一种八英寸硅片金属掩膜加载装置的制作方法

1.本实用新型属于硅片掩膜加工技术领域，特别是涉及一种八英寸硅片金属掩膜加载装置。


背景技术：

2.硅片一般是指由单晶硅切割成的薄片，直径有6英寸、8英寸、12英寸等规格，而现在尺寸为8英寸的硅片成为了市场的主流，8英寸硅片主要用来生产集成电路。硅片只是原料,芯片是成品。是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力，现在一般都是通过掩膜加载装置进行硅片掩膜，方便硅片的使用；
3.但以往的硅片掩膜操作，是通过显影曝光的方式印刷至硅片上，在此过程中需要用到显影剂、光刻胶等材料，成本高，且操作复杂，十分不利于硅片掩膜使用。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种八英寸硅片金属掩膜加载装置，解决现有的硅片掩膜操作成本高，且操作复杂，十分不利于硅片掩膜使用的问题。
5.为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：
6.本实用新型为一种八英寸硅片金属掩膜加载装置，包括硅片承载机构、掩膜版加载机构与显示机构，所述硅片承载机构包括主板、支撑柱、伸缩柱、放置板、装载台、限位环、第一电磁铁、调节块、主陶瓷托盘与第二电磁铁，所述主板为板体结构，所述主板上表面安装有若干支撑柱，所述支撑柱上表面滑动连接有伸缩柱，所述伸缩柱上表面安装有放置板，方便调节伸缩柱的高度，从而调节放置板的高度，方便调节主陶瓷托盘的高度，所述放置板上表面设置有放置槽，所述放置槽内部安装有装载台，所述装载台上表面安装有限位环与第一电磁铁，所述限位环与第一电磁铁位置相适应，所述第一电磁铁上表面安装有调节块，所述调节块上表面安装有主陶瓷托盘，通过调节块在限位环内移动，方便调节主陶瓷托盘的位置，有效提高操作对版的便捷性及精度，通过第一电磁铁方便固定调节块的位置，从而固定主陶瓷托盘的位置，所述主陶瓷托盘上表面设置有若干圆孔，所述圆孔内部安装有第二电磁铁，方便通过第二电磁铁将硅片固定在主陶瓷托盘上，方便提高操作对版的便捷性及精度；
7.所述掩膜版加载机构包括固定板、伸缩板、支撑板、副陶瓷托盘与第三电磁铁，所述主板上表面安装有固定板，所述固定板上表面滑动连接有伸缩板，方便调节伸缩板的高度，从而调节副陶瓷托盘的高度，方便提高操作对版的便捷性及精度，所述伸缩板一表面安装有支撑板，所述支撑板下表面安装有副陶瓷托盘，所述主陶瓷托盘与副陶瓷托盘位置相对，所述副陶瓷托盘内部设置有圆槽，所述圆槽内部安装有第三电磁铁，所述第二电磁铁与第三电磁铁位置相适应，方便通过第三电磁铁将金属掩膜版吸附在副陶瓷托盘上，方便将金属掩膜版精准覆盖到硅片上。
8.进一步地，所述调节块为铁质材料，方便通过第一电磁铁固定调节块的位置。
9.进一步地，所述显示机构包括光学镜头、支撑座、显示器与导线，所述副陶瓷托盘周侧面安装有若干光学镜头，所述支撑板上表面安装有支撑座，所述支撑座上表面安装有显示器，方便通过光学镜头显示金属掩膜版与硅片之间的位置，方便提高操作对版的便捷性及精度。
10.进一步地，所述光学镜头与显示器通过导线通信连接，方便通过导线将光学镜头内的内容传输到显示器上，方便观测到金属掩膜版与硅片之间的位置。
11.进一步地，所述支撑柱与伸缩柱的数量均为四个。
12.进一步地，所述光学镜头与导线的数量均为两个。
13.进一步地，所述主陶瓷托盘与副陶瓷托盘位置相对，方便精准的将金属掩膜版覆盖到硅片上。
14.进一步地，所述第二电磁铁与第三电磁铁的数量相同且位置相对，方便精准的将金属掩膜版覆盖到硅片上。
15.进一步的，所述主陶瓷托盘的第二电磁铁与副陶瓷托盘的第三电磁铁以圆心为中心，向四周呈放射状，以优化磁场分布，提高对版精度及吸附的稳定性。
16.本实用新型具有以下有益效果：
17.本实用新型通过调节伸缩柱的高度，从而调节放置板的高度，方便调节主陶瓷托盘的高度，通过调节块在限位环内移动，方便调节主陶瓷托盘的位置，有效提高操作对版的便捷性及精度，通过第一电磁铁方便固定调节块的位置，从而固定主陶瓷托盘的位置，通过第二电磁铁将硅片固定在主陶瓷托盘上，方便提高操作对版的便捷性及精度，通过调节伸缩板的高度，从而调节副陶瓷托盘的高度，方便提高操作对版的便捷性及精度，通过第三电磁铁将金属掩膜版吸附在副陶瓷托盘上，方便将金属掩膜版精准覆盖到硅片上，通过光学镜头显示掩膜与硅片之间的位置，方便提高操作对版的便捷性及精度，通过导线将光学镜头内的内容传输到显示器上，方便观测到金属掩膜版与硅片之间的位置。
18.当然，实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
19.为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
20.图1为本实用新型左侧结构示意图；
21.图2为本实用新型右侧结构示意图；
22.图3为本实用新型前视图；
