半导体装置的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种半导体装置。


背景技术：

2.在半导体的生产制造过程中，各腔室之间或工位之间通常使用机械手来完成晶圆(晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆)的传送。在晶圆传输系统中，为避免取放时偏位或晶圆破损等客观因素的发生，提高晶圆取放的准确度，需要设计并使用awc(active wafer centering)功能来进行检测与校正。
3.awc功能针对机械手传输晶圆过程中实际中心与示教中心的偏位情况，在机械手的运动过程中进行自动纠正，确保了晶圆被准确运送到指定位置。图1示出了现有技术的半导体装置的俯视示意图，如图 1所示，现有技术的awc传感器分别安装于相应设备的外侧，极易由于作业人员误操作而触碰到传感器，造成位置漂移而传感器报错。此外，awc功能使用一组(2个)传感器，分别放置于需要检测的工位方向(运动的径向直线和晶圆边缘之间)，并保证两传感器之间的连线与工位径向垂直。现有技术的awc传感器分开设置，需单独进行安装以及调整，导致设备停机时间较长，严重影响运行效率；而且，由于设备空间有限，可供作业人员活动空间有限，安装及调试较为困难。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种半导体装置。
5.为实现上述目的，本实用新型提供一种半导体装置，包括腔体和控制装置，所述腔体具有相对设置的腔顶部和腔底部，所述控制装置连接机械手，控制所述机械手沿传送路径自所述腔顶部与所述腔底部之间传送晶圆，所述腔顶部设有顶通孔，所述顶通孔具有若干顶通孔，所述顶通孔自所述腔顶部的外表面垂直延伸至所述腔顶部内，所述顶通孔自所述顶通孔的底部贯穿所述腔顶部；所述腔底部设有对应所述顶通孔的底通孔，所述底通孔具有若干对应所述顶通孔的底通孔，所述底通孔自所述腔底部的外表面垂直延伸至所述腔底部内，所述底通孔自所述底通孔的底部贯穿所述腔底部；所述顶通孔内设有顶传感件，所述顶传感件具有可拆卸连接的顶传感部和顶传感连接部，所述顶传感连接部可拆卸连接所述顶通孔；所述底通孔内设有底传感组件，所述底传感组件具有可拆卸连接的底传感部和底传感连接部，所述底传感连接部可拆卸连接所述底通孔；所述顶传感部和所述底传感部沿所述传送路径相对设置，且分别面向所述晶圆的正面和底面并连接所述控制装置。
6.优选地，所述腔顶部设有顶通孔和顶板，所述顶通孔自所述腔顶部的外表面贯穿所述腔顶部，所述顶板可拆卸连接所述腔顶部，且对应覆盖所述顶通孔。
7.优选地，所述顶板包括反射板，所述底传感组件包括反射式激光传感器。
8.优选地，所述顶板还包括非反射板，所述顶板上设有对应所述底传感组件的顶传感组件，所述顶传感组件可拆卸连接所述顶板，且电连接所述控制装置；所述底传感组件和所述顶传感组件形成光电传感器。
9.优选地，所述光电传感器包括激光位移传感器、反射式激光传感器中的一种或两种组合。
10.优选地，所述底传感组件发射激光光线至所述顶传感件，所述顶传感件接收所述激光光线；或，所述顶传感件发射所述激光光线至所述底传感组件，所述底传感组件接收所述激光光线。
11.优选地，所述晶圆垂直穿过所述激光光线，所述晶圆相对的圆周外缘分别与所述激光光线相交，所述光电传感器生成对应的位置信息并反馈至所述控制装置。
12.优选地，所述底传感组件和所述顶传感组件的数量为大于或等于 1。
13.优选地，所述底传感组件和所述顶传感组件的数量均为2，所述底传感组件包括第一底传感端和第二底传感端，所述顶传感组件还包括对应所述第一底传感端的第一顶传感端以及对应所述第二底传感端的第二顶传感端，第二底传感端和所述第一底传感端并排且间隔设置在所述底板上，第二顶传感端和所述第一顶传感端并排且间隔设置在所述顶板上。
14.优选地，所述底板上设有对应所述底传感组件的底定位件，所述顶板上设有对应所述顶传感组件的顶定位件。
15.从上述技术方案可以看出，本实用新型的腔底部设有底通孔和底板，所述底通孔自所述腔底部的外表面贯穿所述腔底部，且沿所述传送路径设置；所述底板可拆卸连接所述腔底部，且对应覆盖所述底通孔；所述底板上设有底传感组件，所述底传感组件可拆卸连接所述底板，且电连接所述控制装置，从而提升了底传感组件的安装和拆卸效率，且避免了不必要的触碰导致的传感器位置偏移。
附图说明
16.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1示出了现有技术的半导体装置的俯视示意图；
18.图2示出了本实用新型实施例的一种半导体装置的局部剖面示意图。
具体实施方式
