技术特征：
1.一种单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于，包括：多个顶针和顶针状态控制部件；所述顶针具有夹紧状态和打开状态；在所述夹紧状态下各所述顶针从晶圆的边缘夹紧所述晶圆并使所述晶圆的固定在晶圆卡置装置上；在打开状态下，各所述顶针和所述晶圆的边缘脱离接触；所述顶针状态控制部件包括一个气缸，所述气缸中的活塞将所述气缸分割成第一腔室和第二腔室，所述第一腔室和驱动气体管路相连，所述第二腔室中设置有弹簧，驱动杆穿过所述第二腔室且所述驱动杆的第一侧和所述活塞相连以及所述驱动杆的第二侧和所述顶针相连；所述驱动气体管路上设置有第一常闭阀，在所述第一常闭阀和所述气缸之间的所述驱动气体管路上连接有泄气管路，所述泄气管路上设置有第二常开阀；所述第一常闭阀打开以及所述第二常开阀关闭时，驱动气体充入到所述第二腔室中压缩所述弹簧从而使所述活塞向第二侧移动，所述活塞移动带动所述驱动杆移动从而使所述顶针处于夹紧状态；所述第一常闭阀关闭以及所述第二常开阀打开时，所述弹簧复位使所述活塞向第一侧移动，所述活塞移动带动所述驱动杆移动从而使所述顶针处于打开状态，所述第二腔室中的所述驱动气体从所述泄气管路泄放使所述弹簧实现完全复位并保证所述顶针处于打开状态。2.如权利要求1所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：各所述顶针共用一个所述顶针状态控制部件；或者，一个所述顶针单独设置一个所述顶针状态控制部件。3.如权利要求1所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述驱动气体采用氮气、惰性气体或cda。4.如权利要求1所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述第一常闭阀采用气动阀。5.如权利要求4所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述第二常开阀采用气动阀。6.如权利要求5所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述第一常闭阀和所述第二常开阀都采用cda驱动。7.如权利要求6所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述第一常闭阀和所述第二常开阀都采用电磁阀控制。8.如权利要求7所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述第一常闭阀和所述第二常开阀采用同一个电磁阀控制，保证所述第一常闭阀和所述第二常开阀的开关状态正好相反。9.如权利要求1所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述顶针等间距分布在所述晶圆放置后对应的所述晶圆的边缘上。10.如权利要求9所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：单片工艺腔包括单片湿法清洗工艺腔。11.如权利要求10所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述单片湿法清洗工艺腔中的所述顶针的数量包括6个。
12.如权利要求11所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述晶圆卡置装置还包括平台结构；所述晶圆的第一表面为被刻蚀表面，所述晶圆的第二表面为所述第一表面的反面；所述晶圆固定在所述晶圆卡置装置上时，所述晶圆的第二表面和所述平台结构的顶部表面具有间距。13.如权利要求12所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述晶圆的第二表面和所述平台结构的顶部表面之间的间距区域中形成有气垫。14.如权利要求13所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述气垫为氮气气垫。15.如权利要求12所述的单片工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述单片湿法清洗工艺腔中还设置有供液喷嘴，所述供液喷嘴位于所述平台结构的顶部；在刻蚀时，所述供液碰嘴将清洗液喷射到所述晶圆的第一表面实现对所述晶圆的第一表面的刻蚀。
技术总结
本实用新型公开了一种单片工艺腔的晶圆卡置装置，包括：多个顶针和顶针状态控制部件；顶针具有夹紧状态和打开状态；顶针状态控制部件包括一个气缸，气缸中的活塞将所述气缸分割成第一腔室和第二腔室，第一腔室和驱动气体管路相连，第二腔室中设置有弹簧，驱动杆穿过第二腔室且驱动杆连接在活塞和顶针之间；驱动气体管路上设置有第一常闭阀，在第一常闭阀和气缸之间的驱动气体管路上连接有泄气管路，泄气管路上设置有第二常开阀；第一常闭阀打开以及第二常开阀关闭时，顶针处于夹紧状态；第一常闭阀关闭以及第二常开阀打开时，顶针处于打开状态。本实用新型能保证顶针在打开状态下完全复位，防止由于顶针复位不完全所产生的晶圆放置位置偏移。置位置偏移。置位置偏移。
技术研发人员：王海宾
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2021.05.17
技术公布日：2022/1/14