料层1021’和第二透明导电材料1022b’,如图14所示。
100.第五步,在第二透明导电材料1022b’上形成图案化的光刻胶层pr,该光刻胶层pr在衬底基板101上的正投影与反射结构105的间隙及反射结构105的正投影边缘相互交叠,如图15所示。
101.第六步,以光刻胶层pr为遮挡,对第二透明导电材料层1022b’进行刻蚀,形成多个第二透明导电部1022b,如图16所示;继续对反射导电材料层1021’进行刻蚀,形成多个反射导电部1021,如图17所示;继续对第一透明导电材料层1022a进行刻蚀,形成多个第一透明电部1022a,如图18所示。
102.第七步,剥离光刻胶pr,至此完成了第一电极102的制备。应当理解的是,由于第二透明导电部1022b超出反射导电部1021的部分没有反射导电部1021的支撑,最终导致第二透明导电部1022b超出反射导电部1021的部分受重力影响形成坡面搭接在第一透明导电部
1022a上,如图19和图20所示。
103.第八步,在第一电极102所在层上形成多个透明保护电极108,如图21所示。
104.第九步,在透明保护电极108所在层上依次形成发光功能层103、第二电极106和封装层112,如图22所示。在一些实施例中,可通过蒸镀或打印的方式制备发光功能层103。
105.需要说明的是,在本公开实施例提供的上述制作方法中,形成各层结构涉及到的构图工艺,不仅可以包括沉积、光刻胶涂覆、掩模板掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部的工艺过程,还可以包括其他工艺过程,具体以实际制作过程中形成所需构图的图形为准,在此不做限定。例如,在显影之后和刻蚀之前还可以包括后烘工艺。
106.其中,沉积工艺可以为化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或物理气相沉积法,在此不做限定;掩膜工艺中所用的掩膜板可以为半色调掩膜板(half tone mask)、单缝衍射掩模板(single slit mask)或灰色调掩模板(gray tone mask),在此不做限定;刻蚀可以为干法刻蚀或者湿法刻蚀,在此不做限定。
107.基于同一实用新型构思,本公开实施例还提供了一种三维显示装置,如图23所示,包括上述显示基板001,以及位于显示基板001显示侧的分光组件002。由于该三维显示装置解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似,因此,本公开实施例提供的该三维显示装置的实施可以参见本公开实施例提供的上述显示基板的实施,重复之处不再赘述。
108.在一些实施例中,如图23所示,分光组件002可以包括玻璃基底201、基材202、高折树脂层203、低折树脂层204和保护膜205;显示基板001还可以具有色阻层113(包括但不限于红光色阻r

cf、绿光色阻g

cf和蓝光色阻b

cf)、黑矩阵114、保护盖板115、阻挡坝116。并且在一些中小尺寸产品中,红光色阻r

cf下方第一电极102所属发光器件为红光发光器件、绿光色阻g

cf下方第一电极102所属发光器件为绿光发光器件、蓝光色阻b

cf下方第一电极102所属发光器件为蓝光发光器件;在一些中大尺寸产品中,全部第一电极102所属发光器件均可以为白光发光器件。
109.需要说明的是,高折树脂层203由多个柱透镜(lens)构成,每个柱透镜可对其所覆盖的第一电极102所属发光器件进行分光;并且,虽然在一个亚像素p内实现了连续发光,但第一电极102所属发光器件处的亮度大于第一电极102间隙处的亮度,基于以上原因,本公开提供的上述方案既可以改善摩尔纹不良,又不会影响3d显示效果。
110.显然,本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样,倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内,则本公开也意图包含这些改动和变型在内。
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