19.为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。
20.需要说明的是，在下述的具体实施方式中，在详述本实用新型的实施方式时，为了清楚地表示本实用新型的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一般比例绘图，并进行了局部放大、变形及简化处理，因此，应避免以此作为对本实用新型的限定来加以理解。
21.在以下本实用新型的具体实施方式中，请参考图2，图2示出了本实用新型实施例的一种半导体装置的局部剖面示意图。本实用新型的一种半导体装置包括腔体和控制装置，所述腔体具有相对设置的腔顶部和腔底部，所述控制装置连接机械手，控制所述机械手
沿传送路径自所述腔顶部与所述腔底部之间传送晶圆。
22.本实施例中，所述晶圆为12英寸的硅片，所述晶圆的直径为300mm。在其他实施例中，所述晶圆还可以是8英寸的硅片或18英寸的硅片，所述晶圆的尺寸以实际设备和工艺而定，在此不做限定。
23.所述腔底部设有底通孔和底板，所述底通孔自所述腔底部的外表面贯穿所述腔底部，且沿所述传送路径设置；所述底板可拆卸连接所述腔底部，且对应覆盖所述底通孔。在另一实施例中，所述底板与所述腔底部之间形成可拆卸的密封连接。
24.所述底板上设有底传感组件，所述底传感组件可拆卸连接所述底板，且电连接所述控制装置。所述底传感组件设置在所述底板上，从而方便地实现了底传感组件的安装和拆卸。
25.所述底板上设有对应所述底传感组件的底定位件，通过固定的底定位件，实现了底传感组件的精准定位，提高了底传感组件的安装精度。
26.底传感组件可以是图像传感器，所述机械手沿传送路径自所述腔顶部与所述腔底部之间传送晶圆时，所述晶圆自所述图像传感器的上方传送，所述图像传感器感应所述晶圆，生成对应的晶圆信息并反馈至所述控制装置。
27.在本实施例中，所述腔顶部设有顶通孔和顶板，所述顶通孔自所述腔顶部的外表面贯穿所述腔顶部，所述顶板可拆卸连接所述腔顶部，且对应覆盖所述顶通孔。
28.所述底传感组件还可以是反射式激光传感器，在一实施例中，所述顶板为反射板，所述底传感组件发射激光光线至所述反射板，所述反射板接收并反射所述激光光线至所述底传感组件，由于所述反射板和所述晶圆对于所述激光光线的反射率不同，所述晶圆穿过所述反射式激光传感器时，所述反射式激光传感器根据所述激光光线的反射强度的变化，从而感知有无晶圆被传送。
29.在另一实施例中，所述顶板还包括非反射板，所述顶板上设有对应所述底传感组件的顶传感组件，所述顶传感组件可拆卸连接所述顶板，且电连接所述控制装置；所述底传感组件和所述顶传感组件形成光电传感器。所述底传感组件发射激光光线至所述顶传感件，所述顶传感件接收所述激光光线；或，所述顶传感件发射所述激光光线至所述底传感组件，所述底传感组件接收所述激光光线。
30.所述光电传感器可以是反射式激光传感器，即所述顶传感组件为一具有不同于晶圆反射率的反射件，通过在所述顶板上另设一顶传感组件，实现了反射件的可拆卸安装，避免了长时间运行后的反射率衰减导致的误报警。
31.所述光电传感器还可以是激光位移传感器，所述底传感组件和所述顶传感组件的数量为大于或等于1。
32.具体地，所述底传感组件和所述顶传感组件的数量均为1，所述底传感组件包括第一底传感端，所述顶传感组件包括对应所述第一底传感端的第一顶传感端。第一底传感端或所述第一顶传感端发出激光光线，所述晶圆垂直穿过所述激光光线，所述晶圆相对的圆周外缘分别与所述激光光线相交，所述激光光线自一侧的圆周外缘扫描所述晶圆至另一侧的圆周外缘，从而生成一扫描长度，所述激光位移传感器反馈所述长度信息至所述控制装置。
33.在另一实施例中，所述底传感组件和所述顶传感组件的数量均为2，所述底传感组
件还包括第二底传感端，所述顶传感组件还包括对应所述第二底传感端的第二顶传感端，第二底传感端和所述第一底传感端并排且间隔设置在所述底板上，第二顶传感端和所述第一顶传感端并排且间隔设置在所述顶板上。通过两个并排设置的激光位移传感器可以分别生成对应的扫描长度，并根据对应的激光光线与圆周外缘的相交点，实现所述晶圆的圆心定位，所述光电传感器生成所述晶圆对应的位置信息并反馈至所述控制装置，然后通过机械手校正晶圆。对应所述底传感组件，所述顶板上设有对应所述顶传感组件的顶定位件。
34.以上所述的仅为本实用新型的优选实施例，所述实施例并非用以限制本实用新型的专利保护范围，因此凡是运用本实用新型的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本实用新型的保护范围内。
35.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。