技术特征：
1.一种具有多光源区的激光芯片，其特征在于，所述激光芯片包括至少两光源区，所述光源区设于所述激光芯片的同侧或两相对侧上，任意两所述光源区之间均设有用于隔热的开口区。2.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述激光芯片的同侧设有两光源区，两所述光源区之间设有第一开口区。3.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述激光芯片的相对侧上分别设于设有一所述光源区，两所述光源区之间设有第二开口区。4.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述激光芯片的上侧设有第一光源区和第二光源区，所述第一光源区和所述第二光源区之间设有缺口设置的第三开口区，所述第三开口区的缺口端位于上侧的边线上，所述激光芯片的下侧设有第三光源区和第四光源区，所述第三光源区和所述第四光源区之间设有缺口设置的第四开口区，所述第四开口区的缺口端位于下侧的边线上，所述第一光源区与所述第三光源区位置相对应，所述第二光源区与所述第四光源区位置相对应，所述激光芯片中部设有用于对四所述光源区进行隔热的第五开口区。5.根据权利要求4所述的激光芯片，其特征在于，所述第五开口区为全封闭式设置。6.根据权利要求5所述的激光芯片，其特征在于，所述第五开口区为缺口设置，所述缺口端位于所述激光芯片的左侧边线上或右侧边线上。7.根据权利要求4所述的激光芯片，其特征在于，所述五开口区包括第一缺口和第二缺口，所述第一缺口设于所述第一光源区与所述第三光源区之间，所述第一缺口的缺口端位于所述激光芯片的左侧边线上，所述第二缺口设于所述第二光源区与所述第四光源区之间，所述第二缺口的缺口端位于所述激光芯片的右侧边线上。8.根据权利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述开口区内设有隔热材料层。9.根据权利要求8所述的激光芯片，其特征在于，所述隔热材料层的热导率小于1.0w/mk。
技术总结
本实用新型涉及一种具有多光源区的激光芯片，所述激光芯片包括至少两光源区，所述光源区设于所述激光芯片的同侧或两相对侧上，任意两所述光源区之间均设有用于隔热的开口区。上述激光芯片的结构能够有效减少每个光源区工作时的中心温度，有利于实现激光器的功率增大。大。大。
技术研发人员：周少丰 黄良杰 胡晖
受保护的技术使用者：深圳市星汉激光科技股份有限公司
技术研发日：2021.06.16
技术公布日：2021/11/24