一种mwt-hjt电池结构
技术领域
1.本实用新型涉及一种mwt-hjt电池结构，属于太阳能电池生产技术领域。
背景技术：
2.hjt电池具有高转换效率、低温度系数、低衰减、弱光性好等优点，但目前成本较高，性价比相对较差，且面对屋顶、建筑物侧立面等单面受光应用领域，其双面的优势也无法发挥，mwt电池技术是一种背接触技术，相比ibc结构，工艺简单成本低，本实用新型提出的这种结构设计将mwt和hjt电池技术相结合，一方面能够发挥hjt电池的优势，一方面mwt电池的技术特性和其独特的背接触组件封装方式可以与hjt电池的完美结合且更能发挥其薄片优势，通过电池背面结构的创新性设计，和背面组件封装技术的创新设计，可大幅度降低mwt-hjt电池组件产品的成本。
技术实现要素：
3.解决上述技术问题，本实用新型将mwt和hjt电池技术结合，充分发挥mwt电池的全背面组件封装优势，开发出一种全新的结构设计及制备工艺，简化了工艺，减少了电池的银浆用量，大幅降低成本，利于hjt电池的产业化。
4.本实用新型为一种mwt-hjt电池制备方法，所述方法包括以下步骤：
5.s01，对硅片进行激光打孔；
6.s02，对单晶硅基底进行制绒和清洗，去除硅基底表面的机械损伤层和污染物，形成金字塔绒面；
7.s03，双面沉积本征非晶硅层；
8.s04，正面进行非晶硅沉积；
9.s05，背面进行非晶硅沉积；
10.s06，正面进行tco沉积；
11.s07，背面进行铝膜沉积；
12.s08，背面在所述孔位置周围印刷刻蚀浆料进行铝膜的局部刻蚀；
13.s09，将堵孔浆料从背面印刷入在硅片激光钻的孔中；
14.s10，丝网印刷正面导电银浆；
15.s11，组件封装。
16.进一步的，所述步骤s01中，所述硅片为n型或者p型硅片。
17.进一步的，所述步骤s04中的非晶硅为n型非晶硅或者p型非晶硅。
18.作为本技术的一种优选实施方案，当所述步骤s04采用p型非晶硅沉积时，所述步骤s05为对背面进行n型非晶硅沉积；
19.当所述步骤s04采用n型非晶硅沉积时，所述步骤s05为对背面进行p型非晶硅沉积。
20.基于上述制备方法，本技术还提供一种mwt-hjt电池结构，所述结构包括自上而下
依次设置的正面tco层、正面非晶硅层、正面本征非晶硅层、单晶硅基底、背面本征非晶硅层、背面非晶硅层、背面铝薄膜。
21.进一步的，所述正面非晶硅层为n型非晶硅层或者p型非晶硅层。
22.进一步的，如果采用p型非晶硅层，则背面非晶硅层为n型非晶硅沉积层；如果正面采用n型非晶硅层，则背面非晶硅层为p型非晶硅沉积层。
23.作为本技术的一种优选实施方案，所述电池结构的正面电极为丝网丝印低温银浆，通过制绒前在硅片上制备的孔洞，汇聚贯穿到背面；背面电极为铝薄膜，背面的正负极之间有绝缘隔离。
24.本技术还提供一种电池组件制备方法，所述电池组件采用如上述mwt-hjt电池结构，所述制备方法包括以下步骤：
25.s101依次平放背板、第一背面导电箔、背面导电胶、背面隔离膜、第二背面导电箔、背面导电胶点阵、mwt-hjt电池片、正面封装胶膜、玻璃；
26.s102进入组件层压机进行组件封装。
27.进一步的，第一背面导电箔和第二背面导电箔为相同成分或者不同成分，为铜箔、铝箔或者两者的复合箔。
28.与传统mwt电池相比，本实用新型提出的mwt-hjt电池结构以及工艺制备方法，具备如下有益效果：
29.1、具有hjt电池的高效率、低衰减、低温度系数，提高综合发电量；
30.2、mwt和hjt都具有薄片化优势，可兼容100微米厚度硅片，进一步降低成本；
31.3、与hjt电池相比少了背面tco和低温银浆的金属化，具有更低的成本。
附图说明
32.为了更清楚地说明本实用新型中的技术方案，下面将对本实用新型中所需要使用的附图进行简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其它附图。
33.图1为本实用新型提供的mwt-hjt电池结构示意图；
34.图中，1-正面电极，2
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tco层，3-正面n型非晶硅层，4-正面p型非晶硅层，5-硅片，6-背面n型非晶硅层，7-背面p型非晶硅层，8-背面铝薄膜，9-堵孔浆料，10-绝缘区域。
