一种可导电拼接的肖特基整流管封装结构的制作方法

文档序号:28976187发布日期:2022-02-19 18:55阅读:53来源:国知局
一种可导电拼接的肖特基整流管封装结构的制作方法

1.本实用新型涉及肖特基整流管,具体公开了一种可导电拼接的肖特基整流管封装结构。


背景技术:

2.肖特基整流管又称肖特基二极管,由于二极管具备整流功能,因此二极管也叫整流管,肖特基二极管是利用金属和半导体之间形成的表面势垒所制作而成的。
3.在一个完整的电路结构中,往往需要使用多个二极管,为实现各个二极管之间的导通,需要在pcb板中设计相应的线路结构,应用时把各个二极管连接于对应的线路中即可,但这种使用方式需要pcb板配备有对应的导电线路,线路设计密度大,设计难度高,且为避免发生短路,相邻两个二极管之间需要形成一定的间隔,占用空间大。


技术实现要素:

4.基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种可导电拼接的肖特基整流管封装结构,能够根据需求拼接使用,可有效节省导电连接线路,使用设计难度低。
5.为解决现有技术问题,本实用新型公开一种可导电拼接的肖特基整流管封装结构,包括绝缘封装体,绝缘封装体内设有肖特基二极管芯片、第一导电引脚和第二导电引脚,第一导电引脚和第二导电引脚分别连接肖特基二极管芯片的两个电极,第一导电引脚和第二导电引脚凸出于绝缘封装体的相对两侧,绝缘封装体的另外两侧分别设有第一散热绝缘立板和第二散热绝缘立板;
6.第一导电引脚连接有贯穿第一散热绝缘立板的第一导电桥,第二导电引脚连接有贯穿第二散热绝缘立板的第二导电桥,第一导电桥远离第一导电引脚的一端固定有第一防滑导电层,第二导电桥远离第二导电引脚的一端固定有第二防滑导电层,第一防滑导电层和第二防滑导电层关于肖特基二极管芯片对称;
7.第一散热绝缘立板内镶嵌有两个第一磁铁块和两个第一磁性金属块,两个第一磁铁块之间的连线和两个第一磁性金属块之间的连线分别为第一散热绝缘立板上的两根对角线;
8.第二散热绝缘立板内镶嵌有两个第二磁铁块和两个第二磁性金属块,两个第二磁铁块之间的连线和两个第二磁性金属块之间的连线分别为第二散热绝缘立板上的两根对角线;
9.两个第一磁铁块分别正对两个第二磁性金属块,两个第二磁铁块分别正对两个第一磁性金属块。
10.进一步的,第一导电引脚和第二导电引脚均为z字形。
11.进一步的,第一散热绝缘立板分别与第一导电引脚和第一导电引脚之间均形成有间隔,第一散热绝缘立板分别与第一导电引脚和第二导电引脚之间均形成有间隔。
12.进一步的,第一散热绝缘立板和第二散热绝缘立板均为绝缘陶瓷板。
13.进一步的,第一导电桥和第二导电桥均为弯折成z字形的导电柱。
14.进一步的,第一防滑导电层和第二防滑导电层均为导电银胶层。
15.本实用新型的有益效果为:本实用新型公开一种可导电拼接的肖特基整流管封装结构,设置有特殊的导电桥和散热绝缘立板结构,并在散热绝缘立板中镶嵌有以对角方式设置的导电吸附结构,能够根据需求拼接使用,从而实现异极连接或同极连接的效果,所形成的导电连接结构和定位结构均稳定可靠,应用于pcb板时,能够有效节省相邻肖特基整流管之间的导电连接线路,使用设计难度低,且相邻两个肖特基二极管之间以紧贴连接的方式拼接,整体结构的占用空间小。
附图说明
16.图1为本实用新型的俯视结构示意图。
17.图2为本实用新型沿图中a-a’的剖面结构示意图。
18.图3为本实用新型隐藏绝缘封装体后的立体结构示意图。
19.附图标记为:绝缘封装体10、肖特基二极管芯片11、第一导电引脚20、第二导电引脚30、第一散热绝缘立板40、第一导电桥41、第一防滑导电层411、第一磁铁块42、第一磁性金属块43、第二散热绝缘立板50、第二导电桥51、第二防滑导电层511、第二磁铁块52、第二磁性金属块53。
具体实施方式
20.为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
21.参考图1至图3。
22.本实用新型实施例公开一种可导电拼接的肖特基整流管封装结构,包括绝缘封装体10,绝缘封装体10内设有肖特基二极管芯片11、第一导电引脚20和第二导电引脚30,第一导电引脚20和第二导电引脚30分别连接肖特基二极管芯片11的两个电极,第一导电引脚20和第二导电引脚30的底面均凸出于绝缘封装体10的底面下,第一导电引脚20和第二导电引脚30凸出于绝缘封装体10的相对两侧,绝缘封装体10的另外两侧分别设有第一散热绝缘立板40和第二散热绝缘立板50,能够有效提高拼接后所形成结构的散热性能,能够有效避免热量积聚与相邻两个肖特基整流管封装结构之间,优选地,第一散热绝缘立板40和第二散热绝缘立板50分别取缔绝缘封装体10的相对两侧面,能够进一步提高其导热释放的性能;