23.图4为本实用新型图3中a-a处解剖示意图；
24.图5为本实用新型副陶瓷托盘结构示意图。
25.附图中，各标号所代表的部件列表如下：
26.1、主板；2、支撑柱；3、伸缩柱；4、放置板；5、装载台；6、限位环； 7、第一电磁铁；8、调节块；9、主陶瓷托盘；10、第二电磁铁；11、固定板； 12、伸缩板；13、支撑板；14、副陶瓷托
盘；15、第三电磁铁；16、光学镜头；17、支撑座；18、显示器；19、导线。
具体实施方式
27.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
28.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“中”、“外”、“内”、“下”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
29.请参阅图1-5所示，本实用新型为一种八英寸硅片金属掩膜加载装置，包括硅片承载机构、掩膜版加载机构与显示机构，硅片承载机构包括主板1、支撑柱2、伸缩柱3、放置板4、装载台5、限位环6、第一电磁铁7、调节块 8、主陶瓷托盘9与第二电磁铁10，主板1为板体结构，主板1上表面安装有若干支撑柱2，支撑柱2上表面滑动连接有伸缩柱3，伸缩柱3上表面安装有放置板4，方便调节伸缩柱3的高度，从而调节放置板4的高度，方便调节主陶瓷托盘9的高度，放置板4上表面设置有放置槽，放置槽内部安装有装载台5，装载台5上表面安装有限位环6与第一电磁铁7，限位环6与第一电磁铁7位置相适应，第一电磁铁7上表面安装有调节块8，调节块8上表面安装有主陶瓷托盘9，通过调节块8在限位环6内移动，方便调节主陶瓷托盘9的位置，有效提高操作对版的便捷性及精度，通过第一电磁铁7方便固定调节块8的位置，从而固定主陶瓷托盘9的位置，主陶瓷托盘9上表面设置有若干圆孔，圆孔内部安装有第二电磁铁10，方便通过第二电磁铁10 将硅片固定在主陶瓷托盘9上，方便提高操作对版的便捷性及精度；
30.掩膜版加载机构包括固定板11、伸缩板12、支撑板13、副陶瓷托盘14 与第三电磁铁15，主板1上表面安装有固定板11，固定板11上表面滑动连接有伸缩板12，方便调节伸缩板12的高度，从而调节副陶瓷托盘14的高度，方便提高操作对版的便捷性及精度，伸缩板12一表面安装有支撑板13，支撑板13下表面安装有副陶瓷托盘14，主陶瓷托盘9与副陶瓷托盘14位置相对，副陶瓷托盘14内部设置有圆槽，圆槽内部安装有第三电磁铁15，第二电磁铁10与第三电磁铁15位置相适应，方便通过第三电磁铁15将金属掩膜版吸附在副陶瓷托盘14上，方便将金属掩膜版精准覆盖到硅片上。
31.优选地，调节块8为铁质材料，方便通过第一电磁铁7固定调节块8的位置。
32.优选地，显示机构包括光学镜头16、支撑座17、显示器18与导线19，副陶瓷托盘14周侧面安装有若干光学镜头16，支撑板13上表面安装有支撑座17，支撑座17上表面安装有显示器18，方便通过光学镜头16显示金属掩膜版与硅片之间的位置，方便提高操作对版的便捷性及精度。
33.优选地，光学镜头16与显示器18通过导线19通信连接，方便通过导线 19将光学镜头16内的内容传输到显示器18上，方便观测到金属掩膜版与硅片之间的位置。
34.优选地，主陶瓷托盘9与副陶瓷托盘14位置相对，第二电磁铁10与第三电磁铁15的数量相同且位置相对，方便精准的将金属掩膜版覆盖到硅片上。
35.优选地，支撑柱2与伸缩柱3的数量均为四个，光学镜头16与导线19 的数量均为两个。
36.优选地的，主陶瓷托盘9的第二电磁铁10与副陶瓷托盘14的第三电磁铁15以圆心为中心，向四周呈放射状，以优化磁场分布，提高对版精度及吸附的稳定性。
37.如图1-5所示，本实用新型中，优选地，显示器18的型号为ldtm150，光学镜头16的型号为apl-15mm，本实施例为一种八英寸硅片金属掩膜加载装置的使用方法：先将硅片放在主陶瓷托盘9上，将第二电磁铁10通电，第二电磁铁10将硅片固定在主陶瓷托盘9上，再将第三电磁铁15通电，将金属掩膜版固定在副陶瓷托盘14上，先将伸缩柱3调节到合适的高度，再将调节块8在限位环6内移动，直到将调节块8移动到合适的位置后，将第一电磁铁7通电，再将伸缩板12调节到合适的位置，从而将副陶瓷托盘14调节到合适的位置，通过光学镜头16显示金属掩膜版与硅片的对版工作，通过导线19将光学镜头16显示的内容传递到显示器18上，方便完成对版，完成对版后，将第三电磁铁15断电，使第三电磁铁15失去磁力，金属掩膜版受引力作用，往下覆盖到硅片表面，从而完成硅片掩膜操作，完成后，将第二电磁铁10断电后将掩膜完毕的硅片取下即可。
38.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
39.以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。