具体实施方式
35.为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域的技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
36.实施例一：
37.本实用新型为一种mwt-hjt电池制备方法，所述方法包括以下步骤：
38.s01，对硅片进行激光打孔，本实施例中硅片基片包含n型或者p型；
39.s02，对单晶硅基底进行制绒和清洗，去除硅基底表面的机械损伤层和污染物，形
成金字塔绒面；
40.s03，双面沉积本征非晶硅层；
41.s04，正面进行非晶硅沉积；
42.s05，背面进行非晶硅沉积；
43.s06，正面进行tco沉积；
44.s07，背面进行铝膜沉积；
45.s08，背面在所述孔位置周围印刷刻蚀浆料进行铝膜的局部刻蚀；
46.s09，将堵孔浆料从背面印刷入在硅片激光钻的孔中；
47.s10，丝网印刷正面导电银浆；
48.s11，组件封装。
49.进一步的，所述步骤s01中，所述硅片为n型或者p型硅片。
50.进一步的，所述步骤s04中的非晶硅为n型非晶硅或者p型非晶硅。
51.作为本技术的一种优选实施方案，当所述步骤s04采用p型非晶硅沉积时，所述步骤s05为对背面进行n型非晶硅沉积；
52.当所述步骤s04采用n型非晶硅沉积时，所述步骤s05为对背面进行p型非晶硅沉积。
53.本技术开发出全新的结构设计及制备工艺，简化了工艺，减少了电池的银浆用量，大幅降低成本，利于hjt电池的产业化。
54.实施例2
55.基于上述制备方法，本实施例提供一种mwt-hjt电池结构，如图1所示，所述结构包括自上而下依次设置的正面tco层、正面非晶硅层、正面本征非晶硅层、单晶硅基底、背面本征非晶硅层、背面非晶硅层、背面铝薄膜。
56.进一步的，所述正面非晶硅层为n型非晶硅层或者p型非晶硅层。
57.进一步的，如果采用p型非晶硅层，则背面非晶硅层为n型非晶硅沉积层；如果正面采用n型非晶硅层，则背面非晶硅层为p型非晶硅沉积层。
58.作为本技术的一种优选实施方案，所述电池结构的正面电极为丝网丝印低温银浆，通过制绒前在硅片上制备的孔洞，汇聚贯穿到背面；背面电极为铝薄膜，背面的正负极之间有绝缘隔离。
59.与hjt电池相比，本实用新型提出的mwt-hjt电池结构，具备如下有益效果：
60.1、具有hjt电池的高效率、低衰减、低温度系数，提高综合发电量；
61.2、mwt和hjt都具有薄片化优势，可兼容100微米厚度硅片，进一步降低成本；
62.3、与hjt电池相比少了背面tco和低温银浆的金属化，具有更低的成本。
63.实施例3
64.本实施例还提供一种电池组件制备方法，所述电池组件采用如上述mwt-hjt电池结构，所述制备方法包括以下步骤：
65.s101依次平放背板、第一背面导电箔、背面导电胶、背面隔离膜、第二背面导电箔、背面导电胶点阵、mwt-hjt电池片、正面封装胶膜、玻璃；
66.s102进入组件层压机进行组件封装。
67.进一步的，第一背面导电箔和第二背面导电箔为相同成分或者不同成分，为铜箔、
铝箔或者两者的复合箔。
68.该电池组件制造工艺在电池端只完成正面电极和空洞内浆料贯穿，正面电极为丝网丝印低温银浆，同时用另一种金属导电胶作为堵孔浆料，通过制绒前在硅片上制备的孔洞，汇聚贯穿到背面，背面电极在组件封装工序，通过导电浆料点阵将铝箔粘连在背面tco上形成，背面的正负极之间有绝缘隔离，相比于普通hjt电池的背面低温银浆，该实用新型开创了另一条路，通过低廉的铝箔在组件段一次封装实现，简化了电池制备段的工艺流程，少了一道印刷、一道烘干。
69.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。另外，本技术实施例提供的上述技术方案中与现有技术中对应技术方案实现原理一致的部分并未详细说明，以免过多赘述。
70.对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。