23.第一导电引脚20连接有贯穿第一散热绝缘立板40的第一导电桥41,第一导电桥41的一端连接第一导电引脚20,另一端贯穿第一散热绝缘立板40到达其表面,第二导电引脚30连接有贯穿第二散热绝缘立板50的第二导电桥51,第二导电桥51的一端连接第二导电引脚30,另一端贯穿第二散热绝缘立板50到达其表面,第一导电桥41远离第一导电引脚20的一端固定有第一防滑导电层411,第二导电桥51远离第二导电引脚30的一端固定有第二防滑导电层511,第一防滑导电层411和第二防滑导电层511关于肖特基二极管芯片11对称,即沿垂直于第一散热绝缘立板40的方向投影,第一散热绝缘立板40的投影与第二散热绝缘立板50重合,第一防滑导电层411和第二防滑导电层511分别位于第一散热绝缘立板40的中心和第二散热绝缘立板50的中心,能够确保第一防滑导电层411与第二防滑导电层511之间能
够实现可靠的导电连接;
24.第一散热绝缘立板40内镶嵌有两个第一磁铁块42和两个第一磁性金属块43,两个第一磁铁块42之间的连线和两个第一磁性金属块43之间的连线分别为第一散热绝缘立板40上的两根对角线,对角线设置的方式能够确保相邻两个肖特基整流管封装结构中的第一散热绝缘立板40能够实现可靠的拼接相连;
25.第二散热绝缘立板50内镶嵌有两个第二磁铁块52和两个第二磁性金属块53,两个第二磁铁块52之间的连线和两个第二磁性金属块53之间的连线分别为第二散热绝缘立板50上的两根对角线,对角线设置的方式能够确保相邻两个肖特基整流管封装结构中的第二散热绝缘立板50能够实现可靠的拼接相连;
26.两个第一磁铁块42分别正对两个第二磁性金属块53,两个第二磁铁块52分别正对两个第一磁性金属块43,即沿垂直于第一散热绝缘立板40的方向投影,两个第一磁铁块42的投影分别与两个第二磁性金属块53重合,两个第一磁性金属块43的投影分别与两个第二磁铁块52重合。
27.本实用新型的肖特基整流管封装结构的外部轮廓为中心对称,旋转轴为肖特基二极管芯片11的中垂线,应用时,根据需求旋转肖特基整流管封装结构,令相邻的两个肖特基整流管封装结构进行导电拼接,可有效简化所应用pcb板中线路的复杂程度,使用方便,线路设计的难度低,且相邻的结构之间可以直接拼接紧贴,能够有效节省空间。
28.当需要正负极连接时,一个肖特基整流管封装结构中的第一散热绝缘立板40紧贴另一个肖特基整流管封装结构中的第二散热绝缘立板50,第一磁铁块42对第二磁性金属块53实现吸附定位,第二磁铁块52对第一磁性金属块43实现吸附定位,第一防滑导电层411和第二防滑导电层511紧贴接触,从而实现两个肖特基整流管封装结构的正负极连接,定位结构和导电连接结构均稳定可靠;当需要同极连接时,以第一导电引脚20为连接电极举例,180
°
旋转其中一个肖特基整流管封装结构后,第一个肖特基整流管封装结构中的第一散热绝缘立板40紧贴第二个肖特基整流管封装结构中的第一散热绝缘立板40,第一个肖特基整流管封装结构中的第一磁铁块42对第二个肖特基整流管封装结构第一磁性金属块43实现吸附定位,第一个肖特基整流管封装结构中的第一磁性金属块43被第二个肖特基整流管封装结构的第一磁铁块42吸附定位,第一个肖特基整流管封装结构中的第一防滑导电层411与第二个肖特基整流管封装结构的第一防滑导电层411紧贴接触,从而实现两个肖特基整流管封装结构的同极连接,定位结构和导电连接结构均稳定可靠。
29.在本实施例中,第一导电引脚20和第二导电引脚30均为z字形,第一导电引脚20和第二导电引脚30以夹焊的方式连接于肖特基二极管芯片11的上下两侧,优选地,第一导电引脚20包括依次连接的第一上平板、第一斜立板和第一下平板,第二导电引脚30包括依次连接的第二上平板、第二斜立板和第二下平板。
30.基于上述实施例,第一导电桥41和第二导电桥51均为弯折成z字形的导电柱,匹配夹焊式的连接方式,通过弯折的方式令第一导电桥41和第二导电桥51分别处于绝缘封装体10侧面的一端位于同一水平位置,从而能够实现可靠的导电连接效果。
31.在本实施例中,第一散热绝缘立板40分别与第一导电引脚20和第一导电引脚20之间均形成有间隔,第一散热绝缘立板40分别与第一导电引脚20和第二导电引脚30之间均形成有间隔,能够有效避免第一磁铁块42或第二磁铁块52对肖特基二极管芯片11造成影响。
32.在本实施例中,第一散热绝缘立板40和第二散热绝缘立板50均为绝缘陶瓷板,绝缘陶瓷板具有优良的绝缘性能和导热性能。
33.在本实施例中,第一防滑导电层411和第二防滑导电层511均为导电银胶层,导电银胶具有良好的导电性能、防腐蚀性能以及弹性,能够有效提高所形成的导电连接结构的可靠性,且暴露在空气中也不易被腐蚀损坏。
34.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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